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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF9530NPBF IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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IR irf9530n.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 193 St.
14 St. - stock Köln
179 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.54 EUR
10+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
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VBsemi IRF9530SPBF.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
/: SMD
auf Bestellung 103 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Produktcode: 35683
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IR irf9530spbf.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: SMD
verfügbar: 6 St.
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 Siliconix HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 IRF9530 Harris Corporation HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description IRF9530
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+2.84 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 HARRIS HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description IRF9530
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+2.84 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N Infineon description P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
92+0.78 EUR
106+0.68 EUR
117+0.61 EUR
128+0.56 EUR
250+0.52 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies IRF9530NPBF.PDF Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 21142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.34 EUR
50+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 21672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1 EUR
100+0.92 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.35 EUR
121+1.15 EUR
135+0.98 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 191
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.87 EUR
248+0.56 EUR
251+0.53 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 257
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.58 EUR
251+0.55 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 248
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRL Infineon P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 8838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
10+1.89 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.94 EUR
1600+0.87 EUR
2400+0.83 EUR
4000+0.79 EUR
5600+0.76 EUR
8000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf9530ns.pdf_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 4001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+1.03 EUR
800+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF International Rectifier HiRel Products irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 IRF9530NSTRRPBF
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.18 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 246
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.82 EUR
51+1.41 EUR
57+1.26 EUR
74+0.97 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Semiconductors 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.31 EUR
10+1.64 EUR
100+1.54 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.05 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.07 EUR
50+1.99 EUR
100+1.79 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.06 EUR
91+1.53 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.07 EUR
50+1.99 EUR
100+1.79 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91076.pdf MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+1.92 EUR
100+1.3 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.05 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.9 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.89 EUR
2000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.86 EUR
100+1.62 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530S Siliconix sihf9530.pdf P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay sihf9530.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9530NLPBF IR
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IRF9530NPBF/IR IR 08+;
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IRF9530NS IR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 TO-263
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IRF9530NSPBF International Rectifier/Infineon irf9530nspbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:
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IRF9530PBF Vishay Siliconix IRF9530_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
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Транзистор IRF9530NPBF IR Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
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IRF9530 IRF9530
Produktcode: 78154
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Vishay irf9530-datasheet.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 100
Id,A: 48
Rds(on),Om: 0.3
/: THT
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IRF9530N IRF9530N
Produktcode: 7932
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IR description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.2
/: THT
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IRF9530NS IRF9530NS
Produktcode: 58984
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Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF9530NSPBF
Produktcode: 154938
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irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF9530PBF
Produktcode: 215123
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91076.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF9530 IRF9530 Vishay / Siliconix HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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IRF9530 IRF9530 Vishay Siliconix IRF9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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IRF9530NL IRF9530NL Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRF9530NS IRF9530NS Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRF9530NSPBF IRF9530NSPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRF9530NSTRR IRF9530NSTRR Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRF9530PBF IRF9530PBF Vishay doc91076.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 193 St.
14 St. - stock Köln
179 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.54 EUR
10+0.5 EUR
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IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
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description IRF9530SPBF.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
/: SMD
auf Bestellung 103 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9530SPBF
Produktcode: 35683
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description irf9530spbf.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: SMD
verfügbar: 6 St.
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9530
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
151+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF9530
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
189+2.84 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF9530
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
189+2.84 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N description
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
92+0.78 EUR
106+0.68 EUR
117+0.61 EUR
128+0.56 EUR
250+0.52 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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IRF9530NPBF IRF9530NPBF.PDF
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 21142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.34 EUR
50+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRF9530NPBF Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 21672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.83 EUR
10+1 EUR
100+0.92 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
61+2.35 EUR
121+1.15 EUR
135+0.98 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
191+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 191
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IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
165+0.87 EUR
248+0.56 EUR
251+0.53 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 165
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IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
257+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 257
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IRF9530NPBF infineonirf9530ndatasheetv0101en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
248+0.58 EUR
251+0.55 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 248
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IRF9530NSTRL
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 8838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.96 EUR
10+1.89 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.94 EUR
1600+0.87 EUR
2400+0.83 EUR
4000+0.79 EUR
5600+0.76 EUR
8000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF Infineon_irf9530ns.pdf_DS_v01_01_EN.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 4001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.94 EUR
10+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+1.03 EUR
800+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRF9530NSTRRPBF
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
246+2.18 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 246
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF irf9530.pdf
IRF9530PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
51+1.41 EUR
57+1.26 EUR
74+0.97 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.31 EUR
10+1.64 EUR
100+1.54 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.05 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF 91076.pdf
IRF9530PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.07 EUR
50+1.99 EUR
100+1.79 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF doc91076.pdf
IRF9530PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+2.06 EUR
91+1.53 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.07 EUR
50+1.99 EUR
100+1.79 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.63 EUR
10+1.92 EUR
100+1.3 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.05 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 doc91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.9 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 doc91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.89 EUR
2000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF-BE3 doc91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
78+1.86 EUR
100+1.62 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530S sihf9530.pdf
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NLPBF
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF 50K
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 69 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 50 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530
Produktcode: 78154
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description irf9530-datasheet.pdf
IRF9530
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 100
Id,A: 48
Rds(on),Om: 0.3
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+1.06 EUR
10+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N
Produktcode: 7932
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description
IRF9530N
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.2
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS
Produktcode: 58984
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Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NS
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF
Produktcode: 154938
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description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF
Produktcode: 215123
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91076.pdf
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9530.pdf
IRF9530
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description IRF9530.pdf
IRF9530
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NL Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF doc91076.pdf
IRF9530PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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