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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano) 560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano)
Produktcode: 199275 		Hitano mlcc-approval_20190116.pdf Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 560 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0402
erwartet: 10000 Stück
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano) 56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano)
Produktcode: 153914 		Hitano mlcc-approval_20190116.pdf Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 56 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0402
auf Bestellung 8450 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N56-50-8080-A00 3M 2N56-50-8080-A00
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+52.31 EUR
5+ 48.83 EUR
10+ 45.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N56-50-8080-A11 3M 2N56-50-8080-A11
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+56.58 EUR
5+ 52.82 EUR
10+ 49.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5634 2N5634 Harris Corporation CSEM-S-A0006506571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+116 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N5638RLRA 2N5638RLRA onsemi Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5638RLRA ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5638RLRA - 2N5638RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5638RLRAG 2N5638RLRAG onsemi Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
auf Bestellung 15191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5638RLRAG ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5638RLRAG - 2N5638RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5639 2N5639 Fairchild Semiconductor FAIRS35663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
auf Bestellung 21885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 952
2N5639 ONSEMI FAIRS35663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2N5639 - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5639G 2N5639G onsemi Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5639G ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5639G - 2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5639RLRA 2N5639RLRA onsemi ONSMS11150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5639RLRA ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5639RLRA - 2N5639RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5639RLRAG 2N5639RLRAG onsemi Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5639RLRAG ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5639RLRAG - 2N5639RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5643 2N5643 Advanced Semiconductor, Inc. 2n5643-18272.pdf RF Bipolar Transistors RF Transistor
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+100.3 EUR
10+ 91.19 EUR
25+ 88.14 EUR
50+ 85.11 EUR
100+ 82.07 EUR
250+ 79.02 EUR
500+ 76 EUR
2N5655 2N5655 onsemi 2N5655G%2C57G.pdf Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5655 ONSEMI ONSMS12831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5655G 2N5655G onsemi 2N5655G%2C57G.pdf Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
2N5655G ONSEMI ONSM-S-A0013339538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5657G 2N5657G ON Semiconductor 2n5655-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5663 General Semiconductor MSLWS00512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+37.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
2N5664 2N5664 Microchip Technology LDS_0062-1593858.pdf Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.67 EUR
100+ 66.53 EUR
2N5666 Microchip Technology LDS_0062-1593858.pdf Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.83 EUR
100+ 67.64 EUR
2N5671 2N5671 Harris Corporation HRISD005-2-44.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 6 W
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+98.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N5679 PBFREE 2N5679 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.73 EUR
10+ 3.98 EUR
25+ 3.75 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 3.17 EUR
500+ 2.69 EUR
1000+ 2.45 EUR
2N5680 Microchip Technology 2N5679-1593420.pdf Bipolar Transistors - BJT 120V PVP Power BJT THT
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.14 EUR
100+ 35.41 EUR
2N5680 PBFREE 2N5680 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+ 6.67 EUR
25+ 6.28 EUR
100+ 5.46 EUR
500+ 4.61 EUR
2500+ 4.44 EUR
5000+ 4.24 EUR
2N5680 PBFREE 2N5680 PBFREE Central Semiconductor 2n5679-5682.pdf Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5680 PBFREE 2N5680 PBFREE Central Semiconductor 2n5679-5682.pdf Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5681 PBFREE 2N5681 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.94 EUR
10+ 6.67 EUR
25+ 6.28 EUR
100+ 5.39 EUR
250+ 5.24 EUR
500+ 4.44 EUR
1000+ 4.07 EUR
2N5682 2N5682 CDIL 2N5679_82.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
138+ 0.52 EUR
153+ 0.47 EUR
171+ 0.42 EUR
174+ 0.41 EUR
181+ 0.4 EUR
500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66
2N5682 2N5682 CDIL 2N5679_82.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
138+ 0.52 EUR
153+ 0.47 EUR
171+ 0.42 EUR
174+ 0.41 EUR
181+ 0.4 EUR
500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66
2N5682 2N5682 MULTICOMP PRO 2861206.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5682 PBFREE 2N5682 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+ 4.35 EUR
25+ 4.15 EUR
100+ 3.85 EUR
500+ 3.26 EUR
1000+ 2.97 EUR
2500+ 2.9 EUR
2N5682 PBFREE 2N5682 PBFREE Central Semiconductor 2n5679-5682.pdf Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5682 PBFREE 2N5682 PBFREE Central Semiconductor 2n5679-5682.pdf Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5684 2N5684 Microchip Technology 2N5683-1593423.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 50A PNP Power BJT THT
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+193.39 EUR
100+ 179.57 EUR
2N5684G 2N5684G onsemi 2N5684_D-2309214.pdf Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.76 EUR
10+ 21.84 EUR
20+ 21.23 EUR
50+ 20.05 EUR
100+ 18.87 EUR
200+ 18.29 EUR
500+ 17.11 EUR
2N5684G 2N5684G onsemi 2n5684-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.6 EUR
10+ 21.67 EUR
25+ 19.92 EUR
100+ 18.75 EUR
2N5684G 2N5684G ON Semiconductor 2n5684-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N5684G 2N5684G ONSEMI ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5684G 2N5684G ON Semiconductor 2n5684-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+16.32 EUR
200+ 15.62 EUR
300+ 14.89 EUR
500+ 14.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N5684G 2N5684G ON Semiconductor 2n5684-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+16.32 EUR
200+ 15.62 EUR
300+ 14.89 EUR
500+ 14.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N5685 2N5685 Microchip Technology 8972-lds-0162-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+130.91 EUR
2N5686 2N5686 MULTICOMP PRO 2861096.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5686 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5686G 2N5686G onsemi 2N5684_D-2309214.pdf Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.31 EUR
10+ 26.72 EUR
20+ 26 EUR
50+ 24.53 EUR
100+ 23.09 EUR
200+ 22.37 EUR
500+ 20.93 EUR
2N5686G 2N5686G ONSEMI ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N56 CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N560 MOT CAN
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N560 MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5609 TOSHIBA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5609 NEC 04+
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N560A MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N561 MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5610 NEC 04+
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5611 SEMELAB
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5611A SEMELAB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano)
Produktcode: 199275		 mlcc-approval_20190116.pdf
560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 560 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0402
erwartet: 10000 Stück
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano)
Produktcode: 153914		 mlcc-approval_20190116.pdf
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 56 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0402
auf Bestellung 8450 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N56-50-8080-A00
Hersteller: 3M
2N56-50-8080-A00
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+52.31 EUR
5+ 48.83 EUR
10+ 45.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N56-50-8080-A11
Hersteller: 3M
2N56-50-8080-A11
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+56.58 EUR
5+ 52.82 EUR
10+ 49.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5634 CSEM-S-A0006506571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5634
Hersteller: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+116 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N5638RLRA
2N5638RLRA
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5638RLRA ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5638RLRA - 2N5638RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5638RLRAG
2N5638RLRAG
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
auf Bestellung 15191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5638RLRAG ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5638RLRAG - 2N5638RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5639 FAIRS35663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5639
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
auf Bestellung 21885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
952+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 952
2N5639 FAIRS35663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5639G
2N5639G
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5639G ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639G - 2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5639RLRA ONSMS11150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5639RLRA
Hersteller: onsemi
Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5639RLRA ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639RLRA - 2N5639RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5639RLRAG
2N5639RLRAG
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5639RLRAG ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639RLRAG - 2N5639RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5643 2n5643-18272.pdf
2N5643
Hersteller: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+100.3 EUR
10+ 91.19 EUR
25+ 88.14 EUR
50+ 85.11 EUR
100+ 82.07 EUR
250+ 79.02 EUR
500+ 76 EUR
2N5655 2N5655G%2C57G.pdf
2N5655
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2N5655 ONSMS12831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5655G 2N5655G%2C57G.pdf
2N5655G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1480+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
2N5655G ONSM-S-A0013339538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5657G 2n5655-d.pdf
2N5657G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5663 MSLWS00512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: General Semiconductor
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+37.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
2N5664 LDS_0062-1593858.pdf
2N5664
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+71.67 EUR
100+ 66.53 EUR
2N5666 LDS_0062-1593858.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+72.83 EUR
100+ 67.64 EUR
2N5671 HRISD005-2-44.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5671
Hersteller: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 6 W
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5+98.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N5679 PBFREE
2N5679 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
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1+4.73 EUR
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25+ 3.75 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 3.17 EUR
500+ 2.69 EUR
1000+ 2.45 EUR
2N5680 2N5679-1593420.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 120V PVP Power BJT THT
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2N5680 PBFREE
2N5680 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
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10+ 6.67 EUR
25+ 6.28 EUR
100+ 5.46 EUR
500+ 4.61 EUR
2500+ 4.44 EUR
5000+ 4.24 EUR
2N5680 PBFREE 2n5679-5682.pdf
2N5680 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
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2N5680 PBFREE 2n5679-5682.pdf
2N5680 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 4 Stücke:
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2N5681 PBFREE
2N5681 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
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10+ 6.67 EUR
25+ 6.28 EUR
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250+ 5.24 EUR
500+ 4.44 EUR
1000+ 4.07 EUR
2N5682 2N5679_82.pdf
2N5682
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 823 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
66+1.09 EUR
138+ 0.52 EUR
153+ 0.47 EUR
171+ 0.42 EUR
174+ 0.41 EUR
181+ 0.4 EUR
500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66
2N5682 2N5679_82.pdf
2N5682
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+1.09 EUR
138+ 0.52 EUR
153+ 0.47 EUR
171+ 0.42 EUR
174+ 0.41 EUR
181+ 0.4 EUR
500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66
2N5682 2861206.pdf
2N5682
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5682 PBFREE
2N5682 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
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1+5.03 EUR
10+ 4.35 EUR
25+ 4.15 EUR
100+ 3.85 EUR
500+ 3.26 EUR
1000+ 2.97 EUR
2500+ 2.9 EUR
2N5682 PBFREE 2n5679-5682.pdf
2N5682 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5682 PBFREE 2n5679-5682.pdf
2N5682 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5684 2N5683-1593423.pdf
2N5684
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 50A PNP Power BJT THT
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+193.39 EUR
100+ 179.57 EUR
2N5684G 2N5684_D-2309214.pdf
2N5684G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP
auf Bestellung 120 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+24.76 EUR
10+ 21.84 EUR
20+ 21.23 EUR
50+ 20.05 EUR
100+ 18.87 EUR
200+ 18.29 EUR
500+ 17.11 EUR
2N5684G 2n5684-d.pdf
2N5684G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+24.6 EUR
10+ 21.67 EUR
25+ 19.92 EUR
100+ 18.75 EUR
2N5684G 2n5684-d.pdf
2N5684G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+19.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N5684G ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5684G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5684G 2n5684-d.pdf
2N5684G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+16.32 EUR
200+ 15.62 EUR
300+ 14.89 EUR
500+ 14.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N5684G 2n5684-d.pdf
2N5684G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+16.32 EUR
200+ 15.62 EUR
300+ 14.89 EUR
500+ 14.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N5685 8972-lds-0162-datasheet
2N5685
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+130.91 EUR
2N5686 2861096.pdf
2N5686
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5686 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5686G 2N5684_D-2309214.pdf
2N5686G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+30.31 EUR
10+ 26.72 EUR
20+ 26 EUR
50+ 24.53 EUR
100+ 23.09 EUR
200+ 22.37 EUR
500+ 20.93 EUR
2N5686G ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5686G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N56
CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N560
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N560
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5609
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5609
Hersteller: NEC
04+
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N560A
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N561
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5610
Hersteller: NEC
04+
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5611
Hersteller: SEMELAB
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5611A
Hersteller: SEMELAB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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