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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9530NPBF IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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IR irf9530n.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 14 St.
  • 14 St. - stock Köln
auf Bestellung: 374 St.
  • 374 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
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VBsemi IRF9530SPBF.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2765/67
Montage: SMD
auf Bestellung: 77 St.
  • 77 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Produktcode: 35683
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Siliconix irf9530spbf.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/38
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
1+1.94 EUR
10+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 IRF9530 Siliconix info-tirf9530.pdf description P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 IRF9530 Harris Corporation HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF9530
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.45 EUR
500+3.07 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF9530
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.45 EUR
500+3.07 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N-ML MOSLEADER Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 79W
Gate charge: 38.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
auf Bestellung 4152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.69 EUR
96+0.89 EUR
104+0.82 EUR
110+0.77 EUR
117+0.73 EUR
250+0.67 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 14008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.12 EUR
10+1.75 EUR
100+1.33 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies IRF9530NPBF.PDF Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 13930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.59 EUR
50+1.96 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 58868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.3 EUR
247+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.79 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.79 EUR
2000+0.74 EUR
5000+0.65 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.23 EUR
244+0.69 EUR
246+0.65 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 58868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
248+0.69 EUR
250+0.67 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.62 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON IRF9530NPBF.PDF Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 13454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
151+1.54 EUR
177+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.23 EUR
244+0.7 EUR
247+0.68 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRL IRF9530NSTRL Infineon info-tirf9530ns.pdf P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf9530ns.pdf_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.23 EUR
800+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.93 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 53600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.99 EUR
2400+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.93 EUR
80+2.93 EUR
96+2.25 EUR
119+1.8 EUR
250+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
119+1.8 EUR
250+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 53600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.02 EUR
2400+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
84+2.05 EUR
120+1.4 EUR
500+1.02 EUR
800+0.92 EUR
2400+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.27 EUR
115+1.46 EUR
500+1.04 EUR
800+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF International Rectifier HiRel Products irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 IRF9530NSTRRPBF
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.65 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+4.51 EUR
50+3.47 EUR
100+3.14 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Semiconductors 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
auf Bestellung 5995 Stücke:
Lieferzeit 322-326 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+3.22 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
auf Bestellung 44 Stücke:
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10+2.53 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 1289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.2 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.15 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.15 EUR
2000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 VISHAY irf9530.pdf Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530S IRF9530S Siliconix info-tirf9530s.pdf P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay sihf9530.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NLPBF IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF 50K
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF/IR IR 08+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS IR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF International Rectifier/Infineon irf9530nspbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 69 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF Vishay Siliconix IRF9530_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 50 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 IRF9530
Produktcode: 78154
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Vishay irf9530-datasheet.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 48 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Montage: THT
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1+1.26 EUR
10+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N IRF9530N
Produktcode: 7932
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IR description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS
Produktcode: 58984
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Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF9530NSPBF
Produktcode: 154938
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irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF
Produktcode: 215123
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91076.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF9530 IRF9530 Vishay / Siliconix HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NL IRF9530NL Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS IRF9530NS Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF IRF9530NSPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRR IRF9530NSTRR Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.3Ω
Pulsed drain current: -48A
Gate charge: 38nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 14 St.
  • 14 St. - stock Köln
auf Bestellung: 374 St.
  • 374 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description IRF9530SPBF.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2765/67
Montage: SMD
auf Bestellung: 77 St.
  • 77 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF
Produktcode: 35683
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description irf9530spbf.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/38
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+1.94 EUR
10+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description info-tirf9530.pdf
IRF9530
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9530
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
151+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF9530
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+3.45 EUR
500+3.07 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF9530
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+3.45 EUR
500+3.07 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 79W
Gate charge: 38.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
auf Bestellung 4152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+1.69 EUR
96+0.89 EUR
104+0.82 EUR
110+0.77 EUR
117+0.73 EUR
250+0.67 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 14008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+3.12 EUR
10+1.75 EUR
100+1.33 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 13930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4.06 EUR
10+2.59 EUR
50+1.96 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 58868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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135+1.3 EUR
247+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+0.79 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.79 EUR
2000+0.74 EUR
5000+0.65 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.23 EUR
244+0.69 EUR
246+0.65 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 58868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+1.29 EUR
248+0.69 EUR
250+0.67 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.62 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF.PDF
IRF9530NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 13454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.5 EUR
151+1.54 EUR
177+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
143+1.23 EUR
244+0.7 EUR
247+0.68 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRL info-tirf9530ns.pdf
IRF9530NSTRL
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF Infineon_irf9530ns.pdf_DS_v01_01_EN.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.23 EUR
800+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.93 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 53600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.99 EUR
2400+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+4.93 EUR
80+2.93 EUR
96+2.25 EUR
119+1.8 EUR
250+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.25 EUR
119+1.8 EUR
250+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 53600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.02 EUR
2400+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+3.01 EUR
84+2.05 EUR
120+1.4 EUR
500+1.02 EUR
800+0.92 EUR
2400+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+2.27 EUR
115+1.46 EUR
500+1.04 EUR
800+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRF9530NSTRRPBF
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
246+2.65 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.94 EUR
10+4.51 EUR
50+3.47 EUR
100+3.14 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
auf Bestellung 5995 Stücke:
Lieferzeit 322-326 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.32 EUR
10+3.22 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.9 EUR
10+2.53 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 1289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.99 EUR
10+3.2 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 doc91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.15 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 doc91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.15 EUR
2000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 irf9530.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530S info-tirf9530s.pdf
IRF9530S
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9530NLPBF
Hersteller: IR
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IRF9530NPBF 50K
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9530NPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
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IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Hersteller: IR
TO-263
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF9530PBF IRF9530_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF9530
Produktcode: 78154
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description irf9530-datasheet.pdf
IRF9530
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 48 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Montage: THT
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IRF9530N
Produktcode: 7932
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description
IRF9530N
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
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IRF9530NS
Produktcode: 58984
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF9530NSPBF
Produktcode: 154938
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description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF9530PBF
Produktcode: 215123
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91076.pdf
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9530
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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IRF9530NL Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF irf9530.pdf
IRF9530PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.3Ω
Pulsed drain current: -48A
Gate charge: 38nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
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