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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA PSMN004-60B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
26+2.76 EUR
28+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA PSMN004-60B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
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800+2.50 EUR
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.20 EUR
100+1.96 EUR
800+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2336 Stücke:
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73+2.29 EUR
100+2.04 EUR
800+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2420 Stücke:
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74+2.20 EUR
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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73+2.29 EUR
100+2.04 EUR
800+1.84 EUR
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.89 EUR
87+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.93 EUR
21+3.55 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
250+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
21+3.55 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
250+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 PSMN011-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN011-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 10351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
17+1.08 EUR
100+0.70 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 PSMN011-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN011-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX NEXPERIA 3791098.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX NEXPERIA 3791098.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia USA Inc. PSMN011-60ML.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 13133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
14+1.35 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia USA Inc. PSMN011-60ML.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.48 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1460+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1460
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
110+0.65 EUR
116+0.62 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
110+0.65 EUR
116+0.62 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Nexperia USA Inc. PSMN011-60MS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
15+1.21 EUR
100+0.80 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Nexperia USA Inc. PSMN011-60MS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA 2341453.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 0.0096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 PSMN011-80YS,115 Nexperia PSMN011-80YS.pdf MOSFETs PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 13142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.65 EUR
100+1.16 EUR
500+0.94 EUR
1500+0.83 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.04 EUR
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PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 5950 Stücke:
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10+2.20 EUR
100+1.49 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia 4381963604789555psmn012-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 5444 Stücke:
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615+0.98 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 615
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PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia 4381963604789555psmn012-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.00 EUR
3000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia 4381963604789555psmn012-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.01 EUR
3000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.01 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 64 Stücke:
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PSMN012-60MSX PSMN012-60MSX Nexperia PSMN012-60MS.pdf MOSFETs PSMN012-60MS/SOT1210/mLFPAK
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3+1.14 EUR
10+1.01 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.44 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia PSMN012-60YS.pdf MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 29919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+1.23 EUR
100+0.93 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.64 EUR
1500+0.61 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.54 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 256
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PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.55 EUR
3000+0.50 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.55 EUR
3000+0.50 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.09 EUR
39+1.87 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
250+1.37 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
39+1.87 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
250+1.37 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA PSMN013-100BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.82 EUR
44+1.64 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
800+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA PSMN013-100BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
44+1.64 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
800+1.23 EUR
1600+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.23 EUR
250+1.18 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEX PSMN013-100YSEX Nexperia USA Inc. PSMN013-100YSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
auf Bestellung 34718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.35 EUR
10+2.80 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEX PSMN013-100YSEX Nexperia USA Inc. PSMN013-100YSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.36 EUR
3000+1.27 EUR
4500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
150+0.48 EUR
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
150+0.48 EUR
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Nexperia PSMN013-30MLC.pdf MOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 16170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.82 EUR
10+0.68 EUR
100+0.47 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX Nexperia PSMN013-40VLD.pdf MOSFETs PSMN013-40VLD/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.36 EUR
100+1.03 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
26+2.76 EUR
28+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
26+2.76 EUR
28+2.60 EUR
800+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+2.20 EUR
100+1.96 EUR
800+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
73+2.29 EUR
100+2.04 EUR
800+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+2.20 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
73+2.29 EUR
100+2.04 EUR
800+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
86+1.89 EUR
87+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
21+3.55 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
250+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
21+3.55 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
250+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 PSMN011-30YLC.pdf
PSMN011-30YLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 10351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.72 EUR
17+1.08 EUR
100+0.70 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 PSMN011-30YLC.pdf
PSMN011-30YLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLX 3791098.pdf
PSMN011-60HLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLX 3791098.pdf
PSMN011-60HLX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60ML.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 13133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.16 EUR
14+1.35 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60ML.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.48 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1460+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1460
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
110+0.65 EUR
116+0.62 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
110+0.65 EUR
116+0.62 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.94 EUR
15+1.21 EUR
100+0.80 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX 2341453.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 0.0096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 PSMN011-80YS.pdf
PSMN011-80YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 13142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.01 EUR
10+1.65 EUR
100+1.16 EUR
500+0.94 EUR
1500+0.83 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.04 EUR
3000+0.96 EUR
4500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.45 EUR
10+2.20 EUR
100+1.49 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 4381963604789555psmn012-100ys.pdf
PSMN012-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 5444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
615+0.98 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 615
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 4381963604789555psmn012-100ys.pdf
PSMN012-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.00 EUR
3000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 4381963604789555psmn012-100ys.pdf
PSMN012-100YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.01 EUR
3000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 NEXP-S-A0003059634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN012-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.01 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60MSX PSMN012-60MS.pdf
PSMN012-60MSX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN012-60MS/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 5549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.14 EUR
10+1.01 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.44 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 29919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.57 EUR
10+1.23 EUR
100+0.93 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.64 EUR
1500+0.61 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.54 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
256+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.55 EUR
3000+0.50 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.55 EUR
3000+0.50 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
256+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 NEXP-S-A0003059600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN012-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
39+1.87 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
250+1.37 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
39+1.87 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
250+1.37 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
44+1.64 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
800+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
44+1.64 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
800+1.23 EUR
1600+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 NEXP-S-A0003059986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+1.23 EUR
250+1.18 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEX PSMN013-100YSE.pdf
PSMN013-100YSEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
auf Bestellung 34718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.35 EUR
10+2.80 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100YSEX PSMN013-100YSE.pdf
PSMN013-100YSEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.36 EUR
3000+1.27 EUR
4500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
150+0.48 EUR
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
150+0.48 EUR
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 16170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.82 EUR
10+0.68 EUR
100+0.47 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLD.pdf
PSMN013-40VLDX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN013-40VLD/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+1.36 EUR
100+1.03 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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