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10N65 10N65 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988D95C66170218BF&compId=10N65.pdf?ci_sign=54fff5a91db75f758aebf2bc33bd96453108761e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.83 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
148+0.48 EUR
156+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 10N65 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988D95C66170218BF&compId=10N65.pdf?ci_sign=54fff5a91db75f758aebf2bc33bd96453108761e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
148+0.48 EUR
156+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 LGE Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N60
auf Bestellung 8995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49EDBC5E7C77F55EA&compId=AOT10N60.pdf?ci_sign=3842a916860c60c7f8334034c6e7a38d38c15cde Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+1.73 EUR
47+1.53 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 ALPHA&OMEGA AOT10N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49EDBC5E7C77F55EA&compId=AOT10N60.pdf?ci_sign=3842a916860c60c7f8334034c6e7a38d38c15cde Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
47+1.53 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 AOT10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 AOT10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 AOTF10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.76 EUR
46+1.56 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 AOTF10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.76 EUR
46+1.56 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B3E8A50&compId=AOTF10N65-DTE.pdf?ci_sign=735051453199aeffd1efdf18f2a1ebe26b17a160 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
100+1.04 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B3E8A50&compId=AOTF10N65-DTE.pdf?ci_sign=735051453199aeffd1efdf18f2a1ebe26b17a160 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
100+1.04 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9E1B5D6C894C0D6&compId=BXP10N60F-DTE.pdf?ci_sign=05f4b7450a3a1c144e32289588c8e2489341e9c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
250+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE52C1527DE0D2&compId=BXP10N65C.pdf?ci_sign=4216791ca9da7753a90cedb4c265b4ff5403c768 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+0.73 EUR
129+0.56 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE52C1527DE0D2&compId=BXP10N65C.pdf?ci_sign=4216791ca9da7753a90cedb4c265b4ff5403c768 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
129+0.56 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F FCB110N65F onsemi / Fairchild fcb110n65f-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
auf Bestellung 3809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+6.49 EUR
100+6.11 EUR
500+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03 FLS010N6P03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.61 EUR
10+8.61 EUR
50+8.59 EUR
250+7.83 EUR
500+7.43 EUR
1000+6.95 EUR
2500+6.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03-PM FLS010N6P03-PM Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.5 EUR
10+8.45 EUR
25+8.41 EUR
50+8.4 EUR
250+7.96 EUR
500+7.55 EUR
1000+7.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6PHEC03 FLS010N6PHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.71 EUR
10+13.27 EUR
50+13.25 EUR
100+13.16 EUR
250+12.8 EUR
500+11.99 EUR
1000+11.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03 FLS010N6S03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12 EUR
10+10.4 EUR
25+10.21 EUR
50+10.19 EUR
100+9.66 EUR
500+9.35 EUR
1000+8.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03-PM FLS010N6S03-PM Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.33 EUR
10+8.29 EUR
25+8.2 EUR
50+8.18 EUR
100+7.59 EUR
500+7.39 EUR
1000+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6SHEC03 FLS010N6SHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.9 EUR
10+12.65 EUR
50+12.64 EUR
250+11.07 EUR
500+10.88 EUR
1000+10.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS610N6PHEC03 FLS610N6PHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 7 POS PLUG
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.51 EUR
10+14.03 EUR
25+13.87 EUR
100+13.48 EUR
500+13.36 EUR
1000+12.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS610N6SHEC03 FLS610N6SHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 7 POS PLUG
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.29 EUR
10+17.34 EUR
25+17.12 EUR
50+17.11 EUR
100+16.26 EUR
250+15.88 EUR
500+14.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS6BS10N6S03 FLS6BS10N6S03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.57 EUR
10+20.75 EUR
25+19.94 EUR
50+19.34 EUR
100+17.93 EUR
250+16.67 EUR
500+15.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6P03 FLS710N6P03 Amphenol SINE Systems FLS710N6P03.pdf Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.38 EUR
10+12.97 EUR
50+12.95 EUR
100+12.87 EUR
250+11.77 EUR
500+11.56 EUR
1000+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6PHEC03 FLS710N6PHEC03 Amphenol SINE Systems FLS710N6PHEC03.pdf Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.82 EUR
10+19.47 EUR
25+19.34 EUR
50+19.32 EUR
100+18.57 EUR
250+17.97 EUR
500+16.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6S03 FLS710N6S03 Amphenol SINE Systems FLS710N6S03.pdf Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.27 EUR
10+16.4 EUR
25+15.49 EUR
50+15.14 EUR
100+13.82 EUR
250+13.13 EUR
500+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FN2010N-60-24 FN2010N-60-24 TE Connectivity / Schaffner Schaffner_datasheet_FN2010-3577466.pdf Power Line Filters 250Vac 60A 1mH Screw EMI Filter
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+207.4 EUR
10+180.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B30CC332344FA8&compId=IGB10N60T-DTE.pdf?ci_sign=90664c525528d16e0bd90c7ad7dc5eade2a10283 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
auf Bestellung 129 Stücke:
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IGB10N60TATMA1 Infineon IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B30CC332344FA8&compId=IGB10N60T-DTE.pdf?ci_sign=90664c525528d16e0bd90c7ad7dc5eade2a10283 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
50+1.46 EUR
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IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B318DF300C4FA8&compId=IGP10N60T-DTE.pdf?ci_sign=f59911f7c955bf848f9d1c58b355b7bf48440da2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.8 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 40
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IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B318DF300C4FA8&compId=IGP10N60T-DTE.pdf?ci_sign=f59911f7c955bf848f9d1c58b355b7bf48440da2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
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IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EFAAFFDA7933D6&compId=IKA10N65ET6.pdf?ci_sign=357318a9289c8383d9971a53bdf9a9a379462c13 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
auf Bestellung 103 Stücke:
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38+1.93 EUR
41+1.77 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EFAAFFDA7933D6&compId=IKA10N65ET6.pdf?ci_sign=357318a9289c8383d9971a53bdf9a9a379462c13 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
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38+1.93 EUR
41+1.77 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 38
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IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Infineon-IKA10N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d55a5527e IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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10+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD3C93FDBDF820&compId=IKB10N60T.pdf?ci_sign=ac3f6735529e5b82d20ec8c5b3cf138128615c0e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.09 EUR
36+2.03 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD3C93FDBDF820&compId=IKB10N60T.pdf?ci_sign=ac3f6735529e5b82d20ec8c5b3cf138128615c0e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
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24+3.09 EUR
36+2.03 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB10N60T_DS_v02_06_EN-1226996.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
auf Bestellung 1417 Stücke:
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1+3.26 EUR
10+2.09 EUR
100+1.45 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.9 EUR
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IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362116.pdf IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 4443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
100+0.9 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IKD10N60RF IKD10N60RF Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN-3361983.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.99 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN-3361983.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 6812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.83 EUR
100+1.22 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60T IKP10N60T Infineon Technologies Infineon_IKP10N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361884.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+2.11 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.95 EUR
55+1.3 EUR
58+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 IXYS media-3320961.pdf MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.62 EUR
10+52.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3172A28B93820&compId=IXFA(P)10N60P.pdf?ci_sign=de7479bbe4bb559868fc81e62408fc15628ae2c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
27+2.73 EUR
28+2.59 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3172A28B93820&compId=IXFA(P)10N60P.pdf?ci_sign=de7479bbe4bb559868fc81e62408fc15628ae2c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
27+2.73 EUR
28+2.59 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS media-3319600.pdf MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS media-3319784.pdf MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+5.19 EUR
100+3.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.49 EUR
7+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.49 EUR
7+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS media-3322195.pdf IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.33 EUR
10+13.13 EUR
510+12.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.1 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.1 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988D95C66170218BF&compId=10N65.pdf?ci_sign=54fff5a91db75f758aebf2bc33bd96453108761e
10N65
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
148+0.48 EUR
156+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988D95C66170218BF&compId=10N65.pdf?ci_sign=54fff5a91db75f758aebf2bc33bd96453108761e
10N65
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
148+0.48 EUR
156+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N60
auf Bestellung 8995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49EDBC5E7C77F55EA&compId=AOT10N60.pdf?ci_sign=3842a916860c60c7f8334034c6e7a38d38c15cde
AOT10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
47+1.53 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49EDBC5E7C77F55EA&compId=AOT10N60.pdf?ci_sign=3842a916860c60c7f8334034c6e7a38d38c15cde
AOT10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
47+1.53 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
AOT10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
AOT10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
AOTF10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
46+1.56 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
AOTF10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
46+1.56 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B3E8A50&compId=AOTF10N65-DTE.pdf?ci_sign=735051453199aeffd1efdf18f2a1ebe26b17a160
AOTF10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
100+1.04 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B3E8A50&compId=AOTF10N65-DTE.pdf?ci_sign=735051453199aeffd1efdf18f2a1ebe26b17a160
AOTF10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
100+1.04 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9E1B5D6C894C0D6&compId=BXP10N60F-DTE.pdf?ci_sign=05f4b7450a3a1c144e32289588c8e2489341e9c1
BXP10N60F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
250+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE52C1527DE0D2&compId=BXP10N65C.pdf?ci_sign=4216791ca9da7753a90cedb4c265b4ff5403c768
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
129+0.56 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE52C1527DE0D2&compId=BXP10N65C.pdf?ci_sign=4216791ca9da7753a90cedb4c265b4ff5403c768
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
129+0.56 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
auf Bestellung 3809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.13 EUR
10+6.49 EUR
100+6.11 EUR
500+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03
FLS010N6P03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.61 EUR
10+8.61 EUR
50+8.59 EUR
250+7.83 EUR
500+7.43 EUR
1000+6.95 EUR
2500+6.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03-PM
FLS010N6P03-PM
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.5 EUR
10+8.45 EUR
25+8.41 EUR
50+8.4 EUR
250+7.96 EUR
500+7.55 EUR
1000+7.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6PHEC03
FLS010N6PHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.71 EUR
10+13.27 EUR
50+13.25 EUR
100+13.16 EUR
250+12.8 EUR
500+11.99 EUR
1000+11.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03
FLS010N6S03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12 EUR
10+10.4 EUR
25+10.21 EUR
50+10.19 EUR
100+9.66 EUR
500+9.35 EUR
1000+8.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03-PM
FLS010N6S03-PM
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.33 EUR
10+8.29 EUR
25+8.2 EUR
50+8.18 EUR
100+7.59 EUR
500+7.39 EUR
1000+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6SHEC03
FLS010N6SHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.9 EUR
10+12.65 EUR
50+12.64 EUR
250+11.07 EUR
500+10.88 EUR
1000+10.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS610N6PHEC03
FLS610N6PHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.51 EUR
10+14.03 EUR
25+13.87 EUR
100+13.48 EUR
500+13.36 EUR
1000+12.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS610N6SHEC03
FLS610N6SHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.29 EUR
10+17.34 EUR
25+17.12 EUR
50+17.11 EUR
100+16.26 EUR
250+15.88 EUR
500+14.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS6BS10N6S03
FLS6BS10N6S03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.57 EUR
10+20.75 EUR
25+19.94 EUR
50+19.34 EUR
100+17.93 EUR
250+16.67 EUR
500+15.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6P03 FLS710N6P03.pdf
FLS710N6P03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.38 EUR
10+12.97 EUR
50+12.95 EUR
100+12.87 EUR
250+11.77 EUR
500+11.56 EUR
1000+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6PHEC03 FLS710N6PHEC03.pdf
FLS710N6PHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.82 EUR
10+19.47 EUR
25+19.34 EUR
50+19.32 EUR
100+18.57 EUR
250+17.97 EUR
500+16.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6S03 FLS710N6S03.pdf
FLS710N6S03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.27 EUR
10+16.4 EUR
25+15.49 EUR
50+15.14 EUR
100+13.82 EUR
250+13.13 EUR
500+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FN2010N-60-24 Schaffner_datasheet_FN2010-3577466.pdf
FN2010N-60-24
Hersteller: TE Connectivity / Schaffner
Power Line Filters 250Vac 60A 1mH Screw EMI Filter
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+207.4 EUR
10+180.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B30CC332344FA8&compId=IGB10N60T-DTE.pdf?ci_sign=90664c525528d16e0bd90c7ad7dc5eade2a10283
IGB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
50+1.46 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B30CC332344FA8&compId=IGB10N60T-DTE.pdf?ci_sign=90664c525528d16e0bd90c7ad7dc5eade2a10283
IGB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
50+1.46 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
250+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B318DF300C4FA8&compId=IGP10N60T-DTE.pdf?ci_sign=f59911f7c955bf848f9d1c58b355b7bf48440da2
IGP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B318DF300C4FA8&compId=IGP10N60T-DTE.pdf?ci_sign=f59911f7c955bf848f9d1c58b355b7bf48440da2
IGP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EFAAFFDA7933D6&compId=IKA10N65ET6.pdf?ci_sign=357318a9289c8383d9971a53bdf9a9a379462c13
IKA10N65ET6XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.77 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EFAAFFDA7933D6&compId=IKA10N65ET6.pdf?ci_sign=357318a9289c8383d9971a53bdf9a9a379462c13
IKA10N65ET6XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.77 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 Infineon-IKA10N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d55a5527e
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD3C93FDBDF820&compId=IKB10N60T.pdf?ci_sign=ac3f6735529e5b82d20ec8c5b3cf138128615c0e
IKB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
36+2.03 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD3C93FDBDF820&compId=IKB10N60T.pdf?ci_sign=ac3f6735529e5b82d20ec8c5b3cf138128615c0e
IKB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
36+2.03 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 Infineon_IKB10N60T_DS_v02_06_EN-1226996.pdf
IKB10N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.26 EUR
10+2.09 EUR
100+1.45 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon_IKD10N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362116.pdf
IKD10N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 4443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.01 EUR
100+0.9 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RF Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN-3361983.pdf
IKD10N60RF
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.62 EUR
10+1.99 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RFATMA1 Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN-3361983.pdf
IKD10N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 6812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.87 EUR
10+1.83 EUR
100+1.22 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60T Infineon_IKP10N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361884.pdf
IKP10N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.04 EUR
10+2.11 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde
IKP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
55+1.3 EUR
58+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N60P3 media-3320961.pdf
IXFN110N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+63.62 EUR
10+52.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3172A28B93820&compId=IXFA(P)10N60P.pdf?ci_sign=de7479bbe4bb559868fc81e62408fc15628ae2c2
IXFP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
27+2.73 EUR
28+2.59 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3172A28B93820&compId=IXFA(P)10N60P.pdf?ci_sign=de7479bbe4bb559868fc81e62408fc15628ae2c2
IXFP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
27+2.73 EUR
28+2.59 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P media-3319600.pdf
IXFP10N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.53 EUR
10+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11
IXTP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P media-3319784.pdf
IXTP10N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.83 EUR
10+5.19 EUR
100+3.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.49 EUR
7+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.49 EUR
7+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 media-3322195.pdf
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.33 EUR
10+13.13 EUR
510+12.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.1 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.1 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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