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1,5nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=9mm (JD152MY5UY1-Hitano) 1,5nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=9mm (JD152MY5UY1-Hitano)
Produktcode: 3174 		Hitano C07-MultiCap1.pdf Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1,5nF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5U
Präzision: ±20% M
Abmessungen: Dmax=9mm
Part Nummer: JD152MY5U Y1
Клас: Y1
erwartet: 2000 Stück
1+0.25 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.076 EUR
1000+ 0.069 EUR
150pF 400VAC Y5P K(+/-10%) Dmax=8mm (JD151KY5PY1-Hitano) 150pF 400VAC Y5P K(+/-10%) Dmax=8mm (JD151KY5PY1-Hitano)
Produktcode: 3212 		Hitano C07-MultiCap1.pdf Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 150pF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: Dmax=8mm
Part Nummer: JD151KY5P Y1
Клас: Y1
verfügbar: 47 Stück
1+0.25 EUR
10+ 0.12 EUR
1nF 400VAC Y5P K(+/-10%) Dmax=12mm (JD102KY5PY1-A2-Hitano) 1nF 400VAC Y5P K(+/-10%) Dmax=12mm (JD102KY5PY1-A2-Hitano)
Produktcode: 6356 		Hitano C07-MultiCap1.pdf Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: Dmax=12mm
Part Nummer: JD102KY5P Y1
Клас: Y1
verfügbar: 60 Stück
erwartet: 6000 Stück
1+0.29 EUR
10+ 0.21 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
1nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=8mm (JD102MY5UY1-A2-Hitano) 1nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=8mm (JD102MY5UY1-A2-Hitano)
Produktcode: 3173 		Hitano C07-MultiCap1.pdf Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5U
Präzision: ±20% M
Abmessungen: Dmax=8mm
Part Nummer: JD102MY5U Y1
Клас: Y1
verfügbar: 120 Stück
1+0.17 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.073 EUR
MJD112 TO252 SMD MJD112 TO252 SMD LUGUANG ELECTRONIC MJD112.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.32 EUR
375+ 0.19 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 225
MJD112 TO252 SMD MJD112 TO252 SMD LUGUANG ELECTRONIC MJD112.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
225+0.32 EUR
375+ 0.19 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 225
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: THT
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
72+ 1 EUR
90+ 0.8 EUR
95+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 65
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
72+ 1 EUR
90+ 0.8 EUR
95+ 0.76 EUR
300+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 65
MJD112-1G MJD112-1G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.67 EUR
75+ 1.34 EUR
150+ 1.07 EUR
525+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD112-1G MJD112-1G onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+ 1.39 EUR
75+ 0.81 EUR
1050+ 0.7 EUR
2475+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+0.94 EUR
169+ 0.9 EUR
231+ 0.63 EUR
525+ 0.6 EUR
1050+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.93 EUR
231+ 0.65 EUR
525+ 0.62 EUR
1050+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 169
MJD112G MJD112G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
103+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 71
MJD112G MJD112G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
103+ 0.7 EUR
121+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 71
MJD112G MJD112G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
75+ 0.86 EUR
150+ 0.62 EUR
525+ 0.52 EUR
1050+ 0.44 EUR
2025+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17
MJD112G MJD112G onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 12137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.03 EUR
10+ 0.99 EUR
75+ 0.53 EUR
525+ 0.46 EUR
1050+ 0.39 EUR
2475+ 0.38 EUR
9900+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+0.96 EUR
171+ 0.89 EUR
340+ 0.43 EUR
525+ 0.32 EUR
1050+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 163
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.42 EUR
525+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 370
MJD112G MJD112G ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.92 EUR
359+ 0.42 EUR
525+ 0.33 EUR
1050+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 171
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.44 EUR
525+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 355
MJD112RLG MJD112RLG onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
14+ 1.34 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD112RLG MJD112RLG onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.72 EUR
3600+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
MJD112RLG MJD112RLG onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 14948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+ 1.35 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.82 EUR
1800+ 0.74 EUR
3600+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJD112T4 MJD112T4 STMicroelectronics MJD112_MJD117.pdf description Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
168+ 0.43 EUR
186+ 0.39 EUR
239+ 0.3 EUR
253+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 139
MJD112T4 MJD112T4 STMicroelectronics MJD112_MJD117.pdf description Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
168+ 0.43 EUR
186+ 0.39 EUR
239+ 0.3 EUR
253+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 139
MJD112T4 MJD112T4 STMicroelectronics en.CD00000828.pdf description Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 9238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
21+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 19
MJD112T4 MJD112T4 STMicroelectronics mjd112-1849754.pdf description Darlington Transistors NPN Power Darlington
auf Bestellung 4375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.98 EUR
10+ 0.85 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.44 EUR
2500+ 0.37 EUR
5000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD112T4 MJD112T4 STMicroelectronics en.CD00000828.pdf description Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4 MJD112T4 STMicroelectronics 15688cd00000828.pdf description Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
5000+ 0.23 EUR
10000+ 0.22 EUR
12500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4 MJD112T4 STMicroelectronics 15688cd00000828.pdf description Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4 MJD112T4 STMICROELECTRONICS SGSTS36777-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4 STM en.CD00000828.pdf description Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.67 EUR
10+ 1.6 EUR
MJD112T4 MJD112T4 STMicroelectronics 15688cd00000828.pdf description Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4G MJD112T4G onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 19838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+ 0.83 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.48 EUR
2500+ 0.43 EUR
5000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.85 EUR
217+ 0.7 EUR
219+ 0.66 EUR
267+ 0.52 EUR
269+ 0.5 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 185
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.79 EUR
257+ 0.59 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 198
MJD112T4G MJD112T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor 2477mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4G ONS mjd112-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
auf Bestellung 8 Stücke:
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1+22.32 EUR
10+ 20.09 EUR
MJD112T4G MJD112T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117-1G MJD117-1G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 154661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1113+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1113
MJD117G MJD117G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
75+ 1.11 EUR
150+ 0.88 EUR
525+ 0.75 EUR
1050+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD117G MJD117G onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+ 1.33 EUR
75+ 0.89 EUR
525+ 0.77 EUR
1050+ 0.61 EUR
2400+ 0.58 EUR
4800+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD117G MJD117G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.03 EUR
208+ 0.73 EUR
525+ 0.62 EUR
1050+ 0.48 EUR
2400+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 152
MJD117G MJD117G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.07 EUR
153+ 0.99 EUR
208+ 0.7 EUR
525+ 0.6 EUR
1050+ 0.46 EUR
2400+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 147
MJD117G MJD117G ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117G MJD117G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4 MJD117T4 STMicroelectronics mjd117.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 4098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.83 EUR
99+ 0.73 EUR
206+ 0.35 EUR
218+ 0.33 EUR
2500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 87
MJD117T4 MJD117T4 STMicroelectronics mjd117.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4098 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
99+ 0.73 EUR
206+ 0.35 EUR
218+ 0.33 EUR
2500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 87
MJD117T4 MJD117T4 STMicroelectronics mjd112-1849754.pdf Darlington Transistors PNP Power Darlington
auf Bestellung 6212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+ 1 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.49 EUR
2500+ 0.44 EUR
5000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD117T4 MJD117T4 STMicroelectronics en.CD00000828.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD117T4 MJD117T4 STMicroelectronics en.CD00000828.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 6989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
18+ 0.99 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 16
MJD117T4 MJD117T4 STMicroelectronics 15688cd00000828.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
5000+ 0.31 EUR
10000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD117T4 MJD117T4 STMICROELECTRONICS SGSTS36777-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4 MJD117T4 STMicroelectronics 15688cd00000828.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4 MJD117T4 STMicroelectronics 15688cd00000828.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+ 0.35 EUR
10000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
1,5nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=9mm (JD152MY5UY1-Hitano)
Produktcode: 3174		 C07-MultiCap1.pdf
1,5nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=9mm (JD152MY5UY1-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1,5nF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5U
Präzision: ±20% M
Abmessungen: Dmax=9mm
Part Nummer: JD152MY5U Y1
Клас: Y1
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.25 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.076 EUR
1000+ 0.069 EUR
150pF 400VAC Y5P K(+/-10%) Dmax=8mm (JD151KY5PY1-Hitano)
Produktcode: 3212		 C07-MultiCap1.pdf
150pF 400VAC Y5P K(+/-10%) Dmax=8mm (JD151KY5PY1-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 150pF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: Dmax=8mm
Part Nummer: JD151KY5P Y1
Клас: Y1
verfügbar: 47 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.25 EUR
10+ 0.12 EUR
1nF 400VAC Y5P K(+/-10%) Dmax=12mm (JD102KY5PY1-A2-Hitano)
Produktcode: 6356		 C07-MultiCap1.pdf
1nF 400VAC Y5P K(+/-10%) Dmax=12mm (JD102KY5PY1-A2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: Dmax=12mm
Part Nummer: JD102KY5P Y1
Клас: Y1
verfügbar: 60 Stück
erwartet: 6000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.29 EUR
10+ 0.21 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
1nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=8mm (JD102MY5UY1-A2-Hitano)
Produktcode: 3173		 C07-MultiCap1.pdf
1nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=8mm (JD102MY5UY1-A2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5U
Präzision: ±20% M
Abmessungen: Dmax=8mm
Part Nummer: JD102MY5U Y1
Клас: Y1
verfügbar: 120 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.17 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.073 EUR
MJD112 TO252 SMD MJD112.pdf
MJD112 TO252 SMD
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
225+0.32 EUR
375+ 0.19 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 225
MJD112 TO252 SMD MJD112.pdf
MJD112 TO252 SMD
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
225+0.32 EUR
375+ 0.19 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 225
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: THT
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.12 EUR
72+ 1 EUR
90+ 0.8 EUR
95+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 65
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.12 EUR
72+ 1 EUR
90+ 0.8 EUR
95+ 0.76 EUR
300+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 65
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.67 EUR
75+ 1.34 EUR
150+ 1.07 EUR
525+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD112-1G MJD112_D-2315625.pdf
MJD112-1G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.42 EUR
10+ 1.39 EUR
75+ 0.81 EUR
1050+ 0.7 EUR
2475+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
166+0.94 EUR
169+ 0.9 EUR
231+ 0.63 EUR
525+ 0.6 EUR
1050+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
169+0.93 EUR
231+ 0.65 EUR
525+ 0.62 EUR
1050+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 169
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
103+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 71
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
103+ 0.7 EUR
121+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 71
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+1.04 EUR
75+ 0.86 EUR
150+ 0.62 EUR
525+ 0.52 EUR
1050+ 0.44 EUR
2025+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17
MJD112G MJD112_D-2315625.pdf
MJD112G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 12137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.03 EUR
10+ 0.99 EUR
75+ 0.53 EUR
525+ 0.46 EUR
1050+ 0.39 EUR
2475+ 0.38 EUR
9900+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
163+0.96 EUR
171+ 0.89 EUR
340+ 0.43 EUR
525+ 0.32 EUR
1050+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 163
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MJD112G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
370+0.42 EUR
525+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 370
MJD112G ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD112G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
171+0.92 EUR
359+ 0.42 EUR
525+ 0.33 EUR
1050+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 171
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MJD112G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
355+0.44 EUR
525+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 355
MJD112RLG mjd112-d.pdf
MJD112RLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.64 EUR
14+ 1.34 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD112RLG mjd112-d.pdf
MJD112RLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1800+0.72 EUR
3600+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
MJD112RLG MJD112_D-2315625.pdf
MJD112RLG
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 14948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.65 EUR
10+ 1.35 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.82 EUR
1800+ 0.74 EUR
3600+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJD112T4 description MJD112_MJD117.pdf
MJD112T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
139+0.51 EUR
168+ 0.43 EUR
186+ 0.39 EUR
239+ 0.3 EUR
253+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 139
MJD112T4 description MJD112_MJD117.pdf
MJD112T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
139+0.51 EUR
168+ 0.43 EUR
186+ 0.39 EUR
239+ 0.3 EUR
253+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 139
MJD112T4 description en.CD00000828.pdf
MJD112T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 9238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+0.97 EUR
21+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 19
MJD112T4 description mjd112-1849754.pdf
MJD112T4
Hersteller: STMicroelectronics
Darlington Transistors NPN Power Darlington
auf Bestellung 4375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+0.98 EUR
10+ 0.85 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.44 EUR
2500+ 0.37 EUR
5000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD112T4 description en.CD00000828.pdf
MJD112T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.37 EUR
5000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4 description 15688cd00000828.pdf
MJD112T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.25 EUR
5000+ 0.23 EUR
10000+ 0.22 EUR
12500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4 description 15688cd00000828.pdf
MJD112T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4 description SGSTS36777-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD112T4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4 description en.CD00000828.pdf
Hersteller: STM
Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.67 EUR
10+ 1.6 EUR
MJD112T4 description 15688cd00000828.pdf
MJD112T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4G MJD112_D-2315625.pdf
MJD112T4G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 19838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.08 EUR
10+ 0.83 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.48 EUR
2500+ 0.43 EUR
5000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD112T4G mjd112-d.pdf
MJD112T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
185+0.85 EUR
217+ 0.7 EUR
219+ 0.66 EUR
267+ 0.52 EUR
269+ 0.5 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 185
MJD112T4G mjd112-d.pdf
MJD112T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
198+0.79 EUR
257+ 0.59 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 198
MJD112T4G MJD112-D.PDF
MJD112T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4G 2477mjd112-d.pdf
MJD112T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4G mjd112-d.pdf
MJD112T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4G mjd112-d.pdf
MJD112T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4G mjd112-d.pdf
Hersteller: ONS
Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+22.32 EUR
10+ 20.09 EUR
MJD112T4G MJD112-D.PDF
MJD112T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117-1G mjd112-d.pdf
MJD117-1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 154661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1113+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1113
MJD117G mjd112-d.pdf
MJD117G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.37 EUR
75+ 1.11 EUR
150+ 0.88 EUR
525+ 0.75 EUR
1050+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD117G MJD112_D-2315625.pdf
MJD117G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.37 EUR
10+ 1.33 EUR
75+ 0.89 EUR
525+ 0.77 EUR
1050+ 0.61 EUR
2400+ 0.58 EUR
4800+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD117G mjd112-d.pdf
MJD117G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
152+1.03 EUR
208+ 0.73 EUR
525+ 0.62 EUR
1050+ 0.48 EUR
2400+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 152
MJD117G mjd112-d.pdf
MJD117G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
147+1.07 EUR
153+ 0.99 EUR
208+ 0.7 EUR
525+ 0.6 EUR
1050+ 0.46 EUR
2400+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 147
MJD117G mjd112-d.pdf
MJD117G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117G MJD112-D.PDF
MJD117G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4 mjd117.pdf
MJD117T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 4098 Stücke:
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87+0.83 EUR
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218+ 0.33 EUR
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MJD117T4 mjd117.pdf
MJD117T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4098 Stücke:
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99+ 0.73 EUR
206+ 0.35 EUR
218+ 0.33 EUR
2500+ 0.32 EUR
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MJD117T4 mjd112-1849754.pdf
MJD117T4
Hersteller: STMicroelectronics
Darlington Transistors PNP Power Darlington
auf Bestellung 6212 Stücke:
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10+ 1 EUR
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500+ 0.58 EUR
1000+ 0.49 EUR
2500+ 0.44 EUR
5000+ 0.41 EUR
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MJD117T4 en.CD00000828.pdf
MJD117T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.43 EUR
5000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD117T4 en.CD00000828.pdf
MJD117T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 6989 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
16+1.14 EUR
18+ 0.99 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 16
MJD117T4 15688cd00000828.pdf
MJD117T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.38 EUR
5000+ 0.31 EUR
10000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD117T4 SGSTS36777-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD117T4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4 15688cd00000828.pdf
MJD117T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4 15688cd00000828.pdf
MJD117T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.39 EUR
5000+ 0.35 EUR
10000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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