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MMUN2215LT1 ON Semiconductor MMUN22xxLTx_Series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
463+0.15 EUR
725+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
463+0.15 EUR
725+0.10 EUR
887+0.08 EUR
2440+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 55777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
192+0.09 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5320+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1606+0.10 EUR
2410+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1606
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
961+0.16 EUR
1288+0.12 EUR
1339+0.11 EUR
1393+0.10 EUR
1454+0.09 EUR
1518+0.08 EUR
1590+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 961
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1454+0.11 EUR
1518+0.10 EUR
1590+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1454
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 372172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2016211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
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MMUN2215LT1G A8E. ON-Semicoductor Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2215LT1G TMMUN2215
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ONSEMI MMUN2216.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
585+0.12 EUR
834+0.09 EUR
981+0.07 EUR
1257+0.06 EUR
1846+0.04 EUR
2660+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 585
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ONSEMI MMUN2216.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
585+0.12 EUR
834+0.09 EUR
981+0.07 EUR
1257+0.06 EUR
1846+0.04 EUR
2660+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 585
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G ON-Semicoductor dtc143t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G ON-Semicoductor dtc143t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 78574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
177+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 24036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
192+0.09 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
177+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ONSEMI 2355688.pdf Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ONSEMI 2355688.pdf Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.04 EUR
7043+0.02 EUR
7143+0.02 EUR
7195+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1 MMUN2231LT1 onsemi MMUN22xxLTx_Series.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1 ON Semiconductor MMUN22xxLTx_Series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI MMUN2231.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI MMUN2231.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
10+7.15 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
727+0.10 EUR
2000+0.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G ON-Semicoductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
600+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 600
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 45127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
177+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.13 EUR
705+0.10 EUR
985+0.07 EUR
1119+0.06 EUR
1194+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
705+0.10 EUR
985+0.07 EUR
1119+0.06 EUR
1194+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G ON-Semicoductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 63536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.21 EUR
130+0.14 EUR
210+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3268+0.05 EUR
3774+0.04 EUR
4274+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9175+0.02 EUR
9346+0.02 EUR
9434+0.02 EUR
15000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.03 EUR
60000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9175+0.02 EUR
9346+0.02 EUR
9434+0.02 EUR
15000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
865+0.18 EUR
1401+0.11 EUR
1415+0.10 EUR
2310+0.06 EUR
2337+0.06 EUR
3268+0.04 EUR
3774+0.03 EUR
4274+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 865
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1 MMUN2233LT1 onsemi MMUN22xxLTx_Series.pdf Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4438+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4438
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ONSEMI MMUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 532
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1 MMUN22xxLTx_Series.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215.PDF
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
463+0.15 EUR
725+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215.PDF
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
463+0.15 EUR
725+0.10 EUR
887+0.08 EUR
2440+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 55777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
192+0.09 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5320+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G 1708320.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1606+0.10 EUR
2410+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1606
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
961+0.16 EUR
1288+0.12 EUR
1339+0.11 EUR
1393+0.10 EUR
1454+0.09 EUR
1518+0.08 EUR
1590+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 961
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1454+0.11 EUR
1518+0.10 EUR
1590+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1454
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G 1708320.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 372172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2016211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G A8E.
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2215LT1G TMMUN2215
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216.PDF
MMUN2216LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
585+0.12 EUR
834+0.09 EUR
981+0.07 EUR
1257+0.06 EUR
1846+0.04 EUR
2660+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 585
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216.PDF
MMUN2216LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
585+0.12 EUR
834+0.09 EUR
981+0.07 EUR
1257+0.06 EUR
1846+0.04 EUR
2660+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 585
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G dtc143t-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G dtc143t-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G dtc143t-d.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G dtc143t-d.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 78574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
177+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G mmun2211lt1-d.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G mmun2211lt1-d.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2216LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G mmun2211lt1-d.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2216LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2217LT1G dtc143x-d.pdf
MMUN2217LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2217LT1G dtc143x-d.pdf
MMUN2217LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 24036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
192+0.09 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
177+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G 2355688.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G 2355688.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.04 EUR
7043+0.02 EUR
7143+0.02 EUR
7195+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1 MMUN22xxLTx_Series.pdf
MMUN2231LT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11539+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1 MMUN22xxLTx_Series.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231.PDF
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231.PDF
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
10+7.15 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
727+0.10 EUR
2000+0.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
600+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 45127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
177+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232.PDF
MMUN2232LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
705+0.10 EUR
985+0.07 EUR
1119+0.06 EUR
1194+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232.PDF
MMUN2232LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
705+0.10 EUR
985+0.07 EUR
1119+0.06 EUR
1194+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 63536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.21 EUR
130+0.14 EUR
210+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3268+0.05 EUR
3774+0.04 EUR
4274+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9175+0.02 EUR
9346+0.02 EUR
9434+0.02 EUR
15000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G 2237085.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30000+0.03 EUR
60000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9175+0.02 EUR
9346+0.02 EUR
9434+0.02 EUR
15000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
865+0.18 EUR
1401+0.11 EUR
1415+0.10 EUR
2310+0.06 EUR
2337+0.06 EUR
3268+0.04 EUR
3774+0.03 EUR
4274+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 865
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G 2237085.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1 MMUN22xxLTx_Series.pdf
MMUN2233LT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4438+0.12 EUR
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MMUN2233LT1G MMUN2233.PDF
MMUN2233LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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