Suchergebnisse für "IRF2807" : 58

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IRF2807PBF IRF2807PBF
Produktcode: 88517
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IR irf2807pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar: 159 Stück
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IRF2807 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.26 EUR
38+1.92 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
38+1.92 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.87 EUR
25+2.04 EUR
100+1.81 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.22 EUR
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
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IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.64 EUR
62+2.24 EUR
100+1.86 EUR
200+1.42 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.53 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 351
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.53 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 351
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IRF2807SPBF IR irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
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1+1.36 EUR
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IRF2807STRL International Rectifier irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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10+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN-3362782.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 7606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.68 EUR
100+1.9 EUR
500+1.6 EUR
800+1.36 EUR
2400+1.29 EUR
4800+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.27 EUR
118+1.17 EUR
123+1.08 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.38 EUR
113+1.23 EUR
119+1.12 EUR
124+1.04 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807Z International Rectifier irf2807z.pdf N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.95 EUR
35+2.06 EUR
40+1.82 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+1.98 EUR
500+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+1.98 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+1.98 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.27 EUR
65+2.13 EUR
100+2.03 EUR
200+1.39 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+1.98 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2807 IR description 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807S-111
auf Bestellung 8250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2807STRPBF IR 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZS IR irf2807z.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZS IR irf2807z.pdf 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBF Infineon irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2912 NTE2912 NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8AFA8588040C1&compId=nte2912.pdf?ci_sign=dc63a440b4d49bab98047fe56e4967dfc5e59d78 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807
Produktcode: 23680
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 0.013
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SPBF IRF2807SPBF
Produktcode: 3880
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irf2807spbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF
Produktcode: 203787
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irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807Z IRF2807Z
Produktcode: 46772
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irf2807z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF
Produktcode: 58174
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irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 description Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZS
Produktcode: 186277
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irf2807z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF2807 AUIRF2807
Produktcode: 46389
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IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390 Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRF2807 IRF2807 Infineon / IR Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf description MOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
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IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
35+2.06 EUR
40+1.82 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF
Produktcode: 88517
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irf2807pbf-datasheet.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar: 159 Stück
6 Stück - stock Köln
153 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
38+1.92 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
38+1.92 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IRF2807PBF Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.08 EUR
10+2.87 EUR
25+2.04 EUR
100+1.81 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.22 EUR
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IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+2.64 EUR
62+2.24 EUR
100+1.86 EUR
200+1.42 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
351+1.53 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 351
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
351+1.53 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 351
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SPBF description irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRL irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN-3362782.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 7606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.24 EUR
10+2.68 EUR
100+1.9 EUR
500+1.6 EUR
800+1.36 EUR
2400+1.29 EUR
4800+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
113+1.27 EUR
118+1.17 EUR
123+1.08 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
104+1.38 EUR
113+1.23 EUR
119+1.12 EUR
124+1.04 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807Z irf2807z.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
35+2.06 EUR
40+1.82 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
271+1.98 EUR
500+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
271+1.98 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
271+1.98 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+3.27 EUR
65+2.13 EUR
100+2.03 EUR
200+1.39 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
271+1.98 EUR
500+1.72 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF2807 description
Hersteller: IR
09+
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IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
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IRF2807S-111
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IRF2807STRPBF
Hersteller: IR
09+
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IRF2807ZS irf2807z.pdf
Hersteller: IR
TO-263
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IRF2807ZS irf2807z.pdf
Hersteller: IR
07+ TO-263
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IRF2807ZSTRLPBF irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
Hersteller: Infineon
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NTE2912 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8AFA8588040C1&compId=nte2912.pdf?ci_sign=dc63a440b4d49bab98047fe56e4967dfc5e59d78
NTE2912
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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IRF2807
Produktcode: 23680
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description
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 0.013
JHGF: THT
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IRF2807SPBF
Produktcode: 3880
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description irf2807spbf-datasheet.pdf
IRF2807SPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: SMD
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IRF2807STRLPBF
Produktcode: 203787
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irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2807Z
Produktcode: 46772
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irf2807z.pdf
IRF2807Z
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
JHGF: THT
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IRF2807ZPBF
Produktcode: 58174
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description irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
IRF2807ZPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2807ZS
Produktcode: 186277
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irf2807z.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
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AUIRF2807
Produktcode: 46389
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IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390
AUIRF2807
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRF2807 description Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf
IRF2807
Hersteller: Infineon / IR
MOSFETs
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IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
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IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2807STRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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35+2.06 EUR
40+1.82 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF2807STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH