| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NCP551SN27T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN27T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.7V 0.15A -40 BIS 85°CSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP551SN29T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN29T1G - LDO VOLTAGE REGULATORSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZX84C24LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C24LT1G - Zener-Diode, 24 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 24V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 24880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSUSB43L10X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSUSB43L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 2.4 V, 4.4 V, UQFN, 10 Pin(s)tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: UQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse euEccn: NLR USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 480Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 4.4V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSUSB31K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSUSB31K8X - USB-Schnittstelle, Switch, ein Anschluss, USB 2.0, 3 V, 4.3 V, US8, 8 Pin(s)SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT2222AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PZT2222A Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PZT2222A Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT2222AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT2222A... | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222A... - BIPOLAR TRANSISTOR, (( TC ))Transistormontage: Surface Mount DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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PZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 20945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 20945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT2222A. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222A. - BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REELTransistormontage: Surface Mount DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP630AD2TR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP630AD2TR4G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 12V in, 1.25V drop, 3A out, TO-263-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 3A Anzahl der Pins: 5Pin(s) Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 3A Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.25V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP630AD2TG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP630AD2TG - LDO VOLTAGE REGULATORSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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NDSH20120C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 100nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTNUS3171PZT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 7235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTNUS3171PZT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 7235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP1379DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1379DR2G - PWM CONTROLLER, -40 TO 125DEG CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Controller-IC: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Frequenz: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 8.3V euEccn: NLR Eingangsspannung: 28V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 12.3V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 189800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NCP1379DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1379DR2G - PWM CONTROLLER, -40 TO 125DEG CtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 189800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDA28N50F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA28N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.14 ohm, TO-3PNDrain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA28N50 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.122 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NC7SZ125FHX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ125FHX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°CLogik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: UDFN Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NC7SZ125FHX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ125FHX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°CSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NC7SZ125P5X. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ125P5X. - BUFFER, NON-INVERTING, SC-70-5, FULL REELLogik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Buffer, Non Inverting Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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AR0230ATSC00XUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230ATSC00XUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2 MPMSL: MSL 3 - 168 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| AR0237SRSC12SHRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237SRSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FDBL9401L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9401L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 470 µohm, H-PSOF, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 300 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 429 Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 470 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDBL9401L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9401L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 470 µohm, H-PSOF, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 300 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 429 Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 470 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DVK-SFUS-API-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SFUS-API-1-GEVK - Development Kit HF-Transceiver-SoC AX-SFUS-API, Sigfox™ RCZ2, äußerst energiesparend, API-BibliothektariffCode: 84733020 Prozessorkern: AX-SFUS-API-1-01 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne euEccn: NLR Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Amerika hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DVK-SFUS-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SFUS-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFUS, Sigfox™ RCZ2, äußerst energiesparendtariffCode: 84733020 Prozessorkern: AX-SFUS-1-01 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne euEccn: NLR Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Amerika hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SB130 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB130 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 500 mVBauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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FDI045N10A-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDI045N10A-F102 - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDI150N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDI150N10 - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDI030N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDI030N06 - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDI038AN06A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDI038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, I2PAK, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: I2PAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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FCD600N60Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 89W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 15090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB047N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSL136HR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSL136HR - AC/DC-Wandler, Green-Mode-PWM, Sanftanlauf 20ms, 85V-265V AC Eingangsspannung, 26W, 100kHz, DIP-8Bauform - AC/DC-Wandler: DIP Nennleistung: - Anzahl der Pins: 8 AC-Eingangsspannung, max.: 26 Betriebstemperatur, min.: - AC-Eingangsspannung, min.: - Betriebstemperatur, max.: - Topologie: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FSL136HRLX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSL136HRLX - AC / DC CONVERTERSMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ESD5Z6.0T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5Z6.0T1G - ESD-Schutzbaustein, TVS, 12.4 V, SOD-523, 2 Pin(s), 6 V, 240 W, ESD5ZtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.4V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 6V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD5Z productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESD5Z6.0T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5Z6.0T1G - ESD-Schutzbaustein, TVS, 12.4 V, SOD-523, 2 Pin(s), 6 V, 240 W, ESD5ZtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.4V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 6V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD5Z productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESD5Z6.0T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5Z6.0T5G - ESD-Schutzbaustein, 20.5 V, SOD-523, 2 Pin(s), 6 V, 500 mW, ESD5ZAnzahl der Pins: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOD-523 Begrenzungsspannung Vc, max.: 20.5 Betriebsspannung: 6 Verlustleistung Pd: 500 Produktpalette: ESD5Z SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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ESD5581N2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5581N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, X2DFN, 2 Pin(s), 250 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X2DFN rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ESD5581N2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5581N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, X2DFN, 2 Pin(s), 250 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X2DFN rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESD5111FCT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5111FCT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, WLCSP, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pins euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: WLCSP hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 5846146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESD5111FCT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5111FCT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, WLCSP, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pins euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: WLCSP hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 5846146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4006RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4006RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4006FFG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4006FFG - STANDARD RECTIFIER, 800 V, 1.0 ASVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FFSP05120A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP05120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 9.2 A, 37 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9.2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGD3245G2-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD3245G2-F085 - IGBT, 23 A, 1.13 V, 150 W, 450 V, TO-252AA, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.13V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252AA Dauerkollektorstrom: 23A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EcoSPARK-2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSN1N45BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SSN1N45BTA - Leistungs-MOSFET, B-FET, n-Kanal, 450 V, 500 mA, 3.4 ohm, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA30S120P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-3PN Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDPF7N50U-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF7N50U-G - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDPF7N60NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCS20061SQ3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20061SQ3T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NSQA6V8AW5T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSQA6V8AW5T2G - TVS-Diode, NSQA, Unidirektional, 5 V, 13 V, SC-88A, 5 Pin(s)SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NSQA6V8AW5T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSQA6V8AW5T2G - TVS-Diode, NSQA, Unidirektional, 5 V, 13 V, SC-88A, 5 Pin(s)Bauform - Diode: SC-88A Durchbruchspannung, min.: 6.4 Durchbruchspannung, max.: 7.1 Sperrspannung: 5 Spitzenimpulsverlustleistung: 20 TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: NSQA Klemmspannung, max.: 13 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FQP33N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 33 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 127 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCP551SN27T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN27T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.7V 0.15A -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP551SN27T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.7V 0.15A -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP551SN29T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN29T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP551SN29T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZX84C24LT1G | ![]() |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C24LT1G - Zener-Diode, 24 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C24LT1G - Zener-Diode, 24 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSUSB43L10X |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSUSB43L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 2.4 V, 4.4 V, UQFN, 10 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.4V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FSUSB43L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 2.4 V, 4.4 V, UQFN, 10 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.4V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSUSB31K8X |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSUSB31K8X - USB-Schnittstelle, Switch, ein Anschluss, USB 2.0, 3 V, 4.3 V, US8, 8 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSUSB31K8X - USB-Schnittstelle, Switch, ein Anschluss, USB 2.0, 3 V, 4.3 V, US8, 8 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PZT2222AT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPZT2222AT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPZT2222AT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PZT2222AT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PZT2222A... |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222A... - BIPOLAR TRANSISTOR, (( TC ))
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - PZT2222A... - BIPOLAR TRANSISTOR, (( TC ))
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PZT2222AT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PZT2222AT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PZT2222A. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222A. - BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - PZT2222A. - BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP630AD2TR4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP630AD2TR4G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 12V in, 1.25V drop, 3A out, TO-263-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 3A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 3A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.25V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP630AD2TR4G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 12V in, 1.25V drop, 3A out, TO-263-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 3A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 3A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.25V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP630AD2TG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP630AD2TG - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP630AD2TG - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NDSH20120C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTNUS3171PZT5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 7235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTNUS3171PZT5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 7235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP1379DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1379DR2G - PWM CONTROLLER, -40 TO 125DEG C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Frequenz: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 12.3V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP1379DR2G - PWM CONTROLLER, -40 TO 125DEG C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Frequenz: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 12.3V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 189800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP1379DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1379DR2G - PWM CONTROLLER, -40 TO 125DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP1379DR2G - PWM CONTROLLER, -40 TO 125DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 189800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDA28N50F |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA28N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.14 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDA28N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.14 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDA28N50 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.122 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.122 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NC7SZ125FHX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ125FHX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°C
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: UDFN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SZ125FHX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°C
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: UDFN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NC7SZ125FHX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ125FHX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SZ125FHX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NC7SZ125P5X. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ125P5X. - BUFFER, NON-INVERTING, SC-70-5, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer, Non Inverting
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SZ125P5X. - BUFFER, NON-INVERTING, SC-70-5, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer, Non Inverting
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0230ATSC00XUEA0-DRBR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230ATSC00XUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0230ATSC00XUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0237SRSC12SHRA0-DR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237SRSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0237SRSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDBL9401L-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9401L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 470 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 429
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDBL9401L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 470 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 429
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDBL9401L-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9401L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 470 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 429
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDBL9401L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 470 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 429
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DVK-SFUS-API-1-GEVK |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SFUS-API-1-GEVK - Development Kit HF-Transceiver-SoC AX-SFUS-API, Sigfox™ RCZ2, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AX-SFUS-API-1-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Amerika
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - DVK-SFUS-API-1-GEVK - Development Kit HF-Transceiver-SoC AX-SFUS-API, Sigfox™ RCZ2, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AX-SFUS-API-1-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Amerika
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DVK-SFUS-1-GEVK |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SFUS-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFUS, Sigfox™ RCZ2, äußerst energiesparend
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AX-SFUS-1-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Amerika
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - DVK-SFUS-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFUS, Sigfox™ RCZ2, äußerst energiesparend
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AX-SFUS-1-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Amerika
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SB130 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB130 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 500 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB130 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 500 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDI038AN06A0 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDI038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: I2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDI038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: I2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FCD600N60Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC847BLT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDB047N10 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FSL136HR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSL136HR - AC/DC-Wandler, Green-Mode-PWM, Sanftanlauf 20ms, 85V-265V AC Eingangsspannung, 26W, 100kHz, DIP-8
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Nennleistung: -
Anzahl der Pins: 8
AC-Eingangsspannung, max.: 26
Betriebstemperatur, min.: -
AC-Eingangsspannung, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
Topologie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSL136HR - AC/DC-Wandler, Green-Mode-PWM, Sanftanlauf 20ms, 85V-265V AC Eingangsspannung, 26W, 100kHz, DIP-8
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Nennleistung: -
Anzahl der Pins: 8
AC-Eingangsspannung, max.: 26
Betriebstemperatur, min.: -
AC-Eingangsspannung, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
Topologie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSL136HRLX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSL136HRLX - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSL136HRLX - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ESD5Z6.0T1G | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z6.0T1G - ESD-Schutzbaustein, TVS, 12.4 V, SOD-523, 2 Pin(s), 6 V, 240 W, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.4V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD5Z6.0T1G - ESD-Schutzbaustein, TVS, 12.4 V, SOD-523, 2 Pin(s), 6 V, 240 W, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.4V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD5Z6.0T1G | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z6.0T1G - ESD-Schutzbaustein, TVS, 12.4 V, SOD-523, 2 Pin(s), 6 V, 240 W, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.4V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD5Z6.0T1G - ESD-Schutzbaustein, TVS, 12.4 V, SOD-523, 2 Pin(s), 6 V, 240 W, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.4V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD5Z6.0T5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z6.0T5G - ESD-Schutzbaustein, 20.5 V, SOD-523, 2 Pin(s), 6 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20.5
Betriebsspannung: 6
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - ESD5Z6.0T5G - ESD-Schutzbaustein, 20.5 V, SOD-523, 2 Pin(s), 6 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20.5
Betriebsspannung: 6
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ESD5581N2T5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5581N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, X2DFN, 2 Pin(s), 250 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2DFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD5581N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, X2DFN, 2 Pin(s), 250 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2DFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD5581N2T5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5581N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, X2DFN, 2 Pin(s), 250 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2DFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD5581N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, X2DFN, 2 Pin(s), 250 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2DFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD5111FCT5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5111FCT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, WLCSP, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: WLCSP
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - ESD5111FCT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, WLCSP, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: WLCSP
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5846146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD5111FCT5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5111FCT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, WLCSP, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: WLCSP
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - ESD5111FCT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, WLCSP, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: WLCSP
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5846146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4006RLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4006RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4006RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4006FFG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4006FFG - STANDARD RECTIFIER, 800 V, 1.0 A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 1N4006FFG - STANDARD RECTIFIER, 800 V, 1.0 A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FFSP05120A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP05120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 9.2 A, 37 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9.2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FFSP05120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 9.2 A, 37 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9.2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FGD3245G2-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3245G2-F085 - IGBT, 23 A, 1.13 V, 150 W, 450 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.13V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 23A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK-2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGD3245G2-F085 - IGBT, 23 A, 1.13 V, 150 W, 450 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.13V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 23A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK-2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SSN1N45BTA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SSN1N45BTA - Leistungs-MOSFET, B-FET, n-Kanal, 450 V, 500 mA, 3.4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SSN1N45BTA - Leistungs-MOSFET, B-FET, n-Kanal, 450 V, 500 mA, 3.4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FGA30S120P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDPF7N60NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCS20061SQ3T2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20061SQ3T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCS20061SQ3T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSQA6V8AW5T2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSQA6V8AW5T2G - TVS-Diode, NSQA, Unidirektional, 5 V, 13 V, SC-88A, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NSQA6V8AW5T2G - TVS-Diode, NSQA, Unidirektional, 5 V, 13 V, SC-88A, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NSQA6V8AW5T2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSQA6V8AW5T2G - TVS-Diode, NSQA, Unidirektional, 5 V, 13 V, SC-88A, 5 Pin(s)
Bauform - Diode: SC-88A
Durchbruchspannung, min.: 6.4
Durchbruchspannung, max.: 7.1
Sperrspannung: 5
Spitzenimpulsverlustleistung: 20
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: NSQA
Klemmspannung, max.: 13
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NSQA6V8AW5T2G - TVS-Diode, NSQA, Unidirektional, 5 V, 13 V, SC-88A, 5 Pin(s)
Bauform - Diode: SC-88A
Durchbruchspannung, min.: 6.4
Durchbruchspannung, max.: 7.1
Sperrspannung: 5
Spitzenimpulsverlustleistung: 20
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: NSQA
Klemmspannung, max.: 13
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQP33N10 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH





































