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IRLU024N IRLU024N
Produktcode: 32876
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IR IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 2856 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.44 EUR
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IRLU024NPBF(Transistor) IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
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JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLU2905PBF IRLU2905PBF
Produktcode: 184659
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VBsemi LU2905-ds.PDF description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46
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JHGF: THT
auf Bestellung 86 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLU2905PBF IRLU2905PBF
Produktcode: 45467
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IR irlu2905pbf.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 40 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.84 EUR
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IRLU8726PBF IRLU8726PBF
Produktcode: 33747
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IR irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
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IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
105+0.69 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
105+0.69 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
75+0.9 EUR
150+0.87 EUR
525+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay Semiconductors sihlr014.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 3213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.38 EUR
10+0.95 EUR
100+0.91 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.82 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+0.92 EUR
96+0.75 EUR
122+0.59 EUR
166+0.43 EUR
178+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 18166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+0.58 EUR
100+0.54 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.47 EUR
9000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 12698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
75+0.56 EUR
150+0.51 EUR
525+0.49 EUR
2025+0.48 EUR
5025+0.45 EUR
10050+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2938+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2938
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 33762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.1 EUR
154+0.9 EUR
270+0.49 EUR
311+0.41 EUR
314+0.39 EUR
500+0.34 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF International Rectifier HiRel Products irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 870
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+0.9 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 33756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.53 EUR
311+0.44 EUR
314+0.42 EUR
500+0.37 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 269
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF IRLU024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E7A96634EC143&compId=IRLU024.pdf?ci_sign=064d31f5ea3e54a35cb9ec8790416ce3ea142884 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
25+2.86 EUR
35+2.04 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay Siliconix sihlr024.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.68 EUR
75+1.69 EUR
150+1.52 EUR
525+1.29 EUR
1050+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1 EUR
158+0.88 EUR
181+0.73 EUR
188+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+0.91 EUR
181+0.76 EUR
188+0.71 EUR
250+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
115+0.63 EUR
130+0.55 EUR
191+0.38 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
115+0.63 EUR
130+0.55 EUR
191+0.38 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
75+1.18 EUR
150+1.06 EUR
525+0.89 EUR
1050+0.82 EUR
2025+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay Semiconductors sihlr110.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.24 EUR
100+1.11 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120N International Rectifier N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
75+0.92 EUR
150+0.82 EUR
525+0.68 EUR
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.64 EUR
242+0.57 EUR
273+0.49 EUR
525+0.4 EUR
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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747+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3297 Stücke:
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747+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 747
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
747+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 747
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLU3110Z International Rectifier N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E95506BE0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=345190505f871965a8ce7cc3f8e02af74e6a3a8f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.47 EUR
52+1.39 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E95506BE0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=345190505f871965a8ce7cc3f8e02af74e6a3a8f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
52+1.39 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
300+1.17 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a description Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.78 EUR
75+1.74 EUR
150+1.57 EUR
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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3000+1.08 EUR
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.43 EUR
86+1.61 EUR
100+1.41 EUR
200+1.11 EUR
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 298
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IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.08 EUR
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IRLU3114Z International Rectifier N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRLU3410 International Rectifier N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 3471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
75+0.91 EUR
150+0.81 EUR
525+0.76 EUR
1050+0.68 EUR
2025+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
auf Bestellung 10656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+0.96 EUR
100+0.85 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 43746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 221
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 43750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.12 EUR
202+0.68 EUR
224+0.59 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.41 EUR
12000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 128
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLU3636PBF IRLU3636PBF International Rectifier irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698 Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
228+2 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.27 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 237
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IRLU024N
Produktcode: 32876
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description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
IRLU024N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 2856 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061
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IRLU024NPBF(Transistor)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLU2905PBF
Produktcode: 184659
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description LU2905-ds.PDF
IRLU2905PBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 86 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLU2905PBF
Produktcode: 45467
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description irlu2905pbf.pdf
IRLU2905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 40 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
10+0.7 EUR
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IRLU8726PBF
Produktcode: 33747
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description irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLU8726PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b
IRLU014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
105+0.69 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b
IRLU014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
105+0.69 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.32 EUR
75+0.9 EUR
150+0.87 EUR
525+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 3213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.38 EUR
10+0.95 EUR
100+0.91 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.82 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
96+0.75 EUR
122+0.59 EUR
166+0.43 EUR
178+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 18166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.27 EUR
10+0.58 EUR
100+0.54 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.47 EUR
9000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 12698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.21 EUR
75+0.56 EUR
150+0.51 EUR
525+0.49 EUR
2025+0.48 EUR
5025+0.45 EUR
10050+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2938+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2938
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 33762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
131+1.1 EUR
154+0.9 EUR
270+0.49 EUR
311+0.41 EUR
314+0.39 EUR
500+0.34 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
870+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 870
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
159+0.9 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 33756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
269+0.53 EUR
311+0.44 EUR
314+0.42 EUR
500+0.37 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 269
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E7A96634EC143&compId=IRLU024.pdf?ci_sign=064d31f5ea3e54a35cb9ec8790416ce3ea142884
IRLU024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
25+2.86 EUR
35+2.04 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.68 EUR
75+1.69 EUR
150+1.52 EUR
525+1.29 EUR
1050+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
144+1 EUR
158+0.88 EUR
181+0.73 EUR
188+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
158+0.91 EUR
181+0.76 EUR
188+0.71 EUR
250+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93
IRLU110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
115+0.63 EUR
130+0.55 EUR
191+0.38 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93
IRLU110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
115+0.63 EUR
130+0.55 EUR
191+0.38 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.62 EUR
75+1.18 EUR
150+1.06 EUR
525+0.89 EUR
1050+0.82 EUR
2025+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.75 EUR
10+1.24 EUR
100+1.11 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120N
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34
IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34
IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
108+0.66 EUR
10050+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.09 EUR
75+0.92 EUR
150+0.82 EUR
525+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
225+0.64 EUR
242+0.57 EUR
273+0.49 EUR
525+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 225
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
225+0.64 EUR
242+0.57 EUR
273+0.49 EUR
525+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 225
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
747+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 747
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
747+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 747
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
747+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 747
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF description INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110Z
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E95506BE0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=345190505f871965a8ce7cc3f8e02af74e6a3a8f
IRLU3110ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
52+1.39 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E95506BE0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=345190505f871965a8ce7cc3f8e02af74e6a3a8f
IRLU3110ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
52+1.39 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
300+1.17 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.78 EUR
75+1.74 EUR
150+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+3.43 EUR
86+1.61 EUR
100+1.41 EUR
200+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3114Z
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 3471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.02 EUR
75+0.91 EUR
150+0.81 EUR
525+0.76 EUR
1050+0.68 EUR
2025+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
auf Bestellung 10656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.13 EUR
10+0.96 EUR
100+0.85 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 43746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
221+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 43750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.12 EUR
202+0.68 EUR
224+0.59 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.41 EUR
12000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBF INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU3410PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698
IRLU3636PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+2 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3636PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+2.27 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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