Produkte > PJS

Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5 6 7  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PJS008-2002-0-01YAMAICHI
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-2003-0Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors MicroSD Crd Conn SMT Revrs Mnt Push-Push
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-2003-1Yamaichi ElectronicsDescription: REVERSE MOUNT PUSH-PUSH MICRO SD
Number of Positions: 9 (8 + 1)
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Contact Finish: Gold-Nickel
Connector Type: Connector and Ejector
Features: Switch
Packaging: Tape & Reel (TR)
Insertion, Removal Method: Push In, Push Out
Mounting Feature: Reverse - Bottom
Height Above Board: 0.073" (1.85mm)
Card Type: Secure Digital - microSD™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-2003-1Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors REVERSE MNT MICRO SD PUSH-PUSH TYPE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-2005-0-VEYamaichi ElectronicsDescription: REVERSE SMT MOUNT MICRO SD CARD
Part Status: Active
Insertion, Removal Method: Push In, Push Out
Mounting Feature: Normal, Standard - Top
Height Above Board: 0.073" (1.85mm)
Card Type: Secure Digital - microSD™
Number of Positions: 9 (8 + 1)
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Contact Finish: Gold-Nickel
Connector Type: Connector and Ejector
Features: Switch
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-2005-0-VEYamaichi ElectronicsMemory Card Connectors RVRSE SMT Push-Push Auto Micro SD Card
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-2100-0(01)
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-2120-0Yamaichi ElectronicsDescription: MICROSD, PUSH-PUSH, STD MOUNT, S
Insertion, Removal Method: Push In, Push Out
Mounting Feature: Normal, Standard - Top
Height Above Board: 0.059" (1.50mm)
Card Type: Secure Digital - microSD™
Number of Positions: 9 (8 + 1)
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Contact Finish: Gold-Nickel
Connector Type: Connector and Ejector
Features: Switch
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-2120-0Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors STD MNT MICRO SD PUSH-PUSH, SMT CONN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-2130-0Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors STD MNT MICRO SD PUSH-PUSH, SMT CONN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-4100-0-VEYamaichi ElectronicsMemory Card Connectors AutoGrd MicroSD Card SMT Push-Lock Socket
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-4100-0-VEYamaichi ElectronicsРоз'єм MicroSD кутовий, К-сть виводів = 8,... Роз'єми Корпус: SMD Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008-4100-0-VEYamaichi ElectronicsDescription: AUTOMOTIVE PUSH-LOCK MICRO SD CA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008U-0002Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors Standard SMT Clam Shell Card Insertion
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008U-0002Yamaichi ElectronicsDescription: HINGE TYPE MICROSD CARD CONNECTO
Number of Positions: 8
Mounting Type: Surface Mount
Contact Finish: Gold-Nickel
Connector Type: Connector and Ejector
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Insertion, Removal Method: Push In, Push Out
Mounting Feature: Normal, Standard - Top
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Height Above Board: 0.069" (1.75mm)
Card Type: Secure Digital - microSD™
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
10+2.89 EUR
25+2.62 EUR
50+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS008U-3000-0Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors MicroSD Card Conn Ver Dip Mnt Manual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS26RB-SP-LEaton Wiring DevicesDescription: 1 GANG DECOR WALLPLATE W/O SCREW
Packaging: Bulk
Material: Polycarbonate
Accessory Type: Wall Plate
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6400-S1-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6400_S1_00001PanjitMOSFET /S00/TRR/7"/HF/3K/SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-30TLMN/NF30TL-QI16/PJ/SOT236L1-AS07/SOT236L1-AS08/SOT236L1-AS35
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6401-S1-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6401_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6401_S1_00001PanjitMOSFET /S01/TRR/7"/HF/3K/SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-30TLMP/NF30TL-QI17/PJ/SOT236L1-AS09/SOT236L1-AS10/SOT236L1-AS35
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6401_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6403_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6403_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
30+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6404_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
32+0.67 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6404_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6405-S1-00001PanjitMOSFET SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-30TLMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6412_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6412_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6412_S1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6412_S1_00001PANJITMOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M SOT-23-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6413-S1-00001PanjitMOSFET SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-20TLMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6413_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
31+0.69 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6413_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6414_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6414_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6414_S1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415-S1-00001PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415A-AU-S1-000A1PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415A-S1-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415A-S2-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415AE-AU-S1PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415AE-S1-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415AE_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415AE_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415A_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415A_S2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415A_S2_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415A_S2_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
35+0.61 EUR
100+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6415_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6416-S1-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6416_S1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6416_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6417-S1-00001PanjitMOSFET SOT-23 6L-1/MOS/NFET-20TLMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6417_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6417_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
30+0.7 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6417_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421-AU-S1-000A1PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421-AU_S1_000A1PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
31+0.69 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421-S1-00001PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 29501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 2127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
29+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6461-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6461-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6461_S1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
auf Bestellung 9943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6461_S1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6600-S1-00001PanjitMOSFETs SOT23 DUAL CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6600_S1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.6A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V, 125pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V, 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
auf Bestellung 5760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6600_S1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.6A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V, 125pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V, 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601-AU-S1-000A1PanjitMOSFET SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-20TLNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601-AU_S1_000A1PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.1A. 4.5V, 115mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, 416pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.1A. 4.5V, 115mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, 416pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601-S1-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601-S2-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601_S1_00001PanjitMOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 4259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601_S2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.1A, 4.5V, 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, 416pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601_S2_00001PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6602-AU-S1-000A1PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6602-S1-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6602-S2-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6602_S1_00001PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6602_S2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.2A, 4.5V, 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396pF @ 10V, 522pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6602_S2_00001PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6603-S1-00001PanjitMOSFETs SOT23 DUAL CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6603-S2-00001PanjitMOSFETs SOT23 DUAL CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6603_S1_00001PanjitMOSFETs 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6603_S2_00001PanjitMOSFETs 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6603_S2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V, 396pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6603_S2_00001PANJITMOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6603_S2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V, 396pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 34847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6604-S1-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6604-S2-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6604_S1_00001PanjitMOSFET /SC4/TRR/7"/HF/3K/SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-30TLNP/NF30TL-QI23/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5 6 7  [ Nächste Seite >> ]