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BUK9K45-100E,115 NEXPERIA BUK9K45-100E.pdf BUK9K45-100E.115 Multi channel transistors
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BUK9K52-60RAX NEXPERIA BUK9K52-60RA.pdf BUK9K52-60RAX Multi channel transistors
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BUK9K5R1-30EX NEXPERIA BUK9K5R1-30E.pdf BUK9K5R1-30EX Multi channel transistors
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BUK9K5R6-30EX NEXPERIA BUK9K5R6-30E.pdf BUK9K5R6-30EX Multi channel transistors
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BUK9K89-100E,115 NEXPERIA BUK9K89-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9K8R7-40EX NEXPERIA BUK9K8R7-40E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK9M67-60ELX NEXPERIA BUK9M67-60EL.pdf BUK9M67-60ELX SMD N channel transistors
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BUK9M8R5-40HX NEXPERIA BUK9M8R5-40H.pdf BUK9M8R5-40HX SMD N channel transistors
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BUK9Y09-40B,115 NEXPERIA BUK9Y09-40B.pdf BUK9Y09-40B.115 SMD N channel transistors
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BUK9Y104-100B,115 NEXPERIA BUK9Y104-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.48A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 59A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9Y12-100E,115 NEXPERIA BUK9Y12-100E.pdf BUK9Y12-100E.115 SMD N channel transistors
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BUK9Y12-40E,115 NEXPERIA BUK9Y12-40E.pdf BUK9Y12-40E.115 SMD N channel transistors
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BUK9Y15-100E,115 NEXPERIA BUK9Y15-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 274A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45.8nC
On-state resistance: 41.4mΩ
Drain current: 49A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
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BUK9Y153-100E,115 NEXPERIA BUK9Y153-100E.pdf BUK9Y153-100E.115 SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK9K45-100E.115 Multi channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK9K52-60E.115 SMD N channel transistors
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BUK9K52-60RAX Multi channel transistors
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BUK9K5R1-30EX BUK9K5R1-30E.pdf
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BUK9K5R1-30EX Multi channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK9K6R2-40E.115 SMD N channel transistors
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BUK9K6R8-40EX BUK9K6R8-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK9K6R8-40EX Multi channel transistors
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BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK9K8R7-40EX BUK9K8R7-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Hersteller: NEXPERIA
BUK9M10-30EX SMD N channel transistors
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BUK9M11-40EX BUK9M11-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK9M11-40EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK9M11-40HX SMD N channel transistors
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BUK9M12-60EX BUK9M12-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK9M12-60EX SMD N channel transistors
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK9M120-100EX SMD N channel transistors
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BUK9M14-40EX BUK9M14-40E.pdf
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BUK9M14-40EX SMD N channel transistors
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BUK9M15-40HX SMD N channel transistors
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BUK9M15-60EX SMD N channel transistors
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BUK9M156-100EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
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BUK9M20-40HX SMD N channel transistors
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BUK9M23-80EX SMD N channel transistors
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BUK9M28-80EX SMD N channel transistors
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BUK9M35-80EX BUK9M35-80E.pdf
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BUK9M35-80EX SMD N channel transistors
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BUK9M3R3-40HX SMD N channel transistors
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BUK9M42-60EX SMD N channel transistors
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BUK9M4R3-40HX SMD N channel transistors
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.48A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 59A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 274A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45.8nC
On-state resistance: 41.4mΩ
Drain current: 49A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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77+0.93 EUR
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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BUK9Y1R6-40HX
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