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PMX-068(98F)
auf Bestellung 11992 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX-068(99A)
auf Bestellung 8430 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX-PR9000-LVORingModular Power Supplies High Voltage Modular power supply, EU type
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNEZNexperiaMOSFETs SOT8013 N-CH 20V 1.4 A
auf Bestellung 32899 Stücke:
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6+0.56 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
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2500+0.092 EUR
5000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 21646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
82+0.25 EUR
168+0.13 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.09 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+1 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+1 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX100UNZNexperiaMOSFETs SOT8013 N-CH 20V 1.3 A
auf Bestellung 28102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.86 EUR
100+0.54 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX1303EHPHLBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX1503B5700STEI
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX18-CS-02-01Advanced Energy / TEGAMRF Test Equipment Complete 9kHz to 18GHz Power Sensor Calibration System including Signal Generator, VNA, 2505A, 1830A, and accessories
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
pmx2005hp
auf Bestellung 2331 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX3-256BEI SensorsEncoders QUADRATURE W/INDEX ROTARY OPT ENCODER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX300UNEZNexperiaMOSFETs SOT8013 N-CH 30V .82 A
auf Bestellung 22445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
68+0.31 EUR
95+0.23 EUR
109+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPEZNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPEZNexperia USA Inc.Description: PMX400UPE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX400UPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.334 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.334ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
387+0.61 EUR
758+0.29 EUR
841+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX400UPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.334 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.334ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.334ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
387+0.61 EUR
758+0.29 EUR
841+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX400UPZNexperiaMOSFETs SOT8013 P-CH 20V .9A
auf Bestellung 11770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.9 EUR
100+0.57 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX700ENZNexperiaMOSFETs new products in DFN0603
auf Bestellung 19100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.54 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.18 EUR
10000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
auf Bestellung 4728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800ENEZNexperiaMOSFET new products in DFN0603
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800ENEZNexperia USA Inc.Description: PMX800ENEZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800ENEZNexperia USA Inc.Description: PMX800ENEZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800UPEZNexperia USA Inc.Description: PMX800UPE/SOT8013/DFN0603-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800UPEZNexperia USA Inc.Description: PMX800UPE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMX800UPEZNexperiaMOSFETs SOT8013 P CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPE147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
auf Bestellung 648598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNexperiaMOSFETs PMXB120EPE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 14321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.54 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 2.4A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPE147Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FET
auf Bestellung 78076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4528 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 659217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3703+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3703 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
105+0.2 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB350UPEZNexperiaMOSFETs PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
50000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 887mΩ
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNexperiaMOSFETs SOT1215 N-CH 80V 1.1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNexperiaMOSFET PMXB40UNE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 21648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.57 EUR
100+0.38 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB40UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNE,147Nexperia USA Inc.Description: 20V, N CHANNEL TRENCH MOSFET
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNexperiaMOSFETs PMXB43UNE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 9820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.63 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
50000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56EN147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4014 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 9280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.31 EUR
847+0.2 EUR
1258+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperiaMOSFETs SOT1215 N-CH 30V 3.2A
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.7 EUR
357+0.48 EUR
360+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENENXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
auf Bestellung 3072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENENexperiaNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENE,147Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMXB65ENE - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
490+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENE147NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB65ENE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1233350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3731+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3731 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
auf Bestellung 43730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
490+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNexperiaMOSFET PMXB65ENE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 8939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.7 EUR
100+0.39 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.23 EUR
10000+0.21 EUR
25000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8951063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5495+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 5495 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZNexperiaMOSFETs PMXB65UPE/SOT1215/DFN1010D-3
auf Bestellung 42186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.62 EUR
10+0.44 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZNXPMOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 63456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
45+0.48 EUR
111+0.19 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPE/M5147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3328+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPE147NXPDescription: NXP - PMXB75UPE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4088434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6024+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6024 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4088434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4729+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4729 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperiaMOSFETs SOT1215 P-CH 20V 2.9A
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.58 EUR
50+0.42 EUR
100+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXS1C0239YZILOG
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0239Y
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0250YZILOGPLCC-68
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0379YZILOG09+ SOP28
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0475Y
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0477Y
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0540YPMX2 MQFP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMXSIC0576Y
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH