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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IGO17
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.98 EUR
10+20.92 EUR
50+20.37 EUR
100+18.35 EUR
500+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.19 EUR
10+22.6 EUR
50+20.22 EUR
100+18.16 EUR
250+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.6 EUR
50+20.22 EUR
100+18.16 EUR
250+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO7470SANYO
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Technology: CoolGaN™
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10V
Kind of package: tape
Case: PG-DSO-20
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate current: 20mA
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 5.8nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1Infineon Technologies600V enhancement-mode JFET Transistor
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+41.86 EUR
10+36.25 EUR
25+32.63 EUR
50+31.06 EUR
100+26.6 EUR
250+23.18 EUR
500+21.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.81 EUR
10+23.97 EUR
12+18.68 EUR
50+18.61 EUR
100+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.88 EUR
10+18.18 EUR
25+18.14 EUR
50+18.11 EUR
100+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.97 EUR
12+18.68 EUR
50+18.61 EUR
100+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025B3Infineon TechnologiesInfineon HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025B3AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.62 EUR
11+20.37 EUR
50+18.72 EUR
100+17.61 EUR
250+17.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R025D2AUMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.94 EUR
10+17.86 EUR
100+14.89 EUR
500+13.51 EUR
800+11.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.62 EUR
11+20.37 EUR
50+18.72 EUR
100+17.61 EUR
250+17.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R025D2AUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.22 EUR
10+15.47 EUR
100+13.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
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1+18.18 EUR
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500+10.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
auf Bestellung 744 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R045D2AUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R045D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.51 EUR
11+22.3 EUR
12+19.28 EUR
50+17.72 EUR
100+16.66 EUR
250+16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs
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10+17.28 EUR
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250+14.01 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R045D2AUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R045D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.51 EUR
11+22.3 EUR
12+19.28 EUR
50+17.72 EUR
100+16.66 EUR
250+16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IGOT65R055D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
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IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
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26+6.82 EUR
29+5.81 EUR
100+4.99 EUR
250+4.9 EUR
500+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.28 EUR
10+8.96 EUR
100+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.82 EUR
29+5.59 EUR
100+4.72 EUR
250+4.53 EUR
500+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.02 EUR
23+10.19 EUR
100+7.15 EUR
500+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+8.6 EUR
100+6.51 EUR
500+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.02 EUR
23+10.19 EUR
100+7.15 EUR
500+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH