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IRF2807PBF IRF2807PBF
Produktcode: 88517
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IR irf2807pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar: 145 Stück
6 Stück - stock Köln
139 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.88 EUR
10+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.07 EUR
40+1.8 EUR
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
100+1.1 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
40+1.8 EUR
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
100+1.1 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+2.97 EUR
25+1.64 EUR
100+1.54 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.1 EUR
2000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
50+1.63 EUR
100+1.54 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.55 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 351
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+2.79 EUR
93+1.5 EUR
100+1.37 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+2.82 EUR
53+2.67 EUR
94+1.44 EUR
100+1.31 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.5 EUR
66+2.13 EUR
100+1.37 EUR
200+1.24 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.55 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 351
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2807STRL International Rectifier irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.67 EUR
42+1.74 EUR
51+1.41 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
42+1.74 EUR
51+1.41 EUR
100+1.27 EUR
200+1.13 EUR
250+1.1 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF2807S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.55 EUR
100+1.76 EUR
800+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.25 EUR
1600+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.96 EUR
10+2.55 EUR
100+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.14 EUR
2400+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.15 EUR
2400+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.19 EUR
128+1.09 EUR
133+1.02 EUR
137+0.95 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.13 EUR
133+1.05 EUR
137+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807Z International Rectifier irf2807z.pdf N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.73 EUR
38+1.92 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
38+1.92 EUR
43+1.69 EUR
50+1.43 EUR
100+1.27 EUR
250+1.2 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 description Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
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5+4.05 EUR
10+2.61 EUR
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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271+2 EUR
500+1.74 EUR
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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41+3.58 EUR
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200+1.5 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.12 EUR
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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271+2 EUR
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 271
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IRF2807 IR description 09+
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IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
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IRF2807S-111
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IRF2807STRPBF IR 09+
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IRF2807ZS IR irf2807z.pdf TO-263
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IRF2807ZS IR irf2807z.pdf 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2807ZSTRLPBF Infineon irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF2807 AUIRF2807 International Rectifier IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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186+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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Транзистор IRF2807STRLPBF Infineon Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
auf Bestellung 32 Stücke:
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1+4.82 EUR
10+4.47 EUR
100+4.13 EUR
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NTE2912 NTE2912 NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8AFA8588040C1&compId=nte2912.pdf?ci_sign=dc63a440b4d49bab98047fe56e4967dfc5e59d78 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
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IRF2807
Produktcode: 23680
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 0.013
JHGF: THT
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IRF2807SPBF IRF2807SPBF
Produktcode: 3880
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irf2807spbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: SMD
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IRF2807STRLPBF
Produktcode: 203787
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irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2807Z IRF2807Z
Produktcode: 46772
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irf2807z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
JHGF: THT
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF
Produktcode: 58174
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irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 description Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2807ZS
Produktcode: 186277
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irf2807z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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AUIRF2807 AUIRF2807
Produktcode: 46389
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IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390 Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRF2807 IRF2807 Infineon / IR description MOSFETs
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IRF2807L IRF2807L Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807S IRF2807S Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 description Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SPBF IRF2807SPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 description Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF
Produktcode: 88517
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irf2807pbf-datasheet.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar: 145 Stück
6 Stück - stock Köln
139 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
40+1.8 EUR
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
100+1.1 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
40+1.8 EUR
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
100+1.1 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.03 EUR
10+2.97 EUR
25+1.64 EUR
100+1.54 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.1 EUR
2000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.12 EUR
50+1.63 EUR
100+1.54 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
351+1.55 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 351
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+2.79 EUR
93+1.5 EUR
100+1.37 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+2.82 EUR
53+2.67 EUR
94+1.44 EUR
100+1.31 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+2.5 EUR
66+2.13 EUR
100+1.37 EUR
200+1.24 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
351+1.55 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 351
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRL irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
42+1.74 EUR
51+1.41 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
42+1.74 EUR
51+1.41 EUR
100+1.27 EUR
200+1.13 EUR
250+1.1 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF Infineon-IRF2807S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.96 EUR
10+2.55 EUR
100+1.76 EUR
800+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.25 EUR
1600+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.96 EUR
10+2.55 EUR
100+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.14 EUR
2400+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.15 EUR
2400+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+1.19 EUR
128+1.09 EUR
133+1.02 EUR
137+0.95 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.13 EUR
133+1.05 EUR
137+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807Z irf2807z.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
38+1.92 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
38+1.92 EUR
43+1.69 EUR
50+1.43 EUR
100+1.27 EUR
250+1.2 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.05 EUR
10+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
271+2 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+3.58 EUR
60+2.34 EUR
100+2.23 EUR
200+1.5 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
271+2 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
271+2 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
271+2 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807 description
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807S-111
auf Bestellung 8250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRPBF
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZS irf2807z.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZS irf2807z.pdf
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBF irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF2807 IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF2807
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF2807STRLPBF
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.82 EUR
10+4.47 EUR
100+4.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2912 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8AFA8588040C1&compId=nte2912.pdf?ci_sign=dc63a440b4d49bab98047fe56e4967dfc5e59d78
NTE2912
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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IRF2807
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description
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 0.013
JHGF: THT
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IRF2807SPBF
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IRF2807SPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: SMD
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IRF2807STRLPBF
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2807Z
Produktcode: 46772
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IRF2807Z
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
JHGF: THT
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IRF2807ZPBF
Produktcode: 58174
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IRF2807ZPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
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Transistoren > MOSFET N-CH
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AUIRF2807
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AUIRF2807
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRF2807 description
IRF2807
Hersteller: Infineon / IR
MOSFETs
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IRF2807L irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807L
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2807S description irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807S
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SPBF description irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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