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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PSMN004-60B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 244A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 244A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1304 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN011-60MSX | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-60MSX | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-80YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 13042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN012-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 28113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4532 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 157A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 157A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1429 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 15870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN013-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 26W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-30YLC,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-30YLC,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-30YLC,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 53A Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 53A Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN013-60YLX | Nexperia |
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auf Bestellung 35565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN013-60YLX | Nexperia |
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auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-60YLX | Nexperia |
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auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 66017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-100B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-100B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-100B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-100YSFX | Nexperia |
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auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN015-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 716 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN015-60BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-60BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 20.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN015-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 20.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN016-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN016-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.6 EUR |
23+ | 3.17 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
28+ | 2.6 EUR |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.6 EUR |
23+ | 3.17 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
28+ | 2.6 EUR |
800+ | 2.5 EUR |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 3.3 EUR |
52+ | 2.67 EUR |
100+ | 2.44 EUR |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
85+ | 1.69 EUR |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
79+ | 2.03 EUR |
2400+ | 1.94 EUR |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
85+ | 1.69 EUR |
PSMN009-100P,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.55 EUR |
22+ | 3.29 EUR |
26+ | 2.8 EUR |
28+ | 2.65 EUR |
100+ | 2.62 EUR |
250+ | 2.55 EUR |
PSMN009-100P,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.55 EUR |
22+ | 3.29 EUR |
26+ | 2.8 EUR |
28+ | 2.65 EUR |
100+ | 2.62 EUR |
250+ | 2.55 EUR |
PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
111+ | 0.64 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
500+ | 0.59 EUR |
PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
111+ | 0.64 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
500+ | 0.59 EUR |
PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.42 EUR |
PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.42 EUR |
PSMN011-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N CHAN 80V
MOSFETs SOT669 N CHAN 80V
auf Bestellung 13042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.94 EUR |
10+ | 1.6 EUR |
100+ | 1.12 EUR |
500+ | 0.95 EUR |
1000+ | 0.77 EUR |
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.25 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
74+ | 0.98 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
1000+ | 0.91 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT66 9 NCHA N60V
MOSFETs SOT66 9 NCHA N60V
auf Bestellung 28113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.49 EUR |
10+ | 1.18 EUR |
100+ | 0.77 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
1000+ | 0.59 EUR |
1500+ | 0.58 EUR |
3000+ | 0.57 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.51 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.48 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.48 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.5 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
287+ | 0.5 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
287+ | 0.5 EUR |
500+ | 0.47 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.46 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.46 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.82 EUR |
44+ | 1.64 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
800+ | 1.23 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.82 EUR |
44+ | 1.64 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
800+ | 1.23 EUR |
1600+ | 1.2 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4000+ | 1.08 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
245+ | 0.58 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4000+ | 1.09 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
134+ | 1.07 EUR |
220+ | 0.63 EUR |
223+ | 0.59 EUR |
227+ | 0.56 EUR |
231+ | 0.53 EUR |
250+ | 0.5 EUR |
500+ | 0.47 EUR |
1000+ | 0.46 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
339+ | 1.58 EUR |
500+ | 1.37 EUR |
1000+ | 1.22 EUR |
PSMN013-30MLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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120+ | 0.6 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
223+ | 0.32 EUR |
250+ | 0.31 EUR |
PSMN013-30MLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
120+ | 0.6 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
223+ | 0.32 EUR |
250+ | 0.31 EUR |
PSMN013-30MLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N CHAN 30V
MOSFETs SOT1210 N CHAN 30V
auf Bestellung 15870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 0.81 EUR |
10+ | 0.65 EUR |
100+ | 0.46 EUR |
500+ | 0.36 EUR |
1000+ | 0.25 EUR |
1500+ | 0.24 EUR |
9000+ | 0.22 EUR |
PSMN013-30YLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 0.69 EUR |
134+ | 0.53 EUR |
252+ | 0.28 EUR |
266+ | 0.27 EUR |
PSMN013-30YLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.22 EUR |
PSMN013-30YLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.22 EUR |
PSMN013-30YLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2014+ | 0.27 EUR |
10000+ | 0.23 EUR |
PSMN013-60YLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
PSMN013-60YLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
PSMN013-60YLX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N CHAN 60V
MOSFETs SOT669 N CHAN 60V
auf Bestellung 35565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 1.38 EUR |
10+ | 1.04 EUR |
100+ | 0.76 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
1000+ | 0.47 EUR |
1500+ | 0.46 EUR |
3000+ | 0.45 EUR |
PSMN013-60YLX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.35 EUR |
PSMN013-60YLX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.35 EUR |
PSMN014-40YS,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N CHAN 40V
MOSFETs SOT669 N CHAN 40V
auf Bestellung 66017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 0.86 EUR |
10+ | 0.62 EUR |
100+ | 0.47 EUR |
500+ | 0.45 EUR |
1000+ | 0.36 EUR |
1500+ | 0.34 EUR |
PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
418+ | 0.36 EUR |
PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
418+ | 0.36 EUR |
500+ | 0.35 EUR |
1000+ | 0.28 EUR |
PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.51 EUR |
PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.35 EUR |
PSMN015-100B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
96+ | 1.49 EUR |
PSMN015-100B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
96+ | 1.49 EUR |
111+ | 1.25 EUR |
250+ | 1.19 EUR |
500+ | 1.08 EUR |
PSMN015-100B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1600+ | 1.27 EUR |
PSMN015-100YSFX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 100V 55A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT669 100V 55A N-CH MOSFET
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.41 EUR |
10+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.01 EUR |
500+ | 0.8 EUR |
1000+ | 0.72 EUR |
1500+ | 0.62 EUR |
3000+ | 0.59 EUR |
PSMN015-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.26 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.9 EUR |
PSMN015-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.26 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.9 EUR |
PSMN015-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4800+ | 0.94 EUR |
PSMN015-60BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4800+ | 0.81 EUR |
PSMN015-60PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.46 EUR |
PSMN015-60PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.46 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
PSMN016-100PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.7 EUR |
43+ | 1.7 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
PSMN016-100PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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27+ | 2.7 EUR |
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