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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSR41,115 BSR41,115 NEXPERIA BSR41.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Case: SC62; SOT89
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
155+0.46 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR43-QX NEXPERIA BSR43-Q.pdf BSR43-QX NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR43,115 NEXPERIA BSR43.pdf BSR43.115 NPN SMD transistors
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
108+0.66 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215 BSS123,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C1E6F8B4A469&compId=BSS123.215.pdf?ci_sign=ee49f94694aeb892de69cfe14efa5903a6f4ed6c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
451+0.16 EUR
610+0.12 EUR
703+0.1 EUR
1749+0.041 EUR
1852+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKAR BSS138AKAR NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F83B2D927C747&compId=BSS138AKA.pdf?ci_sign=cb95ee71f0eda85e8aa565c65bc353ebb19bb5c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
432+0.17 EUR
481+0.15 EUR
564+0.13 EUR
737+0.097 EUR
1471+0.049 EUR
1553+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215 BSS138BK,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC6976437ED4FA8&compId=BSS138BK-DTE.pdf?ci_sign=38a0017435ab2500b07a114c9df535ff500ef1e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
321+0.22 EUR
371+0.19 EUR
700+0.1 EUR
900+0.08 EUR
1931+0.037 EUR
2041+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F8E9CF2DB6747&compId=BSS138BKS.pdf?ci_sign=b58df35f9cb16ab0a656b4e37a1cf3a7cf2e9dc0 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
On-state resistance: 6.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
269+0.27 EUR
361+0.2 EUR
451+0.16 EUR
554+0.13 EUR
897+0.08 EUR
949+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F9DCC9676A747&compId=BSS138BKW.pdf?ci_sign=9b71101ad63962959da403310fc0b7b1d2ab7709 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 3.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
376+0.19 EUR
586+0.12 EUR
700+0.1 EUR
973+0.074 EUR
991+0.072 EUR
1029+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138P,215 BSS138P,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88EA5237F72469&compId=BSS138P.215.pdf?ci_sign=3c703bd774e717db520d7ce89a4d89acdd9e643b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47525 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
562+0.13 EUR
792+0.09 EUR
928+0.077 EUR
1389+0.051 EUR
2315+0.031 EUR
2451+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138PS,115 BSS138PS,115 NEXPERIA BSS138PS.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10775 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
214+0.33 EUR
256+0.28 EUR
448+0.16 EUR
569+0.13 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138PW,115 BSS138PW,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E6FBEB87850749&compId=BSS138PW.pdf?ci_sign=42547023d05d26fc42bd7ce459a308566e9a4622 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
On-state resistance: 0.9Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
506+0.14 EUR
834+0.086 EUR
1031+0.069 EUR
1520+0.047 EUR
1583+0.045 EUR
1608+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115 NEXPERIA BSS192.pdf BSS192.115 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63-QR NEXPERIA BSS63-Q.pdf BSS63-QR PNP SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215 NEXPERIA BSS63.pdf BSS63.215 PNP SMD transistors
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
217+0.33 EUR
1374+0.052 EUR
1454+0.049 EUR
45000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 217
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215 BSS64,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E6D73E682C0749&compId=BSS64.pdf?ci_sign=4ef2afff8691fa4d3710831d1f572aaee3b1f510 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 60...100MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84,215 BSS84,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88F08D1DAA4469&compId=BSS84.215.pdf?ci_sign=901e452b9c349815e478e60dedb390d7fc890a64 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
371+0.19 EUR
615+0.12 EUR
765+0.094 EUR
1749+0.041 EUR
1852+0.039 EUR
9000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84AK,215 BSS84AK,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FB7C0952D8747&compId=BSS84AK.pdf?ci_sign=7a6f3f9a767530393e64eab4688396fac543c733 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
506+0.14 EUR
763+0.094 EUR
926+0.077 EUR
1938+0.037 EUR
2058+0.035 EUR
3000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FC2290B5CC747&compId=BSS84AKS.pdf?ci_sign=ed2adf737b4b5a2c132b59e814435a63247e3d1a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
419+0.17 EUR
493+0.15 EUR
989+0.072 EUR
1047+0.068 EUR
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84AKV,115 NEXPERIA BSS84AKV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8CD1658F49D380D5&compId=BSS84AKW.pdf?ci_sign=9e1bc9276dce759cf33c90632fd34e75a54b7ae9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
496+0.14 EUR
751+0.095 EUR
900+0.08 EUR
1938+0.037 EUR
2058+0.035 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115 BSS87,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD886A786C8469&compId=BSS87.115.pdf?ci_sign=a07f68498b5344d8eb70627eb42be8b6babbcec3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.2A
Gate charge: 10nC
Power dissipation: 0.58W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
77+0.93 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST39,115 NEXPERIA BST39.pdf BST39.115 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST50,115 BST50,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBC96B0764026469&compId=BST50.115.pdf?ci_sign=d722266967f84f722683798cfe7aeedededc2628 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
150+0.48 EUR
260+0.28 EUR
274+0.26 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST51,115 BST51,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBC96B0764026469&compId=BST50.115.pdf?ci_sign=d722266967f84f722683798cfe7aeedededc2628 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
148+0.48 EUR
261+0.27 EUR
277+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST52,115 BST52,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBC96B0764026469&compId=BST50.115.pdf?ci_sign=d722266967f84f722683798cfe7aeedededc2628 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
200+0.36 EUR
223+0.32 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
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BST82,215 BST82,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F04FF1A6F5005056AB5A8F&compId=BST82.pdf?ci_sign=53e4b84e3ae30acacb82dc9a102e3c719696ef6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BST82,235 BST82,235 NEXPERIA BST82.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.12A; Idm: 0.8A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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BSV52,215 NEXPERIA BSV52.pdf BSV52.215 NPN SMD transistors
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BUK4D38-20PX NEXPERIA BUK4D38-20P.pdf BUK4D38-20PX SMD P channel transistors
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BUK6607-55C,118 BUK6607-55C,118 NEXPERIA BUK6607-55C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 420A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; SOT404
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 420A
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 14.3mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6D120-40EX NEXPERIA BUK6D120-40E.pdf BUK6D120-40EX SMD N channel transistors
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BUK6D120-60PX NEXPERIA BUK6D120-60P.pdf BUK6D120-60PX SMD P channel transistors
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BUK6D125-60EX NEXPERIA BUK6D125-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6D210-60EX NEXPERIA BUK6D210-60E.pdf BUK6D210-60EX SMD N channel transistors
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BUK6D22-30EX NEXPERIA BUK6D22-30E.pdf BUK6D22-30EX SMD N channel transistors
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BUK6D23-40EX NEXPERIA BUK6D23-40E.pdf BUK6D23-40EX SMD N channel transistors
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BUK6D230-80EX NEXPERIA BUK6D230-80E.pdf BUK6D230-80EX SMD N channel transistors
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BUK6D30-40EX NEXPERIA BUK6D30-40E.pdf BUK6D30-40EX SMD N channel transistors
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BUK6D38-30EX NEXPERIA BUK6D38-30E.pdf BUK6D38-30EX SMD N channel transistors
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BUK6D385-100EX NEXPERIA BUK6D385-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15A; 15W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 1078mΩ
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN6; SOT1220
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6D43-40PX NEXPERIA BUK6D43-40P.pdf BUK6D43-40PX SMD P channel transistors
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BUK6D43-60EX NEXPERIA BUK6D43-60E.pdf BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
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BUK6D56-60EX NEXPERIA BUK6D56-60E.pdf BUK6D56-60EX SMD N channel transistors
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BUK6D72-30EX NEXPERIA BUK6D72-30E.pdf BUK6D72-30EX SMD N channel transistors
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BUK6D77-60EX NEXPERIA BUK6D77-60E.pdf BUK6D77-60EX SMD N channel transistors
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BUK6D81-80EX NEXPERIA BUK6D81-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.9A; Idm: 39A; 18.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 18.8W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6Y10-30PX NEXPERIA BUK6Y10-30P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -57A; Idm: -320A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -57A
Pulsed drain current: -320A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6Y14-40PX BUK6Y14-40PX NEXPERIA BUK6Y14-40P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
Pulsed drain current: -257A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
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BUK6Y19-30PX NEXPERIA BUK6Y19-30P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32A; Idm: -181A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -32A
Pulsed drain current: -181A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6Y24-40PX NEXPERIA BUK6Y24-40P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -27A; Idm: -155A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -27A
Pulsed drain current: -155A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6Y33-60PX NEXPERIA BUK6Y33-60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21A; Idm: -120A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y61-60PX NEXPERIA BUK6Y61-60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -17.7A; Idm: -100A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -17.7A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7208-40B,118 NEXPERIA BUK7208-40B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 15.6mΩ
Drain current: 75A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 420A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BUK7212-55B,118 NEXPERIA BUK7212-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 59A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7214-75B,118 NEXPERIA BUK7214-75B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 276A; 158W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 49A
Power dissipation: 158W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Drain-source voltage: 75V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK72150-55A,118 NEXPERIA BUK72150-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 7A; Idm: 44A; 36W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7219-55A,118 NEXPERIA BUK7219-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 39A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7227-100B,118 NEXPERIA BUK7227-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 196A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR41,115 BSR41.pdf
BSR41,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Case: SC62; SOT89
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
155+0.46 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR43-QX BSR43-Q.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BSR43-QX NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR43,115 BSR43.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BSR43.115 NPN SMD transistors
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C1E6F8B4A469&compId=BSS123.215.pdf?ci_sign=ee49f94694aeb892de69cfe14efa5903a6f4ed6c
BSS123,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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451+0.16 EUR
610+0.12 EUR
703+0.1 EUR
1749+0.041 EUR
1852+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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BSS138AKAR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F83B2D927C747&compId=BSS138AKA.pdf?ci_sign=cb95ee71f0eda85e8aa565c65bc353ebb19bb5c8
BSS138AKAR
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
432+0.17 EUR
481+0.15 EUR
564+0.13 EUR
737+0.097 EUR
1471+0.049 EUR
1553+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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BSS138BK,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC6976437ED4FA8&compId=BSS138BK-DTE.pdf?ci_sign=38a0017435ab2500b07a114c9df535ff500ef1e5
BSS138BK,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
321+0.22 EUR
371+0.19 EUR
700+0.1 EUR
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1931+0.037 EUR
2041+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 264
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BSS138BKS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F8E9CF2DB6747&compId=BSS138BKS.pdf?ci_sign=b58df35f9cb16ab0a656b4e37a1cf3a7cf2e9dc0
BSS138BKS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
On-state resistance: 6.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4595 Stücke:
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Anzahl Preis
167+0.43 EUR
269+0.27 EUR
361+0.2 EUR
451+0.16 EUR
554+0.13 EUR
897+0.08 EUR
949+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKW,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F9DCC9676A747&compId=BSS138BKW.pdf?ci_sign=9b71101ad63962959da403310fc0b7b1d2ab7709
BSS138BKW,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 3.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2316 Stücke:
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239+0.3 EUR
376+0.19 EUR
586+0.12 EUR
700+0.1 EUR
973+0.074 EUR
991+0.072 EUR
1029+0.069 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138P,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88EA5237F72469&compId=BSS138P.215.pdf?ci_sign=3c703bd774e717db520d7ce89a4d89acdd9e643b
BSS138P,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47525 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
562+0.13 EUR
792+0.09 EUR
928+0.077 EUR
1389+0.051 EUR
2315+0.031 EUR
2451+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138PS,115 BSS138PS.pdf
BSS138PS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10775 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
214+0.33 EUR
256+0.28 EUR
448+0.16 EUR
569+0.13 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138PW,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E6FBEB87850749&compId=BSS138PW.pdf?ci_sign=42547023d05d26fc42bd7ce459a308566e9a4622
BSS138PW,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
On-state resistance: 0.9Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
506+0.14 EUR
834+0.086 EUR
1031+0.069 EUR
1520+0.047 EUR
1583+0.045 EUR
1608+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115 BSS192.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BSS192.115 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63-QR BSS63-Q.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BSS63-QR PNP SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215 BSS63.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BSS63.215 PNP SMD transistors
auf Bestellung 2845 Stücke:
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Anzahl Preis
217+0.33 EUR
1374+0.052 EUR
1454+0.049 EUR
45000+0.047 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E6D73E682C0749&compId=BSS64.pdf?ci_sign=4ef2afff8691fa4d3710831d1f572aaee3b1f510
BSS64,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 60...100MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88F08D1DAA4469&compId=BSS84.215.pdf?ci_sign=901e452b9c349815e478e60dedb390d7fc890a64
BSS84,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
371+0.19 EUR
615+0.12 EUR
765+0.094 EUR
1749+0.041 EUR
1852+0.039 EUR
9000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84AK,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FB7C0952D8747&compId=BSS84AK.pdf?ci_sign=7a6f3f9a767530393e64eab4688396fac543c733
BSS84AK,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
506+0.14 EUR
763+0.094 EUR
926+0.077 EUR
1938+0.037 EUR
2058+0.035 EUR
3000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84AKS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FC2290B5CC747&compId=BSS84AKS.pdf?ci_sign=ed2adf737b4b5a2c132b59e814435a63247e3d1a
BSS84AKS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
419+0.17 EUR
493+0.15 EUR
989+0.072 EUR
1047+0.068 EUR
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84AKV,115 BSS84AKV.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84AKW,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8CD1658F49D380D5&compId=BSS84AKW.pdf?ci_sign=9e1bc9276dce759cf33c90632fd34e75a54b7ae9
BSS84AKW,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
496+0.14 EUR
751+0.095 EUR
900+0.08 EUR
1938+0.037 EUR
2058+0.035 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD886A786C8469&compId=BSS87.115.pdf?ci_sign=a07f68498b5344d8eb70627eb42be8b6babbcec3
BSS87,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.2A
Gate charge: 10nC
Power dissipation: 0.58W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
77+0.93 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST39,115 BST39.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BST39.115 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST50,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBC96B0764026469&compId=BST50.115.pdf?ci_sign=d722266967f84f722683798cfe7aeedededc2628
BST50,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
150+0.48 EUR
260+0.28 EUR
274+0.26 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST51,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBC96B0764026469&compId=BST50.115.pdf?ci_sign=d722266967f84f722683798cfe7aeedededc2628
BST51,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
148+0.48 EUR
261+0.27 EUR
277+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST52,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBC96B0764026469&compId=BST50.115.pdf?ci_sign=d722266967f84f722683798cfe7aeedededc2628
BST52,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
200+0.36 EUR
223+0.32 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST60,115 BST60_61_62.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BST60.115 PNP SMD Darlington transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST62,115 BST60_61_62.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.62 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST82,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F04FF1A6F5005056AB5A8F&compId=BST82.pdf?ci_sign=53e4b84e3ae30acacb82dc9a102e3c719696ef6e
BST82,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
582+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BST82,235 BST82.pdf
BST82,235
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.12A; Idm: 0.8A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV52,215 BSV52.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BSV52.215 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.45 EUR
564+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK4D38-20PX BUK4D38-20P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK4D38-20PX SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6607-55C,118 BUK6607-55C.pdf
BUK6607-55C,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 420A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; SOT404
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 420A
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 14.3mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6D120-40EX BUK6D120-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D120-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6D120-60PX BUK6D120-60P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D120-60PX SMD P channel transistors
auf Bestellung 5273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
113+0.64 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6D125-60EX BUK6D125-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6D210-60EX BUK6D210-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D210-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6D22-30EX BUK6D22-30E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D22-30EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6D23-40EX BUK6D23-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D23-40EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6D230-80EX BUK6D230-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D230-80EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK6D30-40EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK6D38-30EX SMD N channel transistors
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BUK6D385-100EX BUK6D385-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15A; 15W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 1078mΩ
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN6; SOT1220
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6D43-40PX BUK6D43-40P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK6D43-40PX SMD P channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK6D56-60EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK6D72-30EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK6D77-60EX SMD N channel transistors
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BUK6D81-80EX BUK6D81-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.9A; Idm: 39A; 18.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 18.8W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y10-30PX BUK6Y10-30P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -57A; Idm: -320A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -57A
Pulsed drain current: -320A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6Y14-40PX BUK6Y14-40P.pdf
BUK6Y14-40PX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
Pulsed drain current: -257A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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BUK6Y19-30PX BUK6Y19-30P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32A; Idm: -181A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -32A
Pulsed drain current: -181A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y24-40PX BUK6Y24-40P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -27A; Idm: -155A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -27A
Pulsed drain current: -155A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6Y33-60PX BUK6Y33-60P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21A; Idm: -120A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -17.7A; Idm: -100A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -17.7A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7208-40B,118 BUK7208-40B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 15.6mΩ
Drain current: 75A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 420A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BUK7212-55B,118 BUK7212-55B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 59A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BUK7214-75B,118 BUK7214-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 276A; 158W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 49A
Power dissipation: 158W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Drain-source voltage: 75V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK72150-55A,118 BUK72150-55A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 7A; Idm: 44A; 36W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7219-55A,118 BUK7219-55A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 39A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7227-100B,118 BUK7227-100B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 196A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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