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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IRLU024N Produktcode: 32876
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Lieblingsprodukt
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IR |
  Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 17 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
auf Bestellung: 3760 St.
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IRLU024NPBF (Transistor) Produktcode: 73061
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-251 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 17 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
auf Bestellung: 181 St.
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IRLU2905PBF Produktcode: 184659
2
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Lieblingsprodukt
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VBsemi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 35 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/46 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
auf Bestellung: 78 St.
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IRLU2905PBF Produktcode: 45467
2
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
erwartet: 100 St.
auf Bestellung: 8 St.
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IRLU014PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2094 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU |
auf Bestellung 2171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLU014PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLU024N | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLU024N | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl |
auf Bestellung 12192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
auf Bestellung 34429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 16708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 65060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 46W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 9070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 65059 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU |
auf Bestellung 4879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU110PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.54Ω Pulsed drain current: 17A Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V Kind of package: tube |
auf Bestellung 1409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU |
auf Bestellung 5497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 7280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 7300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLU120N | International Rectifier |
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLU3110Z | International Rectifier |
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLU3114Z | International Rectifier |
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLU3410 | International Rectifier |
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv |
auf Bestellung 5344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 39186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
auf Bestellung 3644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 39200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | International Rectifier |
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V |
auf Bestellung 6533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 4146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 143W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm |
auf Bestellung 1712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 4146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3802PBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V |
auf Bestellung 6579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLU3802PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 6579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU7843PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU7843PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl |
auf Bestellung 2843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU7843PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU7843PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLU7843PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU8729-701PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A TO251-3-21 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TO-251-3-21 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLU8729-701PBF | International Rectifier HiRel Products |
30 V, HEXFET Power MOSFET |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLU024N Produktcode: 32876
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 3760 St.
- 3760 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.82 EUR |
| 10+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.69 EUR |
| IRLU024NPBF (Transistor) Produktcode: 73061
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 181 St.
- 181 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.18 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| IRLU2905PBF Produktcode: 184659
2
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 35 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/46
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 35 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/46
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 78 St.
- 78 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.51 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| IRLU2905PBF Produktcode: 45467
2
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
erwartet: 100 St.
- 100 St. - erwartet 25.07.2026
auf Bestellung: 8 St.
- 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.52 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| IRLU014PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 1.18 EUR |
| 86+ | 1 EUR |
| 94+ | 0.92 EUR |
| 111+ | 0.77 EUR |
| 118+ | 0.73 EUR |
| 150+ | 0.68 EUR |
| IRLU014PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.66 EUR |
| 75+ | 2.14 EUR |
| 150+ | 1.93 EUR |
| 525+ | 1.63 EUR |
| 1050+ | 1.5 EUR |
| 2025+ | 1.39 EUR |
| IRLU014PBF |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 2171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.53 EUR |
| 10+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 3000+ | 0.96 EUR |
| 6000+ | 0.93 EUR |
| IRLU014PBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLU014PBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 1.57 EUR |
| 150+ | 1.42 EUR |
| IRLU014PBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLU024N |
|
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 1.29 EUR |
| IRLU024N |
|
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 1.29 EUR |
| IRLU024NPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 1.18 EUR |
| 112+ | 0.76 EUR |
| 123+ | 0.69 EUR |
| 132+ | 0.64 EUR |
| 136+ | 0.63 EUR |
| 150+ | 0.6 EUR |
| 525+ | 0.54 EUR |
| IRLU024NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 12192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.53 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| 3000+ | 0.89 EUR |
| 6000+ | 0.88 EUR |
| IRLU024NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 34429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.36 EUR |
| 75+ | 1.5 EUR |
| 150+ | 1.34 EUR |
| 525+ | 1.12 EUR |
| 1050+ | 1.02 EUR |
| 2025+ | 0.95 EUR |
| 5025+ | 0.86 EUR |
| 10050+ | 0.81 EUR |
| IRLU024NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 2.37 EUR |
| 156+ | 1.08 EUR |
| 187+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 3000+ | 0.6 EUR |
| IRLU024NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 16708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.67 EUR |
| 12000+ | 0.62 EUR |
| IRLU024NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 65060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 2.58 EUR |
| 154+ | 1.11 EUR |
| 186+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| 3000+ | 0.52 EUR |
| IRLU024NPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 9070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 3.9 EUR |
| 131+ | 1.78 EUR |
| 159+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| 5000+ | 0.92 EUR |
| IRLU024NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 2.37 EUR |
| 156+ | 1.12 EUR |
| 187+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 3000+ | 0.67 EUR |
| IRLU024NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 65059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 154+ | 1.14 EUR |
| 186+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 3000+ | 0.6 EUR |
| IRLU024PBF |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 4879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.45 EUR |
| 10+ | 2.34 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| 3000+ | 1.44 EUR |
| IRLU110PBF |
|
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 1.45 EUR |
| 72+ | 1.19 EUR |
| 77+ | 1.11 EUR |
| 82+ | 1.05 EUR |
| 87+ | 0.99 EUR |
| 91+ | 0.94 EUR |
| 150+ | 0.87 EUR |
| 1050+ | 0.76 EUR |
| IRLU110PBF |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.94 EUR |
| 75+ | 1.77 EUR |
| 150+ | 1.59 EUR |
| 525+ | 1.33 EUR |
| 1050+ | 1.23 EUR |
| 2025+ | 1.14 EUR |
| IRLU110PBF |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 5497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.92 EUR |
| 10+ | 1.77 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 3000+ | 1.13 EUR |
| IRLU110PBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 7280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 280+ | 0.63 EUR |
| IRLU110PBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 7300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.58 EUR |
| 123+ | 1.38 EUR |
| 150+ | 1.13 EUR |
| 525+ | 0.98 EUR |
| 1050+ | 0.93 EUR |
| 2025+ | 0.88 EUR |
| 5025+ | 0.8 EUR |
| IRLU110PBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 114+ | 1.56 EUR |
| 150+ | 1.42 EUR |
| 1050+ | 1.23 EUR |
| IRLU120N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 1.99 EUR |
| IRLU120NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLU120NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLU3110Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 5.6 EUR |
| IRLU3114Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 4.32 EUR |
| IRLU3410 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 3.14 EUR |
| IRLU3410PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 2.07 EUR |
| 75+ | 1.14 EUR |
| IRLU3410PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
auf Bestellung 5344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 0.98 EUR |
| 3000+ | 0.86 EUR |
| 6000+ | 0.81 EUR |
| IRLU3410PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.95 EUR |
| 75+ | 1.31 EUR |
| 150+ | 1.17 EUR |
| 525+ | 0.98 EUR |
| 1050+ | 0.89 EUR |
| 2025+ | 0.88 EUR |
| IRLU3410PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 237+ | 0.75 EUR |
| 239+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 2500+ | 0.56 EUR |
| 12000+ | 0.55 EUR |
| IRLU3410PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.69 EUR |
| IRLU3410PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.69 EUR |
| IRLU3410PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 3644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 4.38 EUR |
| 130+ | 1.8 EUR |
| 145+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| IRLU3410PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 115+ | 1.54 EUR |
| 235+ | 0.73 EUR |
| 238+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 2500+ | 0.5 EUR |
| 12000+ | 0.48 EUR |
| IRLU3636PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 6533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 189+ | 2.87 EUR |
| IRLU3636PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 1.52 EUR |
| IRLU3636PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 2.69 EUR |
| 81+ | 2.11 EUR |
| 90+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
| IRLU3636PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 1.52 EUR |
| IRLU3636PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 237+ | 2.8 EUR |
| 500+ | 2.48 EUR |
| IRLU3636PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.66 EUR |
| IRLU3636PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.3 EUR |
| 62+ | 3.78 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.73 EUR |
| 1000+ | 2.42 EUR |
| IRLU3636PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 237+ | 2.8 EUR |
| 500+ | 2.48 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| IRLU3636PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 2.69 EUR |
| 81+ | 2.15 EUR |
| 90+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.84 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.75 EUR |
| IRLU3802PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
auf Bestellung 6579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 429+ | 1.26 EUR |
| IRLU3802PBF |
|
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 597+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| IRLU7843PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 233+ | 2.32 EUR |
| IRLU7843PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl
auf Bestellung 2843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 3.25 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
| 3000+ | 1.62 EUR |
| 6000+ | 1.58 EUR |
| IRLU7843PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 10.82 EUR |
| IRLU7843PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLU7843PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 292+ | 2.26 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.81 EUR |
| IRLU8729-701PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 58A TO251-3-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-21
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 58A TO251-3-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-21
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 644+ | 0.84 EUR |
| IRLU8729-701PBF |
|
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
30 V, HEXFET Power MOSFET
30 V, HEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 895+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
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