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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF2807PBF Produktcode: 88517
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 75 Idd,A: 82 Rds(on), Ohm: 13 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160 JHGF: THT |
verfügbar: 37 Stück
6 Stück - stock Köln
31 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF2807 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807SPBF | IR |
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auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRL | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807STRRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807Z | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 71nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807 | IR |
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auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRF2807PBF |
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auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF2807S-111 |
auf Bestellung 8250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF2807STRPBF | IR | 09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRF2807ZS | IR |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRF2807ZS | IR |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRF2807ZSTRLPBF | Infineon |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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AUIRF2807 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTE2912 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807 Produktcode: 23680
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 75 Idd,A: 82 Rds(on), Ohm: 0.013 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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IRF2807SPBF Produktcode: 3880
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Lieblingsprodukt
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![]() ![]() Uds,V: 75 V Idd,A: 82 A Rds(on), Ohm: 13 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160 JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRF2807STRLPBF Produktcode: 203787
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF2807Z Produktcode: 46772
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![]() Gehäuse: TO-220 JHGF: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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IRF2807ZPBF Produktcode: 58174
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRF2807ZS Produktcode: 186277
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AUIRF2807 Produktcode: 46389
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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IRF2807 | Infineon / IR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807L | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807S | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807SPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF2807STRL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF2807STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
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IRF2807STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF2807PBF Produktcode: 88517
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar: 37 Stück
6 Stück - stock Köln
31 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
31 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.88 EUR |
10+ | 0.76 EUR |
IRF2807 | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.34 EUR |
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.52 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.52 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.21 EUR |
10+ | 2.08 EUR |
100+ | 1.72 EUR |
500+ | 1.43 EUR |
1000+ | 1.31 EUR |
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.52 EUR |
50+ | 1.91 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
500+ | 1.50 EUR |
1000+ | 1.37 EUR |
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
85+ | 1.94 EUR |
93+ | 1.70 EUR |
114+ | 1.33 EUR |
200+ | 1.20 EUR |
1000+ | 1.02 EUR |
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
382+ | 1.60 EUR |
500+ | 1.48 EUR |
1000+ | 1.35 EUR |
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
382+ | 1.60 EUR |
500+ | 1.48 EUR |
IRF2807SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.55 EUR |
IRF2807STRL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.05 EUR |
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.29 EUR |
10+ | 2.77 EUR |
100+ | 1.90 EUR |
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 6186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.85 EUR |
10+ | 2.59 EUR |
100+ | 1.87 EUR |
250+ | 1.74 EUR |
500+ | 1.71 EUR |
800+ | 1.33 EUR |
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.42 EUR |
1600+ | 1.35 EUR |
2400+ | 1.33 EUR |
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.30 EUR |
2400+ | 1.20 EUR |
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.31 EUR |
2400+ | 1.20 EUR |
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 1.80 EUR |
105+ | 1.50 EUR |
113+ | 1.34 EUR |
119+ | 1.23 EUR |
500+ | 1.13 EUR |
1000+ | 1.04 EUR |
IRF2807STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 1.56 EUR |
113+ | 1.39 EUR |
119+ | 1.28 EUR |
500+ | 1.18 EUR |
1000+ | 1.08 EUR |
IRF2807Z |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 4.68 EUR |
IRF2807ZPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.57 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
IRF2807ZPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 4701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.35 EUR |
10+ | 2.85 EUR |
100+ | 1.99 EUR |
500+ | 1.59 EUR |
1000+ | 1.46 EUR |
2000+ | 1.42 EUR |
IRF2807ZPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.21 EUR |
10+ | 2.84 EUR |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 3.76 EUR |
65+ | 2.45 EUR |
100+ | 1.70 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
1000+ | 1.17 EUR |
2000+ | 1.07 EUR |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
352+ | 1.74 EUR |
500+ | 1.61 EUR |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
128+ | 1.27 EUR |
135+ | 1.17 EUR |
141+ | 1.08 EUR |
200+ | 1.00 EUR |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 2.55 EUR |
100+ | 1.78 EUR |
500+ | 1.38 EUR |
1000+ | 1.22 EUR |
2000+ | 1.12 EUR |
IRF2807ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 3.11 EUR |
61+ | 2.59 EUR |
100+ | 1.86 EUR |
500+ | 1.75 EUR |
IRF2807ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
292+ | 2.10 EUR |
500+ | 1.94 EUR |
IRF2807 | ![]() |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807PBF |
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IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807S-111 |
auf Bestellung 8250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807STRPBF |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807ZS |
![]() |
Hersteller: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807ZS |
![]() |
Hersteller: IR
TO-263
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRF2807 |
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Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
213+ | 2.38 EUR |
NTE2912 |
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Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.30 EUR |
IRF2807 Produktcode: 23680
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 0.013
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 0.013
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2807SPBF Produktcode: 3880
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: SMD
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2807STRLPBF Produktcode: 203787
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Lieblingsprodukt
|
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2807Z Produktcode: 46772
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Lieblingsprodukt
|
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Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2807ZPBF Produktcode: 58174
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|
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Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRF2807ZS Produktcode: 186277
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|
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Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIRF2807 Produktcode: 46389
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|
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Stück im Wert von UAH
IRF2807 | ![]() |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFETs
MOSFETs
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Stück im Wert von UAH
IRF2807L |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2807PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2807S | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2807SPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2807STRL |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
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Mounting: SMD
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Technology: HEXFET®
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