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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IRLU024N Produktcode: 32876
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: I-Pak Uds,V: 55 Idd,A: 17 Rds(on), Ohm: 0.065 Ciss, pF/Qg, nC: 480/15 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 4937 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU024NPBF(Transistor) Produktcode: 73061
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 55 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 480/15 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 190 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRLU2905PBF Produktcode: 45467
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: I-Pak Uds,V: 55 Idd,A: 42 Rds(on), Ohm: 0.027 Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 42 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU2905PBF Produktcode: 184659
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Lieblingsprodukt
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VBsemi |
![]() ![]() Gehäuse: I-Pak Uds,V: 60 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 91 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLU8726PBF Produktcode: 33747
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: I-Pak Uds,V: 30 Idd,A: 86 Rds(on), Ohm: 0.0056 Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 15 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU014 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 190-194 Tag (e) |
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IRLU014PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
auf Bestellung 2758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU014PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2758 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024N | International Rectifier |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU024N | International Rectifier |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 1998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 29016 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLU024PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 5538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay |
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auf Bestellung 4133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay |
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auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay |
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auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay |
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auf Bestellung 4133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube Pulsed drain current: 17A |
auf Bestellung 811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube Pulsed drain current: 17A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 811 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120N | International Rectifier |
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 21871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 14471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 14475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4638 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110Z | International Rectifier |
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 34nC Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 34nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
auf Bestellung 1803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 22425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3114Z | International Rectifier |
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU024N Produktcode: 32876
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 4937 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.44 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
IRLU024NPBF(Transistor) Produktcode: 73061
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLU2905PBF Produktcode: 45467
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 42 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.84 EUR |
10+ | 0.70 EUR |
IRLU2905PBF Produktcode: 184659
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Lieblingsprodukt
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![]() |
![]() |
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 91 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLU8726PBF Produktcode: 33747
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.70 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
IRLU014 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 190-194 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.73 EUR |
10+ | 3.94 EUR |
75+ | 3.13 EUR |
300+ | 2.87 EUR |
525+ | 2.60 EUR |
1050+ | 2.24 EUR |
2550+ | 2.13 EUR |
IRLU014PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 2758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
60+ | 1.20 EUR |
115+ | 0.63 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
165+ | 0.43 EUR |
174+ | 0.41 EUR |
IRLU014PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
60+ | 1.20 EUR |
115+ | 0.63 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
165+ | 0.43 EUR |
174+ | 0.41 EUR |
IRLU014PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.10 EUR |
75+ | 1.38 EUR |
150+ | 1.24 EUR |
525+ | 1.04 EUR |
1050+ | 0.95 EUR |
2025+ | 0.88 EUR |
IRLU014PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.02 EUR |
10+ | 1.15 EUR |
100+ | 0.98 EUR |
500+ | 0.90 EUR |
1000+ | 0.84 EUR |
3000+ | 0.79 EUR |
IRLU014PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
192+ | 0.84 EUR |
206+ | 0.76 EUR |
216+ | 0.70 EUR |
525+ | 0.63 EUR |
1050+ | 0.60 EUR |
IRLU014PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
192+ | 0.84 EUR |
206+ | 0.76 EUR |
216+ | 0.70 EUR |
IRLU024N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
75+ | 1.10 EUR |
IRLU024N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
75+ | 1.10 EUR |
IRLU024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1.00 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
IRLU024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 29016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.69 EUR |
10+ | 0.86 EUR |
100+ | 0.73 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
1000+ | 0.53 EUR |
6000+ | 0.52 EUR |
IRLU024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 2.09 EUR |
75+ | 0.91 EUR |
150+ | 0.81 EUR |
IRLU024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2963+ | 0.48 EUR |
IRLU024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
214+ | 0.75 EUR |
IRLU024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLU024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
147+ | 0.49 EUR |
156+ | 0.46 EUR |
IRLU024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
147+ | 0.49 EUR |
156+ | 0.46 EUR |
IRLU024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 5538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.87 EUR |
10+ | 1.57 EUR |
100+ | 1.41 EUR |
250+ | 1.40 EUR |
500+ | 1.29 EUR |
1000+ | 1.22 EUR |
IRLU024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.10 EUR |
75+ | 1.88 EUR |
150+ | 1.70 EUR |
525+ | 1.44 EUR |
1050+ | 1.32 EUR |
2025+ | 1.23 EUR |
IRLU024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 4133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
96+ | 1.69 EUR |
124+ | 1.26 EUR |
132+ | 1.14 EUR |
250+ | 1.09 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
1000+ | 0.87 EUR |
IRLU024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
93+ | 1.74 EUR |
104+ | 1.50 EUR |
250+ | 1.29 EUR |
500+ | 1.15 EUR |
IRLU024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
56+ | 2.92 EUR |
94+ | 1.67 EUR |
105+ | 1.44 EUR |
250+ | 1.23 EUR |
500+ | 1.10 EUR |
IRLU024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 4133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
116+ | 1.40 EUR |
124+ | 1.26 EUR |
250+ | 1.13 EUR |
500+ | 1.04 EUR |
IRLU110PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.12 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
147+ | 0.49 EUR |
190+ | 0.38 EUR |
200+ | 0.36 EUR |
IRLU110PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.12 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
147+ | 0.49 EUR |
190+ | 0.38 EUR |
200+ | 0.36 EUR |
IRLU110PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 6488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.75 EUR |
75+ | 1.24 EUR |
150+ | 1.12 EUR |
525+ | 0.94 EUR |
1050+ | 0.91 EUR |
IRLU110PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.68 EUR |
10+ | 1.21 EUR |
100+ | 1.09 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
IRLU110PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 2.32 EUR |
143+ | 1.09 EUR |
160+ | 0.94 EUR |
500+ | 0.76 EUR |
1000+ | 0.70 EUR |
IRLU110PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
142+ | 1.14 EUR |
159+ | 0.98 EUR |
500+ | 0.80 EUR |
1000+ | 0.74 EUR |
IRLU120N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.70 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
37+ | 1.93 EUR |
101+ | 0.72 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
MOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
auf Bestellung 21871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.74 EUR |
10+ | 0.89 EUR |
100+ | 0.79 EUR |
500+ | 0.68 EUR |
1000+ | 0.58 EUR |
3000+ | 0.57 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 6770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.32 EUR |
75+ | 1.03 EUR |
150+ | 0.92 EUR |
525+ | 0.76 EUR |
1050+ | 0.69 EUR |
2025+ | 0.64 EUR |
5025+ | 0.58 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 14471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
216+ | 0.75 EUR |
249+ | 0.63 EUR |
525+ | 0.50 EUR |
1050+ | 0.48 EUR |
2550+ | 0.44 EUR |
10050+ | 0.42 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
911+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.60 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
135+ | 1.20 EUR |
147+ | 1.06 EUR |
261+ | 0.57 EUR |
270+ | 0.53 EUR |
500+ | 0.48 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 14475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
102+ | 1.58 EUR |
218+ | 0.72 EUR |
251+ | 0.60 EUR |
525+ | 0.48 EUR |
1050+ | 0.45 EUR |
2550+ | 0.42 EUR |
10050+ | 0.40 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
911+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.60 EUR |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
911+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.60 EUR |
IRLU3110Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 4.80 EUR |
IRLU3110ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 34nC
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 34nC
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.47 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
IRLU3110ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 34nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 34nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.47 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
300+ | 1.17 EUR |
3000+ | 1.14 EUR |
IRLU3110ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLU3110ZPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3000+ | 1.17 EUR |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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386+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.45 EUR |
1000+ | 1.32 EUR |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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386+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.45 EUR |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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52+ | 3.12 EUR |
57+ | 2.74 EUR |
100+ | 1.98 EUR |
200+ | 1.78 EUR |
1000+ | 1.52 EUR |
2000+ | 1.36 EUR |
IRLU3110ZPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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auf Bestellung 6854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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386+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.45 EUR |
1000+ | 1.32 EUR |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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386+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.45 EUR |
1000+ | 1.32 EUR |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 22425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3000+ | 1.16 EUR |
IRLU3110ZPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLU3110ZPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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386+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.45 EUR |
1000+ | 1.32 EUR |
IRLU3114Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 3.70 EUR |
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