Produkte > ONSEMI > Alle Produkte des Herstellers ONSEMI (145620) > Seite 1808 nach 2427

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1803 1804 1805 1806 1807 1808 1809 1810 1811 1812 1813 1936 2178 2420 2427  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC556BTA BC556BTA ONSEMI ONSM-S-A0014076035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC556BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
758+0.31 EUR
1055+0.2 EUR
1433+0.15 EUR
1621+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC556BTF BC556BTF ONSEMI ONSM-S-A0014076035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
736+0.32 EUR
1045+0.2 EUR
1433+0.15 EUR
1621+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC556ABU BC556ABU ONSEMI ONSM-S-A0014076035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC556ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+0.57 EUR
710+0.32 EUR
1141+0.19 EUR
1541+0.14 EUR
1965+0.11 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240CTU BD240CTU ONSEMI 79949.pdf Description: ONSEMI - BD240CTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 30
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP41CG TIP41CG ONSEMI 1913544.pdf?_ga=2.234632023.831584174.1588646857-739556472.1588360391 Description: ONSEMI - TIP41CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
117+1.99 EUR
151+1.43 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P FDN86265P ONSEMI 2552629.pdf Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 45360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
132+1.76 EUR
175+1.23 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P FDN86265P ONSEMI 2552629.pdf Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 45360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
132+1.76 EUR
175+1.23 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA3525A KA3525A ONSEMI 2299717.pdf Description: ONSEMI - KA3525A - SNT-Controller, 8V-35V Versorgungsspannung, 5.1V/500mAout, 430kHz, DIP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5.1V
Frequenz: 430kHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -999V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T3G BCP53-16T3G ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T1G BCP53-16T1G ONSEMI ONSM-S-A0013215101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.77 EUR
227+1.02 EUR
354+0.61 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-10T1G BCP53-10T1G ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
269+0.87 EUR
282+0.76 EUR
417+0.51 EUR
550+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR14 BSR14 ONSEMI ONSM-S-A0003590949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
463+0.5 EUR
596+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7NZ04K8X NC7NZ04K8X ONSEMI 2278131.pdf Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7NZ04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+1.09 EUR
272+0.86 EUR
390+0.55 EUR
599+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7NZ04K8X NC7NZ04K8X ONSEMI 2278131.pdf Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7NZ04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+1.09 EUR
272+0.86 EUR
390+0.55 EUR
599+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JAF ES1JAF ONSEMI 2572314.pdf Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 34ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
198+1.18 EUR
305+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JAF ES1JAF ONSEMI 2572314.pdf Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 34ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
198+1.18 EUR
305+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125P-SN00337 FGA25S125P-SN00337 ONSEMI FGA25S125P-D.PDF Description: ONSEMI - FGA25S125P-SN00337 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS1 NXV65HR82DS1 ONSEMI 3191531.pdf Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+71.72 EUR
5+58.64 EUR
10+46.76 EUR
50+39.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS2 NXV65HR82DS2 ONSEMI nxv65hr82d-d.pdf Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.28 EUR
10+36.25 EUR
50+36.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ2 NXV65HR82DZ2 ONSEMI 3191531.pdf Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 126W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.85 EUR
5+61.75 EUR
10+53.28 EUR
50+49.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ1 NXV65HR82DZ1 ONSEMI 3191531.pdf Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 126W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+87.14 EUR
5+72.82 EUR
10+61.05 EUR
50+54.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV04V120DB1 NXV04V120DB1 ONSEMI nxv04v120db1-d.pdf Description: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4742ATR 1N4742ATR ONSEMI 3658796.pdf Description: ONSEMI - 1N4742ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 12 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
672+0.37 EUR
1283+0.18 EUR
2005+0.11 EUR
2193+0.098 EUR
2238+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP2955G TIP2955G ONSEMI ONSMS22433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP2955G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 15 A, 90 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.45 EUR
51+4.62 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4748A. 1N4748A. ONSEMI 3658796.pdf Description: ONSEMI - 1N4748A. - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1554 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-SENSE-DB-GEVK RSL10-SENSE-DB-GEVK ONSEMI RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf Description: ONSEMI - RSL10-SENSE-DB-GEVK - Evaluationskit, Funk-SoC-Sensorkit RSL10, Bluetooth 5.0, Wearables-Entwicklung, Debugger
Prozessorkern: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: -
Produktpalette: RSL10
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDW94CFTU BDW94CFTU ONSEMI 2907279.pdf Description: ONSEMI - BDW94CFTU - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 30 W, 12 A, TO-220F, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 30W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - HF-Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 12A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
129+1.81 EUR
153+1.4 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G BC857CLT1G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF description Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR05F40NXT5G NSR05F40NXT5G ONSEMI 2354273.pdf Description: ONSEMI - NSR05F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 460 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0402
Durchlassstoßstrom: 10A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 460mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 36555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
341+0.68 EUR
535+0.4 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0240HT1G NSR0240HT1G ONSEMI 1878249.pdf Description: ONSEMI - NSR0240HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 710 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 710mV
Sperrverzögerungszeit: 3ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 121655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.57 EUR
971+0.24 EUR
1260+0.17 EUR
1473+0.14 EUR
1701+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0620P2T5G NSR0620P2T5G ONSEMI ONSM-S-A0013750296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR0620P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 520 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 520mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR06
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 17465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.75 EUR
472+0.49 EUR
953+0.23 EUR
1200+0.18 EUR
1637+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR01L30NXT5G NSR01L30NXT5G ONSEMI ONSM-S-A0013749824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR01L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0201
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
363+0.64 EUR
572+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0520V2T1G NSR0520V2T1G ONSEMI 2354110.pdf Description: ONSEMI - NSR0520V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: 12ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.76 EUR
488+0.48 EUR
758+0.29 EUR
1024+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G ONSEMI ONSM-S-A0013749793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0603
Durchlassstoßstrom: 28A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 33875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+1.39 EUR
277+0.84 EUR
430+0.5 EUR
569+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0240V2T1G NSR0240V2T1G ONSEMI ONSM-S-A0013750019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR0240V2T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 250 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.61 EUR
681+0.35 EUR
1098+0.19 EUR
1495+0.14 EUR
1690+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0340HT1G NSR0340HT1G ONSEMI 1840608.pdf Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1119+0.23 EUR
1927+0.12 EUR
1961+0.11 EUR
2278+0.094 EUR
10500+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR10F40NXT5G NSR10F40NXT5G ONSEMI nsr10f40-d.pdf Description: ONSEMI - NSR10F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 502
Durchlassstoßstrom: 18A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 490mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0240P2T5G NSR0240P2T5G ONSEMI ONSM-S-A0013299866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR0240P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
496+0.5 EUR
820+0.29 EUR
1325+0.17 EUR
1520+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 496 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0340HT1G NSR0340HT1G ONSEMI 1840608.pdf Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1119+0.23 EUR
1927+0.12 EUR
1961+0.11 EUR
2278+0.094 EUR
10500+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0340P2T5G NSR0340P2T5G ONSEMI 2354259.pdf Description: ONSEMI - NSR0340P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 560 mV, 1 A, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassspannung Vf max.: 560
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: NSR03
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60UFDTU-F085 FGH60N60UFDTU-F085 ONSEMI FGH60N60UF-F085-D.pdf Description: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5886G 2N5886G ONSEMI 112520.pdf Description: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.2 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885G 2N5885G ONSEMI 112520.pdf Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5884G 2N5884G ONSEMI 112520.pdf Description: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5883G 2N5883G ONSEMI 112520.pdf Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LIGHTING-1-GEVK LIGHTING-1-GEVK ONSEMI 3764873.pdf Description: ONSEMI - LIGHTING-1-GEVK - EVALUATIONSKIT, LED-STEUERUNG
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: LED-Treiberplatine FL7760, LED-Modul, Board BLE-Konnektivität, AC/DC-Stromversorgungsplatine
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 55V
Core-Chip: FL7760
Eingangsspannung, max.: 270V
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck (Abwärts)
Eingangsspannung, min.: 90V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+355.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4005RLG 1N4005RLG ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4005RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4005
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 42375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
758+0.33 EUR
1163+0.2 EUR
1359+0.15 EUR
1839+0.12 EUR
2376+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4005G 1N4005G ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4005G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 22612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
508+0.49 EUR
827+0.29 EUR
1332+0.17 EUR
1806+0.12 EUR
2189+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57090CDWR2G NCD57090CDWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCD57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57252DWR2G NCD57252DWR2G ONSEMI 3213419.pdf Description: ONSEMI - NCD57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.2 EUR
41+5.71 EUR
45+4.84 EUR
50+4.58 EUR
100+4.33 EUR
250+4.13 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SECO-NCD57000-GEVB SECO-NCD57000-GEVB ONSEMI SECO-NCD57000-GEVB_GETTING_STARTED.PDF Description: ONSEMI - SECO-NCD57000-GEVB - Tochterplatine, NCD57000DWR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine NCD57000DWR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCD57000DWR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57080BDR2G NCD57080BDR2G ONSEMI 3191471.pdf Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
73+3.2 EUR
77+2.78 EUR
100+2.52 EUR
250+2.4 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5701BDR2G NCD5701BDR2G ONSEMI 2236601.pdf Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
55+4.22 EUR
68+3.17 EUR
69+3.13 EUR
100+3.06 EUR
250+3 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57080CDR2G NCD57080CDR2G ONSEMI 3005714.pdf Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5701ADR2G NCD5701ADR2G ONSEMI 2236601.pdf Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
104+2.07 EUR
116+1.86 EUR
250+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5701ADR2G NCD5701ADR2G ONSEMI 2236601.pdf Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
95+2.46 EUR
104+2.07 EUR
116+1.86 EUR
250+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5703ADR2G NCD5703ADR2G ONSEMI 2711382.pdf Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57085DR2G NCD57085DR2G ONSEMI 3409742.pdf Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 7A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
90+2.59 EUR
100+2.14 EUR
111+1.94 EUR
250+1.82 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5703ADR2G NCD5703ADR2G ONSEMI 2711382.pdf Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57090ADWR2G NCD57090ADWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
250+3.26 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC556BTA ONSM-S-A0014076035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC556BTA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC556BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
399+0.63 EUR
758+0.31 EUR
1055+0.2 EUR
1433+0.15 EUR
1621+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC556BTF ONSM-S-A0014076035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC556BTF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
399+0.63 EUR
736+0.32 EUR
1045+0.2 EUR
1433+0.15 EUR
1621+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC556ABU ONSM-S-A0014076035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC556ABU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC556ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
439+0.57 EUR
710+0.32 EUR
1141+0.19 EUR
1541+0.14 EUR
1965+0.11 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240CTU 79949.pdf
BD240CTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD240CTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 30
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP41CG 1913544.pdf?_ga=2.234632023.831584174.1588646857-739556472.1588360391
TIP41CG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP41CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.25 EUR
117+1.99 EUR
151+1.43 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P 2552629.pdf
FDN86265P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 45360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+2.01 EUR
132+1.76 EUR
175+1.23 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P 2552629.pdf
FDN86265P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 45360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+2.01 EUR
132+1.76 EUR
175+1.23 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA3525A 2299717.pdf
KA3525A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA3525A - SNT-Controller, 8V-35V Versorgungsspannung, 5.1V/500mAout, 430kHz, DIP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5.1V
Frequenz: 430kHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -999V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T3G 2028660.pdf
BCP53-16T3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T1G ONSM-S-A0013215101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP53-16T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
141+1.77 EUR
227+1.02 EUR
354+0.61 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-10T1G 2028660.pdf
BCP53-10T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+1.5 EUR
269+0.87 EUR
282+0.76 EUR
417+0.51 EUR
550+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR14 ONSM-S-A0003590949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR14
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+1.07 EUR
463+0.5 EUR
596+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7NZ04K8X 2278131.pdf
NC7NZ04K8X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7NZ04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
229+1.09 EUR
272+0.86 EUR
390+0.55 EUR
599+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7NZ04K8X 2278131.pdf
NC7NZ04K8X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ04K8X - Inverter, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7NZ04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
229+1.09 EUR
272+0.86 EUR
390+0.55 EUR
599+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JAF 2572314.pdf
ES1JAF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 34ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+2.03 EUR
198+1.18 EUR
305+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JAF 2572314.pdf
ES1JAF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1JAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 34ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+2.03 EUR
198+1.18 EUR
305+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25S125P-SN00337 FGA25S125P-D.PDF
FGA25S125P-SN00337
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA25S125P-SN00337 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS1 3191531.pdf
NXV65HR82DS1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+71.72 EUR
5+58.64 EUR
10+46.76 EUR
50+39.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS2 nxv65hr82d-d.pdf
NXV65HR82DS2
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+39.28 EUR
10+36.25 EUR
50+36.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ2 3191531.pdf
NXV65HR82DZ2
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 126W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+70.85 EUR
5+61.75 EUR
10+53.28 EUR
50+49.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ1 3191531.pdf
NXV65HR82DZ1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 126W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+87.14 EUR
5+72.82 EUR
10+61.05 EUR
50+54.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV04V120DB1 nxv04v120db1-d.pdf
NXV04V120DB1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4742ATR 3658796.pdf
1N4742ATR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4742ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 12 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
672+0.37 EUR
1283+0.18 EUR
2005+0.11 EUR
2193+0.098 EUR
2238+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP2955G ONSMS22433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TIP2955G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP2955G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 15 A, 90 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.45 EUR
51+4.62 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4748A. 3658796.pdf
1N4748A.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4748A. - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1554 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSL10-SENSE-DB-GEVK RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf
RSL10-SENSE-DB-GEVK
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RSL10-SENSE-DB-GEVK - Evaluationskit, Funk-SoC-Sensorkit RSL10, Bluetooth 5.0, Wearables-Entwicklung, Debugger
Prozessorkern: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: -
Produktpalette: RSL10
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDW94CFTU 2907279.pdf
BDW94CFTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDW94CFTU - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 30 W, 12 A, TO-220F, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 30W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - HF-Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 12A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.84 EUR
129+1.81 EUR
153+1.4 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G description BC856ALT1-D.PDF
BC857CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR05F40NXT5G 2354273.pdf
NSR05F40NXT5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR05F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 460 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0402
Durchlassstoßstrom: 10A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 460mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 36555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+1.2 EUR
341+0.68 EUR
535+0.4 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0240HT1G 1878249.pdf
NSR0240HT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 710 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 710mV
Sperrverzögerungszeit: 3ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 121655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
441+0.57 EUR
971+0.24 EUR
1260+0.17 EUR
1473+0.14 EUR
1701+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0620P2T5G ONSM-S-A0013750296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR0620P2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0620P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 520 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 520mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR06
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 17465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
333+0.75 EUR
472+0.49 EUR
953+0.23 EUR
1200+0.18 EUR
1637+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR01L30NXT5G ONSM-S-A0013749824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR01L30NXT5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR01L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0201
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
224+1.12 EUR
363+0.64 EUR
572+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0520V2T1G 2354110.pdf
NSR0520V2T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0520V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: 12ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
327+0.76 EUR
488+0.48 EUR
758+0.29 EUR
1024+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR20F30NXT5G ONSM-S-A0013749793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR20F30NXT5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0603
Durchlassstoßstrom: 28A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 33875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
180+1.39 EUR
277+0.84 EUR
430+0.5 EUR
569+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0240V2T1G ONSM-S-A0013750019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR0240V2T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240V2T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 250 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
412+0.61 EUR
681+0.35 EUR
1098+0.19 EUR
1495+0.14 EUR
1690+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0340HT1G 1840608.pdf
NSR0340HT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1119+0.23 EUR
1927+0.12 EUR
1961+0.11 EUR
2278+0.094 EUR
10500+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR10F40NXT5G nsr10f40-d.pdf
NSR10F40NXT5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR10F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 502
Durchlassstoßstrom: 18A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 490mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0240P2T5G ONSM-S-A0013299866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR0240P2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
496+0.5 EUR
820+0.29 EUR
1325+0.17 EUR
1520+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 496 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0340HT1G 1840608.pdf
NSR0340HT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1119+0.23 EUR
1927+0.12 EUR
1961+0.11 EUR
2278+0.094 EUR
10500+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSR0340P2T5G 2354259.pdf
NSR0340P2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 560 mV, 1 A, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassspannung Vf max.: 560
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: NSR03
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60UFDTU-F085 FGH60N60UF-F085-D.pdf
FGH60N60UFDTU-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5886G 112520.pdf
2N5886G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.2 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885G 112520.pdf
2N5885G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5884G 112520.pdf
2N5884G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5883G 112520.pdf
2N5883G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LIGHTING-1-GEVK 3764873.pdf
LIGHTING-1-GEVK
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LIGHTING-1-GEVK - EVALUATIONSKIT, LED-STEUERUNG
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: LED-Treiberplatine FL7760, LED-Modul, Board BLE-Konnektivität, AC/DC-Stromversorgungsplatine
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 55V
Core-Chip: FL7760
Eingangsspannung, max.: 270V
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck (Abwärts)
Eingangsspannung, min.: 90V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+355.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4005RLG ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N4005RLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4005RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4005
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 42375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
758+0.33 EUR
1163+0.2 EUR
1359+0.15 EUR
1839+0.12 EUR
2376+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4005G ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N4005G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4005G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 22612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
508+0.49 EUR
827+0.29 EUR
1332+0.17 EUR
1806+0.12 EUR
2189+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57090CDWR2G 3191472.pdf
NCD57090CDWR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57252DWR2G 3213419.pdf
NCD57252DWR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.2 EUR
41+5.71 EUR
45+4.84 EUR
50+4.58 EUR
100+4.33 EUR
250+4.13 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SECO-NCD57000-GEVB SECO-NCD57000-GEVB_GETTING_STARTED.PDF
SECO-NCD57000-GEVB
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCD57000-GEVB - Tochterplatine, NCD57000DWR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine NCD57000DWR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCD57000DWR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57080BDR2G 3191471.pdf
NCD57080BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+4.05 EUR
73+3.2 EUR
77+2.78 EUR
100+2.52 EUR
250+2.4 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5701BDR2G 2236601.pdf
NCD5701BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.65 EUR
55+4.22 EUR
68+3.17 EUR
69+3.13 EUR
100+3.06 EUR
250+3 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57080CDR2G 3005714.pdf
NCD57080CDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5701ADR2G 2236601.pdf
NCD5701ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.46 EUR
104+2.07 EUR
116+1.86 EUR
250+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5701ADR2G 2236601.pdf
NCD5701ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.62 EUR
95+2.46 EUR
104+2.07 EUR
116+1.86 EUR
250+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5703ADR2G 2711382.pdf
NCD5703ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57085DR2G 3409742.pdf
NCD57085DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 7A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
90+2.59 EUR
100+2.14 EUR
111+1.94 EUR
250+1.82 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD5703ADR2G 2711382.pdf
NCD5703ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCD57090ADWR2G 3191472.pdf
NCD57090ADWR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.47 EUR
250+3.26 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1803 1804 1805 1806 1807 1808 1809 1810 1811 1812 1813 1936 2178 2420 2427  [ Nächste Seite >> ]