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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PSMN004-60B,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
PSMN011-60MSX SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1299 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN012-100YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 60A Drain-source voltage: 100V Gate charge: 64nC On-state resistance: 35.8mΩ Power dissipation: 130W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
PSMN012-80PS.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN013-30MLC,115 | NEXPERIA |
PSMN013-30MLC.115 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1394 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN013-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 32A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 8.3nC On-state resistance: 27.2mΩ Power dissipation: 26W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN013-40VLDX | NEXPERIA |
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN013-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 212A Drain current: 53A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 33.2nC On-state resistance: 12.1mΩ Power dissipation: 95W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN015-60BS,118 | NEXPERIA |
PSMN015-60BS.118 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN015-60PS,127 | NEXPERIA |
PSMN015-60PS.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN017-30PL,127 | NEXPERIA |
PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN017-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 44A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 20nC On-state resistance: 36.1mΩ Power dissipation: 74W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1448 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN017-80PS,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 103W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN018-80YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 45A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 26nC On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 89W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1564 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN026-80YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 34A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 20nC On-state resistance: 66mΩ Power dissipation: 74W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 116A Drain current: 29A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 13nC On-state resistance: 49.6mΩ Power dissipation: 56W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | NEXPERIA |
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN038-100YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21.3A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 94.9W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 103.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN041-80YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 100A Drain current: 25A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 21.9nC On-state resistance: 32.8mΩ Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 881 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN057-200B | NXP |
N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN057-200P,127 | NEXPERIA |
PSMN057-200P.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN0R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 100A Drain-source voltage: 25V Gate charge: 110nC On-state resistance: 2.125mΩ Power dissipation: 272W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1075 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
PSMN0R9-30YLDX SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN1R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN1R1-30PL,127 | NEXPERIA |
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN1R2-25YLC 1C225L | NXP |
N-MOSFET 100A 25V 179W 0.0013Ω PSMN1R2-25YLC TPSMN1r2-25ylc Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN1R2-25YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 1133A Drain current: 100A Drain-source voltage: 25V Gate charge: 66nC On-state resistance: 1.35mΩ Power dissipation: 179W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1407 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN1R7-60BS | NXP |
N-MOSFET 60V 120A 306W 2mΩ PSMN1R7-60BS NXP TPSMN1r7-60bs Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN1R7-60BS,118 | NEXPERIA |
PSMN1R7-60BS.118 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25MLD | NXP |
N-MOSFET 25V 70A 4.5V,10V 74W AUTOMOTIVE PSMN2R0-25MLDX TPSMN2r0-25ml Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-30PL,127 | NEXPERIA |
PSMN2R0-30PL.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-30YLE,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1015A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN2R2-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 55nC On-state resistance: 4.6mΩ Power dissipation: 141W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN3R0-60PS,127 | NEXPERIA |
PSMN3R0-60PS.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN3R5-30YL,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 447A Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 19nC On-state resistance: 3.37mΩ Power dissipation: 74W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1063 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN3R9-60PSQ | NEXPERIA |
PSMN3R9-60PSQ THT N channel transistors |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-30YLDX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 378A Drain current: 95A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 9.1nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 662 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN4R0-40YS | NXP |
N-Channel 40V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia TPSMN4r0-40ys Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 472A Drain current: 83A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 38nC On-state resistance: 8mΩ Power dissipation: 106W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R1-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 593A Drain current: 100A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 103nC On-state resistance: 3.3mΩ Power dissipation: 238W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1256 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN4R2-30MLDX | NEXPERIA |
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1464 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R2-80YSEX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 123A Pulsed drain current: 698A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1496 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN4R4-80BS,118 | NEXPERIA |
PSMN4R4-80BS.118 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN4R6-60BS,118 | NEXPERIA |
PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN6R5-80PS,127 | NEXPERIA |
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN7R0-30YL,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 260A Drain current: 76A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 10nC On-state resistance: 6.97mΩ Power dissipation: 51W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN7R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 245A Drain current: 61A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 7.9nC On-state resistance: 7.6mΩ Power dissipation: 48W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1406 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN7R0-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 63A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 45nC On-state resistance: 14.7mΩ Power dissipation: 117W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1424 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN7R5-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 346A Drain current: 61A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 60.6nC On-state resistance: 19.7mΩ Power dissipation: 147W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40PS,127 | NEXPERIA |
PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN8R2-80YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 326A Drain current: 82A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 55nC On-state resistance: 5.8mΩ Power dissipation: 130W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN8R5-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 76A Pulsed drain current: 303A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN8R7-80PS,127 | NEXPERIA |
PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN002-25B |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| PSMN002-25P |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| PSMN003-25W |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| PSMN003-30B |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| PSMN003-30P | NXP | 0801+ TO-220 |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 3.33 EUR |
| 24+ | 3 EUR |
| PSMN009-100P,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 3.4 EUR |
| 23+ | 3.15 EUR |
| 24+ | 3 EUR |
| PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN011-60MSX SMD N channel transistors
PSMN011-60MSX SMD N channel transistors
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 58+ | 1.24 EUR |
| 106+ | 0.68 EUR |
| 112+ | 0.64 EUR |
| PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 32+ | 2.26 EUR |
| 43+ | 1.67 EUR |
| 52+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 250+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN012-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN012-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 1.9 EUR |
| 51+ | 1.42 EUR |
| 53+ | 1.37 EUR |
| 55+ | 1.3 EUR |
| PSMN013-30MLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN013-30MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN013-30MLC.115 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 167+ | 0.43 EUR |
| 274+ | 0.26 EUR |
| 290+ | 0.25 EUR |
| PSMN013-30YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 103+ | 0.7 EUR |
| 119+ | 0.6 EUR |
| 131+ | 0.55 EUR |
| 181+ | 0.4 EUR |
| 250+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| PSMN013-40VLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.44 EUR |
| 107+ | 0.67 EUR |
| 112+ | 0.64 EUR |
| PSMN013-60YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 81+ | 0.89 EUR |
| 109+ | 0.66 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 129+ | 0.56 EUR |
| 250+ | 0.53 EUR |
| 500+ | 0.47 EUR |
| PSMN015-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN015-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN015-60BS.118 SMD N channel transistors
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 36+ | 1.99 EUR |
| 70+ | 1.03 EUR |
| 74+ | 0.97 EUR |
| PSMN015-60PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN015-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN015-60PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 21+ | 3.56 EUR |
| 35+ | 2.1 EUR |
| 36+ | 1.99 EUR |
| PSMN017-30PL,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.1 EUR |
| 35+ | 2.04 EUR |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 74+ | 0.97 EUR |
| 87+ | 0.82 EUR |
| 107+ | 0.67 EUR |
| 120+ | 0.6 EUR |
| 250+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.53 EUR |
| 1000+ | 0.47 EUR |
| PSMN017-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 1.83 EUR |
| PSMN018-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.57 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| 61+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 250+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| PSMN026-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 105+ | 0.69 EUR |
| 121+ | 0.59 EUR |
| 130+ | 0.55 EUR |
| 136+ | 0.53 EUR |
| 250+ | 0.47 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| PSMN030-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 105+ | 0.69 EUR |
| 139+ | 0.52 EUR |
| 154+ | 0.46 EUR |
| 167+ | 0.43 EUR |
| 250+ | 0.41 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| PSMN034-100PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 16+ | 4.46 EUR |
| 43+ | 1.66 EUR |
| PSMN038-100YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 70+ | 1.03 EUR |
| 94+ | 0.77 EUR |
| 103+ | 0.69 EUR |
| 112+ | 0.64 EUR |
| 250+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| PSMN041-80YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 82+ | 0.87 EUR |
| 121+ | 0.59 EUR |
| 141+ | 0.51 EUR |
| 156+ | 0.46 EUR |
| 250+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| PSMN057-200B |
Hersteller: NXP
N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.49 EUR |
| PSMN057-200P,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN057-200P.127 THT N channel transistors
PSMN057-200P.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 3.79 EUR |
| 23+ | 3.25 EUR |
| 24+ | 3.07 EUR |
| PSMN0R9-25YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 2.39 EUR |
| 34+ | 2.14 EUR |
| 40+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.63 EUR |
| 250+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN0R9-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN0R9-30YLDX SMD N channel transistors
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.96 EUR |
| 30+ | 2.43 EUR |
| 32+ | 2.3 EUR |
| 1500+ | 2.29 EUR |
| PSMN1R0-30YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 2.33 EUR |
| 37+ | 1.94 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.63 EUR |
| 250+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| PSMN1R1-30PL,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 5.91 EUR |
| 15+ | 5.03 EUR |
| 16+ | 4.75 EUR |
| PSMN1R2-25YLC 1C225L |
Hersteller: NXP
N-MOSFET 100A 25V 179W 0.0013Ω PSMN1R2-25YLC TPSMN1r2-25ylc
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 100A 25V 179W 0.0013Ω PSMN1R2-25YLC TPSMN1r2-25ylc
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.1 EUR |
| PSMN1R2-25YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 80+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 250+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| PSMN1R7-60BS |
Hersteller: NXP
N-MOSFET 60V 120A 306W 2mΩ PSMN1R7-60BS NXP TPSMN1r7-60bs
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
N-MOSFET 60V 120A 306W 2mΩ PSMN1R7-60BS NXP TPSMN1r7-60bs
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 6.72 EUR |
| PSMN1R7-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN1R7-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN1R7-60BS.118 SMD N channel transistors
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.75 EUR |
| 25+ | 2.96 EUR |
| 26+ | 2.8 EUR |
| PSMN2R0-25MLD |
Hersteller: NXP
N-MOSFET 25V 70A 4.5V,10V 74W AUTOMOTIVE PSMN2R0-25MLDX TPSMN2r0-25ml
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 25V 70A 4.5V,10V 74W AUTOMOTIVE PSMN2R0-25MLDX TPSMN2r0-25ml
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.8 EUR |
| PSMN2R0-30PL,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN2R0-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN2R0-30PL.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.17 EUR |
| 29+ | 2.47 EUR |
| 31+ | 2.35 EUR |
| PSMN2R0-30YLE,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 1.66 EUR |
| 48+ | 1.5 EUR |
| 52+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 250+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| PSMN2R2-30YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 33+ | 2.2 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 250+ | 1.1 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| PSMN3R0-60PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R0-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN3R0-60PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 4.96 EUR |
| 17+ | 4.43 EUR |
| 18+ | 4.19 EUR |
| PSMN3R5-30YL,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 2.35 EUR |
| 39+ | 1.86 EUR |
| 52+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 250+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| PSMN3R9-60PSQ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN3R9-60PSQ THT N channel transistors
PSMN3R9-60PSQ THT N channel transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 3.79 EUR |
| 23+ | 3.16 EUR |
| 24+ | 2.99 EUR |
| PSMN4R0-30YLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 143+ | 0.5 EUR |
| 160+ | 0.45 EUR |
| 172+ | 0.42 EUR |
| 180+ | 0.4 EUR |
| 250+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| PSMN4R0-40YS |
Hersteller: NXP
N-Channel 40V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia TPSMN4r0-40ys
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-Channel 40V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia TPSMN4r0-40ys
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.81 EUR |
| PSMN4R0-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| PSMN4R1-60YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 1.79 EUR |
| 49+ | 1.49 EUR |
| 54+ | 1.33 EUR |
| 100+ | 1.23 EUR |
| 250+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| PSMN4R2-30MLDX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 85+ | 0.85 EUR |
| 125+ | 0.57 EUR |
| 143+ | 0.5 EUR |
| 152+ | 0.47 EUR |
| PSMN4R2-80YSEX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.58 EUR |
| 31+ | 2.36 EUR |
| 50+ | 2.13 EUR |
| PSMN4R4-80BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R4-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN4R4-80BS.118 SMD N channel transistors
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 3.99 EUR |
| 22+ | 3.3 EUR |
| 23+ | 3.12 EUR |
| PSMN4R6-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 3.32 EUR |
| 43+ | 1.7 EUR |
| 45+ | 1.6 EUR |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors
PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.92 EUR |
| 42+ | 1.73 EUR |
| 44+ | 1.63 EUR |
| PSMN6R5-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 4.2 EUR |
| 25+ | 2.87 EUR |
| 27+ | 2.72 EUR |
| PSMN7R0-30YL,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 90+ | 0.8 EUR |
| 125+ | 0.57 EUR |
| 154+ | 0.46 EUR |
| 167+ | 0.43 EUR |
| 250+ | 0.41 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| PSMN7R0-30YLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 82+ | 0.87 EUR |
| 110+ | 0.65 EUR |
| 123+ | 0.58 EUR |
| 132+ | 0.54 EUR |
| 250+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| PSMN7R0-60YS,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 33+ | 2.19 EUR |
| 44+ | 1.63 EUR |
| 49+ | 1.47 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 250+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| PSMN7R5-60YLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 51+ | 1.42 EUR |
| 60+ | 1.2 EUR |
| 67+ | 1.07 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 250+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| PSMN8R0-40PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 64+ | 1.13 EUR |
| 65+ | 1.12 EUR |
| 68+ | 1.06 EUR |
| PSMN8R2-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 1.86 EUR |
| 43+ | 1.67 EUR |
| 52+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 250+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| PSMN8R5-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 57+ | 1.27 EUR |
| 63+ | 1.14 EUR |
| 68+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 250+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| PSMN8R7-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 7.95 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 12+ | 5.96 EUR |
| 31+ | 2.3 EUR |
| PSMN002-25B |
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PSMN002-25P |
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PSMN003-25W |
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PSMN003-30B |
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PSMN003-30P |
Hersteller: NXP
0801+ TO-220
0801+ TO-220
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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