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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 206983
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Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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FAIR hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 6 Stück
5 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+3.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 74 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 65 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 159 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 Infineon 09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 HARRIS 09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+3.92 EUR
100+3.36 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKQ120N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.3 EUR
10+16.37 EUR
25+14.89 EUR
50+14.87 EUR
100+14.64 EUR
240+13.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.57 EUR
10+7.34 EUR
100+5.93 EUR
480+4.54 EUR
1200+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW20N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.17 EUR
600+3.54 EUR
1200+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi / Fairchild FCA20N60-D.PDF MOSFETs 600V N-CH MOSFET
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+5.7 EUR
120+5.26 EUR
510+4.95 EUR
1020+4.91 EUR
2520+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild FCA20N60F-D.PDF MOSFETs 600V N-CH FRFET
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.4 EUR
10+5.68 EUR
120+5.51 EUR
510+5.37 EUR
1020+5.05 EUR
2520+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.62 EUR
12+6.11 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi / Fairchild FCB20N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
auf Bestellung 10551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.03 EUR
10+6.34 EUR
100+4.89 EUR
500+4.88 EUR
800+4.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi / Fairchild FCB20N60-D.PDF MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 8311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+6.48 EUR
100+4.8 EUR
800+4.4 EUR
4800+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi / Fairchild FCD620N60ZF-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.41 EUR
100+1.36 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild 3B10EF980FCEF77A9F6DE91565C6C400E1F61CD71A63844A2451F8C432B505F0.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.93 EUR
10+4.54 EUR
100+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.3 EUR
18+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.3 EUR
18+4.08 EUR
50+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi / Fairchild FCP20N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+4.82 EUR
100+4.54 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi / Fairchild FGB20N60S_F085-D.PDF IGBTs 600V 20A FSP IGBT
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.93 EUR
100+3.5 EUR
500+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3 IGB20N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGB20N60H3-DataSheet-v02_03-EN.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
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IGP20N60H3 IGP20N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGP20N60H3-DS-v02_02-en.pdf IGBTs IGBT 600V
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IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
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IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IGW20N60H3 IGW20N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGW20N60H3-DS-v02_02-en.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
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IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
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IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon-IKB20N60H3-DS-v02_03-en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
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IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon-IKB20N60T-DS-v02_07-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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IKP20N60H3 IKP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
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IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T Infineon Technologies Infineon-IKP20N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 432 Stücke:
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20+3.73 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ120N60T-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
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100+8.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 10 Stücke:
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IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+7.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW20N60H3-DS-v02_02-en.pdf IGBTs 600V 20A 170W
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1+4.58 EUR
10+2.46 EUR
100+2.01 EUR
480+1.83 EUR
1200+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon-IKW20N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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1+5.58 EUR
10+3.63 EUR
100+2.85 EUR
480+2.38 EUR
1200+2.04 EUR
2640+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4 EUR
24+3 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
120+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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18+4 EUR
24+3 EUR
36+2.03 EUR
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150+1.84 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 Infineon IGBT%20Selection%20Guide.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.36 EUR
10+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D
Produktcode: 206983
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hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: Alfa@Omega
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 6 Stück
5 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+3.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 74 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 65 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 159 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: FAIRCHILD
TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: Infineon
09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: HARRIS
09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: SIEMENS
2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.65 EUR
10+3.92 EUR
100+3.36 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon-AIKQ120N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.3 EUR
10+16.37 EUR
25+14.89 EUR
50+14.87 EUR
100+14.64 EUR
240+13.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon-AIKW20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.57 EUR
10+7.34 EUR
100+5.93 EUR
480+4.54 EUR
1200+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60T Bourns_7-25-2022_BIDW20N60T_datasheet.pdf
BIDW20N60T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.17 EUR
600+3.54 EUR
1200+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
FCA20N60-F109
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.17 EUR
10+5.7 EUR
120+5.26 EUR
510+4.95 EUR
1020+4.91 EUR
2520+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F FCA20N60F-D.PDF
FCA20N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH FRFET
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.4 EUR
10+5.68 EUR
120+5.51 EUR
510+5.37 EUR
1020+5.05 EUR
2520+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
12+6.11 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH FRFET
auf Bestellung 10551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.03 EUR
10+6.34 EUR
100+4.89 EUR
500+4.88 EUR
800+4.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 8311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.4 EUR
10+6.48 EUR
100+4.8 EUR
800+4.4 EUR
4800+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF-D.pdf
FCD620N60ZF
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.69 EUR
10+1.41 EUR
100+1.36 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 3B10EF980FCEF77A9F6DE91565C6C400E1F61CD71A63844A2451F8C432B505F0.pdf
FCP20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.93 EUR
10+4.54 EUR
100+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.3 EUR
18+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.3 EUR
18+4.08 EUR
50+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCP20N60-D.pdf
FCPF20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.12 EUR
10+4.82 EUR
100+4.54 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60S_F085-D.PDF
FGB20N60SFD-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+4.93 EUR
100+3.5 EUR
500+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3 Infineon-IGB20N60H3-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IGB20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 Infineon-IGP20N60H3-DS-v02_02-en.pdf
IGP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+1.5 EUR
100+1.24 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
29+2.5 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
50+1.5 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
29+2.5 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
50+1.5 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3 Infineon-IGW20N60H3-DS-v02_02-en.pdf
IGW20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.28 EUR
10+2.31 EUR
100+1.87 EUR
480+1.68 EUR
1200+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f
IGW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.78 EUR
23+3.23 EUR
24+3 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
35+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3 Infineon-IKB20N60H3-DS-v02_03-en.pdf
IKB20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.75 EUR
10+2.41 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60T Infineon-IKB20N60T-DS-v02_07-EN.pdf
IKB20N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.7 EUR
10+2.6 EUR
100+1.97 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3 Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en.pdf
IKP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.01 EUR
10+2.11 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T Infineon-IKP20N60T-DS-v02_08-EN.pdf
IKP20N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.05 EUR
10+2.34 EUR
100+1.87 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.73 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.73 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ120N60TXKSA1 Infineon-IKQ120N60T-DS-v02_03-EN.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.07 EUR
10+9.57 EUR
100+8.13 EUR
480+7.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 Infineon-IKW20N60H3-DS-v02_02-en.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 20A 170W
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.58 EUR
10+2.46 EUR
100+2.01 EUR
480+1.83 EUR
1200+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60T Infineon-IKW20N60T-DS-v02_08-EN.pdf
IKW20N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.58 EUR
10+3.63 EUR
100+2.85 EUR
480+2.38 EUR
1200+2.04 EUR
2640+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4 EUR
24+3 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
120+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4 EUR
24+3 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
120+1.86 EUR
150+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IGBT%20Selection%20Guide.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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