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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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FAIR hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 6 Stück
5 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+3.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 9 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 75 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 143 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 Infineon 09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 HARRIS 09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5 EUR
17+4.43 EUR
18+3.98 EUR
50+3.7 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.76 EUR
30+2.43 EUR
33+2.17 EUR
100+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.66 EUR
15+4.86 EUR
25+4.2 EUR
50+3.78 EUR
100+3.43 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.96 EUR
16+4.65 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.22 EUR
13+5.71 EUR
16+4.76 EUR
50+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.46 EUR
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
24+3.06 EUR
26+2.75 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
25+2.97 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
34+2.14 EUR
120+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 Infineon IGBT%20Selection%20Guide.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+29.09 EUR
10+26.25 EUR
30+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.16 EUR
12+6.33 EUR
30+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JFAM20N60C JIAENSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 500mOhm; 20A; 272W; -55°C ~ 150°C; JFAM20N60C JIAENSEMI TJFAM20n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.48 EUR
18+4 EUR
50+3.36 EUR
100+3.02 EUR
250+2.79 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
18+4.1 EUR
25+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
25+3.3 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
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17+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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17+4.35 EUR
19+3.89 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5XKSA1 Infineon SPP20N60S5_rev2.8_2009-12-01.pdf CoolMOS 20A 600V 208W 0.19Ω Qg=103nC SPP20N60S5 TSPP20n60s5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60S5FKSA1 Infineon SPW20N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c879f471b N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5
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SSW20N60S Super Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 190mOhm; 20A; 151W; -55°C ~ 150°C; SSW20N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW20n60s
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5+5.5 EUR
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SSW20N60S Super Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 190mOhm; 20A; 151W; -55°C ~ 150°C; SSW20N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW20n60s
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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10+4.52 EUR
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APT20N60BC3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT20N60SC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
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CWS20N60AC China Wind
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FCA20N60 FAIRCHILD fca20n60_f109-d.pdf 05+06+
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FCA20N60 FAIRCHILD fca20n60_f109-d.pdf TO-3P 0721+
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FCA20N60 ON Semiconductor fca20n60_f109-d.pdf
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FCA20N60F FAIRCHIL.. fca20n60f-d.pdf
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FCA20N60S FAIRCHILD 09+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60 fairchild to-263/d2-pak
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FCB20N60 FAIRCHIL 08+ LQFP112
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FCB20N60 fairchild 07+ to-263/d2-pak
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60F FAIRCHILD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60F fairchild to-263/d2-pak
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FCPF20N60C Fairchild
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FCPF20N60S FAIRCHILD
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FGH20N60UFDTU ON Semiconductor fgh20n60ufd-d.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB20N60L fairchild to-263/d2-pak
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HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.36 EUR
10+2.8 EUR
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HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 6 Stück
5 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+3.99 EUR
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HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 9 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 75 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 143 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: Infineon
09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: FAIRCHILD
TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: SIEMENS
2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: HARRIS
09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5 EUR
17+4.43 EUR
18+3.98 EUR
50+3.7 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
30+2.43 EUR
33+2.17 EUR
100+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.66 EUR
15+4.86 EUR
25+4.2 EUR
50+3.78 EUR
100+3.43 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.96 EUR
16+4.65 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.22 EUR
13+5.71 EUR
16+4.76 EUR
50+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3-DTE.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.46 EUR
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
24+3.06 EUR
26+2.75 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
25+2.97 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.79 EUR
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
34+2.14 EUR
120+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IGBT%20Selection%20Guide.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+29.09 EUR
10+26.25 EUR
30+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.16 EUR
12+6.33 EUR
30+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JFAM20N60C
Hersteller: JIAENSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 500mOhm; 20A; 272W; -55°C ~ 150°C; JFAM20N60C JIAENSEMI TJFAM20n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC.pdf
PJMP120N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
18+4 EUR
50+3.36 EUR
100+3.02 EUR
250+2.79 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
18+4.1 EUR
25+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
25+3.3 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 description SPP20N60S5.pdf
SPP20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
19+3.89 EUR
21+3.47 EUR
50+3.12 EUR
250+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5_rev2.8_2009-12-01.pdf
Hersteller: Infineon
CoolMOS 20A 600V 208W 0.19Ω Qg=103nC SPP20N60S5 TSPP20n60s5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+18.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c879f471b
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSW20N60S
Hersteller: Super Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 190mOhm; 20A; 151W; -55°C ~ 150°C; SSW20N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW20n60s
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSW20N60S
Hersteller: Super Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 190mOhm; 20A; 151W; -55°C ~ 150°C; SSW20N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW20n60s
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT20N60BC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT20N60SC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CWS20N60AC
Hersteller: China Wind
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 fca20n60_f109-d.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
05+06+
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 fca20n60_f109-d.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
TO-3P 0721+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 fca20n60_f109-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 13470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
Hersteller: FAIRCHIL..
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60S
Hersteller: FAIRCHILD
09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60
Hersteller: FAIRCHIL
08+ LQFP112
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60
Hersteller: fairchild
07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60F
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60F
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60C
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60S
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60UFDTU fgh20n60ufd-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB20N60L
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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