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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
GB0158101KA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: ±10%
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.009" (0.23mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 pF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
400+6.23 EUR
800+ 5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 400
GB0158101KA6NKYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
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GB0158101MA6NAVXSpecialty Ceramic Capacitors 50V 100pF W/BORDERS 20%Tol MAXI SGL LAYR
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GB0158151MN6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: ±20%
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.009" (0.23mm)
Part Status: Active
Capacitance: 150 pF
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
400+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 400
GB015Z101MA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER 100PF 50V X7S SMD
Tolerance: ±20%
Features: Gold Flash Termination, Single Layer
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7S
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.009" (0.22mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 pF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
400+4.36 EUR
800+ 3.64 EUR
1200+ 3.39 EUR
2000+ 3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 400
GB015Z111MA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: ±20%
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7S
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.009" (0.23mm)
Capacitance: 110 pF
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
400+6.17 EUR
800+ 5.56 EUR
1200+ 5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 400
GB015Z111MA6NKYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors 50V 110pF W/BORDERS 20% Tol MAXI SG LAYR
Produkt ist nicht verfügbar
GB015Z220KA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: ±10%
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7S
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.009" (0.23mm)
Part Status: Active
Capacitance: 22 pF
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
400+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 400
GB01SHT06-CAUGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SHT12-CALGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
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GB01SLT06-214GeneSiC Semiconductor650V 1A DO-214 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT06-214GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
auf Bestellung 14855 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.41 EUR
25+ 3.22 EUR
100+ 2.95 EUR
250+ 2.79 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7
GB01SLT06-214GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
auf Bestellung 14581 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.95 EUR
16+ 3.41 EUR
25+ 3.22 EUR
100+ 2.94 EUR
250+ 2.81 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 14
GB01SLT06-214GeneSiC Semiconductor650V 1A DO-214 SiC Schottky MPS
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GB01SLT06-214GENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT06-214GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; DO214; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: DO214
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 7A
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT06-214GeneSiC SemiconductorDiode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT06-214GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; DO214; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: DO214
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 7A
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT06-214GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.42 EUR
6000+ 2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
GB01SLT12-214GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-214GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: SMB (DO-214AA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-214GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 2.5A Standard
auf Bestellung 30368 Stücke:
Lieferzeit 291-305 Tag (e)
9+6.21 EUR
10+ 5.49 EUR
25+ 5.23 EUR
100+ 4.84 EUR
250+ 4.6 EUR
500+ 4.42 EUR
1000+ 4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9
GB01SLT12-214GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-214GENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GB01SLT12-214GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; DO214; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: DO214
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-214GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-214GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; DO214; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: DO214
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-214GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: SMB (DO-214AA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-214GENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GB01SLT12-214GENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 13
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GB01SLT12-220GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-220GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GB01SLT12-220GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky 1.2KV 1A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-252GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-252GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-252GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
auf Bestellung 4248 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.87 EUR
16+ 3.35 EUR
25+ 3.15 EUR
100+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
GB01SLT12-252GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-252GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
GB01SLT12-252GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GB024D2Macromatic Industrial ControlsDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 12A 24V
Packaging: Box
Features: Lighted Indicator, Test Button
Mounting Type: Socketable
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: Plug In
Relay Type: General Purpose
Coil Type: Non Latching
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 12 A
Switching Voltage: 250VAC, 30VDC - Max
Part Status: Active
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+30.52 EUR
GB024D3Macromatic Industrial ControlsDescription: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
Packaging: Box
Features: Lighted Indicator, Test Button
Mounting Type: Socketable
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: Plug In
Relay Type: General Purpose
Coil Type: Non Latching
Contact Form: 3PDT (3 Form C)
Contact Rating (Current): 10 A
Switching Voltage: 250VAC, 30VDC - Max
Part Status: Active
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
GB024D4Macromatic Industrial ControlsDescription: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 6A 24V
Packaging: Box
Mounting Type: Socketable
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: Plug In
Relay Type: General Purpose
Coil Type: Non Latching
Contact Form: 4PDT (4 Form C)
Contact Rating (Current): 6 A
Switching Voltage: 250VAC, 30VDC - Max
Part Status: Active
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+34.06 EUR
GB0258471KA6NKYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
GB0258471KA6NKyocera AVX ComponentsCap Ceramic Single 470pF 50V X7R 10% (0.635 X 0.635 X 0.178mm) Pad SMD 125C Waffle
Produkt ist nicht verfügbar
GB025Z101KA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: ±10%
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7S
Size / Dimension: 0.025" L x 0.025" W (0.64mm x 0.64mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.009" (0.23mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 pF
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
400+6.39 EUR
800+ 5.75 EUR
1200+ 5.54 EUR
2000+ 5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 400
GB025Z101KA6NKYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors 100PF 50V 10%
Produkt ist nicht verfügbar
GB02SHT01-46GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+109.56 EUR
5+ 106.52 EUR
10+ 102.1 EUR
25+ 94.74 EUR
50+ 93.55 EUR
GB02SHT01-46GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+116.14 EUR
10+ 108.36 EUR
100+ 94.5 EUR
GB02SHT03-46GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+117.26 EUR
10+ 109.4 EUR
100+ 94.99 EUR
GB02SHT03-46GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
GB02SHT06-46GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
GB02SHT06-46GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
GB02SLT06-214GeneSiC SemiconductorDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
GB02SLT06-214GeneSiC SemiconductorDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
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GB02SLT12-214GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard
auf Bestellung 6982 Stücke:
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7+7.75 EUR
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100+ 6.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
GB02SLT12-214GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 2A 2-Pin SMB
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GB02SLT12-214GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5932 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
GB02SLT12-214GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; DO214; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: DO214
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GB02SLT12-214GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; DO214; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: DO214
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 16A
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GB02SLT12-214GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 2A 2-Pin SMB
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GB02SLT12-214GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5932 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.67 EUR
10+ 6.84 EUR
25+ 6.53 EUR
100+ 6.07 EUR
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500+ 5.59 EUR
1000+ 5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
GB02SLT12-220GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
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GB02SLT12-220GeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 52
GB02SLT12-220GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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GB02SLT12-252GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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GB02SLT12-252GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GB02SLT12-252GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect.
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GB02SLT12-252GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 16A
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GB02SLT12-252GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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GB02SLT12-252GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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GB02SLT12-252GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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GB0359152KA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: ±10%
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.035" L x 0.035" W (0.89mm x 0.89mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.009" (0.23mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1500 pF
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
400+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 400
GB0359152KA6NKYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
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GB0359152KA6N-2302KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors 1500PF 50V 10%
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GB03SLT12-220GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+9.66 EUR
100+ 8.84 EUR
250+ 8.06 EUR
500+ 7.12 EUR
1000+ 6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50
GB03SLT12-220GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
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GB03SLT12-247GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
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GB0400003Diodes IncorporatedCrystals Crystal Metal Can DIP49S T&R 1K
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GB0400004Diodes IncorporatedCrystals Crystal Metal Can DIP49S T&R 1K
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GB0400005Diodes IncCrystal 4MHz ±30ppm (Tol) ±30ppm (Stability) 16pF FUND 120Ohm 2-Pin Thru-Hole Bag
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GB0400005Diodes IncorporatedCrystals 4.000MHz 16pF 30ppm -20 +70
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
74+ 0.71 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.51 EUR
2000+ 0.47 EUR
5000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 60
GB0400005Diodes IncorporatedDescription: CRYSTAL 4.0000MHZ 16PF TH
Packaging: Bulk
Package / Case: HC-49/US
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.138" (3.50mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 120 Ohms
Frequency: 4 MHz
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
31+ 0.84 EUR
50+ 0.76 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 26
GB0400023Diodes IncorporatedCrystals Crystal Metal Can DIP49S T&R 1K
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GB0400034Diodes IncorporatedCrystals 4.000MHz 30pF 30ppm -25 +70
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
43+1.23 EUR
57+ 0.93 EUR
100+ 0.82 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.61 EUR
5000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 43
GB0400034Diodes IncorporatedDescription: CRYSTAL 4.0000MHZ 30PF TH
Packaging: Bulk
Package / Case: HC-49/US
Load Capacitance: 30pF
Size / Dimension: 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.138" (3.50mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 4 MHz
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.33 EUR
24+ 1.1 EUR
50+ 0.99 EUR
100+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
GB0400039Diodes IncorporatedCrystals 4.000MHz 20pF 30ppm -20 +70
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.31 EUR
51+ 1.03 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.61 EUR
5000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 40
GB0400039Diodes IncCrystal 4MHz ±30ppm (Tol) ±30ppm (Stability) 20pF FUND 150Ohm 2-Pin Thru-Hole Bag
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GB04001Ethertronics/AVXDescription: RF ANT 2.4GHZ STAMPED MET SLD
Produkt ist nicht verfügbar
GB04001Ethertronics/AVXDescription: RF ANT 2.4GHZ STAMPED MET SLD
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GB04001-SEthertronics/AVXDescription: RF ANTENNA WIFI/ISM/BT/ZIGBEE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
GB042-24S-H10
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GB042-24S-H10-E3000
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GB042-34S-H10
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GB04SLT17-247GeneSiC SemiconductorDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
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GB0502PFV1-8.B2393.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 25X10MM 5VDC WIRE
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 25mm L x 25mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 1.0 CFM (0.028m³/min)
Width: 10.00mm
Weight: 0.017 lb (7.71 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, CUR, TUV, UL
Fan Type: Blower
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.300 in H2O (74.7 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 500 mW
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GB0503PFV1-8 B1837.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 30X10MM 5VDC WIRE
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 30mm L x 30mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 10000 RPM
Air Flow: 1.2 CFM (0.034m³/min)
Width: 10.00mm
Weight: 0.019 lb (8.62 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, CUR, TUV, UL
Fan Type: Blower
Noise: 30.9dB(A)
Static Pressure: 0.320 in H2O (79.7 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 500 mW
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GB0504ADB1-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 40X7.3MM 5VDC WIRE
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GB0504ADB2-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 40X7.3MM 5VDC WIRE
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GB0504ADV1-8.B2471.F.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 40X7.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0504ADV1-8.B2471.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 40X8MM VAPO 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0504AFB1-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 40X9.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0504AFV1-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 40X9.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0504AFV1-8.B2493.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 40X9.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0504AFV3-8B1289.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 40X10MM 5VDC WIRE
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square/Rounded - 40mm L x 40mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
Width: 10.00mm
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, cURus, TUV
Fan Type: Blower
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GB0507PGV1-A.13.B2467.F.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 70X12MM 5VDC WIRE
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GB0535ACB1-8.B2208.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 34.8X6MM 5VDC WIRE
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 34.8mm L x 34.8mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 9500 RPM
Air Flow: 0.880 CFM (0.025m³/min)
Width: 6.00mm
Weight: 0.022 lb (9.98 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, CUR, TUV, UL
Fan Type: Blower
Noise: 31.0dB(A)
Static Pressure: 0.310 in H2O (77.2 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 700 mW
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GB0535ACB1-8.B2280.GNSunonSunon
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GB0535ACB1-8.C883.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 34.8X6MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0535ADB2-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 34.8X7.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0535ADB3-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 34.8X7.3MM 5VDC WIRE
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 34.8mm L x 34.8mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 5000 RPM
Air Flow: 0.812 CFM (0.023m³/min)
Width: 7.30mm
Weight: 0.026 lb (11.79 g)
Operating Temperature: 14 ~ 194°F (-10 ~ 90°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, CUR, TUV, UL
Fan Type: Blower
Noise: 20.0dB(A)
Static Pressure: 0.130 in H2O (32.4 Pa)
Power (Watts): 250 mW
Produkt ist nicht verfügbar
GB0535ADV1-8.B2336.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 34.8X7.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0535ADV3-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 34.8X7.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0535AEB1-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 34.8X7.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0535AEV1-8.B2445.GNSunonBlowers & Centrifugal Fans
Produkt ist nicht verfügbar
GB0535AEV1-8.B2445.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 34.8X7.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0535AEV1-8A B1360.F.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 34.8X7.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0535AEV1-8A B1360.F.GNSunonSunon
Produkt ist nicht verfügbar
GB0545ADB1-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 45X7.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0545ADB2-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 45X7.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0545ADV1-8.B1968.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 45X8MM 5VDC
Produkt ist nicht verfügbar
GB0545AFB1-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 45X9.3MM 5VDC WIRE
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 45mm L x 45mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 5500 RPM
Air Flow: 2.2 CFM (0.061m³/min)
Width: 9.30mm
Weight: 0.048 lb (21.77 g)
Operating Temperature: 14 ~ 194°F (-10 ~ 90°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, CUR, TUV, UL
Fan Type: Blower
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.260 in H2O (64.8 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
GB0545AFB2-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 45X9.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB0545AFV1-8Sunon FansDescription: FAN BLOWER 45X9.3MM 5VDC WIRE
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 45mm L x 45mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 5500 RPM
Air Flow: 2.2 CFM (0.061m³/min)
Width: 9.30mm
Weight: 0.048 lb (21.77 g)
Operating Temperature: 14 ~ 194°F (-10 ~ 90°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, CUR, TUV, UL
Fan Type: Blower
Noise: 29.0dB(A)
Static Pressure: 0.260 in H2O (64.8 Pa)
Power (Watts): 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
GB0545AFV1-8.B1824.GNSunon FansDescription: FAN BLOWER 45X9.3MM 5VDC WIRE
Produkt ist nicht verfügbar
GB05MPS17-247GeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.7KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
GB05MPS17-247GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GB05MPS17-247GeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.7KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
GB05MPS17-247GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
GB05MPS17-263GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GB05MPS17-263GeneSiC SemiconductorDescription: 1700V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
auf Bestellung 1843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.22 EUR
10+ 18.93 EUR
25+ 18.1 EUR
100+ 17.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
GB05MPS33-263GeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
GB05MPS33-263GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
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GB05MPS33-263GeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
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GB05MPS33-263GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; TO263-7; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.4V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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GB05MPS33-263GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+73.27 EUR
10+ 67.08 EUR
25+ 64.77 EUR
100+ 61.41 EUR
250+ 59.59 EUR
GB05MPS33-263GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; TO263-7; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.4V
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GB05SHT06-CALGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom
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GB05SHT06-CAUGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom
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GB05SHT12-CALGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom
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GB05SHT12-CAUGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom
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GB05SLT12-220GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
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GB05SLT12-220GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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GB05SLT12-252GeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GB05SLT12-252GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
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GB0610005Diodes IncorporatedCrystals Crystal Metal Can DIP49S T&R 1K
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GB0659103KN6NKyocera AVX ComponentsCap Ceramic 0.01uF 50V X7R 10% (0.635 X 0.635 X 0.178mm) Pad SMD 125C Waffle
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GB07N120INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GB07N120
Produktcode: 86281		IC > IC andere
8542 39 90 00
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GB0800004Diodes IncCrystal 8MHz ±30ppm (Tol) ±30ppm (Stability) 30pF FUND 80Ohm 2-Pin Thru-Hole Bag
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GB0800004Diodes IncorporatedCrystals 8.000MHz 30pF 30ppm -10 +70
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
41+1.28 EUR
55+ 0.95 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.67 EUR
2000+ 0.63 EUR
5000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 41
GB0800004Diodes IncorporatedDescription: CRYSTAL 8.0000MHZ 30PF TH
Packaging: Bulk
Package / Case: HC-49/US
Load Capacitance: 30pF
Size / Dimension: 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -10°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.138" (3.50mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8 MHz
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GB08SLT17-247GeneSiC SemiconductorDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
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GB0930002Diodes IncorporatedCrystals Crystal Metal Can DIP49S T&R 1K
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GB0930002Diodes IncorporatedDescription: CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: MHz Crystal
Operating Mode: Fundamental
Part Status: Active
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GB0S59101MA6N-2361KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors CUSTOM
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GB0S5C130KA6NKyocera AVXSpeciality Ceramic Capacitors
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