Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BUK7230-55A,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; Idm: 150A; 88W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 88W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 150A Gate charge: 24nC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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BUK7240-100A,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 114W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.1Ω Drain current: 24A Power dissipation: 114W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 136A Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Case: DPAK Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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BUK7275-100A,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.4A; Idm: 87A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 187mΩ Drain current: 15.4A Power dissipation: 89W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 87A Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Case: DPAK Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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BUK753R1-40E,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 798A; 234W Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 79nC On-state resistance: 5.9mΩ Drain current: 100A Power dissipation: 234W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 798A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: SOT78; TO220AB Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7610-55AL,118 | NEXPERIA |
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BUK7613-60E,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; Idm: 234A; 96W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 22.9nC On-state resistance: 28.2mΩ Drain current: 41A Power dissipation: 96W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 234A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: D2PAK; SOT404 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK761R6-40E,118 | NEXPERIA |
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BUK7628-100A,118 | NEXPERIA |
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BUK762R4-60E,118 | NEXPERIA |
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BUK762R6-60E,118 | NEXPERIA |
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BUK7631-100E,118 | NEXPERIA |
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BUK763R1-60E,118 | NEXPERIA |
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BUK763R8-80E,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 169nC On-state resistance: 9.2mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 349W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 778A Drain-source voltage: 80V Application: automotive industry Case: D2PAK; SOT404 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK764R0-55B,118 | NEXPERIA |
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BUK764R2-80E,118 | NEXPERIA |
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BUK764R4-60E,118 | NEXPERIA |
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BUK765R0-100E,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 115A; 349W; D2PAK,SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 180nC On-state resistance: 13.5mΩ Drain current: 115A Power dissipation: 349W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Case: D2PAK; SOT404 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK766R0-60E,118 | NEXPERIA |
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BUK7675-55A,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14.3A; Idm: 81A; 62W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 14.3A Power dissipation: 62W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 81A Drain-source voltage: 55V Application: automotive industry Case: D2PAK; SOT404 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK768R1-100E,118 | NEXPERIA |
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BUK768R1-40E,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 59A; Idm: 335A; 96W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC On-state resistance: 13.7mΩ Drain current: 59A Power dissipation: 96W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 335A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: D2PAK; SOT404 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK768R3-60E,118 | NEXPERIA |
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BUK78150-55A/CUF | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 55V Drain current: 3.8A On-state resistance: 278mΩ Power dissipation: 8W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22A Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4093 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK78150-55A/CUX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 55V Drain current: 3.8A On-state resistance: 278mΩ Power dissipation: 8W Pulsed drain current: 22A Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7880-55A/CUX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5A; Idm: 30A; 8W; SC73,SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC On-state resistance: 148mΩ Drain current: 5A Power dissipation: 8W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 55V Application: automotive industry Case: SC73; SOT223 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7D25-40EX | NEXPERIA |
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BUK7D36-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 56A; 15W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC On-state resistance: 76mΩ Drain current: 8.9A Power dissipation: 15W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 56A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: DFN6; SOT1220 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7E3R5-60E,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC On-state resistance: 7.6mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 293W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 785A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: I2PAK; SOT226 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7J1R0-40HX | NEXPERIA |
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BUK7J1R4-40HX | NEXPERIA |
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BUK7K12-60EX | NEXPERIA |
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BUK7K13-60EX | NEXPERIA |
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BUK7K134-100EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.9A; Idm: 39A; 32W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10.5nC On-state resistance: 335mΩ Drain current: 6.9A Power dissipation: 32W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 39A Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7K15-80EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 35.1nC On-state resistance: 38mΩ Drain current: 16A Power dissipation: 68W Pulsed drain current: 92A Drain-source voltage: 80V Application: automotive industry Case: LFPAK56D; SOT1205 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7K17-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 30A; Idm: 164A; 53W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 23.6nC On-state resistance: 14mΩ Drain current: 30A Power dissipation: 53W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 164A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: LFPAK56D; SOT1205 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7K17-80EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 32.4nC On-state resistance: 42mΩ Drain current: 15A Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 84A Drain-source voltage: 80V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7K18-40EX | NEXPERIA |
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BUK7K23-80EX | NEXPERIA |
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BUK7K29-100EX | NEXPERIA |
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BUK7K32-100EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 20.4A; Idm: 116A; 64W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC On-state resistance: 76mΩ Drain current: 20.4A Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 116A Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7K35-60EX | NEXPERIA |
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BUK7K45-100EX | NEXPERIA |
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BUK7K52-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 71A; 32W Application: automotive industry Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 71A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 60V Drain current: 12.6A On-state resistance: 101mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7K5R1-30E,115 | NEXPERIA |
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BUK7K5R6-30E,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 314A; 64W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 29.7nC On-state resistance: 10.3mΩ Drain current: 40A Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 314A Drain-source voltage: 30V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7K6R2-40EX | NEXPERIA |
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BUK7K8R7-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 22.5A; 53W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 21.8nC On-state resistance: 8.5mΩ Drain current: 30A Power dissipation: 53W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22.5A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK56D; SOT1205 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7M11-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 193A; 50W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC On-state resistance: 21.3mΩ Drain current: 34A Power dissipation: 50W Pulsed drain current: 193A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7M12-40EX | NEXPERIA |
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BUK7M12-60EX | NEXPERIA |
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BUK7M15-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27.4A; Idm: 155A; 44W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 12.7nC On-state resistance: 29.1mΩ Drain current: 27.4A Power dissipation: 44W Pulsed drain current: 155A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7M19-60EX | NEXPERIA |
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BUK7M20-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10.2nC On-state resistance: 38.8mΩ Drain current: 22A Power dissipation: 38W Pulsed drain current: 125A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7M21-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23.1A; Idm: 131A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23.1A Pulsed drain current: 131A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7M22-80EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 147A; 75W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 23.9nC On-state resistance: 55mΩ Drain current: 26A Power dissipation: 75W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 147A Drain-source voltage: 80V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7M27-80EX | NEXPERIA |
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BUK7M33-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10.9nC On-state resistance: 74mΩ Drain current: 17A Power dissipation: 44W Pulsed drain current: 98A Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6624 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC On-state resistance: 3.3mΩ Drain current: 80A Power dissipation: 101W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 475A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK33; SOT1210 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7M42-60EX | NEXPERIA |
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BUK7M45-40EX | NEXPERIA |
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BUK7230-55A,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; Idm: 150A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; Idm: 150A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BUK7240-100A,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 136A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 136A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BUK7275-100A,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.4A; Idm: 87A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 187mΩ
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.4A; Idm: 87A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 187mΩ
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BUK753R1-40E,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 798A; 234W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 234W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 798A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: SOT78; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 798A; 234W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 234W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 798A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: SOT78; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7610-55AL,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7610-55AL.118 SMD N channel transistors
BUK7610-55AL.118 SMD N channel transistors
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BUK7613-60E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; Idm: 234A; 96W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.9nC
On-state resistance: 28.2mΩ
Drain current: 41A
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 234A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; Idm: 234A; 96W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
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On-state resistance: 28.2mΩ
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Gate-source voltage: ±20V
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Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
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BUK761R6-40E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK761R6-40E.118 SMD N channel transistors
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BUK7628-100A.118 SMD N channel transistors
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BUK762R4-60E.118 SMD N channel transistors
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BUK762R6-60E,118 |
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BUK762R6-60E.118 SMD N channel transistors
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BUK7631-100E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7631-100E.118 SMD N channel transistors
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BUK763R1-60E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK763R1-60E.118 SMD N channel transistors
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BUK763R8-80E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
On-state resistance: 9.2mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 778A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
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Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
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BUK764R0-55B,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK764R0-55B.118 SMD N channel transistors
BUK764R0-55B.118 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BUK764R2-80E,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK764R2-80E.118 SMD N channel transistors
BUK764R2-80E.118 SMD N channel transistors
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BUK764R4-60E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK764R4-60E.118 SMD N channel transistors
BUK764R4-60E.118 SMD N channel transistors
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BUK765R0-100E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 115A; 349W; D2PAK,SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 115A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 115A; 349W; D2PAK,SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 115A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BUK766R0-60E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK766R0-60E.118 SMD N channel transistors
BUK766R0-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BUK7675-55A,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14.3A; Idm: 81A; 62W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 14.3A
Power dissipation: 62W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 81A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14.3A; Idm: 81A; 62W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 14.3A
Power dissipation: 62W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 81A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK768R1-100E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK768R1-100E.118 SMD N channel transistors
BUK768R1-100E.118 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BUK768R1-40E,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 59A; Idm: 335A; 96W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 13.7mΩ
Drain current: 59A
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 59A; Idm: 335A; 96W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 13.7mΩ
Drain current: 59A
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Pulsed drain current: 335A
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Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK768R3-60E,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK768R3-60E.118 SMD N channel transistors
BUK768R3-60E.118 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BUK78150-55A/CUF |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4093 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
136+ | 0.53 EUR |
215+ | 0.33 EUR |
325+ | 0.22 EUR |
477+ | 0.15 EUR |
506+ | 0.14 EUR |
BUK78150-55A/CUX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Power dissipation: 8W
Pulsed drain current: 22A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Power dissipation: 8W
Pulsed drain current: 22A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.36 EUR |
266+ | 0.27 EUR |
302+ | 0.24 EUR |
447+ | 0.16 EUR |
500+ | 0.15 EUR |
BUK7880-55A/CUX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5A; Idm: 30A; 8W; SC73,SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 148mΩ
Drain current: 5A
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: SC73; SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5A; Idm: 30A; 8W; SC73,SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 148mΩ
Drain current: 5A
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: SC73; SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7D25-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7D25-40EX SMD N channel transistors
BUK7D25-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7D36-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 56A; 15W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 76mΩ
Drain current: 8.9A
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: DFN6; SOT1220
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 56A; 15W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 76mΩ
Drain current: 8.9A
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: DFN6; SOT1220
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7E3R5-60E,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 293W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 785A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: I2PAK; SOT226
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 293W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 785A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: I2PAK; SOT226
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7J1R0-40HX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7J1R0-40HX SMD N channel transistors
BUK7J1R0-40HX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7J1R4-40HX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7J1R4-40HX SMD N channel transistors
BUK7J1R4-40HX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7K12-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K12-60EX Multi channel transistors
BUK7K12-60EX Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7K13-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K13-60EX Multi channel transistors
BUK7K13-60EX Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7K134-100EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.9A; Idm: 39A; 32W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 335mΩ
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 39A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.9A; Idm: 39A; 32W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 335mΩ
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 39A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7K15-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7K17-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 30A; Idm: 164A; 53W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.6nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 53W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 30A; Idm: 164A; 53W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.6nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 53W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7K17-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32.4nC
On-state resistance: 42mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 84A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32.4nC
On-state resistance: 42mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 84A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7K18-40EX |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7K18-40EX Multi channel transistors
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BUK7K23-80EX |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7K23-80EX Multi channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7K29-100EX Multi channel transistors
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BUK7K32-100EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 20.4A; Idm: 116A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 76mΩ
Drain current: 20.4A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 116A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 20.4A; Idm: 116A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 76mΩ
Drain current: 20.4A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 116A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7K35-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7K35-60EX Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BUK7K45-100EX |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7K45-100EX Multi channel transistors
BUK7K45-100EX Multi channel transistors
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BUK7K52-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 71A; 32W
Application: automotive industry
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 71A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12.6A
On-state resistance: 101mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 71A; 32W
Application: automotive industry
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 71A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12.6A
On-state resistance: 101mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7K5R1-30E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7K5R1-30E.115 Multi channel transistors
BUK7K5R1-30E.115 Multi channel transistors
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BUK7K5R6-30E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 314A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.7nC
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 314A
Drain-source voltage: 30V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 314A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.7nC
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 314A
Drain-source voltage: 30V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
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BUK7K6R2-40EX |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7K6R2-40EX SMD N channel transistors
BUK7K6R2-40EX SMD N channel transistors
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BUK7K8R7-40EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 22.5A; 53W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.8nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 53W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22.5A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 22.5A; 53W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.8nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 53W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22.5A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
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BUK7M11-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 193A; 50W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 21.3mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 193A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 193A; 50W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 21.3mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 193A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK7M12-40EX |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7M12-40EX SMD N channel transistors
BUK7M12-40EX SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BUK7M12-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M12-60EX SMD N channel transistors
BUK7M12-60EX SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BUK7M15-40HX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27.4A; Idm: 155A; 44W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 29.1mΩ
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 155A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27.4A; Idm: 155A; 44W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 29.1mΩ
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 155A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK7M19-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M19-60EX SMD N channel transistors
BUK7M19-60EX SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BUK7M20-40HX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.2nC
On-state resistance: 38.8mΩ
Drain current: 22A
Power dissipation: 38W
Pulsed drain current: 125A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.2nC
On-state resistance: 38.8mΩ
Drain current: 22A
Power dissipation: 38W
Pulsed drain current: 125A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK7M21-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23.1A; Idm: 131A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23.1A; Idm: 131A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7M22-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 147A; 75W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.9nC
On-state resistance: 55mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 147A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 147A; 75W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.9nC
On-state resistance: 55mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 147A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7M27-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M27-80EX SMD N channel transistors
BUK7M27-80EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BUK7M33-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.9nC
On-state resistance: 74mΩ
Drain current: 17A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 98A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.9nC
On-state resistance: 74mΩ
Drain current: 17A
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 98A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
79+ | 0.92 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
159+ | 0.45 EUR |
168+ | 0.43 EUR |
500+ | 0.41 EUR |
BUK7M3R3-40HX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 101W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 475A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 101W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 475A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7M42-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M42-60EX SMD N channel transistors
BUK7M42-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK7M45-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M45-40EX SMD N channel transistors
BUK7M45-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH