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MJD31C YZPST en.CD00000831.pdf Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C JSMicro Semiconductor en.CD00000831.pdf Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 6660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 4616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.13 EUR
26+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
7500+0.12 EUR
12500+0.11 EUR
25000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
7500+0.12 EUR
12500+0.11 EUR
25000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C1G MJD31C1G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CAJ Nexperia MJD31CA.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 14012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CAJ Nexperia USA Inc. MJD31CA.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
28+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CAJ NEXPERIA 3228229.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CAJ NEXPERIA 3228229.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU MJD31CEITU Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
781+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU FAIRCHILD ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf MJD31CEITU
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU FAIRCHILD ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf MJD31CEITU
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU FAIRCHILD ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf MJD31CEITU
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
68+1.07 EUR
82+0.87 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
68+1.07 EUR
82+0.87 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG onsemi MJD31_D-1489348.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+0.99 EUR
75+0.88 EUR
525+0.75 EUR
1050+0.65 EUR
2550+0.6 EUR
3375+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.06 EUR
525+0.86 EUR
1050+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 7848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.02 EUR
213+0.65 EUR
219+0.61 EUR
525+0.51 EUR
1050+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 7860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.02 EUR
214+0.64 EUR
220+0.6 EUR
525+0.51 EUR
1050+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13 MJD31CH-13 Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ MJD31CH-QJ Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
24+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ-3103807.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T and R 2.5K
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.28 EUR
10+0.8 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU MJD31CITU Fairchild Semiconductor FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 30954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRCHILD FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf MJD31CITU
auf Bestellung 19620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRCHILD FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf MJD31CITU
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRCHILD FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf MJD31CITU
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ NXP MJD31C.pdf Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31C.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 6730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
29+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia MJD31C.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 9692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31C.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
548+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 548
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 833
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
548+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 548
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0002527711_1-2542211.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 3663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+1.51 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 6087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
13+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.59 EUR
3600+0.55 EUR
5400+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi MJD31_D-1489348.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 5889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.25 EUR
10+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
1800+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
753+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 753
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.84 EUR
124+1.12 EUR
200+1.07 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS-TP MCC (Micro Commercial Components) MJD31CS(DPAK).pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
27+0.66 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS-TP MCC (Micro Commercial Components) MJD31CS(DPAK).pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS-TP Micro Commercial Components mjd31csdpak.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
649+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 649
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS-TP Micro Commercial Components mjd31csdpak.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS-TP Micro Commercial Components mjd31csdpak.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A219125B40D2&compId=mjd31ct4-a.pdf?ci_sign=1304346a5d79d44e589708d70d178b62f002aa5d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.64 EUR
62+1.17 EUR
69+1.05 EUR
89+0.81 EUR
288+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C en.CD00000831.pdf
Hersteller: YZPST
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C en.CD00000831.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 6660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 4616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.13 EUR
26+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
7500+0.12 EUR
12500+0.11 EUR
25000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
7500+0.12 EUR
12500+0.11 EUR
25000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C1G mjd31-d.pdf
MJD31C1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CA.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 14012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CA.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.06 EUR
28+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ 3228229.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ 3228229.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MJD31CEITU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
781+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CEITU
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CEITU
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CEITU
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
68+1.07 EUR
82+0.87 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
68+1.07 EUR
82+0.87 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31_D-1489348.pdf
MJD31CG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.16 EUR
10+0.99 EUR
75+0.88 EUR
525+0.75 EUR
1050+0.65 EUR
2550+0.6 EUR
3375+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
150+1.06 EUR
525+0.86 EUR
1050+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 7848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
140+1.02 EUR
213+0.65 EUR
219+0.61 EUR
525+0.51 EUR
1050+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 7860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
141+1.02 EUR
214+0.64 EUR
220+0.6 EUR
525+0.51 EUR
1050+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13
MJD31CH-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ
MJD31CH-QJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.21 EUR
24+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-3103807.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T and R 2.5K
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.28 EUR
10+0.8 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MJD31CITU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 30954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1214+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CITU
auf Bestellung 19620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1521+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CITU
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1521+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CITU
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1521+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
Hersteller: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 6730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
29+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 9692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
548+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 548
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
833+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 833
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ 3228228.pdf
MJD31CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
548+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 548
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ 3228228.pdf
MJD31CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 DIOD_S_A0002527711_1-2542211.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 3663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.65 EUR
10+1.51 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 6087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.15 EUR
13+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1800+0.59 EUR
3600+0.55 EUR
5400+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31_D-1489348.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 5889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.25 EUR
10+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
1800+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
753+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 753
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG 2236997.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+1.84 EUR
124+1.12 EUR
200+1.07 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG 2236997.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS(DPAK).pdf
MJD31CS-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.07 EUR
27+0.66 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS(DPAK).pdf
MJD31CS-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP mjd31csdpak.pdf
MJD31CS-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
649+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 649
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP mjd31csdpak.pdf
MJD31CS-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP mjd31csdpak.pdf
MJD31CS-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A219125B40D2&compId=mjd31ct4-a.pdf?ci_sign=1304346a5d79d44e589708d70d178b62f002aa5d
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
62+1.17 EUR
69+1.05 EUR
89+0.81 EUR
288+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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