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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BUK7M19-60EX NEXPERIA BUK7M19-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.3A
Pulsed drain current: 143A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M20-40HX NEXPERIA BUK7M20-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 38.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M21-40EX NEXPERIA BUK7M21-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23.1A; Idm: 131A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M22-80EX NEXPERIA BUK7M22-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 147A; 75W
Application: automotive industry
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 147A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 26A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M27-80EX NEXPERIA BUK7M27-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 21.3A; Idm: 121A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M33-60EX BUK7M33-60EX NEXPERIA BUK7M33-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Application: automotive industry
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 98A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
On-state resistance: 74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
96+0.75 EUR
158+0.45 EUR
168+0.43 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M3R3-40HX NEXPERIA BUK7M3R3-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M42-60EX NEXPERIA BUK7M42-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 78A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M45-40EX NEXPERIA BUK7M45-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13A; Idm: 77A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M4R3-40HX NEXPERIA BUK7M4R3-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M5R0-40HX NEXPERIA BUK7M5R0-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W
Application: automotive industry
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 349A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61.7A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R0-40HX NEXPERIA BUK7M6R0-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 311A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 70W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40EX NEXPERIA BUK7M6R3-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Application: automotive industry
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28.1nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 319A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56.4A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
72+0.99 EUR
96+0.75 EUR
102+0.71 EUR
200+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R7-40HX NEXPERIA BUK7M6R7-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 282A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M8R0-40EX NEXPERIA BUK7M8R0-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48.8A; Idm: 276A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48.8A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M8R5-40HX NEXPERIA BUK7M8R5-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 239A
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M9R5-40HX NEXPERIA BUK7M9R5-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 38.5A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 18.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M9R9-60EX NEXPERIA BUK7M9R9-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 240A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R5-40HJ NEXPERIA BUK7S0R5-40H.pdf BUK7S0R5-40HJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R7-40HJ NEXPERIA BUK7S0R7-40H.pdf BUK7S0R7-40HJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S1R0-40HJ NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf BUK7S1R0-40HJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S1R5-40HJ NEXPERIA BUK7S1R5-40H.pdf BUK7S1R5-40HJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7V4R2-40HX NEXPERIA BUK7V4R2-40H.pdf BUK7V4R2-40HX Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y08-40B,115 NEXPERIA BUK7Y08-40B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58.85A; Idm: 332A; 105W
Application: automotive industry
Power dissipation: 105W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 332A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58.85A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y102-100B,115 NEXPERIA BUK7Y102-100B.pdf BUK7Y102-100B.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y113-100EX NEXPERIA BUK7Y113-100E.pdf BUK7Y113-100EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y12-40EX NEXPERIA BUK7Y12-40E.pdf BUK7Y12-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y12-55B,115 NEXPERIA BUK7Y12-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61.8A; Idm: 247A; 105W
Application: automotive industry
Power dissipation: 105W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 247A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61.8A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y13-40B,115 NEXPERIA BUK7Y13-40B.pdf BUK7Y13-40B.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX NEXPERIA BUK7Y14-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Application: automotive industry
Power dissipation: 147W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44.8nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 259A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
On-state resistance: 35.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
68+1.06 EUR
84+0.86 EUR
89+0.81 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y15-100EX NEXPERIA BUK7Y15-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Application: automotive industry
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 54.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 274A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
On-state resistance: 41.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y15-60EX NEXPERIA BUK7Y15-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 94W
Application: automotive industry
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 212A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y153-100EX NEXPERIA BUK7Y153-100E.pdf BUK7Y153-100EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y19-100EX NEXPERIA BUK7Y19-100E.pdf BUK7Y19-100EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y1R4-40HX NEXPERIA BUK7Y1R4-40H.pdf BUK7Y1R4-40HX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y1R7-40HX NEXPERIA BUK7Y1R7-40H.pdf BUK7Y1R7-40HX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y21-40EX NEXPERIA BUK7Y21-40E.pdf BUK7Y21-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y22-100EX NEXPERIA BUK7Y22-100E.pdf BUK7Y22-100EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y25-60EX NEXPERIA BUK7Y25-60E.pdf BUK7Y25-60EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y25-80EX NEXPERIA BUK7Y25-80E.pdf BUK7Y25-80EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y28-75B,115 NEXPERIA BUK7Y28-75B.pdf BUK7Y28-75B.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y29-40EX NEXPERIA BUK7Y29-40E.pdf BUK7Y29-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y2R5-40HX NEXPERIA BUK7Y2R5-40H.pdf BUK7Y2R5-40HX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y38-100EX NEXPERIA BUK7Y38-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 95W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R0-40HX NEXPERIA BUK7Y3R0-40H.pdf BUK7Y3R0-40HX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R5-40E,115 NEXPERIA BUK7Y3R5-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 622A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R5-40HX NEXPERIA BUK7Y3R5-40H.pdf BUK7Y3R5-40HX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y41-80EX NEXPERIA BUK7Y41-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 18A; Idm: 100A; 64W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 18A
On-state resistance: 103mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y43-60EX NEXPERIA BUK7Y43-60E.pdf BUK7Y43-60EX SMD N channel transistors
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BUK7Y4R4-40EX NEXPERIA BUK7Y4R4-40E.pdf BUK7Y4R4-40EX SMD N channel transistors
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BUK7Y53-100B,115 NEXPERIA BUK7Y53-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 85W
Application: automotive industry
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 99A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17.6A
On-state resistance: 138mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y59-60EX NEXPERIA BUK7Y59-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 67A; 37W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 67A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y65-100EX NEXPERIA BUK7Y65-100E.pdf BUK7Y65-100EX SMD N channel transistors
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BUK7Y6R0-60EX NEXPERIA BUK7Y6R0-60E.pdf BUK7Y6R0-60EX SMD N channel transistors
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BUK7Y72-80EX BUK7Y72-80EX NEXPERIA BUK7Y72-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 63A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 11A
On-state resistance: 181mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
148+0.49 EUR
164+0.44 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R0-40HX BUK7Y7R0-40HX NEXPERIA BUK7Y7R0-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W
Application: automotive industry
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 272A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
On-state resistance: 13.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
94+0.77 EUR
99+0.73 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R2-60EX NEXPERIA BUK7Y7R2-60E.pdf BUK7Y7R2-60EX SMD N channel transistors
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BUK7Y7R6-40EX BUK7Y7R6-40EX NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939565BD355B38BF&compId=BUK7Y7R6-40E.pdf?ci_sign=c4af4431d1115c7a5159afb2e1bee4f64a775a88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W
Application: automotive industry
Power dissipation: 94.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.53 EUR
73+0.99 EUR
90+0.8 EUR
95+0.76 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R8-80EX NEXPERIA BUK7Y7R8-80E.pdf BUK7Y7R8-80EX SMD N channel transistors
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BUK7M19-60EX BUK7M19-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.3A
Pulsed drain current: 143A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M20-40HX BUK7M20-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 38.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M21-40EX BUK7M21-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23.1A; Idm: 131A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M22-80EX BUK7M22-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 147A; 75W
Application: automotive industry
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 147A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 26A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M27-80EX BUK7M27-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 21.3A; Idm: 121A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7M33-60EX BUK7M33-60E.pdf
BUK7M33-60EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 98A; 44W
Application: automotive industry
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 98A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
On-state resistance: 74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
96+0.75 EUR
158+0.45 EUR
168+0.43 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M42-60EX BUK7M42-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 78A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M45-40EX BUK7M45-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13A; Idm: 77A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M4R3-40HX BUK7M4R3-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M5R0-40HX BUK7M5R0-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W
Application: automotive industry
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 349A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61.7A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R0-40HX BUK7M6R0-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 311A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 70W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R3-40EX BUK7M6R3-40E.pdf
BUK7M6R3-40EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
Application: automotive industry
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28.1nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 319A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56.4A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
72+0.99 EUR
96+0.75 EUR
102+0.71 EUR
200+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M6R7-40HX BUK7M6R7-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 282A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48.8A; Idm: 276A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48.8A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M8R5-40HX BUK7M8R5-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 239A
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M9R5-40HX BUK7M9R5-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 38.5A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 18.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M9R9-60EX BUK7M9R9-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 240A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R5-40HJ BUK7S0R5-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7S0R5-40HJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7S0R7-40HJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7S1R0-40HJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7S1R5-40HJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7V4R2-40HX BUK7V4R2-40H.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7V4R2-40HX Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y08-40B,115 BUK7Y08-40B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58.85A; Idm: 332A; 105W
Application: automotive industry
Power dissipation: 105W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 332A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58.85A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y102-100B,115 BUK7Y102-100B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y102-100B.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y113-100EX BUK7Y113-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y113-100EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y12-40EX BUK7Y12-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y12-40EX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y12-55B,115 BUK7Y12-55B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61.8A; Idm: 247A; 105W
Application: automotive industry
Power dissipation: 105W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 247A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61.8A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y13-40B,115 BUK7Y13-40B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y13-40B.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80E.pdf
BUK7Y14-80EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
Application: automotive industry
Power dissipation: 147W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44.8nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 259A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
On-state resistance: 35.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1427 Stücke:
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Anzahl Preis
54+1.33 EUR
68+1.06 EUR
84+0.86 EUR
89+0.81 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y15-100EX BUK7Y15-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Application: automotive industry
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 54.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 274A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
On-state resistance: 41.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 94W
Application: automotive industry
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 212A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y153-100EX SMD N channel transistors
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BUK7Y1R4-40HX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 95W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 622A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y3R5-40HX SMD N channel transistors
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BUK7Y41-80EX BUK7Y41-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 18A; Idm: 100A; 64W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 18A
On-state resistance: 103mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y43-60EX BUK7Y43-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y43-60EX SMD N channel transistors
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BUK7Y4R4-40EX BUK7Y4R4-40E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y4R4-40EX SMD N channel transistors
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Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y4R8-60EX SMD N channel transistors
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BUK7Y53-100B,115 BUK7Y53-100B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 85W
Application: automotive industry
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 99A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17.6A
On-state resistance: 138mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y59-60EX BUK7Y59-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 67A; 37W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 67A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y65-100EX BUK7Y65-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y65-100EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y6R0-60EX BUK7Y6R0-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y6R0-60EX SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y72-80EX BUK7Y72-80E.pdf
BUK7Y72-80EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 63A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 11A
On-state resistance: 181mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
148+0.49 EUR
164+0.44 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R0-40HX BUK7Y7R0-40H.pdf
BUK7Y7R0-40HX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W
Application: automotive industry
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 272A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
On-state resistance: 13.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
94+0.77 EUR
99+0.73 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R2-60EX BUK7Y7R2-60E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y7R2-60EX SMD N channel transistors
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BUK7Y7R6-40EX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939565BD355B38BF&compId=BUK7Y7R6-40E.pdf?ci_sign=c4af4431d1115c7a5159afb2e1bee4f64a775a88
BUK7Y7R6-40EX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 94.3W
Application: automotive industry
Power dissipation: 94.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
73+0.99 EUR
90+0.8 EUR
95+0.76 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R8-80EX BUK7Y7R8-80E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
BUK7Y7R8-80EX SMD N channel transistors
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