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IRFB3004PBF IRFB3004PBF Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.57 EUR
47+ 3.22 EUR
50+ 2.94 EUR
100+ 2.68 EUR
250+ 2.57 EUR
500+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON INFN-S-A0012837708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3004PBF IRFB3004PBF Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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44+3.57 EUR
50+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3004PBF IRFB3004PBF Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.59 EUR
47+ 3.23 EUR
50+ 2.95 EUR
100+ 2.7 EUR
250+ 2.58 EUR
500+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3006 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+7.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF Infineon Technologies infineon-irfb3006g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.51 EUR
41+ 3.77 EUR
61+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 35
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF Infineon Technologies infineon-irfb3006g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF Infineon Technologies infineon-irfb3006g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.49 EUR
41+ 3.75 EUR
61+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 35
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.43 EUR
18+ 3.98 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.43 EUR
18+ 3.98 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies irfb3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561247681de9 description Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.83 EUR
50+ 5.41 EUR
100+ 4.64 EUR
500+ 4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.13 EUR
32+ 4.71 EUR
38+ 3.89 EUR
100+ 2.97 EUR
250+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 31
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.9 EUR
86+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 83
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.24 EUR
27+ 5.68 EUR
33+ 4.46 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB3006_DataSheet_v01_01_EN-3363119.pdf description MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.85 EUR
10+ 9.33 EUR
25+ 7.54 EUR
100+ 6.14 EUR
250+ 5.85 EUR
500+ 5.38 EUR
1000+ 5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.24 EUR
27+ 5.68 EUR
33+ 4.46 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON INFN-S-A0012838047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.1 EUR
33+ 4.69 EUR
38+ 3.87 EUR
100+ 2.95 EUR
250+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 31
IRFB3077 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.99 EUR
20+ 3.6 EUR
26+ 2.76 EUR
28+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.99 EUR
20+ 3.6 EUR
26+ 2.76 EUR
28+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def description Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.23 EUR
50+ 5.73 EUR
100+ 4.91 EUR
500+ 4.37 EUR
1000+ 3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.02 EUR
40+ 3.8 EUR
46+ 3.19 EUR
100+ 2.9 EUR
250+ 2.76 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.09 EUR
2000+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 39
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.65 EUR
44+ 3.48 EUR
48+ 3.03 EUR
100+ 2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.55 EUR
50+ 3.16 EUR
100+ 2.96 EUR
200+ 2.82 EUR
500+ 2.58 EUR
1000+ 2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.03 EUR
40+ 3.82 EUR
46+ 3.2 EUR
100+ 2.91 EUR
250+ 2.78 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.1 EUR
2000+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 39
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB3077_DataSheet_v01_01_EN-3363293.pdf description MOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 8269 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.46 EUR
10+ 7.41 EUR
25+ 6.45 EUR
100+ 5.98 EUR
250+ 5.95 EUR
500+ 5.62 EUR
1000+ 5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.65 EUR
44+ 3.48 EUR
48+ 3.03 EUR
100+ 2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.66 EUR
50+ 3.7 EUR
100+ 3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.57 EUR
50+ 3.02 EUR
63+ 2.23 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.58 EUR
50+ 3.04 EUR
63+ 2.24 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
38+ 1.89 EUR
40+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 27
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.7 EUR
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500+ 2.06 EUR
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2000+ 1.66 EUR
5000+ 1.6 EUR
10000+ 1.55 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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111+1.42 EUR
112+ 1.35 EUR
114+ 1.28 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3206_DataSheet_v01_01_EN-3363307.pdf MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
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100+ 2.96 EUR
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500+ 2.68 EUR
1000+ 2.36 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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15+4.85 EUR
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22+ 3.35 EUR
23+ 3.16 EUR
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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15+4.85 EUR
17+ 4.36 EUR
22+ 3.35 EUR
23+ 3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies infineon-irfs3207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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40+3.99 EUR
46+ 3.3 EUR
48+ 3.08 EUR
53+ 2.65 EUR
100+ 2.33 EUR
250+ 2.1 EUR
500+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies infineon-irfs3207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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57+2.76 EUR
62+ 2.46 EUR
63+ 2.33 EUR
67+ 2.11 EUR
100+ 1.92 EUR
250+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 57
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies infineon-irfs3207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1950 Stücke:
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66+2.4 EUR
74+ 2.05 EUR
100+ 1.9 EUR
1000+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 66
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies infineon-irfs3207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 940 Stücke:
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40+3.99 EUR
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500+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies infineon-irfs3207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 318 Stücke:
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies infineon-irfs3207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies infineon-irfs3207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 318 Stücke:
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57+2.78 EUR
61+ 2.47 EUR
62+ 2.34 EUR
66+ 2.12 EUR
100+ 1.93 EUR
250+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 57
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3004PBF infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3004PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
44+3.57 EUR
47+ 3.22 EUR
50+ 2.94 EUR
100+ 2.68 EUR
250+ 2.57 EUR
500+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3004PBF INFN-S-A0012837708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3004PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3004PBF infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3004PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
44+3.57 EUR
50+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3004PBF infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3004PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
44+3.59 EUR
47+ 3.23 EUR
50+ 2.95 EUR
100+ 2.7 EUR
250+ 2.58 EUR
500+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3006
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB3006GPBF infineon-irfb3006g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3006GPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+4.51 EUR
41+ 3.77 EUR
61+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 35
IRFB3006GPBF infineon-irfb3006g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3006GPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3006GPBF infineon-irfb3006g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3006GPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+4.49 EUR
41+ 3.75 EUR
61+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 35
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+4.43 EUR
18+ 3.98 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+4.43 EUR
18+ 3.98 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561247681de9
IRFB3006PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.83 EUR
50+ 5.41 EUR
100+ 4.64 EUR
500+ 4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRFB3006PBF description infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3006PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+5.13 EUR
32+ 4.71 EUR
38+ 3.89 EUR
100+ 2.97 EUR
250+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 31
IRFB3006PBF description infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3006PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
83+1.9 EUR
86+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 83
IRFB3006PBF description infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3006PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+6.24 EUR
27+ 5.68 EUR
33+ 4.46 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IRFB3006PBF description Infineon_IRFB3006_DataSheet_v01_01_EN-3363119.pdf
IRFB3006PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.85 EUR
10+ 9.33 EUR
25+ 7.54 EUR
100+ 6.14 EUR
250+ 5.85 EUR
500+ 5.38 EUR
1000+ 5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFB3006PBF description infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3006PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3006PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3006PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3006PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 1600 Stücke:
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IRFB3006PBF description infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3006PBF
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IRFB3006PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3077
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRFB3077PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 189 Stücke:
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18+3.99 EUR
20+ 3.6 EUR
26+ 2.76 EUR
28+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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18+3.99 EUR
20+ 3.6 EUR
26+ 2.76 EUR
28+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
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3+7.23 EUR
50+ 5.73 EUR
100+ 4.91 EUR
500+ 4.37 EUR
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IRFB3077PBF description infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3077PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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39+4.02 EUR
40+ 3.8 EUR
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250+ 2.76 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.09 EUR
2000+ 2.07 EUR
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IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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43+3.65 EUR
44+ 3.48 EUR
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100+ 2.79 EUR
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IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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44+3.55 EUR
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100+ 2.96 EUR
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500+ 2.58 EUR
1000+ 2.45 EUR
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IRFB3077PBF description infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2443 Stücke:
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39+4.03 EUR
40+ 3.82 EUR
46+ 3.2 EUR
100+ 2.91 EUR
250+ 2.78 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.1 EUR
2000+ 2.08 EUR
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IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
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7+7.46 EUR
10+ 7.41 EUR
25+ 6.45 EUR
100+ 5.98 EUR
250+ 5.95 EUR
500+ 5.62 EUR
1000+ 5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFB3077PBF description infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 229 Stücke:
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43+3.65 EUR
44+ 3.48 EUR
48+ 3.03 EUR
100+ 2.79 EUR
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IRFB3077PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.66 EUR
50+ 3.7 EUR
100+ 3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB3206GPBF infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206GPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
44+3.57 EUR
50+ 3.02 EUR
63+ 2.23 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3206GPBF infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206GPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
44+3.58 EUR
50+ 3.04 EUR
63+ 2.24 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 44
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
38+ 1.89 EUR
40+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 27
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
38+ 1.89 EUR
40+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 27
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
auf Bestellung 25707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+3.7 EUR
50+ 2.96 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.06 EUR
1000+ 1.75 EUR
2000+ 1.66 EUR
5000+ 1.6 EUR
10000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRFB3206PBF INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3206PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+2.09 EUR
85+ 1.79 EUR
100+ 1.54 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.18 EUR
3000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
63+2.51 EUR
74+ 2.06 EUR
100+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 63
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
111+1.42 EUR
112+ 1.35 EUR
114+ 1.28 EUR
2000+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 111
IRFB3206PBF Infineon_IRFS3206_DataSheet_v01_01_EN-3363307.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
auf Bestellung 21925 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.95 EUR
16+ 3.38 EUR
100+ 2.96 EUR
250+ 2.94 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+2.1 EUR
84+ 1.79 EUR
100+ 1.55 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.19 EUR
3000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.15 EUR
52+ 2.92 EUR
100+ 2.71 EUR
250+ 2.53 EUR
500+ 2.36 EUR
1000+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
63+2.51 EUR
74+ 2.06 EUR
100+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 63
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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63+ 2.33 EUR
67+ 2.11 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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46+ 3.3 EUR
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53+ 2.65 EUR
100+ 2.33 EUR
250+ 2.1 EUR
500+ 1.51 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 318 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 318 Stücke:
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61+ 2.47 EUR
62+ 2.34 EUR
66+ 2.12 EUR
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250+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 57
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IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 551 Stücke:
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