Suchergebnisse für "Mjd31c" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJD31C YZPST Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C JSMicro Semiconductor Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 4244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C1G MJD31C1G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1151+0.47 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CAJ Nexperia USA Inc. MJD31CA.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CAJ NEXPERIA 3228229.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CAJ NEXPERIA 3228229.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU MJD31CEITU Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 649
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.44 EUR
85+0.85 EUR
97+0.74 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
85+0.85 EUR
97+0.74 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
75+0.94 EUR
150+0.84 EUR
525+0.7 EUR
1050+0.63 EUR
2025+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG onsemi MJD31-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 4491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.39 EUR
75+0.8 EUR
525+0.65 EUR
1050+0.59 EUR
2550+0.58 EUR
3375+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 194
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.79 EUR
525+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13 MJD31CH-13 Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13 MJD31CH-13 Diodes Zetex mjd31ch.pdf NPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ MJD31CH-QJ Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
50+0.69 EUR
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ MJD31CH-QJ Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ MJD31CH-QJ Nexperia mjd31ch-q.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
958+0.57 EUR
1039+0.5 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 958
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU MJD31CITU Fairchild Semiconductor FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 30954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1010
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU MJD31CITU ON Semiconductor 3650041405540548mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU MJD31CITU ON Semiconductor 3650041405540548mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU MJD31CITU ON Semiconductor 3650041405540548mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 19620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ NXP MJD31C.pdf Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31C.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31C.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 5369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.27 EUR
23+0.78 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia MJD31C.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 9299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Incorporated MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Incorporated MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
19+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Incorporated MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 3663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.53 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.38 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi MJD31-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.24 EUR
100+0.85 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.59 EUR
1800+0.57 EUR
3600+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
14+1.35 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 751
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 751
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS-TP MCC (Micro Commercial Components) MJD31CS(DPAK).pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS-TP MCC (Micro Commercial Components) MJD31CS(DPAK).pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
27+0.66 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A219125B40D2&compId=mjd31ct4-a.pdf?ci_sign=1304346a5d79d44e589708d70d178b62f002aa5d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
62+1.17 EUR
71+1.01 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A219125B40D2&compId=mjd31ct4-a.pdf?ci_sign=1304346a5d79d44e589708d70d178b62f002aa5d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
62+1.17 EUR
71+1.01 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics en.CD00000831.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 4417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.04 EUR
10+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics en.CD00000831.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
14+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
7500+0.17 EUR
12500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C
Hersteller: YZPST
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 4244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.14 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C1G mjd31d.pdf
MJD31C1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1151+0.47 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ MJD31CA.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ 3228229.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJ 3228229.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MJD31CEITU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
649+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 649
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU mjd31ce-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU mjd31ce-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU mjd31ce-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
85+0.85 EUR
97+0.74 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
85+0.85 EUR
97+0.74 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.15 EUR
75+0.94 EUR
150+0.84 EUR
525+0.7 EUR
1050+0.63 EUR
2025+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31-D.PDF
MJD31CG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 4491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.97 EUR
10+1.39 EUR
75+0.8 EUR
525+0.65 EUR
1050+0.59 EUR
2550+0.58 EUR
3375+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
194+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 194
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
184+0.79 EUR
525+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13
MJD31CH-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13 mjd31ch.pdf
MJD31CH-13
Hersteller: Diodes Zetex
NPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ
MJD31CH-QJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
50+0.69 EUR
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ
MJD31CH-QJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ mjd31ch-q.pdf
MJD31CH-QJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
958+0.57 EUR
1039+0.5 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 958
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.21 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MJD31CITU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 30954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1010+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1010
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU 3650041405540548mjd31c.pdf
MJD31CITU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1521+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU 3650041405540548mjd31c.pdf
MJD31CITU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1521+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU 3650041405540548mjd31c.pdf
MJD31CITU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 19620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1521+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
Hersteller: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 5369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.27 EUR
23+0.78 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 9299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ 3228228.pdf
MJD31CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ 3228228.pdf
MJD31CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.53 EUR
19+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 3663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.53 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.38 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31-D.PDF
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+1.24 EUR
100+0.85 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.59 EUR
1800+0.57 EUR
3600+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.15 EUR
14+1.35 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1800+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG 2236997.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG 2236997.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
751+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 751
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
751+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 751
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS(DPAK).pdf
MJD31CS-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TP MJD31CS(DPAK).pdf
MJD31CS-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.07 EUR
27+0.66 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A219125B40D2&compId=mjd31ct4-a.pdf?ci_sign=1304346a5d79d44e589708d70d178b62f002aa5d
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
62+1.17 EUR
71+1.01 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A219125B40D2&compId=mjd31ct4-a.pdf?ci_sign=1304346a5d79d44e589708d70d178b62f002aa5d
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
62+1.17 EUR
71+1.01 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 en.CD00000831.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 4417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.04 EUR
10+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 en.CD00000831.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.04 EUR
14+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 cd0000083.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
7500+0.17 EUR
12500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]