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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2N3055 Produktcode: 189642 |
SPTECH |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-3 fT: 2,5 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 15 A ZCODE: THT |
auf Bestellung 40 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N3055 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 32410 |
STMicroelectronics |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-3 fT: 2.5 MHz Uceo,V: 60 Ucbo,V: 100 Ic,A: 15 h21: 70 |
verfügbar: 10 Stück
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300pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N301J500NU-Hitano) Produktcode: 50708 |
Hitano |
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402 Номінал: 50V Nennspannung: NP0 Dielektrikum: ±5% J Präzision: 0402 Größentyp: 0402 |
auf Bestellung 6605 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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+1 |
Аккумулятор LiitoKala 18650 HG2-N 3000mAh с контактами Produktcode: 170482 |
LiitoKala |
Akkus > LiIon-Batterien Technologie: Li-Ion Größe/Typ: 18650 Kapazität mAh: 3000 mAh Form: циліндрична Spannung, V: 3,6 V Maximale Dauer: 20 А Відмінності: З контактами |
verfügbar: 480 Stück
erwartet:
405 Stück
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2N3019 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB Mounting: THT Case: TO39 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: bulk Noise Figure: 4dB Current gain: 100...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8/5W |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB Mounting: THT Case: TO39 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: bulk Noise Figure: 4dB Current gain: 100...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8/5W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Central Semiconductor | Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=100MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=100 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5 |
auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
auf Bestellung 3536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019S | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019S | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019S | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3020 | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3020 | Central Semiconductor | Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=40MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=40 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3020 | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3053 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.7A; 5W; TO39 Mounting: THT Case: TO39 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Kind of package: bulk Frequency: 100MHz Collector current: 0.7A Type of transistor: NPN Power dissipation: 5W |
auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3053 | Harris Corporation |
Description: TRANS NPN 40V 0.7A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 5 W |
auf Bestellung 6371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3053 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3053 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 700 mA, 500 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3053 PBFREE | Central Semiconductor |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.7A; 5W; TO39 Mounting: THT Case: TO39 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Kind of package: bulk Frequency: 100MHz Current gain: 25...250 Collector current: 0.7A Type of transistor: NPN Power dissipation: 5W |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3053 PBFREE | Central Semiconductor |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.7A; 5W; TO39 Mounting: THT Case: TO39 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Kind of package: bulk Frequency: 100MHz Current gain: 25...250 Collector current: 0.7A Type of transistor: NPN Power dissipation: 5W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3053 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 40V 0.7A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 5 W |
auf Bestellung 1299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3053 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3053 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.7A 5000mW 3-Pin TO-39 Box |
auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3053 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.7A 5000mW 3-Pin TO-39 Box |
auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3053 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5.0V 0.7A 5.0W NPN |
auf Bestellung 638 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3053A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3053A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 500 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3053A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 0.7A NPN 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 5.0W |
auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3055 | ARK |
NPN 15A 60V 115W 1MHz 2N3055 T2N3055 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3055 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3055 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2.5MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 13507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055 | CDIL | Біполярний транзистор NPN TO-3 Metal Can Uceo=60V; Ic=15A; Pdmax=115W; hfe=15...120 |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055 TO-3P | LGE |
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3055 TO-3P | LGE |
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3055 TO-3P | LGE |
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3055AG | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 6MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 115 W |
auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3055AG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 115W NPN |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3055AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3055AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-204 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 6MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055AG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3 Mounting: THT Case: TO3 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Kind of package: in-tray Collector current: 15A Type of transistor: NPN Power dissipation: 115W |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V |
auf Bestellung 6553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3055G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 115 W |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3055G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2.5MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3057A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3057A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-46 Bag |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N300 | MOTOROLA |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N300 | MOT | CAN |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N3000 | MOT | CAN |
auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
2N3055 Produktcode: 189642 |
Hersteller: SPTECH
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
fT: 2,5 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
fT: 2,5 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 40 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)2N3055 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 32410 |
Hersteller: STMicroelectronics
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
fT: 2.5 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 100
Ic,A: 15
h21: 70
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
fT: 2.5 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 100
Ic,A: 15
h21: 70
verfügbar: 10 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.59 EUR |
10+ | 0.56 EUR |
300pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N301J500NU-Hitano) Produktcode: 50708 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 50V
Nennspannung: NP0
Dielektrikum: ±5% J
Präzision: 0402
Größentyp: 0402
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 50V
Nennspannung: NP0
Dielektrikum: ±5% J
Präzision: 0402
Größentyp: 0402
auf Bestellung 6605 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.0099 EUR |
1000+ | 0.0079 EUR |
Аккумулятор LiitoKala 18650 HG2-N 3000mAh с контактами Produktcode: 170482 |
Hersteller: LiitoKala
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 3000 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,6 V
Maximale Dauer: 20 А
Відмінності: З контактами
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 3000 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,6 V
Maximale Dauer: 20 А
Відмінності: З контактами
verfügbar: 480 Stück
erwartet:
405 Stück
2N3019 |
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: bulk
Noise Figure: 4dB
Current gain: 100...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.8/5W
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: bulk
Noise Figure: 4dB
Current gain: 100...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.8/5W
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
163+ | 0.44 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
2N3019 |
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: bulk
Noise Figure: 4dB
Current gain: 100...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.8/5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: bulk
Noise Figure: 4dB
Current gain: 100...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.8/5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
163+ | 0.44 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
2N3019 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 80V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 23.83 EUR |
100+ | 22.13 EUR |
2N3019 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 23.67 EUR |
100+ | 21.98 EUR |
2N3019 |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3019 |
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 30.71 EUR |
10+ | 27.88 EUR |
25+ | 26.11 EUR |
50+ | 24.44 EUR |
100+ | 21.55 EUR |
2N3019 |
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 20.59 EUR |
2N3019 |
Hersteller: Central Semiconductor
Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=100MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=100
Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=100MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=100
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 10.3 EUR |
10+ | 9.94 EUR |
2N3019 |
Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
54+ | 2.89 EUR |
250+ | 2.17 EUR |
500+ | 1.92 EUR |
2N3019 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 3536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 3.24 EUR |
10+ | 2.89 EUR |
100+ | 2.41 EUR |
250+ | 2.34 EUR |
500+ | 1.99 EUR |
1000+ | 1.88 EUR |
5000+ | 1.78 EUR |
2N3019 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
86+ | 1.8 EUR |
2N3019 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
86+ | 1.8 EUR |
100+ | 1.72 EUR |
250+ | 1.56 EUR |
500+ | 1.48 EUR |
2N3019 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
500+ | 2.6 EUR |
2N3019S |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 33.48 EUR |
100+ | 31.12 EUR |
2N3019S |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 33.7 EUR |
100+ | 31.33 EUR |
2N3019S |
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3019S |
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
100+ | 28.32 EUR |
2N3020 |
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3020 |
Hersteller: Central Semiconductor
Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=40MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=40
Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=40MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=40
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 20.24 EUR |
10+ | 11.78 EUR |
2N3020 |
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3053 |
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.7A; 5W; TO39
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 5W
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.7A; 5W; TO39
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 5W
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
58+ | 1.24 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
182+ | 0.39 EUR |
193+ | 0.37 EUR |
2N3053 |
Hersteller: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 40V 0.7A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 5 W
Description: TRANS NPN 40V 0.7A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 5 W
auf Bestellung 6371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 74.9 EUR |
2N3053 |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3053 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 700 mA, 500 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: MULTICOMP PRO - 2N3053 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 700 mA, 500 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3053 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.7A; 5W; TO39
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Current gain: 25...250
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 5W
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.7A; 5W; TO39
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Current gain: 25...250
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 5W
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 3.23 EUR |
25+ | 2.9 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
500+ | 2.16 EUR |
2N3053 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.7A; 5W; TO39
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Current gain: 25...250
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.7A; 5W; TO39
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Current gain: 25...250
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 3.23 EUR |
25+ | 2.9 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
500+ | 2.16 EUR |
2N3053 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.7A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 5 W
Description: TRANS NPN 40V 0.7A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 5 W
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 4.44 EUR |
10+ | 3.68 EUR |
500+ | 2.48 EUR |
1000+ | 2.1 EUR |
2N3053 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 4.31 EUR |
10+ | 3.66 EUR |
100+ | 3.43 EUR |
500+ | 2.52 EUR |
1000+ | 2.15 EUR |
5000+ | 1.92 EUR |
2N3053 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.7A 5000mW 3-Pin TO-39 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.7A 5000mW 3-Pin TO-39 Box
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
47+ | 3.29 EUR |
2N3053 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.7A 5000mW 3-Pin TO-39 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.7A 5000mW 3-Pin TO-39 Box
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
47+ | 3.29 EUR |
100+ | 2.94 EUR |
500+ | 2.12 EUR |
2N3053 TIN/LEAD |
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5.0V 0.7A 5.0W NPN
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5.0V 0.7A 5.0W NPN
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 4.56 EUR |
10+ | 3.84 EUR |
25+ | 3.61 EUR |
100+ | 3.1 EUR |
250+ | 3.06 EUR |
500+ | 2.59 EUR |
1000+ | 2.34 EUR |
2N3053A |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3053A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 500 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MULTICOMP PRO - 2N3053A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 500 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3053A PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 0.7A NPN 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 5.0W
Bipolar Transistors - BJT 0.7A NPN 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 5.0W
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 12.21 EUR |
10+ | 10.45 EUR |
25+ | 9.49 EUR |
100+ | 8.73 EUR |
250+ | 8.2 EUR |
500+ | 7.85 EUR |
1000+ | 7.67 EUR |
2N3055 |
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.68 EUR |
2N3055 |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3055 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MULTICOMP PRO - 2N3055 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3055 |
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 72.59 EUR |
2N3055 |
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 72.59 EUR |
2N3055 |
Hersteller: CDIL
Біполярний транзистор NPN TO-3 Metal Can Uceo=60V; Ic=15A; Pdmax=115W; hfe=15...120
Біполярний транзистор NPN TO-3 Metal Can Uceo=60V; Ic=15A; Pdmax=115W; hfe=15...120
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 6.33 EUR |
10+ | 5.81 EUR |
2N3055 TO-3P |
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 1.54 EUR |
2N3055 TO-3P |
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 1.54 EUR |
2N3055 TO-3P |
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 1.54 EUR |
2N3055AG |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 10.65 EUR |
10+ | 8.94 EUR |
25+ | 8.44 EUR |
100+ | 7.23 EUR |
2N3055AG |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 115W NPN
Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 115W NPN
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 10.56 EUR |
10+ | 8.38 EUR |
50+ | 8.36 EUR |
100+ | 7.16 EUR |
200+ | 6.67 EUR |
400+ | 5.46 EUR |
1200+ | 5.14 EUR |
2N3055AG |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3055AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 6MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N3055AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 6MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3055AG |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
100+ | 7.5 EUR |
2N3055G |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3
Mounting: THT
Case: TO3
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: in-tray
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 115W
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3
Mounting: THT
Case: TO3
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: in-tray
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 115W
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 4.99 EUR |
19+ | 3.78 EUR |
20+ | 3.58 EUR |
2N3055G |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V
Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V
auf Bestellung 6553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 7.37 EUR |
10+ | 5.86 EUR |
50+ | 5.84 EUR |
100+ | 4.88 EUR |
200+ | 4.61 EUR |
400+ | 3.89 EUR |
1200+ | 3.66 EUR |
2N3055G |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 7.43 EUR |
10+ | 6.24 EUR |
25+ | 5.89 EUR |
100+ | 5.05 EUR |
2N3055G |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3055G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N3055G |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 7 EUR |
29+ | 5.15 EUR |
50+ | 4.91 EUR |
100+ | 3.92 EUR |
200+ | 3.48 EUR |
2N3055G |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 6.98 EUR |
29+ | 5.14 EUR |
50+ | 4.9 EUR |
100+ | 3.91 EUR |
200+ | 3.47 EUR |
400+ | 2.73 EUR |
2N3057A |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 15.15 EUR |
100+ | 14.08 EUR |
2N3057A |
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 19.5 EUR |
25+ | 16.64 EUR |
50+ | 15.33 EUR |
100+ | 14.14 EUR |
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