Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSP62,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Case: SC73; SOT223 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1011 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP89,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.375A Power dissipation: 1.5W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSR14,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3580 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSR16,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 200MHz Pulsed collector current: 0.8A Current gain: 50...300 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSR19A-QR | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BSR19A,215 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSR33,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSR41-QF | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BSR41-QX | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BSR41,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 729 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSR43-QX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 30...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Application: automotive industry Power dissipation: 1.35W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SC62; SOT89 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSR43,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Frequency: 100MHz Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 30...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.35W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SC62; SOT89 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 776 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29296 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138AKAR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.125A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.51nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3718 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138BK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1324 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138BKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.32W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5145 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138BKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2318 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138P,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29871 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138PS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.8nC Pulsed drain current: 1.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138PW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.26W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.8nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1656 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS192,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -240V Drain current: -0.12A Power dissipation: 0.56W Case: SC62; SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
BSS63-QR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 85MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BSS63,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 85MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2844 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS64,215 | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 41535 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS84AK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.12A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4533 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS84AKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -100mA Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS84AKV,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -110mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC Pulsed drain current: -0.7A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BSS84AKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.095A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3053 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS87,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BST39,115 | NEXPERIA |
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BST50,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 443 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BST51,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 1402 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BST52,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BST60,115 | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BST62,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.3W Case: SC62; SOT89 Current gain: 2k Mounting: SMD Frequency: 200MHz Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BST82,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 49735 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BST82,235 | NEXPERIA |
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BSV52,215 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK4D38-20PX | NEXPERIA |
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BUK6607-55C,118 | NEXPERIA |
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BUK6D120-40EX | NEXPERIA |
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BUK6D120-60PX | NEXPERIA |
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auf Bestellung 5273 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK6D125-60EX | NEXPERIA |
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BUK6D210-60EX | NEXPERIA |
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BUK6D22-30EX | NEXPERIA |
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BUK6D23-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A Pulsed drain current: 76A Power dissipation: 15W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BUK6D230-80EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.6A; Idm: 20.4A; 15W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 20.4A Power dissipation: 15W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 575mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BUK6D30-40EX | NEXPERIA |
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BUK6D38-30EX | NEXPERIA |
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BUK6D385-100EX | NEXPERIA |
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BUK6D43-40PX | NEXPERIA |
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BUK6D43-60EX | NEXPERIA |
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BUK6D56-60EX | NEXPERIA |
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BUK6D72-30EX | NEXPERIA |
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BUK6D77-60EX | NEXPERIA |
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BUK6D81-80EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.9A; Idm: 39A; 18.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 18.8W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 197mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK6Y10-30PX | NEXPERIA |
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BUK6Y14-40PX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W Mounting: SMD Drain-source voltage: -40V Drain current: -46A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -257A Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK6Y19-30PX | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
BSP62,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Type of transistor: PNP
Case: SC73; SOT223
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Type of transistor: PNP
Case: SC73; SOT223
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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112+ | 0.64 EUR |
141+ | 0.51 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
285+ | 0.25 EUR |
300+ | 0.24 EUR |
BSP89,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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107+ | 0.67 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
154+ | 0.46 EUR |
226+ | 0.32 EUR |
239+ | 0.3 EUR |
500+ | 0.29 EUR |
BSR14,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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143+ | 0.5 EUR |
209+ | 0.34 EUR |
309+ | 0.23 EUR |
366+ | 0.2 EUR |
832+ | 0.086 EUR |
881+ | 0.081 EUR |
9000+ | 0.079 EUR |
BSR16,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 200MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Current gain: 50...300
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 200MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Current gain: 50...300
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
104+ | 0.69 EUR |
182+ | 0.39 EUR |
500+ | 0.14 EUR |
BSR19A-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BSR19A-QR NPN SMD transistors
BSR19A-QR NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSR19A,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BSR19A.215 NPN SMD transistors
BSR19A.215 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
142+ | 0.5 EUR |
682+ | 0.1 EUR |
722+ | 0.099 EUR |
BSR33,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BSR33.115 PNP SMD transistors
BSR33.115 PNP SMD transistors
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
87+ | 0.82 EUR |
348+ | 0.21 EUR |
368+ | 0.19 EUR |
BSR41-QF |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BSR41-QF NPN SMD transistors
BSR41-QF NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSR41-QX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BSR41-QX NPN SMD transistors
BSR41-QX NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSR41,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BSR41.115 NPN SMD transistors
BSR41.115 NPN SMD transistors
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
103+ | 0.69 EUR |
239+ | 0.3 EUR |
253+ | 0.28 EUR |
1000+ | 0.27 EUR |
BSR43-QX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSR43,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Frequency: 100MHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Frequency: 100MHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
114+ | 0.63 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
239+ | 0.3 EUR |
414+ | 0.17 EUR |
439+ | 0.16 EUR |
BSS123,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
313+ | 0.23 EUR |
451+ | 0.16 EUR |
610+ | 0.12 EUR |
703+ | 0.1 EUR |
1749+ | 0.041 EUR |
1852+ | 0.039 EUR |
BSS138AKAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3718 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
358+ | 0.2 EUR |
432+ | 0.17 EUR |
481+ | 0.15 EUR |
561+ | 0.13 EUR |
734+ | 0.098 EUR |
1471+ | 0.049 EUR |
1553+ | 0.046 EUR |
BSS138BK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
264+ | 0.27 EUR |
321+ | 0.22 EUR |
371+ | 0.19 EUR |
700+ | 0.1 EUR |
900+ | 0.08 EUR |
1324+ | 0.054 EUR |
BSS138BKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.43 EUR |
269+ | 0.27 EUR |
361+ | 0.2 EUR |
451+ | 0.16 EUR |
554+ | 0.13 EUR |
897+ | 0.08 EUR |
949+ | 0.075 EUR |
BSS138BKW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.3 EUR |
376+ | 0.19 EUR |
586+ | 0.12 EUR |
700+ | 0.1 EUR |
971+ | 0.074 EUR |
991+ | 0.072 EUR |
1027+ | 0.07 EUR |
BSS138P,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29871 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
385+ | 0.19 EUR |
562+ | 0.13 EUR |
792+ | 0.09 EUR |
928+ | 0.077 EUR |
1389+ | 0.051 EUR |
2315+ | 0.031 EUR |
2451+ | 0.029 EUR |
BSS138PS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
214+ | 0.33 EUR |
256+ | 0.28 EUR |
270+ | 0.27 EUR |
672+ | 0.11 EUR |
BSS138PW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
278+ | 0.26 EUR |
428+ | 0.17 EUR |
707+ | 0.1 EUR |
873+ | 0.082 EUR |
1520+ | 0.047 EUR |
1608+ | 0.044 EUR |
1656+ | 0.043 EUR |
BSS192,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -240V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.56W
Case: SC62; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -240V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.56W
Case: SC62; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSS63-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSS63,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 85MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 85MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
250+ | 0.29 EUR |
391+ | 0.18 EUR |
521+ | 0.14 EUR |
1226+ | 0.058 EUR |
1374+ | 0.052 EUR |
1454+ | 0.049 EUR |
1511+ | 0.047 EUR |
BSS64,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BSS64.215 NPN SMD transistors
BSS64.215 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSS84,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.3 EUR |
371+ | 0.19 EUR |
615+ | 0.12 EUR |
765+ | 0.094 EUR |
1743+ | 0.041 EUR |
1846+ | 0.039 EUR |
9000+ | 0.037 EUR |
BSS84AK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
385+ | 0.19 EUR |
506+ | 0.14 EUR |
763+ | 0.094 EUR |
926+ | 0.077 EUR |
1946+ | 0.037 EUR |
2058+ | 0.035 EUR |
3000+ | 0.034 EUR |
BSS84AKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -100mA
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -100mA
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
209+ | 0.34 EUR |
298+ | 0.24 EUR |
419+ | 0.17 EUR |
493+ | 0.15 EUR |
989+ | 0.072 EUR |
1047+ | 0.068 EUR |
3000+ | 0.066 EUR |
BSS84AKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -110mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -110mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSS84AKW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
334+ | 0.21 EUR |
496+ | 0.14 EUR |
751+ | 0.095 EUR |
900+ | 0.08 EUR |
1946+ | 0.037 EUR |
2058+ | 0.035 EUR |
6000+ | 0.033 EUR |
BSS87,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BSS87.115 SMD N channel transistors
BSS87.115 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
156+ | 0.46 EUR |
245+ | 0.29 EUR |
500+ | 0.22 EUR |
BST39,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BST39.115 NPN SMD transistors
BST39.115 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BST50,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BST50.115 NPN SMD Darlington transistors
BST50.115 NPN SMD Darlington transistors
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
230+ | 0.31 EUR |
243+ | 0.29 EUR |
5000+ | 0.28 EUR |
BST51,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BST51.115 NPN SMD Darlington transistors
BST51.115 NPN SMD Darlington transistors
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
150+ | 0.48 EUR |
262+ | 0.27 EUR |
277+ | 0.26 EUR |
1000+ | 0.25 EUR |
BST52,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
122+ | 0.59 EUR |
151+ | 0.48 EUR |
261+ | 0.27 EUR |
277+ | 0.26 EUR |
500+ | 0.25 EUR |
BST60,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BST60.115 PNP SMD Darlington transistors
BST60.115 PNP SMD Darlington transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BST62,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
95+ | 0.76 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
133+ | 0.54 EUR |
260+ | 0.28 EUR |
275+ | 0.26 EUR |
BST82,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
500+ | 0.14 EUR |
582+ | 0.12 EUR |
633+ | 0.11 EUR |
BST82,235 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BST82.235 SMD N channel transistors
BST82.235 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSV52,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BSV52.215 NPN SMD transistors
BSV52.215 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
160+ | 0.45 EUR |
564+ | 0.13 EUR |
596+ | 0.12 EUR |
BUK4D38-20PX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK4D38-20PX SMD P channel transistors
BUK4D38-20PX SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6607-55C,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6607-55C.118 SMD N channel transistors
BUK6607-55C.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D120-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D120-40EX SMD N channel transistors
BUK6D120-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D120-60PX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D120-60PX SMD P channel transistors
BUK6D120-60PX SMD P channel transistors
auf Bestellung 5273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
113+ | 0.64 EUR |
341+ | 0.21 EUR |
360+ | 0.2 EUR |
BUK6D125-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D125-60EX SMD N channel transistors
BUK6D125-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D210-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D210-60EX SMD N channel transistors
BUK6D210-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D22-30EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D22-30EX SMD N channel transistors
BUK6D22-30EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D23-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D230-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.6A; Idm: 20.4A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 20.4A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.6A; Idm: 20.4A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 20.4A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D30-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D30-40EX SMD N channel transistors
BUK6D30-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D38-30EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D38-30EX SMD N channel transistors
BUK6D38-30EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D385-100EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D385-100EX SMD N channel transistors
BUK6D385-100EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D43-40PX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D43-40PX SMD P channel transistors
BUK6D43-40PX SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D43-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D56-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D56-60EX SMD N channel transistors
BUK6D56-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D72-30EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D72-30EX SMD N channel transistors
BUK6D72-30EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D77-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D77-60EX SMD N channel transistors
BUK6D77-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6D81-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.9A; Idm: 39A; 18.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 18.8W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.9A; Idm: 39A; 18.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 18.8W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6Y10-30PX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6Y10-30PX SMD P channel transistors
BUK6Y10-30PX SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK6Y14-40PX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -257A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -257A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
500+ | 0.87 EUR |
BUK6Y19-30PX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK6Y19-30PX SMD P channel transistors
BUK6Y19-30PX SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH