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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SBRS81100T3G SBRS81100T3G ONSEMI 2578375.pdf Description: ONSEMI - SBRS81100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 750 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRS81100T3G SBRS81100T3G ONSEMI 2578375.pdf Description: ONSEMI - SBRS81100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 750 mV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRS8320T3G SBRS8320T3G ONSEMI MBRS340T3-D.PDF Description: ONSEMI - SBRS8320T3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSH122TF KSH122TF ONSEMI 2284980.pdf Description: ONSEMI - KSH122TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSH122TF KSH122TF ONSEMI 2284980.pdf Description: ONSEMI - KSH122TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7608DQR2G NCV7608DQR2G ONSEMI 2354455.pdf Description: ONSEMI - NCV7608DQR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 3.15V-5.25V Versorgungsspannung, 350mAout, SSOP-36
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Quellstrom: -
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 36
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7608DQR2G NCV7608DQR2G ONSEMI 2354455.pdf Description: ONSEMI - NCV7608DQR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 3.15V-5.25V Versorgungsspannung, 350mAout, SSOP-36
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAX16TR BAX16TR ONSEMI FAIRS26047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BAX16TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1.3 V, 120 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAX16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 34428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS ONSEMI ONSM-S-A0013297970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP433FCT2G NCP433FCT2G ONSEMI ncp432-d.pdf Description: ONSEMI - NCP433FCT2G - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 0.035 Ohm Durchlass, 3.6Vsupp, 1.4A, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.035ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZBZX84C15LT1G SZBZX84C15LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N25 FQA55N25 ONSEMI 1851935.pdf Description: ONSEMI - FQA55N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 55 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84C4V7LT3G BZX84C4V7LT3G ONSEMI BZX84C2V4LT1-D.PDF Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT3G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C7V5-T50A BZX79C7V5-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C7V5-T50A - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 7.5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C6V2-T50A BZX79C6V2-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C6V2-T50A - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C6V8-T50A BZX79C6V8-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C6V8-T50A - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.8
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C2V7-T50A BZX79C2V7-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C2V7-T50A - Zener-Diode, 2.7 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 2.7
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C11-T50A BZX79C11-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C11-T50A - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 11
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF3A6.8FUT1G DF3A6.8FUT1G ONSEMI 332533.pdf Description: ONSEMI - DF3A6.8FUT1G - TVS-Diode, DF3A6, Unidirektional, 16 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.2V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Spitzenimpulsverlustleistung: 150W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DF3A6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
Klemmspannung, max.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TS391SN2T1G TS391SN2T1G ONSEMI 2255322.pdf Description: ONSEMI - TS391SN2T1G - Analoger Komparator, Niederspannungskomparator, 1 Kanäle, 400 ns, 2V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Niederspannungskomparator
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 400ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX85C13 BZX85C13 ONSEMI ONSM-S-A0003584474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX85C13 - Zener-Diode, 13 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 13
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS21AHT1G BAS21AHT1G ONSEMI 1912202.pdf Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLV17SZ08DFT2G NLV17SZ08DFT2G ONSEMI 2907169.pdf Description: ONSEMI - NLV17SZ08DFT2G - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 17SZ08
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -888A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP29CG TIP29CG ONSEMI ONSM-S-A0014426484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP29CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH1665A FFSH1665A ONSEMI 2619969.pdf Description: ONSEMI - FFSH1665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA916YTA KSA916YTA ONSEMI ONSM-S-A0013296991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSA916YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSQ321 FSQ321 ONSEMI FSQ321-D.pdf Description: ONSEMI - FSQ321 - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1HN04CH-TL-W 1HN04CH-TL-W ONSEMI 2255213.pdf Description: ONSEMI - 1HN04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 270 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 270
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1HP04CH-TL-W 1HP04CH-TL-W ONSEMI 2578316.pdf Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 57003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4735A-T50R 1N4735A-T50R ONSEMI 2552611.pdf Description: ONSEMI - 1N4735A-T50R - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SB07-03C-TB-E SB07-03C-TB-E ONSEMI ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1SV267-TB-E 1SV267-TB-E ONSEMI ONSMS36319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1SV267-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 2.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 910mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 2.5ohm
auf Bestellung 49934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SB01-05C-TB-E SB01-05C-TB-E ONSEMI ONSMS38557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15C01SS-TL-E 15C01SS-TL-E ONSEMI ENN7508-D.PDF Description: ONSEMI - 15C01SS-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BAS16XV2T5G BAS16XV2T5G ONSEMI bas16xv2t1-d.pdf Description: ONSEMI - BAS16XV2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 63547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTK3139PT5G NTK3139PT5G ONSEMI ONSM-S-A0013669712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NCP5901BDR2G NCP5901BDR2G ONSEMI 1878376.pdf Description: ONSEMI - NCP5901BDR2G - MOSFET-Treiber High- & Low-Side, 4.5-32V Versorgung, 12.2mAout, 25ns Ausbreitungsverzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 11ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NCP5901DR2G NCP5901DR2G ONSEMI 1878377.pdf Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCP5901DR2G NCP5901DR2G ONSEMI 1878377.pdf Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCV8161BSN330T1G NCV8161BSN330T1G ONSEMI 2290244.pdf Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQP65N06 FQP65N06 ONSEMI ONSM-S-A0003584779-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDP65N06, FDP65N06, ONSEMI Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCB110N65F FCB110N65F ONSEMI fcb110n65f-d.pdf Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCB110N65F FCB110N65F ONSEMI fcb110n65f-d.pdf Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NCP59301DS50R4G NCP59301DS50R4G ONSEMI NCP59300-D.PDF Description: ONSEMI - NCP59301DS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5Vin, 400mV Dropout, 5V/3Aout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 3A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NCP718ASNADJT1G NCP718ASNADJT1G ONSEMI 2571975.pdf Description: ONSEMI - NCP718ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24Vin, 480mV Dropout, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SURHS8160T3G SURHS8160T3G ONSEMI ONSM-S-A0002809432-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTR4502PT1G NVTR4502PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTR4502PT1G NVTR4502PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5112VI-10-GT3 CAT5112VI-10-GT3 ONSEMI cat5112-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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CAT5113ZI-10-T3 CAT5113ZI-10-T3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5111VI-10-GT3 CAT5111VI-10-GT3 ONSEMI cat5111-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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FQPF20N06L FQPF20N06L ONSEMI 2304174.pdf Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQPF20N06 FQPF20N06 ONSEMI FQPF20N06-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDPF320N06L FDPF320N06L ONSEMI FDPF320N06L-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 ONSEMI fdp027n08b-d.pdf Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 78 Stücke:
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TIP140G TIP140G ONSEMI ONSM-S-A0013669705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-218
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQAF13N80 FQAF13N80 ONSEMI ONSM-S-A0003590937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NC7SZ32P5X NC7SZ32P5X ONSEMI 2303958.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2009 Stücke:
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NL17SZ32DFT2G NL17SZ32DFT2G ONSEMI nl17sz32-d.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SBRS81100T3G 2578375.pdf
SBRS81100T3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS81100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 750 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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SBRS81100T3G 2578375.pdf
SBRS81100T3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS81100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 750 mV
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SBRS8320T3G MBRS340T3-D.PDF
SBRS8320T3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8320T3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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KSH122TF 2284980.pdf
KSH122TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSH122TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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KSH122TF 2284980.pdf
KSH122TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSH122TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NCV7608DQR2G 2354455.pdf
NCV7608DQR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7608DQR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 3.15V-5.25V Versorgungsspannung, 350mAout, SSOP-36
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Quellstrom: -
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 36
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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NCV7608DQR2G 2354455.pdf
NCV7608DQR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7608DQR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 3.15V-5.25V Versorgungsspannung, 350mAout, SSOP-36
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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BAX16TR FAIRS26047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAX16TR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAX16TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1.3 V, 120 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAX16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 34428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQT1N80TF-WS ONSM-S-A0013297970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQT1N80TF-WS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NCP433FCT2G ncp432-d.pdf
NCP433FCT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP433FCT2G - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 0.035 Ohm Durchlass, 3.6Vsupp, 1.4A, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.035ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SZBZX84C15LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C15LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N25 1851935.pdf
FQA55N25
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA55N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 55 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84C4V7LT3G BZX84C2V4LT1-D.PDF
BZX84C4V7LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT3G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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BZX79C7V5-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C7V5-T50A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C7V5-T50A - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 7.5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C6V2-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C6V2-T50A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C6V2-T50A - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C6V8-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C6V8-T50A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C6V8-T50A - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.8
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C2V7-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C2V7-T50A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C2V7-T50A - Zener-Diode, 2.7 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 2.7
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C11-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C11-T50A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C11-T50A - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 11
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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DF3A6.8FUT1G 332533.pdf
DF3A6.8FUT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF3A6.8FUT1G - TVS-Diode, DF3A6, Unidirektional, 16 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.2V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Spitzenimpulsverlustleistung: 150W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DF3A6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
Klemmspannung, max.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TS391SN2T1G 2255322.pdf
TS391SN2T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TS391SN2T1G - Analoger Komparator, Niederspannungskomparator, 1 Kanäle, 400 ns, 2V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Niederspannungskomparator
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 400ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BZX85C13 ONSM-S-A0003584474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX85C13
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C13 - Zener-Diode, 13 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 13
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS21AHT1G 1912202.pdf
BAS21AHT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLV17SZ08DFT2G 2907169.pdf
NLV17SZ08DFT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV17SZ08DFT2G - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 17SZ08
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -888A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP29CG ONSM-S-A0014426484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TIP29CG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP29CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH1665A 2619969.pdf
FFSH1665A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH1665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA916YTA ONSM-S-A0013296991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSA916YTA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA916YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSQ321 FSQ321-D.pdf
FSQ321
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ321 - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1HN04CH-TL-W 2255213.pdf
1HN04CH-TL-W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1HN04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 270 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 270
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1HP04CH-TL-W 2578316.pdf
1HP04CH-TL-W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 57003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4735A-T50R 2552611.pdf
1N4735A-T50R
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4735A-T50R - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SB07-03C-TB-E ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB07-03C-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SV267-TB-E ONSMS36319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1SV267-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SV267-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 2.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 910mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 2.5ohm
auf Bestellung 49934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SB01-05C-TB-E ONSMS38557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB01-05C-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15C01SS-TL-E ENN7508-D.PDF
15C01SS-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 15C01SS-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16XV2T5G bas16xv2t1-d.pdf
BAS16XV2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS16XV2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 63547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTK3139PT5G ONSM-S-A0013669712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTK3139PT5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP5901BDR2G 1878376.pdf
NCP5901BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5901BDR2G - MOSFET-Treiber High- & Low-Side, 4.5-32V Versorgung, 12.2mAout, 25ns Ausbreitungsverzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 11ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP5901DR2G 1878377.pdf
NCP5901DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP5901DR2G 1878377.pdf
NCP5901DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV8161BSN330T1G 2290244.pdf
NCV8161BSN330T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP65N06 ONSM-S-A0003584779-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP65N06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP65N06,
FDP65N06,
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP59301DS50R4G NCP59300-D.PDF
NCP59301DS50R4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP59301DS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5Vin, 400mV Dropout, 5V/3Aout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 3A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP718ASNADJT1G 2571975.pdf
NCP718ASNADJT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24Vin, 480mV Dropout, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SURHS8160T3G ONSM-S-A0002809432-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SURHS8160T3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTR4502PT1G ONSM-S-A0013300649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTR4502PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTR4502PT1G ONSM-S-A0013300649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTR4502PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5112VI-10-GT3 cat5112-d.pdf
CAT5112VI-10-GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5113ZI-10-T3 cat5113-d.pdf
CAT5113ZI-10-T3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5111VI-10-GT3 cat5111-d.pdf
CAT5111VI-10-GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF20N06L 2304174.pdf
FQPF20N06L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF20N06 FQPF20N06-D.pdf
FQPF20N06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF320N06L FDPF320N06L-D.pdf
FDPF320N06L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP027N08B-F102 fdp027n08b-d.pdf
FDP027N08B-F102
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP140G ONSM-S-A0013669705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TIP140G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-218
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQAF13N80 ONSM-S-A0003590937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQAF13N80
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7SZ32P5X 2303958.pdf
NC7SZ32P5X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NL17SZ32DFT2G nl17sz32-d.pdf
NL17SZ32DFT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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