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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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PSMN004-60B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN011-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
auf Bestellung 10351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN011-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN011-60HLX | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN011-60HLX | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN011-60MLX | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V |
auf Bestellung 13133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN011-60MLX | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN011-60MLX | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-60MLX | Nexperia |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-60MLX | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-60MLX | Nexperia |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-60MLX | Nexperia |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 244A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 244A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN011-60MSX | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN011-60MSX | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN011-80YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 13142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN012-100YS,115 | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN012-100YS,115 | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN012-100YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 5444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-100YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-100YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN012-60MSX | Nexperia |
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auf Bestellung 5549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 29919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 118500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 2421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 118500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 2421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4558 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1539 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-100YSEX | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V |
auf Bestellung 34718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN013-100YSEX | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V |
auf Bestellung 34500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 157A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 157A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN013-30MLC,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 16170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN013-40VLDX | Nexperia |
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auf Bestellung 2941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN013-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 53A Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 3.60 EUR |
23+ | 3.17 EUR |
26+ | 2.76 EUR |
28+ | 2.60 EUR |
PSMN004-60B,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 3.60 EUR |
23+ | 3.17 EUR |
26+ | 2.76 EUR |
28+ | 2.60 EUR |
800+ | 2.50 EUR |
PSMN004-60B,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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74+ | 2.20 EUR |
100+ | 1.96 EUR |
800+ | 1.77 EUR |
PSMN004-60B,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
73+ | 2.29 EUR |
100+ | 2.04 EUR |
800+ | 1.85 EUR |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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74+ | 2.20 EUR |
PSMN004-60B,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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73+ | 2.29 EUR |
100+ | 2.04 EUR |
800+ | 1.84 EUR |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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86+ | 1.89 EUR |
87+ | 1.79 EUR |
PSMN009-100P,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.93 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
26+ | 2.83 EUR |
27+ | 2.67 EUR |
250+ | 2.62 EUR |
PSMN009-100P,127 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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19+ | 3.93 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
26+ | 2.83 EUR |
27+ | 2.67 EUR |
250+ | 2.62 EUR |
PSMN011-30YLC,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 10351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 1.72 EUR |
17+ | 1.08 EUR |
100+ | 0.70 EUR |
500+ | 0.54 EUR |
PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1500+ | 0.37 EUR |
3000+ | 0.35 EUR |
PSMN011-60HLX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN011-60HLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN011-60MLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 13133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 2.16 EUR |
14+ | 1.35 EUR |
100+ | 0.89 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
PSMN011-60MLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.48 EUR |
3000+ | 0.47 EUR |
PSMN011-60MLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.37 EUR |
PSMN011-60MLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.18 EUR |
PSMN011-60MLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.37 EUR |
PSMN011-60MLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1460+ | 0.41 EUR |
PSMN011-60MLX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.18 EUR |
PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
500+ | 0.59 EUR |
PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
500+ | 0.59 EUR |
PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 1.94 EUR |
15+ | 1.21 EUR |
100+ | 0.80 EUR |
500+ | 0.62 EUR |
PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.53 EUR |
PSMN011-60MSX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 0.0096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 0.0096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN011-80YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 13142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.01 EUR |
10+ | 1.65 EUR |
100+ | 1.16 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
1500+ | 0.83 EUR |
3000+ | 0.81 EUR |
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 1.04 EUR |
3000+ | 0.96 EUR |
4500+ | 0.92 EUR |
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.45 EUR |
10+ | 2.20 EUR |
100+ | 1.49 EUR |
500+ | 1.19 EUR |
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 5444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
615+ | 0.98 EUR |
1000+ | 0.90 EUR |
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 1.00 EUR |
3000+ | 0.85 EUR |
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 1.01 EUR |
3000+ | 0.85 EUR |
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.01 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.01 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN012-60MSX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN012-60MS/SOT1210/mLFPAK
MOSFETs PSMN012-60MS/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 5549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.14 EUR |
10+ | 1.01 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
500+ | 0.57 EUR |
1000+ | 0.44 EUR |
1500+ | 0.42 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 29919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.57 EUR |
10+ | 1.23 EUR |
100+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.79 EUR |
1000+ | 0.64 EUR |
1500+ | 0.61 EUR |
3000+ | 0.58 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.54 EUR |
3000+ | 0.52 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
256+ | 0.63 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.60 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.55 EUR |
3000+ | 0.50 EUR |
9000+ | 0.48 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.55 EUR |
3000+ | 0.50 EUR |
9000+ | 0.48 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
256+ | 0.63 EUR |
500+ | 0.56 EUR |
1000+ | 0.50 EUR |
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.09 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
250+ | 1.37 EUR |
1000+ | 1.34 EUR |
PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.09 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
250+ | 1.37 EUR |
1000+ | 1.34 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.82 EUR |
44+ | 1.64 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
800+ | 1.23 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.82 EUR |
44+ | 1.64 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
800+ | 1.23 EUR |
1600+ | 1.22 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4000+ | 1.15 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 1.23 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 1.23 EUR |
250+ | 1.18 EUR |
500+ | 1.12 EUR |
1000+ | 1.07 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.55 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.53 EUR |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4000+ | 1.15 EUR |
PSMN013-100YSEX |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
auf Bestellung 34718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.35 EUR |
10+ | 2.80 EUR |
100+ | 1.92 EUR |
500+ | 1.54 EUR |
PSMN013-100YSEX |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 1.36 EUR |
3000+ | 1.27 EUR |
4500+ | 1.25 EUR |
PSMN013-30MLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
150+ | 0.48 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
223+ | 0.32 EUR |
PSMN013-30MLC,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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67+ | 1.07 EUR |
150+ | 0.48 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
223+ | 0.32 EUR |
PSMN013-30MLC,115 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
MOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 16170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 0.82 EUR |
10+ | 0.68 EUR |
100+ | 0.47 EUR |
500+ | 0.37 EUR |
1000+ | 0.28 EUR |
3000+ | 0.24 EUR |
PSMN013-40VLDX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN013-40VLD/SOT1205/LFPAK56D
MOSFETs PSMN013-40VLD/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 2.11 EUR |
10+ | 1.36 EUR |
100+ | 1.03 EUR |
500+ | 0.87 EUR |
1000+ | 0.73 EUR |
3000+ | 0.63 EUR |
PSMN013-60YLX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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67+ | 1.07 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
108+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
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