| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCD57080BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierendtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD5701BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 13.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57080CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOICSinkstrom: 6 Treiberkonfiguration: - Leistungsschalter: IGBT Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.4 Quellstrom: 6 Spitzenausgangsstrom: 8 Bauform - Treiber: NSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NCD5701ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 13.2V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD5701ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 13.2V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD5703ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 59ns Ausgabeverzögerung: 54ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 42 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NCD57085DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.5A Treiberkonfiguration: Nicht invertierend euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -65°C Quellstrom: 7A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD5703ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 59ns Ausgabeverzögerung: 54ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NCD57090ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierendtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V Bauform - Treiber: WSOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57080BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierendtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V Bauform - Treiber: NSOIC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57090ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierendtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57090DDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: Nicht invertierend euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -65°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57090y productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
SECO-NCD5700-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SECO-NCD5700-GEVB - Tochterplatine, FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G, IGBT-Gate-TreibertariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G Prozessorhersteller: On Semiconductor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Prozessorserie: - Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: - euEccn: NLR Prozessorkern: FODM217D, FODM611, NCD5700DR2G Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NCD5701BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 13.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57090EDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICsSinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: Nicht invertierend Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Logik-ICs Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -65 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCx57090y Versorgungsspannung, max.: 15 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57080CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOICSinkstrom: 6 Treiberkonfiguration: - Leistungsschalter: IGBT Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.4 Quellstrom: 6 Spitzenausgangsstrom: 8 Bauform - Treiber: NSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
SS15FA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS15FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 700mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
1N4003RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4003RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 4814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
1N4003RLG. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4003RLG. - STANDARD DIODE, 1A, 200V, 59-10, FULL REELBauform - Diode: Axial Leaded Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Diodenkonfiguration: Single Sperrerholzeit Trr, max.: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200 SVHC: Lead |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
1N5363BRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5363BRLG - Zener-Diode, 30 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Surmetic 1N53 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 30V |
auf Bestellung 3496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
1N5364BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5364BG - Zener-Diode, 33 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 33V |
auf Bestellung 4983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS5820NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 37 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 33 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 5387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS5116PLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.052 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 3.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
auf Bestellung 7401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS5826NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 19 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS005N04CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 69 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS6H860NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS5C454NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 85 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 55 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS5116PLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS008P03P8Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS1D8N02P1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS004N04CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS5C454NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 85 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 55 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS5C670NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6500 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 63W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
auf Bestellung 1644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS005N04CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS030N06CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS2D8N04HLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS5116PLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 5.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS2D1N04HLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm |
auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS1D2N02P1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFNDrain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 180 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 52 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 860 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS015P03P8ZTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNELMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NTTFS5C454NLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ADD5043-915-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADD5043-915-1-GEVK - Erweiterungsboard, AX5043 RFIC, Erweiterungskit für DVK-2 Development Kits, 915MHzArt des Zubehörs: Erweiterungskit HF-Transceiver 915MHz Zur Verwendung mit: DVK-2-Evaluationskit von On Semiconductor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
|
DVK-SFEU-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SFEU HF-Transceiver-SoC, RCZ1, Sigfox-verbundene Anwendungen, MiniaturProzessorkern: AX8052, AX5043 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: SIGFOX-Evaluationsboard, SMA-Antenne, AXSDB-Debugging-Adapter, USB-Kabel, AX-Debugging-Kabel Unterart Anwendung: HF-Transceiver Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
FDC6330L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6330L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 2.5A, SSOT-6tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.08ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Strombegrenzung: 2.5A IC-Gehäuse / Bauform: SSOT MSL: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 62858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| FFA60UP30DNTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFA60UP30DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 55 nsBauform - Diode: TO-3P Durchlassspannung Vf max.: 1.5 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Sperrerholzeit Trr, max.: 55 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
|
FFA60UP20DNTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFA60UP20DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 32 nsBauform - Diode: TO-3P Durchlassspannung Vf max.: 1.15 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Sperrerholzeit Trr, max.: 32 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
FFAF60UA60DN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFAF60UA60DN - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 90 ns, 180 ABauform - Diode: TO-3PF Durchlassspannung Vf max.: 2.2 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Sperrerholzeit Trr, max.: 90 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: FFAF6 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BAS40-04LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 200mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
CAT5113LI-01-G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113LI-01-G. - IC, DIGITAL POT 1KOHM 100, SINGLE, 8-DIPBauform - Potentiometer: DIP Anzahl der Potentiometer: Single Widerstandsverlauf: Linear Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Serial Gesamtwiderstand: 1 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
CAT5110SDI-10-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5110SDI-10-GT3 - IC, DIGITAL POT, 10KOHM, 32, SGL, SC70-6Bauform - Potentiometer: SC-70 Anzahl der Potentiometer: Single Widerstandsverlauf: Linear Anzahl Schritte: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: - Versorgungsspannung, min.: 2.7 Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial Gesamtwiderstand: 10 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
CAT5171TBI-00GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5171TBI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
CAT5119SDI-00GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
CAT5119SDI-10GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
CAT5115ZI-10-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5115ZI-10-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 10KMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NC7SV74K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SV74K8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 1 ns, 200 MHz, 24 mA, US8tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 7474 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: US8 IC-Ausgang: Komplementär hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz: 200MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Ausbreitungsverzögerung: 1ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
LV52117QATXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12Schaltfrequenz: 1.74 Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge MSL: MSL 1 - unbegrenzt Reglerausgang: Einstellbar Eingangsspannung, max.: 4.6 Eingangsspannung, min.: 2.75 Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend Anzahl der Pins: 12 Produktpalette: - Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8 Betriebstemperatur, max.: 85 Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6 Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
LV52117QATXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12Schaltfrequenz: 1.74 Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge MSL: MSL 1 - unbegrenzt Reglerausgang: Einstellbar Eingangsspannung, max.: 4.6 Eingangsspannung, min.: 2.75 Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend Anzahl der Pins: 12 Produktpalette: - Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8 Betriebstemperatur, max.: 85 Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6 Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCV20061SQ3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20061SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NRVB0530T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 5.5A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 430mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NRVB0530T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 5.5A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 430mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| NCD57080BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 4.05 EUR |
| 73+ | 3.2 EUR |
| 77+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
| 250+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| NCD5701BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.65 EUR |
| 55+ | 4.22 EUR |
| 68+ | 3.17 EUR |
| 69+ | 3.13 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
| 250+ | 3 EUR |
| 500+ | 2.98 EUR |
| 1000+ | 2.92 EUR |
| NCD57080CDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NCD5701ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.46 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 116+ | 1.86 EUR |
| 250+ | 1.74 EUR |
| NCD5701ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.62 EUR |
| 95+ | 2.46 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 116+ | 1.86 EUR |
| 250+ | 1.74 EUR |
| NCD5703ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NCD57085DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 7A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 7A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.8 EUR |
| 90+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 111+ | 1.94 EUR |
| 250+ | 1.82 EUR |
| 500+ | 1.75 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| 2500+ | 1.57 EUR |
| NCD5703ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NCD57090ADWR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.47 EUR |
| 250+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| 1000+ | 2.95 EUR |
| NCD57080BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: NSOIC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: NSOIC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.52 EUR |
| 250+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| NCD57090ADWR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.54 EUR |
| 52+ | 4.55 EUR |
| 56+ | 3.83 EUR |
| 59+ | 3.67 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| 250+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| 1000+ | 2.95 EUR |
| NCD57090DDWR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.54 EUR |
| 52+ | 4.55 EUR |
| 58+ | 3.72 EUR |
| 60+ | 3.59 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| 250+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| SECO-NCD5700-GEVB |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCD5700-GEVB - Tochterplatine, FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FODM217D, FODM611, NCD5700DR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - SECO-NCD5700-GEVB - Tochterplatine, FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FODM217D, FODM611, NCD5700DR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NCD5701BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.06 EUR |
| 250+ | 3 EUR |
| 500+ | 2.98 EUR |
| 1000+ | 2.92 EUR |
| NCD57090EDWR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.18 EUR |
| 41+ | 5.74 EUR |
| NCD57080CDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SS15FA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS15FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS15FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 217+ | 1.15 EUR |
| 350+ | 0.67 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 736+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 1N4003RLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4003RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - 1N4003RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 443+ | 0.56 EUR |
| 720+ | 0.32 EUR |
| 1151+ | 0.19 EUR |
| 1558+ | 0.14 EUR |
| 1985+ | 0.11 EUR |
| 1N4003RLG. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4003RLG. - STANDARD DIODE, 1A, 200V, 59-10, FULL REEL
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Diodenkonfiguration: Single
Sperrerholzeit Trr, max.: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - 1N4003RLG. - STANDARD DIODE, 1A, 200V, 59-10, FULL REEL
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Diodenkonfiguration: Single
Sperrerholzeit Trr, max.: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5363BRLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5363BRLG - Zener-Diode, 30 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
Description: ONSEMI - 1N5363BRLG - Zener-Diode, 30 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 345+ | 0.73 EUR |
| 417+ | 0.56 EUR |
| 516+ | 0.42 EUR |
| 607+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 1N5364BG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5364BG - Zener-Diode, 33 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
Description: ONSEMI - 1N5364BG - Zener-Diode, 33 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
auf Bestellung 4983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 168+ | 1.49 EUR |
| 255+ | 0.92 EUR |
| 394+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| NTTFS5820NLTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 5387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 86+ | 2.93 EUR |
| 93+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 2.23 EUR |
| NTTFS5116PLTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 7401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 81+ | 3.09 EUR |
| 141+ | 1.65 EUR |
| 162+ | 1.32 EUR |
| 200+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| NTTFS5826NLTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS005N04CTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS6H860NLTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5C454NLTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5116PLTWG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS008P03P8Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 5.32 EUR |
| 67+ | 3.47 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.84 EUR |
| 1000+ | 1.77 EUR |
| NTTFS1D8N02P1E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 6.97 EUR |
| 56+ | 4.2 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| NTTFS004N04CTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5C454NLTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5C670NLTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.5 EUR |
| 52+ | 4.52 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
| 1000+ | 2.27 EUR |
| NTTFS005N04CTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS030N06CTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS2D8N04HLTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5116PLTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS2D1N04HLTWG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.69 EUR |
| 127+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1500+ | 1.13 EUR |
| NTTFS1D2N02P1E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS015P03P8ZTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTTFS5C454NLTWG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ADD5043-915-1-GEVK |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADD5043-915-1-GEVK - Erweiterungsboard, AX5043 RFIC, Erweiterungskit für DVK-2 Development Kits, 915MHz
Art des Zubehörs: Erweiterungskit HF-Transceiver 915MHz
Zur Verwendung mit: DVK-2-Evaluationskit von On Semiconductor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - ADD5043-915-1-GEVK - Erweiterungsboard, AX5043 RFIC, Erweiterungskit für DVK-2 Development Kits, 915MHz
Art des Zubehörs: Erweiterungskit HF-Transceiver 915MHz
Zur Verwendung mit: DVK-2-Evaluationskit von On Semiconductor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DVK-SFEU-1-GEVK |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SFEU HF-Transceiver-SoC, RCZ1, Sigfox-verbundene Anwendungen, Miniatur
Prozessorkern: AX8052, AX5043
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: SIGFOX-Evaluationsboard, SMA-Antenne, AXSDB-Debugging-Adapter, USB-Kabel, AX-Debugging-Kabel
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - DVK-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SFEU HF-Transceiver-SoC, RCZ1, Sigfox-verbundene Anwendungen, Miniatur
Prozessorkern: AX8052, AX5043
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: SIGFOX-Evaluationsboard, SMA-Antenne, AXSDB-Debugging-Adapter, USB-Kabel, AX-Debugging-Kabel
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDC6330L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6330L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 2.5A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.08ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - FDC6330L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 2.5A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.08ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 62858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 248+ | 1.01 EUR |
| 394+ | 0.6 EUR |
| 455+ | 0.48 EUR |
| 516+ | 0.42 EUR |
| 1500+ | 0.4 EUR |
| FFA60UP30DNTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFA60UP30DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 55 ns
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassspannung Vf max.: 1.5
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 55
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FFA60UP30DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 55 ns
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassspannung Vf max.: 1.5
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 55
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FFA60UP20DNTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFA60UP20DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 32 ns
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassspannung Vf max.: 1.15
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 32
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FFA60UP20DNTU - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 32 ns
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassspannung Vf max.: 1.15
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 32
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FFAF60UA60DN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFAF60UA60DN - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 90 ns, 180 A
Bauform - Diode: TO-3PF
Durchlassspannung Vf max.: 2.2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 90
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FFAF6
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FFAF60UA60DN - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 90 ns, 180 A
Bauform - Diode: TO-3PF
Durchlassspannung Vf max.: 2.2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrerholzeit Trr, max.: 90
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FFAF6
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAS40-04LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 603+ | 0.42 EUR |
| 1329+ | 0.18 EUR |
| 1719+ | 0.12 EUR |
| CAT5113LI-01-G. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113LI-01-G. - IC, DIGITAL POT 1KOHM 100, SINGLE, 8-DIP
Bauform - Potentiometer: DIP
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Serial
Gesamtwiderstand: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - CAT5113LI-01-G. - IC, DIGITAL POT 1KOHM 100, SINGLE, 8-DIP
Bauform - Potentiometer: DIP
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Serial
Gesamtwiderstand: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5110SDI-10-GT3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5110SDI-10-GT3 - IC, DIGITAL POT, 10KOHM, 32, SGL, SC70-6
Bauform - Potentiometer: SC-70
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: -
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial
Gesamtwiderstand: 10
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT5110SDI-10-GT3 - IC, DIGITAL POT, 10KOHM, 32, SGL, SC70-6
Bauform - Potentiometer: SC-70
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: -
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial
Gesamtwiderstand: 10
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5171TBI-00GT3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5171TBI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - CAT5171TBI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5119SDI-00GT3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-00GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5119SDI-10GT3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - CAT5119SDI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5115ZI-10-GT3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115ZI-10-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 10K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - CAT5115ZI-10-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 10K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NC7SV74K8X |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV74K8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 1 ns, 200 MHz, 24 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 200MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NC7SV74K8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 1 ns, 200 MHz, 24 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 200MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 223+ | 1.12 EUR |
| 297+ | 0.79 EUR |
| 511+ | 0.42 EUR |
| 535+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| LV52117QATXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12
Schaltfrequenz: 1.74
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Einstellbar
Eingangsspannung, max.: 4.6
Eingangsspannung, min.: 2.75
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8
Betriebstemperatur, max.: 85
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12
Schaltfrequenz: 1.74
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Einstellbar
Eingangsspannung, max.: 4.6
Eingangsspannung, min.: 2.75
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8
Betriebstemperatur, max.: 85
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 137+ | 1.82 EUR |
| LV52117QATXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12
Schaltfrequenz: 1.74
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Einstellbar
Eingangsspannung, max.: 4.6
Eingangsspannung, min.: 2.75
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8
Betriebstemperatur, max.: 85
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LV52117QATXG - DC/DC-Schaltregler, invertierend, 2 Ausgänge, bis 4.6Vin, 5.8V/0.1Aout, 1.74MHz, TDFN-12
Schaltfrequenz: 1.74
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 100
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TDFN
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Einstellbar
Eingangsspannung, max.: 4.6
Eingangsspannung, min.: 2.75
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts), invertierend
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5.8
Betriebstemperatur, max.: 85
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -4.6
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 137+ | 1.82 EUR |
| NCV20061SQ3T2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20061SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV20061SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NRVB0530T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 430mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 430mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 326+ | 0.76 EUR |
| 524+ | 0.44 EUR |
| 814+ | 0.26 EUR |
| 953+ | 0.23 EUR |
| NRVB0530T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 430mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NRVB0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 430mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 326+ | 0.76 EUR |
| 524+ | 0.44 EUR |
| 814+ | 0.26 EUR |
| 953+ | 0.23 EUR |


























