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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 206983
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Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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FAIR hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 6 Stück
5 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+3.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 97 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 36 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 194 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 Infineon 09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 HARRIS 09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.91 EUR
10+4.1 EUR
100+3.52 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.28 EUR
10+17.12 EUR
25+15.59 EUR
50+15.58 EUR
100+15.31 EUR
240+13.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+7.69 EUR
100+6.21 EUR
480+4.88 EUR
1200+4.75 EUR
2640+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+5.33 EUR
100+4.4 EUR
600+4.14 EUR
1200+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 FCA20N60 onsemi / Fairchild FCA20N60_D-3538078.pdf MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.11 EUR
10+6.41 EUR
100+5.37 EUR
450+5.35 EUR
900+5.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi / Fairchild fca20n60_f109-d.pdf MOSFETs 600V N-CH MOSFET
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.49 EUR
10+6.27 EUR
100+5.46 EUR
450+5.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild fca20n60f-d.pdf MOSFETs 600V N-CH FRFET
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+6.05 EUR
120+5.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.62 EUR
12+6.11 EUR
20+3.66 EUR
21+3.47 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi / Fairchild fcb20n60f-d.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
auf Bestellung 10586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.26 EUR
10+6.49 EUR
100+5.12 EUR
500+4.84 EUR
800+4.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi / Fairchild fcb20n60-d.pdf MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 8541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.06 EUR
10+6.74 EUR
100+4.95 EUR
500+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi / Fairchild fcd620n60zf-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
auf Bestellung 4743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.65 EUR
100+1.38 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.66 EUR
10+5.23 EUR
100+4.77 EUR
500+4.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.3 EUR
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.3 EUR
18+4.06 EUR
50+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi / Fairchild fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.33 EUR
10+5.17 EUR
100+4.72 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi / Fairchild FGB20N60S_F085_D-1809311.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.76 EUR
10+5.16 EUR
100+3.68 EUR
500+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4 Fairchaild IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+15.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.59 EUR
34+2.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 28
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IGP20N60H3 IGP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 361 Stücke:
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1000+1.13 EUR
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5000+1.03 EUR
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IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 25
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IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
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47+1.54 EUR
50+1.5 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IGW20N60H3 IGW20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW20N60H3_DS_v02_02_en-3360249.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 670 Stücke:
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25+2.9 EUR
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240+2.34 EUR
480+2.16 EUR
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IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.78 EUR
23+3.23 EUR
24+3 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
35+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 709 Stücke:
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1000+1.56 EUR
2000+1.42 EUR
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IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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1+5.17 EUR
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100+2.38 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.63 EUR
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IKP20N60H3 IKP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.33 EUR
10+4.79 EUR
100+3.85 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.76 EUR
2500+1.31 EUR
5000+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5
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IKP20N60T IKP20N60T Infineon Technologies Infineon_IKP20N60T_DS_v02_08_EN-1226893.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.12 EUR
25+2.57 EUR
100+2.31 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.62 EUR
5000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
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IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
8+8.94 EUR
21+3.4 EUR
50+2.04 EUR
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IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 190 Stücke:
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10+12.07 EUR
100+10.35 EUR
480+9.87 EUR
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IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.12 EUR
19+3.88 EUR
21+3.47 EUR
22+3.27 EUR
30+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.12 EUR
19+3.88 EUR
21+3.47 EUR
22+3.27 EUR
30+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.86 EUR
10+3.82 EUR
100+2.99 EUR
480+2.48 EUR
1200+2.15 EUR
2640+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 Infineon IGBT%20Selection%20Guide.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
16+4.46 EUR
30+2.79 EUR
60+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.36 EUR
10+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D
Produktcode: 206983
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hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: Alfa@Omega
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 6 Stück
5 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+3.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 97 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 36 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 194 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: FAIRCHILD
TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: Infineon
09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: SIEMENS
2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: HARRIS
09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.91 EUR
10+4.1 EUR
100+3.52 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.28 EUR
10+17.12 EUR
25+15.59 EUR
50+15.58 EUR
100+15.31 EUR
240+13.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.01 EUR
10+7.69 EUR
100+6.21 EUR
480+4.88 EUR
1200+4.75 EUR
2640+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60T Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf
BIDW20N60T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.97 EUR
10+5.33 EUR
100+4.4 EUR
600+4.14 EUR
1200+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 FCA20N60_D-3538078.pdf
FCA20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.11 EUR
10+6.41 EUR
100+5.37 EUR
450+5.35 EUR
900+5.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.49 EUR
10+6.27 EUR
100+5.46 EUR
450+5.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH FRFET
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.72 EUR
10+6.05 EUR
120+5.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
12+6.11 EUR
20+3.66 EUR
21+3.47 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH FRFET
auf Bestellung 10586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.26 EUR
10+6.49 EUR
100+5.12 EUR
500+4.84 EUR
800+4.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 8541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.06 EUR
10+6.74 EUR
100+4.95 EUR
500+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
auf Bestellung 4743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.52 EUR
10+1.65 EUR
100+1.38 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.66 EUR
10+5.23 EUR
100+4.77 EUR
500+4.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.3 EUR
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.3 EUR
18+4.06 EUR
50+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 fcp20n60-d.pdf
FCPF20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.33 EUR
10+5.17 EUR
100+4.72 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60S_F085_D-1809311.pdf
FGB20N60SFD-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.76 EUR
10+5.16 EUR
100+3.68 EUR
500+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4
Hersteller: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf
IGP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.68 EUR
10+1.95 EUR
100+1.63 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.08 EUR
5000+1.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
29+2.5 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
50+1.5 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
29+2.5 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
50+1.5 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3 Infineon_IGW20N60H3_DS_v02_02_en-3360249.pdf
IGW20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.23 EUR
10+4.7 EUR
25+2.9 EUR
100+2.36 EUR
240+2.34 EUR
480+2.16 EUR
1200+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f
IGW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.78 EUR
23+3.23 EUR
24+3 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
35+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf
IKB20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.19 EUR
10+2.92 EUR
100+2.09 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60T Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf
IKB20N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.17 EUR
10+3.38 EUR
100+2.38 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3 Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf
IKP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.33 EUR
10+4.79 EUR
100+3.85 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.76 EUR
2500+1.31 EUR
5000+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T Infineon_IKP20N60T_DS_v02_08_EN-1226893.pdf
IKP20N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.12 EUR
25+2.57 EUR
100+2.31 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.62 EUR
5000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
8+8.94 EUR
21+3.4 EUR
50+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ120N60TXKSA1 Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.67 EUR
10+12.07 EUR
100+10.35 EUR
480+9.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.12 EUR
19+3.88 EUR
21+3.47 EUR
22+3.27 EUR
30+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.12 EUR
19+3.88 EUR
21+3.47 EUR
22+3.27 EUR
30+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60T Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf
IKW20N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.86 EUR
10+3.82 EUR
100+2.99 EUR
480+2.48 EUR
1200+2.15 EUR
2640+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IGBT%20Selection%20Guide.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
16+4.46 EUR
30+2.79 EUR
60+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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