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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5953+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 5953
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 56401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 11881 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.052 EUR
6000+ 0.05 EUR
9000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2215LT1 ONSEMI ONSMS14410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2215LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2215LT1 MMUN2215LT1 onsemi MMUN22xxLTx_Series.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
520+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 520
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
520+0.14 EUR
805+ 0.089 EUR
2210+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 520
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
817+0.19 EUR
1322+ 0.11 EUR
3022+ 0.048 EUR
4348+ 0.032 EUR
5989+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 817
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G onsemi DTC114T_D-2310892.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 17117 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
166+0.31 EUR
239+ 0.22 EUR
572+ 0.091 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.047 EUR
9000+ 0.036 EUR
45000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 38305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3022+0.052 EUR
4348+ 0.035 EUR
5989+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3022
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
807+0.19 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 807
MMUN2215LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2572385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 38305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.2 EUR
802+ 0.19 EUR
803+ 0.18 EUR
804+ 0.17 EUR
807+ 0.16 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 4592 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMUN2215LT1G A8E. ON-Semicoductor Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2215LT1G TMMUN2215
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ONSEMI MMUN2216.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1285+0.056 EUR
1850+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1285
MMUN2216LT1G ON-Semicoductor dtc143t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MMUN2216LT1G ON-Semicoductor dtc143t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 90
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ONSEMI MMUN2216.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1285+0.056 EUR
1850+ 0.039 EUR
2360+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1285
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G onsemi DTC143T_D-2310749.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 372940 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
166+0.31 EUR
239+ 0.22 EUR
572+ 0.091 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.049 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8772+0.018 EUR
8850+ 0.017 EUR
9524+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 8772
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 75459 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.052 EUR
6000+ 0.05 EUR
9000+ 0.042 EUR
30000+ 0.039 EUR
75000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G onsemi DTC143X_D-2311009.pdf Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 11773 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
154+0.34 EUR
239+ 0.22 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.062 EUR
3000+ 0.052 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 154
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.059 EUR
6000+ 0.056 EUR
9000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 24985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
77+0.34 EUR
108+ 0.24 EUR
200+ 0.13 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 77
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ONSEMI 2355688.pdf Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi DTC113E_D-2310891.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 36925 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
154+0.34 EUR
213+ 0.24 EUR
393+ 0.13 EUR
1000+ 0.083 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.052 EUR
45000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 154
MMUN2230LT1G ONSEMI ONSM-S-A0000248330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1471+0.11 EUR
2203+ 0.068 EUR
3379+ 0.043 EUR
3969+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1471
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ONSEMI 2355688.pdf Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2203+0.071 EUR
3379+ 0.045 EUR
3969+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 2203
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 30116 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
80+ 0.32 EUR
149+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 56
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 29996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+ 0.075 EUR
9000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2231LT1 ONSEMI ONSMS14410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2231LT1 - TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2231LT1 MMUN2231LT1 onsemi MMUN22xxLTx_Series.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI MMUN2231.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
860+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 860
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI MMUN2231.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
860+0.083 EUR
2160+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 860
MMUN2231LT1G ON-Semicoductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
700+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 700
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 19849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi DTC123E_D-2310857.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
166+0.31 EUR
241+ 0.22 EUR
572+ 0.091 EUR
1000+ 0.062 EUR
3000+ 0.047 EUR
9000+ 0.034 EUR
45000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 19849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.052 EUR
6000+ 0.05 EUR
9000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 35670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.13 EUR
705+ 0.1 EUR
985+ 0.073 EUR
1119+ 0.064 EUR
1539+ 0.046 EUR
1961+ 0.036 EUR
3402+ 0.021 EUR
3598+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 556
MMUN2232LT1G ON-Semicoductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6623+0.024 EUR
7093+ 0.021 EUR
12000+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 6623
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G onsemi DTC143E_D-2310912.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 19434 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
197+0.27 EUR
274+ 0.19 EUR
426+ 0.12 EUR
1000+ 0.052 EUR
2500+ 0.047 EUR
10000+ 0.034 EUR
60000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 197
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6667+0.023 EUR
7143+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6667
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6623+0.024 EUR
7093+ 0.021 EUR
12000+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 6623
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6667+0.023 EUR
7143+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6667
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.052 EUR
6000+ 0.05 EUR
9000+ 0.042 EUR
30000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 70834 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
MMUN2214LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5953+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 5953
MMUN2214LT1G 2353855.pdf
MMUN2214LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 56401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
MMUN2214LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 11881 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
MMUN2214LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.052 EUR
6000+ 0.05 EUR
9000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2215LT1 ONSMS14410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2215LT1 MMUN22xxLTx_Series.pdf
MMUN2215LT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MMUN2215LT1G MMUN2215.PDF
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
520+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 520
MMUN2215LT1G MMUN2215.PDF
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
520+0.14 EUR
805+ 0.089 EUR
2210+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 520
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
817+0.19 EUR
1322+ 0.11 EUR
3022+ 0.048 EUR
4348+ 0.032 EUR
5989+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 817
MMUN2215LT1G DTC114T_D-2310892.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 17117 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
166+0.31 EUR
239+ 0.22 EUR
572+ 0.091 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.047 EUR
9000+ 0.036 EUR
45000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MMUN2215LT1G 1708320.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 38305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3022+0.052 EUR
4348+ 0.035 EUR
5989+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3022
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
807+0.19 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 807
MMUN2215LT1G ONSM-S-A0002809050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2572385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2215LT1G 1708320.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 38305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.2 EUR
802+ 0.19 EUR
803+ 0.18 EUR
804+ 0.17 EUR
807+ 0.16 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 4592 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMUN2215LT1G A8E.
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2215LT1G TMMUN2215
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMUN2216LT1G MMUN2216.PDF
MMUN2216LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1285+0.056 EUR
1850+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1285
MMUN2216LT1G dtc143t-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MMUN2216LT1G dtc143t-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
90+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 90
MMUN2216LT1G MMUN2216.PDF
MMUN2216LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1285+0.056 EUR
1850+ 0.039 EUR
2360+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1285
MMUN2216LT1G mmun2211lt1-d.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2216LT1G DTC143T_D-2310749.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 372940 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
166+0.31 EUR
239+ 0.22 EUR
572+ 0.091 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.049 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MMUN2216LT1G mmun2211lt1-d.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8772+0.018 EUR
8850+ 0.017 EUR
9524+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 8772
MMUN2216LT1G dtc143t-d.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 75459 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMUN2216LT1G dtc143t-d.pdf
MMUN2216LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.052 EUR
6000+ 0.05 EUR
9000+ 0.042 EUR
30000+ 0.039 EUR
75000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2217LT1G DTC143X_D-2311009.pdf
MMUN2217LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 11773 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
154+0.34 EUR
239+ 0.22 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.062 EUR
3000+ 0.052 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 154
MMUN2217LT1G dtc143x-d.pdf
MMUN2217LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.059 EUR
6000+ 0.056 EUR
9000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2217LT1G dtc143x-d.pdf
MMUN2217LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 24985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
77+0.34 EUR
108+ 0.24 EUR
200+ 0.13 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 77
MMUN2230LT1G 2355688.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2230LT1G DTC113E_D-2310891.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 36925 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
154+0.34 EUR
213+ 0.24 EUR
393+ 0.13 EUR
1000+ 0.083 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.052 EUR
45000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 154
MMUN2230LT1G ONSM-S-A0000248330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1471+0.11 EUR
2203+ 0.068 EUR
3379+ 0.043 EUR
3969+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1471
MMUN2230LT1G 2355688.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2203+0.071 EUR
3379+ 0.045 EUR
3969+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 2203
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 30116 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+0.47 EUR
80+ 0.32 EUR
149+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 56
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 29996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.079 EUR
6000+ 0.075 EUR
9000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2231LT1 ONSMS14410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1 - TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2231LT1 MMUN22xxLTx_Series.pdf
MMUN2231LT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MMUN2231LT1G MMUN2231.PDF
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
860+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 860
MMUN2231LT1G MMUN2231.PDF
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
860+0.083 EUR
2160+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 860
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
700+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 700
MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 19849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2231LT1G DTC123E_D-2310857.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
166+0.31 EUR
241+ 0.22 EUR
572+ 0.091 EUR
1000+ 0.062 EUR
3000+ 0.047 EUR
9000+ 0.034 EUR
45000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 19849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.052 EUR
6000+ 0.05 EUR
9000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 35670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMUN2232LT1G MMUN2232.PDF
MMUN2232LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
556+0.13 EUR
705+ 0.1 EUR
985+ 0.073 EUR
1119+ 0.064 EUR
1539+ 0.046 EUR
1961+ 0.036 EUR
3402+ 0.021 EUR
3598+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 556
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6623+0.024 EUR
7093+ 0.021 EUR
12000+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 6623
MMUN2232LT1G DTC143E_D-2310912.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 19434 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
197+0.27 EUR
274+ 0.19 EUR
426+ 0.12 EUR
1000+ 0.052 EUR
2500+ 0.047 EUR
10000+ 0.034 EUR
60000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 197
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6667+0.023 EUR
7143+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6667
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6623+0.024 EUR
7093+ 0.021 EUR
12000+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 6623
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6667+0.023 EUR
7143+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6667
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G 2237085.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.052 EUR
6000+ 0.05 EUR
9000+ 0.042 EUR
30000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 70834 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+0.31 EUR
121+ 0.22 EUR
225+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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