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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MJD31C | YZPST |
![]() Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD31C | JSMicro Semiconductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD31C-13 | Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31C-13 | Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 20729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31C-13 | Diodes Incorporated |
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auf Bestellung 6996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31C-13 | Diodes Zetex |
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auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31C-13 | Diodes Zetex |
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auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31C-13 | DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31C-13 | Diodes Zetex |
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auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31C-13 | DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31C-13 | Diodes Zetex |
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auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CAJ | Nexperia |
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auf Bestellung 19553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CAJ | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CAJ | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CAJ | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CEITU | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 2857 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 1023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1023 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD31CG | onsemi |
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auf Bestellung 5774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CG | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 24987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CG | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CG | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CG | Aptina Imaging |
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auf Bestellung 3184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CG | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CH-QJ | Nexperia USA Inc. |
Description: BJT - MJD SERIES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CHQ-13 | Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.45 W Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CHQ-13 | Diodes Incorporated |
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auf Bestellung 2277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CITU | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 39340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CJ | NXP |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD31CJ | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CJ | Nexperia |
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auf Bestellung 16715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CJ | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W |
auf Bestellung 7608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CJ | Nexperia |
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auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CJ | Nexperia |
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auf Bestellung 3082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CJ | Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CJ | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CJ | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CJ | Nexperia |
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auf Bestellung 3082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CQ-13 | Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CQ-13 | Diodes Incorporated |
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auf Bestellung 6043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CQ-13 | DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CQ-13 | DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CRLG | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 46589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CRLG | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CRLG | onsemi |
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auf Bestellung 4260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CRLG | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CRLG | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CS-TP | Micro Commercial Co |
Description: TRANSISTOR NPN DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CS-TP | Micro Commercial Co |
Description: TRANSISTOR NPN DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CS-TP | Micro Commercial Components |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CS-TP | Micro Commercial Components |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CS-TP | Micro Commercial Components |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 10...50 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 10...50 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD31CT4 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CT4 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
auf Bestellung 9556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
auf Bestellung 2427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CT4 | STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJD31CT4 | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4 | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31C |
![]() |
Hersteller: YZPST
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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75+ | 0.63 EUR |
MJD31C |
![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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100+ | 0.53 EUR |
MJD31C-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2500+ | 0.27 EUR |
5000+ | 0.25 EUR |
7500+ | 0.24 EUR |
12500+ | 0.23 EUR |
17500+ | 0.22 EUR |
MJD31C-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 20729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 1.25 EUR |
23+ | 0.78 EUR |
100+ | 0.50 EUR |
500+ | 0.38 EUR |
1000+ | 0.34 EUR |
MJD31C-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 6996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 0.77 EUR |
10+ | 0.53 EUR |
100+ | 0.36 EUR |
500+ | 0.33 EUR |
1000+ | 0.32 EUR |
MJD31C-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.26 EUR |
5000+ | 0.23 EUR |
7500+ | 0.17 EUR |
12500+ | 0.13 EUR |
17500+ | 0.12 EUR |
MJD31C-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2500+ | 0.26 EUR |
5000+ | 0.23 EUR |
7500+ | 0.16 EUR |
12500+ | 0.13 EUR |
17500+ | 0.12 EUR |
MJD31C-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31C-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31C-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31C-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CAJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD31CA/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD31CA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 19553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.14 EUR |
10+ | 0.77 EUR |
100+ | 0.52 EUR |
500+ | 0.40 EUR |
1000+ | 0.36 EUR |
2500+ | 0.30 EUR |
5000+ | 0.29 EUR |
MJD31CAJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 1.36 EUR |
21+ | 0.84 EUR |
100+ | 0.54 EUR |
500+ | 0.42 EUR |
1000+ | 0.37 EUR |
MJD31CAJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CAJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CEITU |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
952+ | 0.54 EUR |
MJD31CG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.95 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
750+ | 0.59 EUR |
MJD31CG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.95 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
750+ | 0.59 EUR |
MJD31CG |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 5774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.46 EUR |
10+ | 1.41 EUR |
75+ | 0.78 EUR |
525+ | 0.65 EUR |
1050+ | 0.60 EUR |
3375+ | 0.57 EUR |
10125+ | 0.56 EUR |
MJD31CG |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 24987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.38 EUR |
75+ | 1.04 EUR |
150+ | 0.93 EUR |
525+ | 0.77 EUR |
1050+ | 0.70 EUR |
2025+ | 0.65 EUR |
5025+ | 0.59 EUR |
10050+ | 0.55 EUR |
MJD31CG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
152+ | 1.07 EUR |
525+ | 0.84 EUR |
1050+ | 0.71 EUR |
MJD31CG |
![]() |
Hersteller: Aptina Imaging
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
169+ | 0.96 EUR |
252+ | 0.62 EUR |
260+ | 0.58 EUR |
525+ | 0.51 EUR |
1050+ | 0.46 EUR |
2025+ | 0.41 EUR |
MJD31CG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
171+ | 0.95 EUR |
255+ | 0.61 EUR |
262+ | 0.57 EUR |
525+ | 0.50 EUR |
1050+ | 0.46 EUR |
2025+ | 0.41 EUR |
MJD31CH-QJ |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 1.34 EUR |
22+ | 0.83 EUR |
100+ | 0.54 EUR |
500+ | 0.41 EUR |
1000+ | 0.37 EUR |
MJD31CHQ-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 1.36 EUR |
21+ | 0.84 EUR |
MJD31CHQ-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 0.93 EUR |
10+ | 0.68 EUR |
100+ | 0.46 EUR |
500+ | 0.36 EUR |
1000+ | 0.34 EUR |
2500+ | 0.26 EUR |
MJD31CITU |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 39340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1480+ | 0.34 EUR |
MJD31CJ |
![]() |
Hersteller: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 0.79 EUR |
MJD31CJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.27 EUR |
MJD31CJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD31C/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD31C/SOT428/DPAK
auf Bestellung 16715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 0.85 EUR |
10+ | 0.60 EUR |
100+ | 0.29 EUR |
1000+ | 0.27 EUR |
2500+ | 0.19 EUR |
10000+ | 0.18 EUR |
MJD31CJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 7608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 1.13 EUR |
26+ | 0.70 EUR |
100+ | 0.45 EUR |
500+ | 0.34 EUR |
1000+ | 0.30 EUR |
MJD31CJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
655+ | 0.25 EUR |
MJD31CJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
228+ | 0.71 EUR |
298+ | 0.52 EUR |
590+ | 0.25 EUR |
1000+ | 0.22 EUR |
2500+ | 0.15 EUR |
MJD31CJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
655+ | 0.25 EUR |
MJD31CJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CJ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
228+ | 0.71 EUR |
MJD31CQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 1.30 EUR |
21+ | 0.87 EUR |
100+ | 0.60 EUR |
500+ | 0.47 EUR |
1000+ | 0.43 EUR |
MJD31CQ-13 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 6043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.00 EUR |
10+ | 0.85 EUR |
100+ | 0.58 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
1000+ | 0.42 EUR |
2500+ | 0.34 EUR |
MJD31CQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CRLG |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 46589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.39 EUR |
12+ | 1.51 EUR |
100+ | 1.00 EUR |
500+ | 0.78 EUR |
MJD31CRLG |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1800+ | 0.66 EUR |
3600+ | 0.61 EUR |
5400+ | 0.59 EUR |
9000+ | 0.56 EUR |
12600+ | 0.55 EUR |
MJD31CRLG |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 4260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.72 EUR |
10+ | 1.21 EUR |
100+ | 0.86 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
1800+ | 0.59 EUR |
3600+ | 0.56 EUR |
MJD31CRLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CRLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CS-TP |
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 1.20 EUR |
24+ | 0.73 EUR |
100+ | 0.47 EUR |
500+ | 0.36 EUR |
1000+ | 0.32 EUR |
MJD31CS-TP |
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.28 EUR |
5000+ | 0.26 EUR |
MJD31CS-TP |
![]() |
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
371+ | 0.44 EUR |
373+ | 0.42 EUR |
374+ | 0.40 EUR |
375+ | 0.38 EUR |
377+ | 0.37 EUR |
378+ | 0.35 EUR |
500+ | 0.33 EUR |
MJD31CS-TP |
![]() |
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.32 EUR |
MJD31CS-TP |
![]() |
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
374+ | 0.43 EUR |
375+ | 0.41 EUR |
377+ | 0.40 EUR |
378+ | 0.38 EUR |
500+ | 0.36 EUR |
1000+ | 0.35 EUR |
MJD31CT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...50
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...50
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.17 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
290+ | 0.25 EUR |
305+ | 0.23 EUR |
MJD31CT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...50
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...50
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.17 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
290+ | 0.25 EUR |
305+ | 0.23 EUR |
MJD31CT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.60 EUR |
5000+ | 0.55 EUR |
7500+ | 0.53 EUR |
MJD31CT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 9556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.25 EUR |
13+ | 1.42 EUR |
100+ | 0.94 EUR |
500+ | 0.73 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
MJD31CT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.06 EUR |
10+ | 1.32 EUR |
100+ | 0.89 EUR |
500+ | 0.70 EUR |
1000+ | 0.64 EUR |
2500+ | 0.55 EUR |
5000+ | 0.52 EUR |
MJD31CT4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJD31CT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.38 EUR |
5000+ | 0.36 EUR |
7500+ | 0.33 EUR |
12500+ | 0.31 EUR |
25000+ | 0.30 EUR |
MJD31CT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2500+ | 0.42 EUR |
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