Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3PF
Uds,V: 200
Idd,A: 21.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.071
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT

Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3PF
Uds,V: 250
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 40
Idd,A: 240
Rds(on), Ohm: 1.25mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9130/160
JHGF: SMD

Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 100
Idd,A: 07.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 400/23
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT

Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263)
Uds,V: 600
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
JHGF: SMD

Hersteller: FNIRSI
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Осцилографи
Beschreibung: Осцилограф портативний з сенсорним TFT дисплеєм 7 "(800 * 480). Смуга пропускання: 0 ... 100 МГц. Частота дискретизації: 1 GSa / s. Кількість каналів: 2. Вертикальна чутливість: 50 мВ / діл~ 500 В / діл. Максимальна напруга на вході: 40 В (x1 зонд), 400В (x10 зонд). Живлення: вбудована літієва батарея 6000mAh. Зарядний USB. Габарити: 184x124x39

Hersteller: FNIRSI
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Калібратор-задатчик портативний. Вихідна напруга: 0...10В (режими налаштовуються в меню). Вихідний струм: 0...22mA (режими налаштовуються в меню). Пароль меню: " +--+ ". Елементу живлення у комплекті немає.
Тип виробу: Готовий модуль

Hersteller: FNIRSI
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Генератор сигналів напруги та струму (задавач-калібратор) . Напруга на выході: 0-12V, струм на фиході: 0...24mA. Пристрій може задавати потрібне значення сили струму або напруги, щоб перевірити лінію зв’язку між приладами в системі управління, або щоб відкалібрувати будь-які пристрої. Живлення: літієва батарея 3,7V, 1100mAh, microUSB, 24VDC. Габарити: 89x69x28mm.

Hersteller: FNIRSI
Modulare Elemente > Thermostate und Thermometer
Beschreibung: Цифровий термостат вбудований. Діапазон температур: -50 ... + 110°C. Точність: +/- 0.1°C. Вибір верхнього і нижнього порогів спрацьовування. Напруга навантаження: 12VDC, ток: 10A / 120W, датчик NTC 10K.
Gerätetyp: Термостат
Geschaltete spannung: 12VDC
Temperatur: -50...+110°C

Hersteller: FNIRSI
Modulare Elemente > Thermostate und Thermometer
Beschreibung: Термостат з контролем вологості. Діапазон вимірювання температури: 0...100°C. Діапазон вимірювання вологості: 1... 99% RH, точність: ± 1 . Комутована напруга: 12VDC, струм одного каналу: 10A. Діапазони роботи визначаються кнопками.
Gerätetyp: Термостат
Geschaltete spannung: 12VDC
Temperatur: -50...+100°C

Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: Vishay
N-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 240A 1.2mOhm 160nC Qg

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRFS3006TRL7PP

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R