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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PMV48XPAR PMV48XPAR NEXPERIA PMV48XPA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2582 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
75+0.96 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50XPR NEXPERIA PMV50XP.pdf PMV50XPR SMD P channel transistors
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV55ENEAR PMV55ENEAR NEXPERIA PMV55ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12.6A; 8.36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12.6A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Power dissipation: 8.36W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
100+0.72 EUR
115+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65UNER NEXPERIA PMV65UNE.pdf PMV65UNER SMD N channel transistors
auf Bestellung 13584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
133+0.54 EUR
544+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XPEAR NEXPERIA PMV65XPEA.pdf PMV65XPEAR SMD P channel transistors
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
94+0.76 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XPER NEXPERIA PMV65XPE.pdf PMV65XPER SMD P channel transistors
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
104+0.69 EUR
263+0.27 EUR
299+0.24 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV90ENER PMV90ENER NEXPERIA PMV90ENE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
240+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
199+0.36 EUR
248+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YL NEXPERIA PMZB290UNE2.pdf PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
auf Bestellung 4906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
160+0.45 EUR
910+0.079 EUR
962+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PNS40010ER,115 PNS40010ER,115 NEXPERIA PNS40010ER.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2AX,215 NEXPERIA PRTR5V0U2AX.pdf PRTR5V0U2AX.215 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.7 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2F,115 NEXPERIA PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf PRTR5V0U2F.115 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.1 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2X,215 PRTR5V0U2X,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Application: universal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U4D,125 PRTR5V0U4D,125 NEXPERIA PRTR5V0U4D.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6; Ch: 4
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
175+0.41 EUR
209+0.34 EUR
236+0.3 EUR
258+0.28 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSC1065KQ PSC1065KQ NEXPERIA PSC1065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.82 EUR
12+6.02 EUR
25+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.72 EUR
12+6.23 EUR
13+5.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
49+1.48 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA PSMN012-100YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
43+1.67 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.45 EUR
23+3.12 EUR
25+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
76+0.95 EUR
82+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA PSMN013-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
119+0.6 EUR
131+0.55 EUR
181+0.4 EUR
250+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
30+2.39 EUR
100+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
109+0.66 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
250+0.53 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.5 EUR
26+2.76 EUR
50+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.41 EUR
15+4.82 EUR
100+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 NEXPERIA PSMN016-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.12 EUR
18+4.05 EUR
50+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.09 EUR
27+2.72 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA PSMN017-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS,127 NEXPERIA PSMN017-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA PSMN018-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA PSMN026-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
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Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
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Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
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Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.115.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
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13+5.92 EUR
14+5.28 EUR
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 1.15mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 343 Stücke:
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31+2.33 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.63 EUR
250+1.56 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
46+1.56 EUR
100+1.4 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.68 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
69+1.04 EUR
80+0.9 EUR
100+0.86 EUR
250+0.79 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.55 EUR
10+7.34 EUR
11+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.45 EUR
18+4.02 EUR
21+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1015A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
52+1.39 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.2 EUR
250+1.1 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
9+8.27 EUR
10+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
39+1.86 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.31 EUR
15+4.79 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
160+0.45 EUR
172+0.42 EUR
180+0.4 EUR
250+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA psmn4r0-40ys.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1256 Stücke:
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PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-80YSEX
+1
 		PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
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PSMN6R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN6R5-80PS.pdf PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV48XPAR PMV48XPA.pdf
PMV48XPAR
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV50XPR PMV50XP.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV50XPR SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV55ENEAR PMV55ENEA.pdf
PMV55ENEAR
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12.6A; 8.36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12.6A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Power dissipation: 8.36W
Gate-source voltage: ±20V
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PMV65UNER PMV65UNE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV65UNER SMD N channel transistors
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PMV65XPEAR PMV65XPEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV65XPEAR SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XPER PMV65XPE.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMV65XPER SMD P channel transistors
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104+0.69 EUR
263+0.27 EUR
299+0.24 EUR
500+0.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV90ENER PMV90ENE.pdf
PMV90ENER
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
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auf Bestellung 384 Stücke:
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167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ350UPEYL PMZ350UPE.pdf
PMZ350UPEYL
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
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143+0.5 EUR
199+0.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
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160+0.45 EUR
910+0.079 EUR
962+0.074 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PNS40010ER,115 PNS40010ER.pdf
PNS40010ER,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
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Anzahl Preis
64+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PRTR5V0U2AX.215 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 527 Stücke:
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Anzahl Preis
102+0.7 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2F,115 PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PRTR5V0U2F.115 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3338 Stücke:
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Anzahl Preis
66+1.1 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U2X,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea
PRTR5V0U2X,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Application: universal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRTR5V0U4D,125 PRTR5V0U4D.pdf
PRTR5V0U4D,125
Hersteller: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6; Ch: 4
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
175+0.41 EUR
209+0.34 EUR
236+0.3 EUR
258+0.28 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSC1065KQ PSC1065K.pdf
PSC1065KQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.82 EUR
12+6.02 EUR
25+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.72 EUR
12+6.23 EUR
13+5.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
49+1.48 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
43+1.67 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.45 EUR
23+3.12 EUR
25+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
76+0.95 EUR
82+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC.pdf
PSMN013-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
119+0.6 EUR
131+0.55 EUR
181+0.4 EUR
250+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLD.pdf
PSMN013-40VLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
30+2.39 EUR
100+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
109+0.66 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
250+0.53 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 642 Stücke:
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21+3.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
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12+6.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS.pdf
PSMN016-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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14+5.12 EUR
18+4.05 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
PSMN017-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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24+3.09 EUR
27+2.72 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1448 Stücke:
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74+0.97 EUR
87+0.82 EUR
107+0.67 EUR
120+0.6 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS.pdf
PSMN017-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.83 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS.pdf
PSMN018-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1564 Stücke:
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Anzahl Preis
46+1.57 EUR
55+1.32 EUR
61+1.17 EUR
100+0.99 EUR
250+0.89 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS.pdf
PSMN026-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 805 Stücke:
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Anzahl Preis
105+0.69 EUR
121+0.59 EUR
130+0.55 EUR
136+0.53 EUR
250+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
139+0.52 EUR
154+0.46 EUR
167+0.43 EUR
250+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS.pdf
PSMN034-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
94+0.77 EUR
103+0.69 EUR
112+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
121+0.59 EUR
141+0.51 EUR
156+0.46 EUR
250+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.82 EUR
12+6.12 EUR
14+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.115.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
34+2.14 EUR
40+1.8 EUR
100+1.63 EUR
250+1.5 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.92 EUR
14+5.28 EUR
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 1.15mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.63 EUR
250+1.56 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
46+1.56 EUR
100+1.4 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.68 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
69+1.04 EUR
80+0.9 EUR
100+0.86 EUR
250+0.79 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.55 EUR
10+7.34 EUR
11+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30PL,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513
PSMN2R0-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.45 EUR
18+4.02 EUR
21+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1015A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
52+1.39 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.2 EUR
250+1.1 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
9+8.27 EUR
10+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
39+1.86 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.17 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.31 EUR
15+4.79 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
160+0.45 EUR
172+0.42 EUR
180+0.4 EUR
250+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-40YS,115 psmn4r0-40ys.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
100+1.23 EUR
250+1.19 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.95 EUR
172+0.42 EUR
182+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE.pdf
PSMN4R2-80YSEX
+1
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
31+2.36 EUR
50+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.89 EUR
12+6.33 EUR
13+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.78 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.46 EUR
30+2.39 EUR
32+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
125+0.57 EUR
154+0.46 EUR
167+0.43 EUR
250+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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