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IRLU024N IRLU024N
Produktcode: 32876
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IR IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 4904 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBF IRLU2905PBF
Produktcode: 45467
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IR irlu2905pbf.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 40 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.84 EUR
10+0.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBF IRLU2905PBF
Produktcode: 184659
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VBsemi LU2905-ds.PDF description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 91 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU8726PBF IRLU8726PBF
Produktcode: 33747
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IR irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 13 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY IRLU014.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 2648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.20 EUR
115+0.63 EUR
127+0.56 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY IRLU014.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2648 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.20 EUR
115+0.63 EUR
127+0.56 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
75+0.95 EUR
150+0.89 EUR
525+0.87 EUR
1050+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.82 EUR
140+0.51 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
525+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 6460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
75+0.61 EUR
150+0.55 EUR
525+0.52 EUR
1050+0.50 EUR
5025+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+0.93 EUR
250+0.86 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 28197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.14 EUR
154+0.93 EUR
255+0.54 EUR
312+0.42 EUR
315+0.40 EUR
500+0.34 EUR
6000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2938+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2938
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 28196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.58 EUR
313+0.46 EUR
316+0.43 EUR
500+0.37 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.47 EUR
318+0.45 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 316
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF IRLU024PBF VISHAY IRLU024.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF IRLU024PBF VISHAY IRLU024.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
35+2.04 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay Siliconix sihlr024.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.77 EUR
75+1.73 EUR
150+1.56 EUR
525+1.32 EUR
1050+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.49 EUR
103+1.39 EUR
136+1.01 EUR
137+0.96 EUR
250+0.91 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.12 EUR
115+1.24 EUR
117+1.18 EUR
250+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY IRLR110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
191+0.38 EUR
201+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY IRLR110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
191+0.38 EUR
201+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 6341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
75+0.89 EUR
150+0.86 EUR
525+0.84 EUR
1050+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.14 EUR
90+1.60 EUR
181+0.76 EUR
187+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.82 EUR
187+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120N International Rectifier N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
110+0.65 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
110+0.65 EUR
114+0.63 EUR
10050+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.13 EUR
75+0.94 EUR
150+0.84 EUR
525+0.70 EUR
1050+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
673+0.82 EUR
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
673+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 673
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
673+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 673
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.69 EUR
237+0.60 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 215
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.28 EUR
215+0.67 EUR
237+0.58 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
673+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 673
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IRLU3110Z International Rectifier N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.47 EUR
52+1.39 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
52+1.39 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
300+1.17 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a description Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
75+1.78 EUR
150+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.73 EUR
95+1.51 EUR
116+1.19 EUR
200+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 86
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 22950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
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IRLU3114Z International Rectifier N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRLU3410 International Rectifier N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
75+0.98 EUR
150+0.85 EUR
525+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 26532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+0.99 EUR
199+0.72 EUR
223+0.62 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 26550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.14 EUR
149+0.96 EUR
198+0.69 EUR
223+0.59 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.41 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRLU3636PBF International Rectifier irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698 Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
228+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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IRLU024N
Produktcode: 32876
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description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
IRLU024N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 4904 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBF
Produktcode: 45467
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description irlu2905pbf.pdf
IRLU2905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 40 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
10+0.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBF
Produktcode: 184659
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description LU2905-ds.PDF
IRLU2905PBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 91 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU8726PBF
Produktcode: 33747
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description irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLU8726PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 13 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
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IRLU014PBF IRLU014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 2648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.20 EUR
115+0.63 EUR
127+0.56 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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IRLU014PBF IRLU014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2648 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.20 EUR
115+0.63 EUR
127+0.56 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.58 EUR
75+0.95 EUR
150+0.89 EUR
525+0.87 EUR
1050+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
140+0.51 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
525+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 6460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.21 EUR
75+0.61 EUR
150+0.55 EUR
525+0.52 EUR
1050+0.50 EUR
5025+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
159+0.93 EUR
250+0.86 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 28197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
131+1.14 EUR
154+0.93 EUR
255+0.54 EUR
312+0.42 EUR
315+0.40 EUR
500+0.34 EUR
6000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2938+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2938
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 28196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+0.58 EUR
313+0.46 EUR
316+0.43 EUR
500+0.37 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
316+0.47 EUR
318+0.45 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 316
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF description IRLU024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF description IRLU024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
35+2.04 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.77 EUR
75+1.73 EUR
150+1.56 EUR
525+1.32 EUR
1050+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.49 EUR
103+1.39 EUR
136+1.01 EUR
137+0.96 EUR
250+0.91 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+2.12 EUR
115+1.24 EUR
117+1.18 EUR
250+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLR110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
191+0.38 EUR
201+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLR110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
191+0.38 EUR
201+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 6341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.43 EUR
75+0.89 EUR
150+0.86 EUR
525+0.84 EUR
1050+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+2.14 EUR
90+1.60 EUR
181+0.76 EUR
187+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
182+0.82 EUR
187+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120N
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
110+0.65 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
110+0.65 EUR
114+0.63 EUR
10050+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.13 EUR
75+0.94 EUR
150+0.84 EUR
525+0.70 EUR
1050+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
673+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 673
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
673+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 673
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
673+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 673
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
215+0.69 EUR
237+0.60 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
116+1.28 EUR
215+0.67 EUR
237+0.58 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
673+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 673
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110Z
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
52+1.39 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
52+1.39 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
300+1.17 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.87 EUR
75+1.78 EUR
150+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
86+1.73 EUR
95+1.51 EUR
116+1.19 EUR
200+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 22950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3114Z
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.02 EUR
75+0.98 EUR
150+0.85 EUR
525+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU3410PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 26532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.99 EUR
199+0.72 EUR
223+0.62 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 26550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
130+1.14 EUR
149+0.96 EUR
198+0.69 EUR
223+0.59 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.41 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698
IRLU3636PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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