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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IGC019S06S1Infineon Technologies MV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 3494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.47 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 395000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.94 EUR
200000+3.56 EUR
300000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.47 EUR
36+6.52 EUR
100+4.47 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.19 EUR
10+5.39 EUR
100+3.81 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
auf Bestellung 2983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.24 EUR
100+3.86 EUR
500+3.28 EUR
2500+3.08 EUR
5000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC025S08S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC025S08S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.9 EUR
40+5.81 EUR
100+3.94 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC025S08S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
auf Bestellung 9078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.24 EUR
100+3.86 EUR
500+3.28 EUR
2500+3.17 EUR
5000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC025S08S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.94 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC025S08S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
auf Bestellung 6972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.44 EUR
10+5.57 EUR
100+3.93 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S101XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S101XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 4430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.72 EUR
10+5.09 EUR
100+3.59 EUR
500+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S101XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs MV GAN DISCRETES
auf Bestellung 3218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.46 EUR
100+3.86 EUR
500+3.28 EUR
2500+3.17 EUR
5000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S101XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
36+6.54 EUR
100+4.77 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S101XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 76A; 45W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S10S1XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 76A; 45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 45W
Gate charge: 14nC
Technology: GaN
Drain current: 76A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...5.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 6668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.56 EUR
10+6.31 EUR
100+4.45 EUR
500+3.65 EUR
1000+3.4 EUR
2000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
36+6.54 EUR
100+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC033S10S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs MV GAN DISCRETES
auf Bestellung 6670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.32 EUR
100+3.86 EUR
500+3.28 EUR
2500+3.17 EUR
5000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC037S12S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 10nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.02 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC037S12S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
auf Bestellung 3064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.19 EUR
10+5.3 EUR
100+3.86 EUR
500+3.28 EUR
2500+3.08 EUR
5000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC037S12S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC037S12S1XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC037S12S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.64 EUR
10+6.35 EUR
100+4.49 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC037S12S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 10nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.97 EUR
39+5.99 EUR
100+4.02 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC03T60TEX7SA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 3A WAFER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC06R60DEX1SA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors The reverse conducting TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and a monolithically integrated diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC109T120T6RLX1SA2Infineon TechnologiesInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC109T120T6RMX1SA3Infineon TechnologiesInfineon
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IGC114T170S8RHX1SA3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1700V 3-Pin Die Wafer
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IGC114T170S8RHX1SA3Infineon TechnologiesIGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.
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IGC11T120T6LX1SA3Infineon TechnologiesInfineon
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IGC11T60TEX7SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 11A WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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IGC142T120T8RHInfineon TechnologiesIGBT Transistors
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IGC142T120T8RLX1SA2Infineon TechnologiesIGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC142T120T8RLX1SA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3-Pin Die Wafer
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 Mindestbestellmenge: 1530 Stücke
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IGC168T170S8RHX1SA3Infineon TechnologiesIGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.
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IGC168T170S8RHX1SA3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1700V 3-Pin Die Wafer
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IGC18T120T6LX1SA4Infineon TechnologiesInfineon
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IGC18T120T8LX1SA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC18T120T8LX1SA2Infineon TechnologiesIGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.
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IGC18T120T8QX1SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 15A DIE
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IGC204ifm efector, inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Indicator: LED
Ingress Protection: IP68
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Packaging: Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC204IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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IGC206IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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IGC20T60TEX7SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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IGC212C
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IGC213IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC223IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC232IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC233IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC234IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC235IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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IGC258ifm efector, inc.Description: INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC259IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+102.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC27T120T8LX1SA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 25A DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC320CFUJITSU09+ SOP28
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC50T120T8RLX1SA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V
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 Mindestbestellmenge: 4779 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC50T120T8RLX7SA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 50A DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC50T120T8RQX1SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 50A DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC54T65R3QEX1SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
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IGCIXF440ACINTELBGA
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IGCM04B60GAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+15.22 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04B60GAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04B60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+13.35 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04B60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAInfineon technologies
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAInfineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Dual In-Line Intell. Pwr Module; 600V 4A
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 Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GA
Produktcode: 180814
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
auf Bestellung 158584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+10.83 EUR
100+10.14 EUR
500+9.39 EUR
1000+8.68 EUR
10000+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGCM04F60GAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/4A/6 Ausgänge, SIP-24
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 4A
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 600V
Bauform - IPM: DIP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
Bauform - Treiber: SIP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.72 EUR
17+14.41 EUR
19+11.41 EUR
50+10.66 EUR
100+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CIPOS MINI
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.77 EUR
10+9.07 EUR
25+8.98 EUR
100+7.85 EUR
280+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.32 EUR
18+10 EUR
100+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1
Produktcode: 168902
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; -4÷4A
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 21.8W
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...4A
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.42 EUR
9+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.02 EUR
14+12.36 EUR
50+11.39 EUR
100+10.07 EUR
200+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module, Offset Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 4 A
Voltage: 600 V
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.42 EUR
14+14.08 EUR
112+10.86 EUR
504+9.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 4 A
Voltage: 600 V
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
55+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04F60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 4 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04G60GAXKMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers LSPS MODULES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04G60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04G60GAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 4A 24PWRDIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 4 A
Part Status: Active
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.23 EUR
14+9.95 EUR
112+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04G60GAXKMA1InfineonPower Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04G60HAInfineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CIPOS MINI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04G60HAXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGCM04G60HAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 9.5V-13.0V, 600V/4A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 4A
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 600V
Bauform - IPM: DIP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
Bauform - Treiber: DIP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 13V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.26 EUR
13+17.91 EUR
17+13.11 EUR
50+11.61 EUR
100+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IGCM04G60HAXKMA1
Produktcode: 128622
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IGCM04G60HAXKMA1Infineon TechnologiesIntelligent Power Modules - IPMs LSPS MODULES
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.5 EUR
10+12.79 EUR
100+9.89 EUR
560+8.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGCM04G60HAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
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IGCM04G60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 24MDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 4 A
Voltage: 600 V
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