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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003107832-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia 4386875731490478psmn013-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia 4386875731490478psmn013-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003107832-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 4825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
11+1.60 EUR
100+1.16 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia 4380941027818368psmn014-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia 4380941027818368psmn014-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 395
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia 4380941027818368psmn014-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 395
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia 4380941027818368psmn014-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.011 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN014-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 4327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
13+1.41 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN014-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003107888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100YLX PSMN015-100YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003107879-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-100YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0116 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.77 EUR
48+1.50 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
48+1.50 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
500+0.93 EUR
800+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN015-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.34 EUR
10+2.18 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN015-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.99 EUR
1600+0.97 EUR
2400+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Nexperia 3270486010797723psmn015-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Nexperia 3270486010797723psmn015-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.46 EUR
39+1.83 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100BS,118 PSMN016-100BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN016-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 NEXPERIA PSMN016-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 26 Stücke:
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26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 NEXPERIA PSMN016-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 26
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PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia 4381356564929802psmn016-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
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PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia 4381356564929802psmn016-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia 4381356564929802psmn016-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
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PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia 4381356564929802psmn016-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
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30+2.39 EUR
42+1.70 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA PSMN017-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
On-state resistance: 36.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+0.86 EUR
94+0.77 EUR
114+0.63 EUR
120+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 83
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA PSMN017-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
On-state resistance: 36.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.86 EUR
94+0.77 EUR
114+0.63 EUR
120+0.60 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 83
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN017-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 55911 Stücke:
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12+1.50 EUR
14+1.31 EUR
100+0.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 12
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN017-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2193 Stücke:
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355+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 355
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 355
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 16380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1362+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1362
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.40 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.40 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 343
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0123 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS,127 NEXPERIA PSMN017-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
On-state resistance: 15.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 103W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
250+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA PSMN018-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
88+0.81 EUR
98+0.73 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA PSMN018-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
88+0.81 EUR
98+0.73 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
1500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia 4381000444318863psmn018-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia 4381000444318863psmn018-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia 4381000444318863psmn018-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia 4381000444318863psmn018-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia 4381000444318863psmn018-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.015 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 231
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PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.49 EUR
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PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX NEXP-S-A0003107832-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX 4386875731490478psmn013-60yl.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX 4386875731490478psmn013-60yl.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS.pdf
PSMN013-80YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS.pdf
PSMN013-80YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 4825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.06 EUR
11+1.60 EUR
100+1.16 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 4380941027818368psmn014-40ys.pdf
PSMN014-40YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN014-40YS,115 4380941027818368psmn014-40ys.pdf
PSMN014-40YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
395+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 395
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PSMN014-40YS,115 4380941027818368psmn014-40ys.pdf
PSMN014-40YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
395+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 395
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PSMN014-40YS,115 4380941027818368psmn014-40ys.pdf
PSMN014-40YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 NEXP-S-A0003059661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN014-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.011 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN014-80YLX PSMN014-80YL.pdf
PSMN014-80YLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 4327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.57 EUR
13+1.41 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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PSMN014-80YLX PSMN014-80YL.pdf
PSMN014-80YLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLX NEXP-S-A0003107888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN014-80YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100YLX NEXP-S-A0003107879-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN015-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN015-100YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0116 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
48+1.50 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
48+1.50 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
500+0.93 EUR
800+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.34 EUR
10+2.18 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.99 EUR
1600+0.97 EUR
2400+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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PSMN015-60BS,118 3270486010797723psmn015-60bs.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 3270486010797723psmn015-60bs.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.46 EUR
39+1.83 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100BS,118 NEXP-S-A0003059786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN016-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN016-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS.pdf
PSMN016-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS.pdf
PSMN016-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
28+2.56 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100YS,115 4381356564929802psmn016-100ys.pdf
PSMN016-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100YS,115 NEXP-S-A0003060131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN016-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100YS,115 4381356564929802psmn016-100ys.pdf
PSMN016-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100YS,115 4381356564929802psmn016-100ys.pdf
PSMN016-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100YS,115 4381356564929802psmn016-100ys.pdf
PSMN016-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
42+1.70 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
On-state resistance: 36.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.86 EUR
94+0.77 EUR
114+0.63 EUR
120+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
On-state resistance: 36.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.86 EUR
94+0.77 EUR
114+0.63 EUR
120+0.60 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 55911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.50 EUR
14+1.31 EUR
100+0.72 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
355+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
355+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 16380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1362+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1362
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.40 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.40 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
343+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 343
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 NEXP-S-A0003059613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0123 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS.pdf
PSMN017-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
On-state resistance: 15.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 103W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
250+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS.pdf
PSMN018-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
88+0.81 EUR
98+0.73 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS.pdf
PSMN018-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
88+0.81 EUR
98+0.73 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
1500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 4381000444318863psmn018-80ys.pdf
PSMN018-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 4381000444318863psmn018-80ys.pdf
PSMN018-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.63 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 4381000444318863psmn018-80ys.pdf
PSMN018-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.63 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 4381000444318863psmn018-80ys.pdf
PSMN018-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.58 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 4381000444318863psmn018-80ys.pdf
PSMN018-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.58 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115 NEXP-S-A0003059611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN020-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.015 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf
PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLX 4335135223123871psmn021-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf
PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
231+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 231
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
231+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.49 EUR
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PSMN021-100YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1456 Stücke:
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Anzahl Preis
119+1.30 EUR
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