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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF9530NPBF Produktcode: 32844
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 12 Rds(on),Om: 0.3 Ciss, pF/Qg, nC: 500/25 /: THT |
verfügbar: 164 Stück
14 Stück - stock Köln
150 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF9530SPBF Produktcode: 35683
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: D2Pak Uds,V: 100 Id,A: 12 Rds(on),Om: 0.3 Ciss, pF/Qg, nC: 500/25 /: SMD |
verfügbar: 6 Stück
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IRF9530SPBF Produktcode: 192850
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Lieblingsprodukt
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VBsemi |
![]() ![]() Gehäuse: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67 |
auf Bestellung 76 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF9530 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530 | Harris Corporation |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530 | HARRIS |
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auf Bestellung 1667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530 | HARRIS |
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auf Bestellung 1583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530N | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530N-ML | MOSLEADER |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF9530NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF9530NPBF | IR |
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auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSPBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRL | Infineon |
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530PBF | Vishay Siliconix |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF9530PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF9530S | Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530SPBF | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530SPBF | VISHAY |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF9530SPBF | Vishay |
![]() ![]() |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
![]() |
IRF9530STRLPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Vishay |
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auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF9530STRLPBF | Vishay |
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auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Vishay |
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auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF9530NLPBF | IR |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
IRF9530NPBF 50K |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
IRF9530NPBF/IR | IR | 08+; |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF9530NS | IR |
![]() |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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IRF9530 Produktcode: 78154
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Lieblingsprodukt
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Vishay |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220-3 Uds,V: 100 Id,A: 48 Rds(on),Om: 0.3 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9530N Produktcode: 7932
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Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 12 Rds(on),Om: 0.2 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NS Produktcode: 58984
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF9530NSPBF Produktcode: 154938
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Lieblingsprodukt
|
![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF9530NPBF Produktcode: 32844
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 164 Stück
14 Stück - stock Köln
150 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
150 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.54 EUR |
10+ | 0.50 EUR |
IRF9530SPBF Produktcode: 35683
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Lieblingsprodukt
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![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: SMD
verfügbar: 6 Stück
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.98 EUR |
10+ | 0.81 EUR |
IRF9530SPBF Produktcode: 192850
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: VBsemi
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
auf Bestellung 76 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.86 EUR |
IRF9530 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.86 EUR |
IRF9530 | ![]() |
![]() |
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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222+ | 2.27 EUR |
IRF9530 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF9530
IRF9530
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
246+ | 2.46 EUR |
500+ | 2.27 EUR |
1000+ | 2.08 EUR |
IRF9530 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF9530
IRF9530
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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246+ | 2.46 EUR |
500+ | 2.27 EUR |
1000+ | 2.08 EUR |
IRF9530N | ![]() |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.61 EUR |
IRF9530N-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.25 EUR |
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
75+ | 0.96 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
127+ | 0.57 EUR |
134+ | 0.54 EUR |
250+ | 0.53 EUR |
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
75+ | 0.96 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
127+ | 0.57 EUR |
134+ | 0.54 EUR |
250+ | 0.53 EUR |
1000+ | 0.51 EUR |
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 20690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 2.01 EUR |
50+ | 1.09 EUR |
100+ | 0.90 EUR |
500+ | 0.79 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
2000+ | 0.63 EUR |
5000+ | 0.61 EUR |
10000+ | 0.58 EUR |
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
354+ | 0.46 EUR |
355+ | 0.44 EUR |
500+ | 0.41 EUR |
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
144+ | 1.08 EUR |
203+ | 0.74 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
1000+ | 0.54 EUR |
2000+ | 0.49 EUR |
5000+ | 0.45 EUR |
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.84 EUR |
IRF9530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
142+ | 1.14 EUR |
143+ | 1.09 EUR |
201+ | 0.75 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
1000+ | 0.55 EUR |
2000+ | 0.49 EUR |
5000+ | 0.46 EUR |
IRF9530NSPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 1.89 EUR |
10+ | 1.62 EUR |
100+ | 1.43 EUR |
IRF9530NSTRL |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.92 EUR |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.12 EUR |
10+ | 1.99 EUR |
100+ | 1.34 EUR |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.99 EUR |
1600+ | 0.92 EUR |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.82 EUR |
2400+ | 0.72 EUR |
4800+ | 0.53 EUR |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
214+ | 0.75 EUR |
246+ | 0.63 EUR |
259+ | 0.58 EUR |
1600+ | 0.50 EUR |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.83 EUR |
2400+ | 0.72 EUR |
4800+ | 0.53 EUR |
IRF9530NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
209+ | 0.74 EUR |
215+ | 0.70 EUR |
1600+ | 0.67 EUR |
IRF9530NSTRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
320+ | 1.90 EUR |
500+ | 1.75 EUR |
1000+ | 1.59 EUR |
IRF9530PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.23 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
IRF9530PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.23 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
IRF9530PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 9925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.43 EUR |
50+ | 1.87 EUR |
100+ | 1.76 EUR |
500+ | 1.41 EUR |
1000+ | 1.29 EUR |
2000+ | 1.27 EUR |
5000+ | 1.23 EUR |
IRF9530PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
88+ | 1.85 EUR |
97+ | 1.61 EUR |
104+ | 1.44 EUR |
500+ | 1.11 EUR |
1000+ | 0.97 EUR |
IRF9530PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 5.07 EUR |
10+ | 4.37 EUR |
100+ | 3.84 EUR |
IRF9530PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
87+ | 1.86 EUR |
96+ | 1.63 EUR |
103+ | 1.45 EUR |
500+ | 1.12 EUR |
1000+ | 0.98 EUR |
IRF9530PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.22 EUR |
50+ | 1.53 EUR |
100+ | 1.43 EUR |
500+ | 1.23 EUR |
IRF9530PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 1.79 EUR |
100+ | 1.65 EUR |
250+ | 1.52 EUR |
500+ | 1.41 EUR |
IRF9530PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530S |
![]() |
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
P-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.04 EUR |
IRF9530SPBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 4.47 EUR |
50+ | 2.65 EUR |
100+ | 2.49 EUR |
500+ | 2.05 EUR |
IRF9530SPBF | ![]() |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530SPBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530STRLPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 4.54 EUR |
10+ | 3.26 EUR |
100+ | 2.44 EUR |
IRF9530STRLPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.97 EUR |
1600+ | 1.95 EUR |
IRF9530STRLPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 2.57 EUR |
74+ | 2.11 EUR |
IRF9530STRLPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 2.57 EUR |
74+ | 2.11 EUR |
IRF9530STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
81+ | 2.00 EUR |
109+ | 1.43 EUR |
115+ | 1.31 EUR |
IRF9530STRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530NLPBF |
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530NPBF 50K |
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530NPBF/IR |
Hersteller: IR
08+;
08+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530NS |
![]() |
Hersteller: IR
TO-263
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9530 Produktcode: 78154
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 100
Id,A: 48
Rds(on),Om: 0.3
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 100
Id,A: 48
Rds(on),Om: 0.3
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.06 EUR |
10+ | 0.84 EUR |
IRF9530N Produktcode: 7932
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.2
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.2
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9530NS Produktcode: 58984
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9530NSPBF Produktcode: 154938
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Lieblingsprodukt
|
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
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