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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BUK7M11-40HX NEXPERIA BUK7M11-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 193A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 21.3mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 193A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M12-40EX NEXPERIA BUK7M12-40E.pdf BUK7M12-40EX SMD N channel transistors
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BUK7M12-60EX NEXPERIA BUK7M12-60E.pdf BUK7M12-60EX SMD N channel transistors
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BUK7M15-40HX NEXPERIA BUK7M15-40H.pdf BUK7M15-40HX SMD N channel transistors
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BUK7M19-60EX NEXPERIA BUK7M19-60E.pdf BUK7M19-60EX SMD N channel transistors
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BUK7M20-40HX NEXPERIA BUK7M20-40H.pdf BUK7M20-40HX SMD N channel transistors
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BUK7M21-40EX NEXPERIA BUK7M21-40E.pdf BUK7M21-40EX SMD N channel transistors
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BUK7M22-80EX NEXPERIA BUK7M22-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 147A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.9nC
On-state resistance: 55mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 147A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7M27-80EX NEXPERIA BUK7M27-80E.pdf BUK7M27-80EX SMD N channel transistors
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BUK7M33-60EX BUK7M33-60EX NEXPERIA BUK7M33-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.9nC
On-state resistance: 74mΩ
Drain current: 17A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 98A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
104+0.69 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M3R3-40HX NEXPERIA BUK7M3R3-40H.pdf BUK7M3R3-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M42-60EX NEXPERIA BUK7M42-60E.pdf BUK7M42-60EX SMD N channel transistors
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BUK7M45-40EX NEXPERIA BUK7M45-40E.pdf BUK7M45-40EX SMD N channel transistors
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BUK7M4R3-40HX NEXPERIA BUK7M4R3-40H.pdf BUK7M4R3-40HX SMD N channel transistors
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BUK7M5R0-40HX NEXPERIA BUK7M5R0-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 61.7A
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 349A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R0-40HX NEXPERIA BUK7M6R0-40H.pdf BUK7M6R0-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40EX NEXPERIA BUK7M6R3-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.1nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 319A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
96+0.75 EUR
97+0.74 EUR
106+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R7-40HX NEXPERIA BUK7M6R7-40H.pdf BUK7M6R7-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M8R0-40EX NEXPERIA BUK7M8R0-40E.pdf BUK7M8R0-40EX SMD N channel transistors
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BUK7M8R5-40HX NEXPERIA BUK7M8R5-40H.pdf BUK7M8R5-40HX SMD N channel transistors
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BUK7M9R5-40HX NEXPERIA BUK7M9R5-40H.pdf BUK7M9R5-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M9R9-60EX NEXPERIA BUK7M9R9-60E.pdf BUK7M9R9-60EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R5-40HJ NEXPERIA BUK7S0R5-40H.pdf BUK7S0R5-40HJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R7-40HJ NEXPERIA BUK7S0R7-40H.pdf BUK7S0R7-40HJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S1R0-40HJ NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf BUK7S1R0-40HJ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S1R5-40HJ NEXPERIA BUK7S1R5-40H.pdf BUK7S1R5-40HJ SMD N channel transistors
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BUK7V4R2-40HX NEXPERIA BUK7V4R2-40H.pdf BUK7V4R2-40HX Multi channel transistors
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BUK7Y08-40B,115 NEXPERIA BUK7Y08-40B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58.85A; Idm: 332A; 105W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 58.85A
Power dissipation: 105W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 332A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y102-100B,115 NEXPERIA BUK7Y102-100B.pdf BUK7Y102-100B.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y113-100EX NEXPERIA BUK7Y113-100E.pdf BUK7Y113-100EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y12-40EX NEXPERIA BUK7Y12-40E.pdf BUK7Y12-40EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y12-55B,115 NEXPERIA BUK7Y12-55B.pdf BUK7Y12-55B.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y13-40B,115 NEXPERIA BUK7Y13-40B.pdf BUK7Y13-40B.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX NEXPERIA BUK7Y14-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Drain current: 46A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 259A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
64+1.12 EUR
84+0.85 EUR
89+0.81 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y15-100EX NEXPERIA BUK7Y15-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54.5nC
On-state resistance: 41.5mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y15-60EX NEXPERIA BUK7Y15-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.4nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 53A
Power dissipation: 94W
Pulsed drain current: 212A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y153-100EX NEXPERIA BUK7Y153-100E.pdf BUK7Y153-100EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y19-100EX NEXPERIA BUK7Y19-100E.pdf BUK7Y19-100EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y1R4-40HX NEXPERIA BUK7Y1R4-40H.pdf BUK7Y1R4-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y1R7-40HX NEXPERIA BUK7Y1R7-40H.pdf BUK7Y1R7-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y21-40EX NEXPERIA BUK7Y21-40E.pdf BUK7Y21-40EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y22-100EX NEXPERIA BUK7Y22-100E.pdf BUK7Y22-100EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y25-60EX NEXPERIA BUK7Y25-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 136A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y25-80EX NEXPERIA BUK7Y25-80E.pdf BUK7Y25-80EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y28-75B,115 NEXPERIA BUK7Y28-75B.pdf BUK7Y28-75B.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y29-40EX NEXPERIA BUK7Y29-40E.pdf BUK7Y29-40EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y2R5-40HX NEXPERIA BUK7Y2R5-40H.pdf BUK7Y2R5-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y38-100EX NEXPERIA BUK7Y38-100E.pdf BUK7Y38-100EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R0-40HX NEXPERIA BUK7Y3R0-40H.pdf BUK7Y3R0-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R5-40E,115 NEXPERIA BUK7Y3R5-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 622A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R5-40HX NEXPERIA BUK7Y3R5-40H.pdf BUK7Y3R5-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y41-80EX NEXPERIA BUK7Y41-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 18A; Idm: 100A; 64W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 18A
On-state resistance: 103mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y43-60EX NEXPERIA BUK7Y43-60E.pdf BUK7Y43-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y4R4-40EX NEXPERIA BUK7Y4R4-40E.pdf BUK7Y4R4-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y4R8-60EX NEXPERIA BUK7Y4R8-60E.pdf BUK7Y4R8-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y53-100B,115 NEXPERIA BUK7Y53-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 138mΩ
Drain current: 17.6A
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 99A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y59-60EX NEXPERIA BUK7Y59-60E.pdf BUK7Y59-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y65-100EX NEXPERIA BUK7Y65-100E.pdf BUK7Y65-100EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y6R0-60EX NEXPERIA BUK7Y6R0-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45.4nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 85A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 482A
Power dissipation: 195W
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y72-80EX BUK7Y72-80EX NEXPERIA BUK7Y72-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 181mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 63A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
105+0.68 EUR
123+0.58 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M11-40HX BUK7M11-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 193A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 21.3mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 193A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M12-40EX BUK7M12-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M12-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M12-60EX BUK7M12-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M12-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M15-40HX BUK7M15-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M15-40HX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M19-60EX BUK7M19-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M19-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M20-40HX BUK7M20-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M20-40HX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M21-40EX BUK7M21-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M21-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M22-80EX BUK7M22-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 147A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.9nC
On-state resistance: 55mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 147A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
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BUK7M33-60EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.9nC
On-state resistance: 74mΩ
Drain current: 17A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 98A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 61.7A
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 349A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.1nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 319A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58.85A; Idm: 332A; 105W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 58.85A
Power dissipation: 105W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 332A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
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BUK7Y14-80EX
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Drain current: 46A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 259A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54.5nC
On-state resistance: 41.5mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.4nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 53A
Power dissipation: 94W
Pulsed drain current: 212A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 136A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y25-80EX SMD N channel transistors
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BUK7Y28-75B.115 SMD N channel transistors
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BUK7Y29-40EX SMD N channel transistors
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BUK7Y2R5-40HX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 622A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y3R5-40HX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 18A; Idm: 100A; 64W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 18A
On-state resistance: 103mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y43-60EX BUK7Y43-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y43-60EX SMD N channel transistors
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BUK7Y4R4-40EX BUK7Y4R4-40E.pdf
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BUK7Y4R4-40EX SMD N channel transistors
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BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60E.pdf
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BUK7Y4R8-60EX SMD N channel transistors
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 138mΩ
Drain current: 17.6A
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 99A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y59-60EX BUK7Y59-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y59-60EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y65-100EX BUK7Y65-100E.pdf
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BUK7Y65-100EX SMD N channel transistors
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BUK7Y6R0-60EX BUK7Y6R0-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45.4nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 85A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 482A
Power dissipation: 195W
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y72-80EX BUK7Y72-80E.pdf
BUK7Y72-80EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 181mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 63A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
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