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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BUK7M6R0-40HX NEXPERIA BUK7M6R0-40H.pdf BUK7M6R0-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40EX NEXPERIA BUK7M6R3-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.1nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 319A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
96+0.75 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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BUK7M6R7-40HX NEXPERIA BUK7M6R7-40H.pdf BUK7M6R7-40HX SMD N channel transistors
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BUK7M8R0-40EX NEXPERIA BUK7M8R0-40E.pdf BUK7M8R0-40EX SMD N channel transistors
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BUK7M8R5-40HX NEXPERIA BUK7M8R5-40H.pdf BUK7M8R5-40HX SMD N channel transistors
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BUK7M9R5-40HX NEXPERIA BUK7M9R5-40H.pdf BUK7M9R5-40HX SMD N channel transistors
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BUK7M9R9-60EX NEXPERIA BUK7M9R9-60E.pdf BUK7M9R9-60EX SMD N channel transistors
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BUK7S0R5-40HJ NEXPERIA BUK7S0R5-40H.pdf BUK7S0R5-40HJ SMD N channel transistors
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BUK7S0R7-40HJ NEXPERIA BUK7S0R7-40H.pdf BUK7S0R7-40HJ SMD N channel transistors
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BUK7S1R0-40HJ NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf BUK7S1R0-40HJ SMD N channel transistors
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BUK7S1R5-40HJ NEXPERIA BUK7S1R5-40H.pdf BUK7S1R5-40HJ SMD N channel transistors
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BUK7V4R2-40HX NEXPERIA BUK7V4R2-40H.pdf BUK7V4R2-40HX Multi channel transistors
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BUK7Y08-40B,115 NEXPERIA BUK7Y08-40B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58.85A; Idm: 332A; 105W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 58.85A
Power dissipation: 105W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 332A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y102-100B,115 NEXPERIA BUK7Y102-100B.pdf BUK7Y102-100B.115 SMD N channel transistors
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BUK7Y113-100EX NEXPERIA BUK7Y113-100E.pdf BUK7Y113-100EX SMD N channel transistors
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BUK7Y12-40EX NEXPERIA BUK7Y12-40E.pdf BUK7Y12-40EX SMD N channel transistors
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BUK7Y12-55B,115 NEXPERIA BUK7Y12-55B.pdf BUK7Y12-55B.115 SMD N channel transistors
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BUK7Y13-40B,115 NEXPERIA BUK7Y13-40B.pdf BUK7Y13-40B.115 SMD N channel transistors
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX NEXPERIA BUK7Y14-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Drain current: 46A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 259A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
64+1.12 EUR
84+0.86 EUR
89+0.81 EUR
100+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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BUK7Y15-100EX NEXPERIA BUK7Y15-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54.5nC
On-state resistance: 41.5mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y15-60EX NEXPERIA BUK7Y15-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.4nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 53A
Power dissipation: 94W
Pulsed drain current: 212A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y153-100EX NEXPERIA BUK7Y153-100E.pdf BUK7Y153-100EX SMD N channel transistors
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BUK7Y19-100EX NEXPERIA BUK7Y19-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 52.6mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 169W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 225A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y1R4-40HX NEXPERIA BUK7Y1R4-40H.pdf BUK7Y1R4-40HX SMD N channel transistors
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BUK7Y1R7-40HX NEXPERIA BUK7Y1R7-40H.pdf BUK7Y1R7-40HX SMD N channel transistors
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BUK7Y21-40EX NEXPERIA BUK7Y21-40E.pdf BUK7Y21-40EX SMD N channel transistors
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BUK7Y22-100EX NEXPERIA BUK7Y22-100E.pdf BUK7Y22-100EX SMD N channel transistors
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BUK7Y25-60EX NEXPERIA BUK7Y25-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 136A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y25-80EX NEXPERIA BUK7Y25-80E.pdf BUK7Y25-80EX SMD N channel transistors
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BUK7Y28-75B,115 NEXPERIA BUK7Y28-75B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 25.1A; Idm: 142A; 85W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.2nC
On-state resistance: 67.2mΩ
Drain current: 25.1A
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 142A
Drain-source voltage: 75V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y29-40EX NEXPERIA BUK7Y29-40E.pdf BUK7Y29-40EX SMD N channel transistors
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BUK7Y2R5-40HX NEXPERIA BUK7Y2R5-40H.pdf BUK7Y2R5-40HX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y38-100EX NEXPERIA BUK7Y38-100E.pdf BUK7Y38-100EX SMD N channel transistors
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BUK7Y3R0-40HX NEXPERIA BUK7Y3R0-40H.pdf BUK7Y3R0-40HX SMD N channel transistors
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BUK7Y3R5-40E,115 NEXPERIA BUK7Y3R5-40E.pdf BUK7Y3R5-40E.115 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R5-40HX NEXPERIA BUK7Y3R5-40H.pdf BUK7Y3R5-40HX SMD N channel transistors
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BUK7Y41-80EX NEXPERIA BUK7Y41-80E.pdf BUK7Y41-80EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y43-60EX NEXPERIA BUK7Y43-60E.pdf BUK7Y43-60EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y4R4-40EX NEXPERIA BUK7Y4R4-40E.pdf BUK7Y4R4-40EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y4R8-60EX NEXPERIA BUK7Y4R8-60E.pdf BUK7Y4R8-60EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y53-100B,115 NEXPERIA BUK7Y53-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 85W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 138mΩ
Drain current: 17.6A
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 99A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y59-60EX NEXPERIA BUK7Y59-60E.pdf BUK7Y59-60EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y65-100EX NEXPERIA BUK7Y65-100E.pdf BUK7Y65-100EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y6R0-60EX NEXPERIA BUK7Y6R0-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45.4nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 85A
Power dissipation: 195W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 482A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y72-80EX BUK7Y72-80EX NEXPERIA BUK7Y72-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 181mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 63A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
105+0.68 EUR
123+0.58 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R0-40HX BUK7Y7R0-40HX NEXPERIA BUK7Y7R0-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 13.6mΩ
Drain current: 48A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
82+0.88 EUR
92+0.78 EUR
94+0.77 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R2-60EX NEXPERIA BUK7Y7R2-60E.pdf BUK7Y7R2-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R6-40EX BUK7Y7R6-40EX NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939565BD355B38BF&compId=BUK7Y7R6-40E.pdf?ci_sign=c4af4431d1115c7a5159afb2e1bee4f64a775a88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.2nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 56A
Power dissipation: 94.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
88+0.82 EUR
90+0.8 EUR
91+0.79 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R8-80EX NEXPERIA BUK7Y7R8-80E.pdf BUK7Y7R8-80EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX NEXPERIA BUK7Y8R7-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 61A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 347A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
100+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80EX NEXPERIA BUK7Y98-80E.pdf BUK7Y98-80EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y9R9-80EX NEXPERIA BUK7Y9R9-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63A; Idm: 354A; 195W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51.6nC
On-state resistance: 24.9mΩ
Drain current: 63A
Power dissipation: 195W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 354A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9214-30A,118 NEXPERIA BUK9214-30A.pdf BUK9214-30A.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9217-75B,118 NEXPERIA BUK9217-75B.pdf BUK9217-75B.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9219-55A,118 NEXPERIA BUK9219-55A.pdf BUK9219-55A.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9226-75A,118 NEXPERIA BUK9226-75A.pdf BUK9226-75A.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9240-100A,118 NEXPERIA BUK9240-100A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23.8A; Idm: 135A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 114W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BUK9606-75B,118 NEXPERIA BUK9606-75B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 612A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 612A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 NEXPERIA BUK9608-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 439A; 203W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 203W
Case: D2PAK; SOT404
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 439A
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9609-40B,118 NEXPERIA BUK9609-40B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; Idm: 383A; 157W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 383A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7M6R0-40HX BUK7M6R0-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7M6R0-40HX SMD N channel transistors
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BUK7M6R3-40EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.1nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 56.4A
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 319A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
96+0.75 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7M6R7-40HX SMD N channel transistors
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BUK7S0R5-40HJ SMD N channel transistors
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BUK7S1R5-40HJ SMD N channel transistors
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BUK7V4R2-40HX Multi channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58.85A; Idm: 332A; 105W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 58.85A
Power dissipation: 105W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 332A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y113-100EX SMD N channel transistors
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BUK7Y12-40EX SMD N channel transistors
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BUK7Y12-55B.115 SMD N channel transistors
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BUK7Y14-80EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 35.1mΩ
Drain current: 46A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 259A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
64+1.12 EUR
84+0.86 EUR
89+0.81 EUR
100+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54.5nC
On-state resistance: 41.5mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.4nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 53A
Power dissipation: 94W
Pulsed drain current: 212A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 52.6mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 169W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 225A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 136A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y25-80EX SMD N channel transistors
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BUK7Y28-75B,115 BUK7Y28-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 25.1A; Idm: 142A; 85W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.2nC
On-state resistance: 67.2mΩ
Drain current: 25.1A
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 142A
Drain-source voltage: 75V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y29-40EX SMD N channel transistors
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BUK7Y3R0-40HX SMD N channel transistors
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BUK7Y3R5-40E.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y3R5-40HX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y41-80EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y43-60EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y4R4-40EX SMD N channel transistors
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BUK7Y4R8-60EX BUK7Y4R8-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y4R8-60EX SMD N channel transistors
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BUK7Y53-100B,115 BUK7Y53-100B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 85W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 138mΩ
Drain current: 17.6A
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 99A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y59-60EX BUK7Y59-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y59-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y65-100EX BUK7Y65-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y65-100EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y6R0-60EX BUK7Y6R0-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45.4nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 85A
Power dissipation: 195W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 482A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y72-80EX BUK7Y72-80E.pdf
BUK7Y72-80EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 181mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 63A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
105+0.68 EUR
123+0.58 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R0-40HX BUK7Y7R0-40H.pdf
BUK7Y7R0-40HX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 13.6mΩ
Drain current: 48A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
82+0.88 EUR
92+0.78 EUR
94+0.77 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R2-60EX BUK7Y7R2-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y7R2-60EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R6-40EX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939565BD355B38BF&compId=BUK7Y7R6-40E.pdf?ci_sign=c4af4431d1115c7a5159afb2e1bee4f64a775a88
BUK7Y7R6-40EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.2nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 56A
Power dissipation: 94.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
88+0.82 EUR
90+0.8 EUR
91+0.79 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R8-80EX BUK7Y7R8-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y7R8-80EX SMD N channel transistors
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BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60E.pdf
BUK7Y8R7-60EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 61A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 347A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
100+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80EX BUK7Y98-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y98-80EX SMD N channel transistors
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BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63A; Idm: 354A; 195W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51.6nC
On-state resistance: 24.9mΩ
Drain current: 63A
Power dissipation: 195W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 354A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK9214-30A,118 BUK9214-30A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK9214-30A.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK9217-75B.118 SMD N channel transistors
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BUK9219-55A,118 BUK9219-55A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK9219-55A.118 SMD N channel transistors
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BUK9226-75A,118 BUK9226-75A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK9226-75A.118 SMD N channel transistors
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BUK9240-100A,118 BUK9240-100A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23.8A; Idm: 135A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 114W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK9606-75B,118 BUK9606-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 612A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 612A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B.pdf
BUK9608-55B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 439A; 203W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 203W
Case: D2PAK; SOT404
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 439A
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9609-40B,118 BUK9609-40B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; Idm: 383A; 157W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 383A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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