Suchergebnisse für "4N80" : > 120

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
STB4N80ET4 STB4N80ET4 onsemi Description: RF MOSFET 800V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 38400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
210+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 210
STD4N80K5 STD4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
auf Bestellung 3724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
10+ 2.07 EUR
100+ 1.61 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STD4N80K5 STD4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
STF14N80K5 STF14N80K5 STMicroelectronics en.DM00175189.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.6 EUR
10+ 4.7 EUR
100+ 3.8 EUR
500+ 3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STF14N80K5 STF14N80K5 STMicroelectronics stf14n80k5-1850701.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.22 EUR
10+ 6.92 EUR
25+ 6.89 EUR
100+ 5.59 EUR
500+ 4.99 EUR
1000+ 4.24 EUR
2000+ 3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STF4N80K5 STF4N80K5 STMicroelectronics std4n80k5-1850299.pdf MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.72 EUR
22+ 2.4 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.77 EUR
2000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STL4N80K5 STL4N80K5 STMicroelectronics stl4n80k5-1851287.pdf MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.42 EUR
15+ 3.67 EUR
100+ 2.94 EUR
250+ 2.7 EUR
500+ 2.44 EUR
1000+ 2.11 EUR
3000+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STP14N80K5 STP14N80K5 STMicroelectronics stp14n80k5-1851304.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.63 EUR
10+ 7.25 EUR
25+ 6.84 EUR
100+ 5.85 EUR
250+ 5.54 EUR
500+ 5.23 EUR
1000+ 4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP4N80K5 STP4N80K5 STMicroelectronics std4n80k5-1850299.pdf MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.98 EUR
21+ 2.56 EUR
100+ 2.25 EUR
250+ 1.98 EUR
500+ 1.93 EUR
1000+ 1.91 EUR
2000+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STU4N80K5 STU4N80K5 STMicroelectronics std4n80k5-1850299.pdf MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.8 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.54 EUR
250+ 2.41 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.72 EUR
3000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14
APT34N80B2C3 APT 09+
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT34N80LC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DD104N800K AEG 05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80 FAIRCHILD TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80 fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80 FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80 FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQI4N80TU Fairchild FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 40265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQP4N80 Fairchild fqp4n80-d.pdf 07+
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQPF4N80 Fairchild FAIRS09674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXFN44N80 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n80_datasheet.pdf.pdf MODULE
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTP4N80E
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTW4N80
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTW4N80E
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPA04N80C3.SPP04N80C3
auf Bestellung 18505 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPA04N80C3XKSA1 Infineon SPP_A04N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163851748000c0
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSF4N80AS
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSP4N80 Fairchild
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSP4N80A
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSP4N80A(S)
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSS4N80A
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSS4N80AS
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSW4N80AS
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSW4N80TM
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB4N80ET4
auf Bestellung 38400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP4N80
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TD104N800KOF AEG 05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
ZRA124N801
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
ZRA124N801TA
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQP4N80
Produktcode: 162318 		fqp4n80-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IXFH24N80P Transistor
Produktcode: 55518 		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
IXFK34N80 IXFK34N80
Produktcode: 43387 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_34n80_datasheet.pdf.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IXFK44N80P
Produktcode: 170265 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80p_datasheet.pdf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 417W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 417W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G APT34N80B2C3G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G APT34N80B2C3G Microchip Technology apt34n80b2_lc3g_f.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 34A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G APT34N80B2C3G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 800 V 34 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G APT34N80LC3G MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 417W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G APT34N80LC3G MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 417W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G APT34N80LC3G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 34A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G APT34N80LC3G Microchip Technology apt34n80b2_lc3g_f.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G APT34N80LC3G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 800 V 34 A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
BXP4N80D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BXP4N80D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TM ONSEMI fqi4n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi fqi4n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TM FQB4N80TM ON Semiconductor fqi4n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild FQI4N80_D-2313832.pdf MOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQI4N80TU ONSEMI FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STB4N80ET4
STB4N80ET4
Hersteller: onsemi
Description: RF MOSFET 800V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 38400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
210+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 210
STD4N80K5 en.DM00092669.pdf
STD4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
auf Bestellung 3724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.52 EUR
10+ 2.07 EUR
100+ 1.61 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STD4N80K5 en.DM00092669.pdf
STD4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
STF14N80K5 en.DM00175189.pdf
STF14N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.6 EUR
10+ 4.7 EUR
100+ 3.8 EUR
500+ 3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STF14N80K5 stf14n80k5-1850701.pdf
STF14N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+8.22 EUR
10+ 6.92 EUR
25+ 6.89 EUR
100+ 5.59 EUR
500+ 4.99 EUR
1000+ 4.24 EUR
2000+ 3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STF4N80K5 std4n80k5-1850299.pdf
STF4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.72 EUR
22+ 2.4 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.77 EUR
2000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STL4N80K5 stl4n80k5-1851287.pdf
STL4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+4.42 EUR
15+ 3.67 EUR
100+ 2.94 EUR
250+ 2.7 EUR
500+ 2.44 EUR
1000+ 2.11 EUR
3000+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STP14N80K5 stp14n80k5-1851304.pdf
STP14N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+8.63 EUR
10+ 7.25 EUR
25+ 6.84 EUR
100+ 5.85 EUR
250+ 5.54 EUR
500+ 5.23 EUR
1000+ 4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP4N80K5 std4n80k5-1850299.pdf
STP4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.98 EUR
21+ 2.56 EUR
100+ 2.25 EUR
250+ 1.98 EUR
500+ 1.93 EUR
1000+ 1.91 EUR
2000+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STU4N80K5 std4n80k5-1850299.pdf
STU4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.8 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.54 EUR
250+ 2.41 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.72 EUR
3000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14
APT34N80B2C3
Hersteller: APT
09+
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT34N80LC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DD104N800K
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 40265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
Hersteller: Fairchild
07+
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQPF4N80 FAIRS09674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXFN44N80 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n80_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTP4N80E
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTW4N80
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTW4N80E
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPA04N80C3.SPP04N80C3
auf Bestellung 18505 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPA04N80C3XKSA1 SPP_A04N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163851748000c0
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSF4N80AS
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSP4N80
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSP4N80A
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSP4N80A(S)
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSS4N80A
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSS4N80AS
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSW4N80AS
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSW4N80TM
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB4N80ET4
auf Bestellung 38400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP4N80
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TD104N800KOF
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
ZRA124N801
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
ZRA124N801TA
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQP4N80
Produktcode: 162318		 fqp4n80-d.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IXFH24N80P Transistor
Produktcode: 55518
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
IXFK34N80
Produktcode: 43387		 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_34n80_datasheet.pdf.pdf
IXFK34N80
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IXFK44N80P
Produktcode: 170265		 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80p_datasheet.pdf.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 417W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 417W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT34N80B2C3G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G apt34n80b2_lc3g_f.pdf
APT34N80B2C3G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 34A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80B2C3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT34N80B2C3G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 800 V 34 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT34N80LC3G
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 417W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT34N80LC3G
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 417W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT34N80LC3G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 34A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G apt34n80b2_lc3g_f.pdf
APT34N80LC3G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT34N80LC3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT34N80LC3G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 800 V 34 A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
BXP4N80D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BXP4N80D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TM fqi4n80jp-d.pdf
FQB4N80TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TM FQI4N80_D-2313832.pdf
FQB4N80TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3  [ Nächste Seite >> ]