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BUK9K5R6-30EX | NEXPERIA |
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BUK9K6R2-40E,115 | NEXPERIA |
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BUK9K6R8-40EX | NEXPERIA |
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BUK9K89-100E,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.9A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 245mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9K8R7-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 211A Power dissipation: 53W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M10-30EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 216A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 38A Pulsed drain current: 216A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M11-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 37A; Idm: 211A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 37A Pulsed drain current: 211A Power dissipation: 62W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M11-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 193A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 34A Pulsed drain current: 193A Power dissipation: 50W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 27.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M12-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 216A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 216A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M120-100EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.1A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M14-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 31A; Idm: 176A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 31A Pulsed drain current: 176A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M15-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27.4A; Idm: 155A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.4A Pulsed drain current: 155A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 36.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M15-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 188A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Pulsed drain current: 188A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M156-100EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 37A Power dissipation: 36W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M17-30EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 148A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 26A Pulsed drain current: 148A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M19-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26.8A; Idm: 152A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26.8A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 62W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M20-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 48.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M23-80EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 148A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 26A Pulsed drain current: 148A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M24-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 121A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M24-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22.4A; Idm: 127A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22.4A Pulsed drain current: 127A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M28-80EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23.1A Pulsed drain current: 131A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK9M35-80EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 19A; Idm: 106A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 19A Pulsed drain current: 106A Power dissipation: 62W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 88mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M3R3-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 475A Power dissipation: 101W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M42-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15.2A; Idm: 86A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15.2A Pulsed drain current: 86A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M43-100EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17.6A Pulsed drain current: 99A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 121mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M4R3-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 69A Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 90W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M52-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 70A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 17.6A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 31W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M53-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 69A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 36W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 46mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M5R0-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 61.7A Pulsed drain current: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M5R2-30EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; Idm: 358A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 63A Pulsed drain current: 358A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M67-60ELX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 85A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 45W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 148mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M6R0-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 311A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 311A Power dissipation: 70W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M6R6-30EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 54.7A; Idm: 309A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 54.7A Pulsed drain current: 309A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M6R7-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 282A Power dissipation: 65W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 16.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M7R2-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; Idm: 296A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 52A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M85-60EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 51A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 51A Power dissipation: 31W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 192mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M8R5-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 239A Power dissipation: 59W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 21.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M9R1-40EX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 45.5A Pulsed drain current: 258A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 18.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M9R5-40HX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 38.5A Pulsed drain current: 218A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 23.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9Y09-40B,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y104-100B,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.48A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 59A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9Y107-80EX | NEXPERIA |
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BUK9Y11-80EX | NEXPERIA |
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BUK9Y113-100E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y12-100E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y12-40E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y15-100E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y15-60E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y153-100E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y19-100E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y19-55B,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK9Y19-75B,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 1261 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK9Y1R3-40HX | NEXPERIA |
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BUK9Y1R6-40HX | NEXPERIA | BUK9Y1R6-40HX SMD N channel transistors |
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BUK9Y1R9-40HX | NEXPERIA |
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BUK9Y22-100E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y25-60E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y25-80E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y29-40E,115 | NEXPERIA |
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BUK9Y2R4-40HX | NEXPERIA |
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BUK9K5R6-30EX |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK9K5R6-30EX Multi channel transistors
BUK9K5R6-30EX Multi channel transistors
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BUK9K6R2-40E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK9K6R2-40E.115 SMD N channel transistors
BUK9K6R2-40E.115 SMD N channel transistors
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BUK9K6R8-40EX |
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Hersteller: NEXPERIA
BUK9K6R8-40EX Multi channel transistors
BUK9K6R8-40EX Multi channel transistors
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BUK9K89-100E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9K8R7-40EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9M10-30EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 216A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 216A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 216A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 216A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK9M11-40EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 37A; Idm: 211A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 37A; Idm: 211A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK9M11-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 193A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 50W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 193A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 50W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK9M12-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 216A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 216A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 216A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 216A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
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Stück im Wert von UAH
BUK9M120-100EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK9M14-40EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 31A; Idm: 176A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 31A; Idm: 176A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M15-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27.4A; Idm: 155A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.4A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 36.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27.4A; Idm: 155A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.4A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 36.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK9M15-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 188A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 188A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M156-100EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M17-30EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 148A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 148A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M19-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26.8A; Idm: 152A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26.8A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26.8A; Idm: 152A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26.8A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M20-40HX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 48.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 48.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M23-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 148A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 148A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M24-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 121A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 121A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M24-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22.4A; Idm: 127A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22.4A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22.4A; Idm: 127A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22.4A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M28-80EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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500+ | 0.51 EUR |
BUK9M35-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 19A; Idm: 106A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 106A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 19A; Idm: 106A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 106A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9M3R3-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
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Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK9M42-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15.2A; Idm: 86A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15.2A
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Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15.2A; Idm: 86A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15.2A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
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Application: automotive industry
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BUK9M43-100EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
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Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 121mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.2nC
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Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17.6A
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Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 121mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.2nC
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Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK9M4R3-40HX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
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Power dissipation: 90W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
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Power dissipation: 90W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
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Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK9M52-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 70A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
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Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 70A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
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Stück im Wert von UAH
BUK9M53-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 69A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 69A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK9M5R0-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61.7A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61.7A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK9M5R2-30EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; Idm: 358A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 358A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; Idm: 358A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 358A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK9M67-60ELX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 85A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 45W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 85A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 45W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BUK9M6R0-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 311A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 70W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 311A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 70W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M6R6-30EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 54.7A; Idm: 309A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 54.7A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 54.7A; Idm: 309A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 54.7A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M6R7-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 282A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 282A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M7R2-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; Idm: 296A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; Idm: 296A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M85-60EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 51A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 51A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M8R5-40HX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 239A
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 21.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 239A
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 21.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M9R1-40EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45.5A
Pulsed drain current: 258A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 18.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45.5A
Pulsed drain current: 258A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 18.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9M9R5-40HX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 38.5A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 23.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 38.5A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 23.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9Y09-40B,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK9Y09-40B.115 SMD N channel transistors
BUK9Y09-40B.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9Y104-100B,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.48A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 59A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.48A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 59A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9Y107-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK9Y107-80EX SMD N channel transistors
BUK9Y107-80EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9Y11-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK9Y11-80EX SMD N channel transistors
BUK9Y11-80EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9Y113-100E,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK9Y113-100E.115 SMD N channel transistors
BUK9Y113-100E.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9Y12-100E,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK9Y12-100E.115 SMD N channel transistors
BUK9Y12-100E.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9Y12-40E,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK9Y12-40E.115 SMD N channel transistors
BUK9Y12-40E.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9Y15-100E,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
BUK9Y15-100E.115 SMD N channel transistors
BUK9Y15-100E.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUK9Y15-60E,115 |
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BUK9Y15-60E.115 SMD N channel transistors
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BUK9Y19-55B.115 SMD N channel transistors
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