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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BUK6D81-80EX NEXPERIA BUK6D81-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.9A; Idm: 39A; 18.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 18.8W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y10-30PX NEXPERIA BUK6Y10-30P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -57A; Idm: -320A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -57A
Pulsed drain current: -320A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y14-40PX BUK6Y14-40PX NEXPERIA BUK6Y14-40P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
Pulsed drain current: -257A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y19-30PX NEXPERIA BUK6Y19-30P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32A; Idm: -181A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -32A
Pulsed drain current: -181A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y24-40PX NEXPERIA BUK6Y24-40P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -27A; Idm: -155A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -27A
Pulsed drain current: -155A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y33-60PX NEXPERIA BUK6Y33-60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21A; Idm: -120A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y61-60PX NEXPERIA BUK6Y61-60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -17.7A; Idm: -100A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -17.7A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7208-40B,118 NEXPERIA BUK7208-40B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 15.6mΩ
Drain current: 75A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 420A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7212-55B,118 NEXPERIA BUK7212-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 59A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7214-75B,118 NEXPERIA BUK7214-75B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 276A; 158W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 49A
Power dissipation: 158W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Drain-source voltage: 75V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK72150-55A,118 NEXPERIA BUK72150-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 7A; Idm: 44A; 36W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7219-55A,118 NEXPERIA BUK7219-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 39A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7227-100B,118 NEXPERIA BUK7227-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 196A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7230-55A,118 NEXPERIA BUK7230-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; Idm: 150A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 27A
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7240-100A,118 NEXPERIA BUK7240-100A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 136A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7275-100A,118 NEXPERIA BUK7275-100A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.4A; Idm: 87A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 187mΩ
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK753R1-40E,127 NEXPERIA BUK753R1-40E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 798A; 234W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 234W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 798A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: SOT78; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7610-55AL,118 NEXPERIA BUK7610-55AL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 490A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7613-60E,118 NEXPERIA BUK7613-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; Idm: 234A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.9nC
On-state resistance: 28.2mΩ
Drain current: 41A
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 234A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK761R6-40E,118 NEXPERIA BUK761R6-40E.pdf BUK761R6-40E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7628-100A,118 NEXPERIA BUK7628-100A.pdf BUK7628-100A.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK762R4-60E,118 NEXPERIA PHGLS24556-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BUK762R4-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK762R6-60E,118 NEXPERIA BUK762R6-60E.pdf BUK762R6-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7631-100E,118 NEXPERIA BUK7631-100E.pdf BUK7631-100E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R1-60E,118 NEXPERIA BUK763R1-60E.pdf BUK763R1-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E,118 BUK763R8-80E,118 NEXPERIA BUK763R8-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
On-state resistance: 9.2mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 778A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118 NEXPERIA BUK764R0-55B.pdf BUK764R0-55B.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R2-80E,118 NEXPERIA PHGLS25532-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BUK764R2-80E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R4-60E,118 NEXPERIA BUK764R4-60E.pdf BUK764R4-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK765R0-100E,118 BUK765R0-100E,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3B2B6F3051BF&compId=BUK765R0-100E.118-DTE.PDF?ci_sign=8841be159cbf7b5deb23a152b4737d8f9ba17627 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 115A; 349W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 115A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK766R0-60E,118 NEXPERIA BUK766R0-60E.pdf BUK766R0-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118 NEXPERIA BUK7675-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14.3A; Idm: 81A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 14.3A
Power dissipation: 62W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 81A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-100E,118 NEXPERIA BUK768R1-100E.pdf BUK768R1-100E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-40E,118 NEXPERIA BUK768R1-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 59A; Idm: 335A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 13.7mΩ
Drain current: 59A
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118 NEXPERIA BUK768R3-60E.pdf BUK768R3-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUF BUK78150-55A/CUF NEXPERIA BUK78150-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
208+0.34 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX NEXPERIA BUK78150-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Power dissipation: 8W
Pulsed drain current: 22A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
266+0.27 EUR
302+0.24 EUR
447+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A/CUX NEXPERIA BUK7880-55A.pdf BUK7880-55A/CUX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D25-40EX NEXPERIA BUK7D25-40E.pdf BUK7D25-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EX NEXPERIA BUK7D36-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 56A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 76mΩ
Drain current: 8.9A
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: DFN6; SOT1220
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R5-60E,127 NEXPERIA BUK7E3R5-60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 293W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 785A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: I2PAK; SOT226
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7J1R0-40HX NEXPERIA BUK7J1R0-40H.pdf BUK7J1R0-40HX SMD N channel transistors
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BUK7J1R4-40HX NEXPERIA BUK7J1R4-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W
Application: automotive industry
Power dissipation: 395W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 103nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 600A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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BUK7K12-60EX NEXPERIA BUK7K12-60E.pdf BUK7K12-60EX Multi channel transistors
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BUK7K13-60EX NEXPERIA BUK7K13-60E.pdf BUK7K13-60EX Multi channel transistors
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BUK7K134-100EX NEXPERIA BUK7K134-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.9A; Idm: 39A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 335mΩ
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 39A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
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BUK7K15-80EX NEXPERIA BUK7K15-80E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
Kind of channel: enhancement
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BUK7K17-60EX NEXPERIA BUK7K17-60E.pdf BUK7K17-60EX SMD N channel transistors
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BUK7K17-80EX NEXPERIA BUK7K17-80E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32.4nC
On-state resistance: 42mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 84A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
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BUK7K18-40EX NEXPERIA BUK7K18-40E.pdf BUK7K18-40EX Multi channel transistors
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BUK7K23-80EX NEXPERIA BUK7K23-80E.pdf BUK7K23-80EX Multi channel transistors
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BUK7K29-100EX NEXPERIA BUK7K29-100E.pdf BUK7K29-100EX Multi channel transistors
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BUK7K32-100EX NEXPERIA BUK7K32-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 20.4A; Idm: 116A; 64W
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 116A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20.4A
On-state resistance: 76mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7K35-60EX NEXPERIA BUK7K35-60E.pdf BUK7K35-60EX Multi channel transistors
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BUK7K45-100EX NEXPERIA BUK7K45-100E.pdf BUK7K45-100EX Multi channel transistors
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BUK7K52-60EX NEXPERIA BUK7K52-60E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 71A; 32W
Application: automotive industry
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 71A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12.6A
On-state resistance: 101mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
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BUK7K5R1-30E,115 NEXPERIA BUK7K5R1-30E.pdf BUK7K5R1-30E.115 Multi channel transistors
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BUK7K5R6-30E,115 NEXPERIA BUK7K5R6-30E.pdf BUK7K5R6-30E.115 Multi channel transistors
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BUK7K6R2-40EX NEXPERIA BUK7K6R2-40E.pdf BUK7K6R2-40EX SMD N channel transistors
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BUK7K8R7-40EX NEXPERIA BUK7K8R7-40E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 22.5A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.8nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 53W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22.5A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
Kind of channel: enhancement
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BUK6D81-80EX BUK6D81-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.9A; Idm: 39A; 18.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 18.8W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y10-30PX BUK6Y10-30P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -57A; Idm: -320A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -57A
Pulsed drain current: -320A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6Y14-40PX BUK6Y14-40P.pdf
BUK6Y14-40PX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
Pulsed drain current: -257A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK6Y19-30PX BUK6Y19-30P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32A; Idm: -181A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -32A
Pulsed drain current: -181A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y24-40PX BUK6Y24-40P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -27A; Idm: -155A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -27A
Pulsed drain current: -155A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y33-60PX BUK6Y33-60P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21A; Idm: -120A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60P.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -17.7A; Idm: -100A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -17.7A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7208-40B,118 BUK7208-40B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 15.6mΩ
Drain current: 75A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 420A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7212-55B,118 BUK7212-55B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 59A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7214-75B,118 BUK7214-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 276A; 158W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 49A
Power dissipation: 158W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Drain-source voltage: 75V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK72150-55A,118 BUK72150-55A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 7A; Idm: 44A; 36W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7219-55A,118 BUK7219-55A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 39A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7227-100B,118 BUK7227-100B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 196A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 167W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7230-55A,118 BUK7230-55A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; Idm: 150A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 27A
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7240-100A,118 BUK7240-100A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 114W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 136A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7275-100A,118 BUK7275-100A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.4A; Idm: 87A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 187mΩ
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK753R1-40E,127 BUK753R1-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 798A; 234W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 234W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 798A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: SOT78; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7610-55AL,118 BUK7610-55AL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 490A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7613-60E,118 BUK7613-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; Idm: 234A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.9nC
On-state resistance: 28.2mΩ
Drain current: 41A
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 234A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK761R6-40E,118 BUK761R6-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK761R6-40E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7628-100A,118 BUK7628-100A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7628-100A.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK762R4-60E,118 PHGLS24556-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: NEXPERIA
BUK762R4-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK762R6-60E,118 BUK762R6-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK762R6-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7631-100E,118 BUK7631-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7631-100E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK763R1-60E.118 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E,118 BUK763R8-80E.pdf
BUK763R8-80E,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
On-state resistance: 9.2mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 778A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118 BUK764R0-55B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK764R0-55B.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
BUK764R2-80E.118 SMD N channel transistors
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BUK764R4-60E,118 BUK764R4-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK764R4-60E.118 SMD N channel transistors
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BUK765R0-100E,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3B2B6F3051BF&compId=BUK765R0-100E.118-DTE.PDF?ci_sign=8841be159cbf7b5deb23a152b4737d8f9ba17627
BUK765R0-100E,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 115A; 349W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 115A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK766R0-60E,118 BUK766R0-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK766R0-60E.118 SMD N channel transistors
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BUK7675-55A,118 BUK7675-55A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14.3A; Idm: 81A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 14.3A
Power dissipation: 62W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 81A
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-100E,118 BUK768R1-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK768R1-100E.118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-40E,118 BUK768R1-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 59A; Idm: 335A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 13.7mΩ
Drain current: 59A
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118 BUK768R3-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK768R3-60E.118 SMD N channel transistors
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BUK78150-55A/CUF BUK78150-55A.pdf
BUK78150-55A/CUF
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
208+0.34 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A.pdf
BUK78150-55A/CUX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Power dissipation: 8W
Pulsed drain current: 22A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
266+0.27 EUR
302+0.24 EUR
447+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BUK7880-55A/CUX BUK7880-55A.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7880-55A/CUX SMD N channel transistors
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BUK7D25-40EX BUK7D25-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7D25-40EX SMD N channel transistors
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BUK7D36-60EX BUK7D36-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 56A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 76mΩ
Drain current: 8.9A
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: DFN6; SOT1220
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7E3R5-60E,127 BUK7E3R5-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 293W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 785A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: I2PAK; SOT226
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7J1R0-40HX BUK7J1R0-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7J1R0-40HX SMD N channel transistors
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BUK7J1R4-40HX BUK7J1R4-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W
Application: automotive industry
Power dissipation: 395W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 103nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 600A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7K12-60EX BUK7K12-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K12-60EX Multi channel transistors
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BUK7K13-60EX BUK7K13-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K13-60EX Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K134-100EX BUK7K134-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.9A; Idm: 39A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 335mΩ
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 39A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K15-80EX BUK7K15-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7K17-60EX BUK7K17-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K17-60EX SMD N channel transistors
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BUK7K17-80EX BUK7K17-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32.4nC
On-state resistance: 42mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 84A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K18-40EX BUK7K18-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K18-40EX Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K23-80EX BUK7K23-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K23-80EX Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K29-100EX BUK7K29-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K29-100EX Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K32-100EX BUK7K32-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 20.4A; Idm: 116A; 64W
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 116A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20.4A
On-state resistance: 76mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EX BUK7K35-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K35-60EX Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K45-100EX BUK7K45-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K45-100EX Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K52-60EX BUK7K52-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 71A; 32W
Application: automotive industry
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 71A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12.6A
On-state resistance: 101mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R1-30E,115 BUK7K5R1-30E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K5R1-30E.115 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R6-30E,115 BUK7K5R6-30E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K5R6-30E.115 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R2-40EX BUK7K6R2-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7K6R2-40EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K8R7-40EX BUK7K8R7-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 22.5A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.8nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 53W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22.5A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56D; SOT1205
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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