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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 206983
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Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 29 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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FAIR hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 7 Stück
5 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+3.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 102 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 87 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 Infineon 09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 HARRIS 09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.28 EUR
10+4.74 EUR
25+4.35 EUR
100+3.93 EUR
250+3.73 EUR
500+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.23 EUR
10+4.72 EUR
25+4.33 EUR
100+3.91 EUR
250+3.71 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKP20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b0927c97 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 23130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
160+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.84 EUR
10+17.12 EUR
25+15.38 EUR
100+14.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKQ120N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b6d77c9b Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.55 EUR
10+19.40 EUR
30+17.89 EUR
120+16.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.09 EUR
10+10.07 EUR
25+9.56 EUR
100+8.99 EUR
240+5.67 EUR
480+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.46 EUR
10+5.67 EUR
25+4.17 EUR
100+3.41 EUR
250+3.17 EUR
600+2.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 FCA20N60 onsemi / Fairchild FCA20N60_D-3538078.pdf MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+7.99 EUR
25+6.12 EUR
100+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi fca20n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.81 EUR
30+6.80 EUR
120+5.70 EUR
510+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi / Fairchild fca20n60_f109-d.pdf MOSFETs 600V N-CH MOSFET
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
30+6.18 EUR
120+5.65 EUR
510+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild fca20n60f-d.pdf MOSFETs 600V N-CH FRFET
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.14 EUR
10+11.09 EUR
30+5.86 EUR
120+5.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F FCA20N60F onsemi fca20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.13 EUR
30+7.00 EUR
120+5.87 EUR
510+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi / Fairchild fcb20n60f-d.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
auf Bestellung 10639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.42 EUR
10+6.58 EUR
25+6.56 EUR
100+5.03 EUR
800+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi fcb20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi fcb20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 2058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.72 EUR
10+7.21 EUR
100+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi fcb20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.45 EUR
10+7.02 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi / Fairchild fcb20n60-d.pdf MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 11287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.12 EUR
10+6.86 EUR
25+6.85 EUR
100+5.03 EUR
250+5.02 EUR
500+5.00 EUR
800+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi / Fairchild fcd620n60zf-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
auf Bestellung 4930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.41 EUR
100+1.76 EUR
500+1.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi fcd620n60zf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
auf Bestellung 7361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.83 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi fcd620n60zf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.66 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.66 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+8.11 EUR
50+5.21 EUR
100+4.80 EUR
250+4.79 EUR
500+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 6197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.16 EUR
50+5.39 EUR
100+4.93 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.65 EUR
12+5.98 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.65 EUR
12+5.98 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi / Fairchild fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
25+5.21 EUR
100+4.77 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.19 EUR
50+5.40 EUR
100+4.94 EUR
500+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi / Fairchild FGB20N60S_F085_D-1809311.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
auf Bestellung 1598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+4.98 EUR
25+4.96 EUR
100+3.68 EUR
250+3.66 EUR
500+3.64 EUR
800+3.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+5.47 EUR
100+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3R HGT1S20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
155+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4 Fairchaild IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+17.09 EUR
10+15.38 EUR
100+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60C3R HGTG20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
123+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3 IGB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB20N60H3_DataSheet_v02_03_EN-3361595.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.78 EUR
10+2.38 EUR
100+1.80 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a4677106a2b6d Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.70 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 IGP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.06 EUR
100+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.40 EUR
5000+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.36 EUR
10+2.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D
Produktcode: 206983
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hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: Alfa@Omega
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 29 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 7 Stück
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2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+3.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 102 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 87 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: FAIRCHILD
TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: Infineon
09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: SIEMENS
2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: HARRIS
09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.28 EUR
10+4.74 EUR
25+4.35 EUR
100+3.93 EUR
250+3.73 EUR
500+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.23 EUR
10+4.72 EUR
25+4.33 EUR
100+3.91 EUR
250+3.71 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 Infineon-AIKP20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b0927c97
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 23130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.84 EUR
10+17.12 EUR
25+15.38 EUR
100+14.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon-AIKQ120N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b6d77c9b
AIKQ120N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.55 EUR
10+19.40 EUR
30+17.89 EUR
120+16.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.09 EUR
10+10.07 EUR
25+9.56 EUR
100+8.99 EUR
240+5.67 EUR
480+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60T Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf
BIDW20N60T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.46 EUR
10+5.67 EUR
25+4.17 EUR
100+3.41 EUR
250+3.17 EUR
600+2.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 FCA20N60_D-3538078.pdf
FCA20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.01 EUR
10+7.99 EUR
25+6.12 EUR
100+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.81 EUR
30+6.80 EUR
120+5.70 EUR
510+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.47 EUR
30+6.18 EUR
120+5.65 EUR
510+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH FRFET
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.14 EUR
10+11.09 EUR
30+5.86 EUR
120+5.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.13 EUR
30+7.00 EUR
120+5.87 EUR
510+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH FRFET
auf Bestellung 10639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.42 EUR
10+6.58 EUR
25+6.56 EUR
100+5.03 EUR
800+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 2058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.72 EUR
10+7.21 EUR
100+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.45 EUR
10+7.02 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 11287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.12 EUR
10+6.86 EUR
25+6.85 EUR
100+5.03 EUR
250+5.02 EUR
500+5.00 EUR
800+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCD620N60ZF
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
auf Bestellung 4930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.52 EUR
10+2.41 EUR
100+1.76 EUR
500+1.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
auf Bestellung 7361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.38 EUR
10+2.83 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.66 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.66 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.69 EUR
10+8.11 EUR
50+5.21 EUR
100+4.80 EUR
250+4.79 EUR
500+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 6197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.16 EUR
50+5.39 EUR
100+4.93 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.65 EUR
12+5.98 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.65 EUR
12+5.98 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 fcp20n60-d.pdf
FCPF20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.98 EUR
25+5.21 EUR
100+4.77 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 fcp20n60-d.pdf
FCPF20N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.19 EUR
50+5.40 EUR
100+4.94 EUR
500+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60S_F085_D-1809311.pdf
FGB20N60SFD-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
auf Bestellung 1598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.06 EUR
10+4.98 EUR
25+4.96 EUR
100+3.68 EUR
250+3.66 EUR
500+3.64 EUR
800+3.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.25 EUR
10+5.47 EUR
100+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S20N60C3R
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
155+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4
Hersteller: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.09 EUR
10+15.38 EUR
100+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N60C3R
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3 Infineon_IGB20N60H3_DataSheet_v02_03_EN-3361595.pdf
IGB20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.78 EUR
10+2.38 EUR
100+1.80 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a4677106a2b6d
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.19 EUR
10+2.70 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf
IGP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.49 EUR
10+2.06 EUR
100+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.40 EUR
5000+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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