Produkte > PMX

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
PMX-068(98F)
auf Bestellung 11992 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX-068(99A)
auf Bestellung 8430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX-PR9000-LVORingModular Power Supplies High Voltage Modular power supply, EU type
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNEZNexperiaMOSFETs PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
auf Bestellung 5410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.43 EUR
10+0.30 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.07 EUR
2500+0.07 EUR
10000+0.06 EUR
15000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
auf Bestellung 22997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
79+0.23 EUR
164+0.11 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.08 EUR
2000+0.08 EUR
5000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
auf Bestellung 64721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.70 EUR
39+0.46 EUR
103+0.17 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNexperiaMOSFETs PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
auf Bestellung 62652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+0.49 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX1303EHPHLBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX1503B5700STEI
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX18-CS-02-01Advanced Energy / TEGAMRF Test Equipment Complete 9kHz to 18GHz Power Sensor Calibration System including Signal Generator, VNA, 2505A, 1830A, and accessories
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
pmx2005hp
auf Bestellung 2331 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX3-256BEI SensorsEncoders QUADRATURE W/INDEX ROTARY OPT ENCODER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
auf Bestellung 12501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
76+0.23 EUR
123+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
2000+0.08 EUR
5000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX300UNEZNexperiaMOSFET PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
auf Bestellung 14900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
10+0.30 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.08 EUR
2500+0.07 EUR
10000+0.06 EUR
15000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPEZNexperiaMOSFETs SOT8013 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPEZNexperia USA Inc.Description: PMX400UPE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPZNexperiaMOSFETs PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
auf Bestellung 12608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.80 EUR
10+0.49 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
45000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX700ENZNexperiaMOSFETs new products in DFN0603
auf Bestellung 19100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
auf Bestellung 7355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
43+0.42 EUR
100+0.22 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.16 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800ENEZNexperia USA Inc.Description: PMX800ENEZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800ENEZNexperiaMOSFET new products in DFN0603
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800ENEZNexperia USA Inc.Description: PMX800ENEZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 14950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
39+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800UPEZNexperia USA Inc.Description: PMX800UPE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800UPEZNexperiaMOSFETs SOT8013 P CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPE147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
auf Bestellung 648598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 2.4A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNEXPERIAPMXB120EPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
auf Bestellung 14868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.26 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 2.4A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNexperiaMOSFETs PMXB120EPE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 14321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.45 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.16 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPE147Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FET
auf Bestellung 78076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZNEXPERIAPMXB350UPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZNexperiaMOSFETs PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+0.38 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
50000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
auf Bestellung 4725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
39+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNexperiaMOSFETs PMXB360ENEA/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 11483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.20 EUR
5000+0.16 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 80V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.70 EUR
43+0.41 EUR
100+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNXPTrans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP PMXB40UNEZ TPMXB40u
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 12V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNEXPERIAPMXB40UNEZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNexperiaMOSFET PMXB40UNE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 21648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.70 EUR
10+0.48 EUR
100+0.32 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.16 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
auf Bestellung 2812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
52+0.34 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNE,147Nexperia USA Inc.Description: 20V, N CHANNEL TRENCH MOSFET
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.14 EUR
10000+0.12 EUR
50000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNexperiaMOSFETs PMXB43UNE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 9820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+0.53 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
50000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNEXPERIAPMXB43UNEZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
auf Bestellung 53405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.60 EUR
45+0.40 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56EN147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 9280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.26 EUR
847+0.17 EUR
1258+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 565
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNEXPERIAPMXB56ENZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
33+0.55 EUR
100+0.28 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.59 EUR
357+0.40 EUR
360+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 249
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperiaMOSFET PMXB56EN/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 11256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.81 EUR
10+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENENexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENENXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
auf Bestellung 3072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENE,147NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMXB65ENE - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENE147NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB65ENE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1233350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNexperiaMOSFET PMXB65ENE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 8939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.59 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.20 EUR
5000+0.19 EUR
10000+0.18 EUR
25000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
auf Bestellung 12004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
30+0.60 EUR
100+0.30 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNEXPERIAPMXB65ENEZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
auf Bestellung 8951063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5495+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5495
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZNEXPERIAPMXB65UPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
auf Bestellung 63456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
45+0.40 EUR
111+0.16 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZNexperiaMOSFETs PMXB65UPE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 42186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.37 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.10 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.10 EUR
10000+0.09 EUR
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPE/M5147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3328+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3328
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPE147NXPDescription: NXP - PMXB75UPE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4088434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
auf Bestellung 4088434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4729+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 4729
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.10 EUR
10000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperiaMOSFETs PMXB75UPE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 39651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
10+0.33 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
auf Bestellung 11768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.62 EUR
46+0.39 EUR
100+0.18 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNEXPERIAPMXB75UPEZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXS1C0239YZILOG
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0239Y
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0250YZILOGPLCC-68
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0379YZILOG09+ SOP28
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0475Y
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0477Y
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0540YPMX2 MQFP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0576Y
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH