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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJB18004D2T4
auf Bestellung 18400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41ConsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
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MJB41C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CG
Produktcode: 179306
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.12 EUR
100+1.95 EUR
500+1.61 EUR
950+1.3 EUR
5700+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CG
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CGOn SemiconductorTRANS NPN 100V 6A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GOn SemiconductorTRANS NPN 100V 6A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
85+2.74 EUR
102+2.12 EUR
126+1.71 EUR
250+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.12 EUR
1600+1.04 EUR
2400+0.99 EUR
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, ft, МГц = 3, hFE = 15 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 700 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 600 мA, 6 A, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
auf Bestellung 3822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
500+1.09 EUR
800+0.98 EUR
2400+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 5188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42ConsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GON Semiconductor
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
115+1.88 EUR
141+1.54 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.99 EUR
1600+0.9 EUR
2400+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
97+2.42 EUR
115+1.88 EUR
141+1.54 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+0.98 EUR
800+0.89 EUR
9600+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4GOn SemiconductorTRANS PNP 100V 6A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11onsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
auf Bestellung 6397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+1.56 EUR
100+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GON-SemiconductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GON-SemiconductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
115+2.02 EUR
146+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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MJB44H11G Transistor
Produktcode: 58814
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJB44H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W
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MJB44H11T4ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
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MJB44H11T4
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJB44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.02 EUR
2000+0.94 EUR
3000+0.9 EUR
5000+0.86 EUR
7000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.13 EUR
100+1.43 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJB44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
88+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.8 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDigital Transistors Automotive-grade low voltage NPN power transistor
auf Bestellung 6903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
91+2.57 EUR
107+2 EUR
132+1.63 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.07 EUR
1600+1.01 EUR
2400+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4G
Produktcode: 216567
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Transitfrequenz fT: 50 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Montage: SMD
auf Bestellung: 690 St.
  • 690 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.73 EUR
10+1.61 EUR
100+1.52 EUR
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MJB44H11T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4GON Semiconductor
auf Bestellung 11860 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+2.51 EUR
100+1.64 EUR
500+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
118+1.83 EUR
250+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.23 EUR
1600+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.06 EUR
1600+1.02 EUR
2400+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11
auf Bestellung 4336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11onsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11GOn SemiconductorTRANS PNP 80V 10A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+1.74 EUR
100+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
118+1.98 EUR
123+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11G
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
50+1.71 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11G
Produktcode: 105006
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.08 EUR
1600+1 EUR
2400+0.95 EUR
4000+0.9 EUR
5600+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4GONN
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
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MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJB45H11TG4
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