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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IGO17
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
auf Bestellung 2153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+34.64 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.68 EUR
10+18.72 EUR
100+14.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.19 EUR
10+22.6 EUR
50+20.22 EUR
100+18.16 EUR
250+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.98 EUR
10+20.92 EUR
50+20.37 EUR
100+18.35 EUR
500+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.6 EUR
50+20.22 EUR
100+18.16 EUR
250+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGO7470SANYO
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1Infineon Technologies600V enhancement-mode JFET Transistor
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+42.35 EUR
10+36.66 EUR
25+33.01 EUR
50+31.42 EUR
100+26.91 EUR
250+23.44 EUR
500+22.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+32.74 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate current: 20mA
Power dissipation: 125W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.97 EUR
12+18.68 EUR
50+18.61 EUR
100+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.5 EUR
10+19.29 EUR
100+14.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.88 EUR
10+18.18 EUR
25+18.14 EUR
50+18.11 EUR
100+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.81 EUR
10+23.97 EUR
12+18.68 EUR
50+18.61 EUR
100+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.62 EUR
11+20.37 EUR
50+18.72 EUR
100+17.61 EUR
250+17.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R025D2AUMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.62 EUR
11+20.37 EUR
50+18.72 EUR
100+17.61 EUR
250+17.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.94 EUR
10+17.86 EUR
100+14.89 EUR
500+13.51 EUR
800+11.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R025D2AUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.22 EUR
10+15.47 EUR
100+13.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.87 EUR
10+13.7 EUR
100+10.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.18 EUR
10+14.22 EUR
100+11.85 EUR
500+10.56 EUR
800+9.4 EUR
2400+9.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R035D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 136-140 Tag (e)
1+21.38 EUR
10+17.28 EUR
25+16.09 EUR
50+15.37 EUR
100+14.74 EUR
250+14.01 EUR
500+13.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R045D2AUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R045D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.51 EUR
11+22.3 EUR
12+19.28 EUR
50+17.72 EUR
100+16.66 EUR
250+16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R045D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGOT65R045D2AUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R045D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.51 EUR
11+22.3 EUR
12+19.28 EUR
50+17.72 EUR
100+16.66 EUR
250+16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.89 EUR
29+5.65 EUR
100+4.78 EUR
250+4.58 EUR
500+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.02 EUR
23+10.19 EUR
100+7.15 EUR
500+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+8.6 EUR
100+6.51 EUR
500+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.28 EUR
10+8.96 EUR
100+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.02 EUR
23+10.19 EUR
100+7.15 EUR
500+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.89 EUR
29+5.88 EUR
100+5.05 EUR
250+4.96 EUR
500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH