Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NMUX1308PW-Q100J | NEXPERIA |
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NMUX1308PWJ | NEXPERIA |
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NPS4053GHZ | NEXPERIA |
![]() Description: IC: power switch; 2A; SMD; HWSON6; reel,tape; -40÷125°C Operating temperature: -40...125°C Case: HWSON6 Supply voltage: 2.5...5.5V DC On-state resistance: 55mΩ Output current: 2A Type of integrated circuit: power switch Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NSF040120L3A0Q | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NSF080120L3A0Q | NEXPERIA |
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auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NUP1301-QR | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23 Type of diode: TVS Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 80V Peak pulse power dissipation: 220W Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 0.1µA Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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NUP1301,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23 Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 80V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOT23 Mounting: SMD Leakage current: 0.1µA Max. forward impulse current: 4A Peak pulse power dissipation: 220W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 727 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NUP1301U-QX | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SC70,SOT323; ESD Type of diode: TVS Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Max. off-state voltage: 80V Peak pulse power dissipation: 220W Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 0.1µA Version: ESD Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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NUP1301U,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SC70,SOT323; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 80V Semiconductor structure: unidirectional Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Leakage current: 0.1µA Version: ESD Max. forward impulse current: 4A Peak pulse power dissipation: 220W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3025 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX138AKR | NEXPERIA |
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auf Bestellung 4864 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX138AKVL | NEXPERIA |
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auf Bestellung 9440 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX138BKR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 0.31W; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 0.49nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX138BKWX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 135mA; Idm: 855A; SC70,SOT323 Drain-source voltage: 60V Drain current: 135mA On-state resistance: 7.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 855A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX2301P,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3496 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008CBKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.68/0.72nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.35/-0.2A On-state resistance: 1.4/4.1Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.99W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2067 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008CBKV,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.4/-0.22A; 1.09W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.68/0.72nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Case: SOT666 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.4/-0.22A On-state resistance: 1.4/4.1Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.09W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX3008NBK,215 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 3854 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008NBKS,115 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008NBKV,115 | NEXPERIA |
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NX3008NBKW,115 | NEXPERIA |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.35A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.26W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008PBK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -230mA Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.72nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6426 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008PBKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.2A Power dissipation: 80mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.72nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3816 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3008PBKV,115 | NEXPERIA |
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NX3008PBKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.2A Power dissipation: 0.26W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.72nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2546 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3020NAK,215 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 4172 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3020NAKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 110mA; Idm: 0.72A; 375mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.11A On-state resistance: 9.2Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 375mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.72A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3020NAKV,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW Case: SOT666 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.12A On-state resistance: 9.2Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 375mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 864 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX3020NAKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.11A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.3W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6344 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX6008NBKR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.27W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX6020CAKSX | NEXPERIA |
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NX7002AK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Power dissipation: 325mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9675 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002AKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; 330mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.68A Gate charge: 0.43nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX7002AKVL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.76A Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 0.43nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7493 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002AKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.1A Pulsed drain current: 0.68A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKHH | NEXPERIA |
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NX7002BKMBYL | NEXPERIA |
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auf Bestellung 8633 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKMYL | NEXPERIA |
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NX7002BKR | NEXPERIA |
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auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKSX | NEXPERIA |
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auf Bestellung 3067 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKWX | NEXPERIA |
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auf Bestellung 2527 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NX7002BKXBZ | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0101GS-Q100H | NEXPERIA | NXB0101GS-Q100H Level translators |
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NXB0101GW-Q100H | NEXPERIA | NXB0101GW-Q100H Level translators |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0101GWH | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0102DC-Q100H | NEXPERIA |
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NXB0102DCH | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0102GTX | NEXPERIA |
![]() Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; XSON8 Operating temperature: -40...125°C Type of integrated circuit: digital Kind of output: 3-state Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator Case: XSON8 Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0104BQ-Q100X | NEXPERIA |
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NXB0104BQX | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0104GU12-Q100X | NEXPERIA |
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NXB0104GU12X | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0104PW-Q100J | NEXPERIA |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0104PWJ | NEXPERIA |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0108BQ-Q100X | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXB0108BQX | NEXPERIA |
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auf Bestellung 2831 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NXB0108PW-Q100J | NEXPERIA |
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auf Bestellung 2423 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NXB0108PWJ | NEXPERIA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NXP3875GR | NEXPERIA |
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NXS0101GMX | NEXPERIA |
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NXS0101GSH | NEXPERIA |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
NMUX1308PW-Q100J |
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Hersteller: NEXPERIA
NMUX1308PW-Q100J Analog multiplexers and switches
NMUX1308PW-Q100J Analog multiplexers and switches
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NMUX1308PWJ |
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Hersteller: NEXPERIA
NMUX1308PWJ Analog multiplexers and switches
NMUX1308PWJ Analog multiplexers and switches
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NPS4053GHZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; 2A; SMD; HWSON6; reel,tape; -40÷125°C
Operating temperature: -40...125°C
Case: HWSON6
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
On-state resistance: 55mΩ
Output current: 2A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; 2A; SMD; HWSON6; reel,tape; -40÷125°C
Operating temperature: -40...125°C
Case: HWSON6
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
On-state resistance: 55mΩ
Output current: 2A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NSF040120L3A0Q |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 24.4 EUR |
4+ | 23.07 EUR |
NSF080120L3A0Q |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NSF080120L3A0Q THT N channel transistors
NSF080120L3A0Q THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 17.88 EUR |
5+ | 14.76 EUR |
NUP1301-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 80V
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 80V
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NUP1301,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 4A
Peak pulse power dissipation: 220W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 4A
Peak pulse power dissipation: 220W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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385+ | 0.19 EUR |
455+ | 0.16 EUR |
715+ | 0.1 EUR |
727+ | 0.099 EUR |
NUP1301U-QX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SC70,SOT323; ESD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Max. off-state voltage: 80V
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SC70,SOT323; ESD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Max. off-state voltage: 80V
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NUP1301U,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SC70,SOT323; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 4A
Peak pulse power dissipation: 220W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SC70,SOT323; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 4A
Peak pulse power dissipation: 220W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
358+ | 0.2 EUR |
439+ | 0.16 EUR |
500+ | 0.14 EUR |
685+ | 0.1 EUR |
770+ | 0.093 EUR |
866+ | 0.083 EUR |
915+ | 0.078 EUR |
NX138AKR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX138AKR SMD N channel transistors
NX138AKR SMD N channel transistors
auf Bestellung 4864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
364+ | 0.2 EUR |
2146+ | 0.033 EUR |
2270+ | 0.032 EUR |
6000+ | 0.031 EUR |
NX138AKVL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX138AKVL SMD N channel transistors
NX138AKVL SMD N channel transistors
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1316+ | 0.054 EUR |
2273+ | 0.031 EUR |
2404+ | 0.03 EUR |
NX138BKR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 0.31W; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 0.49nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 0.31W; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 0.49nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX138BKWX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 135mA; Idm: 855A; SC70,SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 135mA
On-state resistance: 7.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 855A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 135mA; Idm: 855A; SC70,SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 135mA
On-state resistance: 7.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 855A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX2301P,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.3 EUR |
360+ | 0.2 EUR |
460+ | 0.16 EUR |
519+ | 0.14 EUR |
897+ | 0.08 EUR |
949+ | 0.075 EUR |
1500+ | 0.073 EUR |
NX3008CBKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2067 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
228+ | 0.31 EUR |
264+ | 0.27 EUR |
379+ | 0.19 EUR |
447+ | 0.16 EUR |
695+ | 0.1 EUR |
736+ | 0.097 EUR |
NX3008CBKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.4/-0.22A; 1.09W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT666
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.4/-0.22A
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.4/-0.22A; 1.09W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT666
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.4/-0.22A
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
NX3008NBK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX3008NBK.215 SMD N channel transistors
NX3008NBK.215 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
218+ | 0.33 EUR |
1593+ | 0.045 EUR |
1684+ | 0.042 EUR |
NX3008NBKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX3008NBKS.115 SMD N channel transistors
NX3008NBKS.115 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
271+ | 0.26 EUR |
582+ | 0.12 EUR |
651+ | 0.11 EUR |
NX3008NBKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX3008NBKV.115 SMD N channel transistors
NX3008NBKV.115 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX3008NBKW,115 |
![]() ![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.26W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.26W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
153+ | 0.47 EUR |
329+ | 0.21 EUR |
905+ | 0.079 EUR |
2000+ | 0.047 EUR |
3000+ | 0.046 EUR |
NX3008PBK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6426 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
385+ | 0.19 EUR |
556+ | 0.13 EUR |
699+ | 0.1 EUR |
748+ | 0.096 EUR |
1520+ | 0.047 EUR |
1608+ | 0.044 EUR |
NX3008PBKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 80mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 80mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
162+ | 0.44 EUR |
230+ | 0.31 EUR |
291+ | 0.25 EUR |
421+ | 0.17 EUR |
667+ | 0.11 EUR |
705+ | 0.1 EUR |
1000+ | 0.099 EUR |
NX3008PBKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX3008PBKV.115 SMD P channel transistors
NX3008PBKV.115 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX3008PBKW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2546 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
228+ | 0.31 EUR |
421+ | 0.17 EUR |
638+ | 0.11 EUR |
757+ | 0.095 EUR |
1158+ | 0.062 EUR |
1226+ | 0.058 EUR |
1273+ | 0.056 EUR |
NX3020NAK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX3020NAK.215 SMD N channel transistors
NX3020NAK.215 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
374+ | 0.19 EUR |
2023+ | 0.035 EUR |
2140+ | 0.033 EUR |
NX3020NAKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 110mA; Idm: 0.72A; 375mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
On-state resistance: 9.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 375mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 110mA; Idm: 0.72A; 375mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
On-state resistance: 9.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 375mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
228+ | 0.31 EUR |
355+ | 0.2 EUR |
716+ | 0.1 EUR |
889+ | 0.081 EUR |
979+ | 0.073 EUR |
NX3020NAKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW
Case: SOT666
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 9.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 375mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW
Case: SOT666
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 9.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 375mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
139+ | 0.51 EUR |
205+ | 0.35 EUR |
258+ | 0.28 EUR |
527+ | 0.14 EUR |
736+ | 0.097 EUR |
782+ | 0.092 EUR |
1000+ | 0.087 EUR |
NX3020NAKW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
250+ | 0.29 EUR |
459+ | 0.16 EUR |
713+ | 0.1 EUR |
860+ | 0.083 EUR |
1548+ | 0.046 EUR |
1634+ | 0.044 EUR |
NX6008NBKR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX6020CAKSX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX6020CAKSX Multi channel transistors
NX6020CAKSX Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NX7002AK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
385+ | 0.19 EUR |
532+ | 0.13 EUR |
650+ | 0.11 EUR |
1458+ | 0.049 EUR |
2370+ | 0.03 EUR |
2464+ | 0.029 EUR |
3000+ | 0.028 EUR |
NX7002AKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; 330mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.68A
Gate charge: 0.43nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; 330mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.68A
Gate charge: 0.43nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NX7002AKVL |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.76A
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.43nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.76A
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.43nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7493 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
455+ | 0.16 EUR |
569+ | 0.13 EUR |
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1197+ | 0.06 EUR |
1475+ | 0.048 EUR |
2326+ | 0.031 EUR |
2404+ | 0.03 EUR |
NX7002AKW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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295+ | 0.24 EUR |
404+ | 0.18 EUR |
430+ | 0.17 EUR |
504+ | 0.14 EUR |
1000+ | 0.072 EUR |
NX7002BKHH |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKHH SMD N channel transistors
NX7002BKHH SMD N channel transistors
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NX7002BKMBYL |
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Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKMBYL SMD N channel transistors
NX7002BKMBYL SMD N channel transistors
auf Bestellung 8633 Stücke:
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329+ | 0.22 EUR |
1401+ | 0.051 EUR |
1480+ | 0.048 EUR |
NX7002BKMYL |
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Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKMYL SMD N channel transistors
NX7002BKMYL SMD N channel transistors
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NX7002BKR |
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Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKR SMD N channel transistors
NX7002BKR SMD N channel transistors
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
355+ | 0.2 EUR |
1360+ | 0.053 EUR |
1503+ | 0.047 EUR |
9000+ | 0.03 EUR |
NX7002BKSX |
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Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKSX SMD N channel transistors
NX7002BKSX SMD N channel transistors
auf Bestellung 3067 Stücke:
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310+ | 0.23 EUR |
1161+ | 0.062 EUR |
1226+ | 0.058 EUR |
NX7002BKWX |
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Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKWX SMD N channel transistors
NX7002BKWX SMD N channel transistors
auf Bestellung 2527 Stücke:
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283+ | 0.25 EUR |
1970+ | 0.036 EUR |
2083+ | 0.034 EUR |
45000+ | 0.033 EUR |
NX7002BKXBZ |
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Hersteller: NEXPERIA
NX7002BKXBZ Multi channel transistors
NX7002BKXBZ Multi channel transistors
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NXB0101GS-Q100H |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0101GS-Q100H Level translators
NXB0101GS-Q100H Level translators
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NXB0101GW-Q100H |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0101GW-Q100H Level translators
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NXB0101GWH |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0101GWH Level translators
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NXB0102DC-Q100H |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0102DC-Q100H Level translators
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NXB0102DCH |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0102DCH Level translators
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NXB0102GTX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Level translators
Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; XSON8
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator
Case: XSON8
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: Level translators
Description: IC: digital; 2bit,bidirectional,transceiver,translator; XSON8
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: 2bit; bidirectional; transceiver; translator
Case: XSON8
Supply voltage: 1.2...3.6V DC; 1.65...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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NXB0104BQ-Q100X |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0104BQ-Q100X Level translators
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NXB0104BQX |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0104BQX Level translators
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NXB0104GU12-Q100X |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
NXB0104GU12-Q100X Level translators
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NXB0104GU12X |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0104GU12X Level translators
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NXB0104PW-Q100J |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0104PW-Q100J Level translators
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NXB0104PWJ |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0104PWJ Level translators
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NXB0108BQ-Q100X |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0108BQ-Q100X Level translators
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NXB0108BQX |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0108BQX Level translators
NXB0108BQX Level translators
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53+ | 1.35 EUR |
108+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
NXB0108PW-Q100J |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0108PW-Q100J Level translators
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auf Bestellung 2423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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49+ | 1.47 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
2500+ | 0.68 EUR |
NXB0108PWJ |
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Hersteller: NEXPERIA
NXB0108PWJ Level translators
NXB0108PWJ Level translators
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NXP3875GR |
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Hersteller: NEXPERIA
NXP3875GR NPN SMD transistors
NXP3875GR NPN SMD transistors
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NXS0101GMX |
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Hersteller: NEXPERIA
NXS0101GMX Level translators
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NXS0101GSH |
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Hersteller: NEXPERIA
NXS0101GSH Level translators
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