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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF740PBF
Produktcode: 162988
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Siliconix 91054.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 1011 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF
Produktcode: 24032
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IR 91054.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
1+0.5 EUR
10+0.48 EUR
100+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF IRF740SPBF
Produktcode: 154285
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Siliconix sihf740s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 HXY MOSFET IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 HXY MOSFET IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 Vishay IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TR UMW 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TR International Rectifier 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406-HXY HXY MOSFET Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR Infineon ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR UMW ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR JGSEMI ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR UMW ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.14 EUR
38+1.93 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
38+1.93 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Siliconix tf-irf740alpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.94 EUR
50+2.26 EUR
100+2.22 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Semiconductors tf-irf740alpbf.pdf MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.87 EUR
10+2.25 EUR
100+2.18 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740AP Siliconix N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.72 EUR
35+2.04 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.72 EUR
35+2.04 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF-BE3 IRF740APBF-BE3 Vishay Siliconix 91051.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.23 EUR
35+2.07 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
35+2.07 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
50+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.15 EUR
27+2.72 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.15 EUR
27+2.72 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BPBF VISHAY irf740b.pdf IRF740BPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LC Siliconix 91053.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.32 EUR
36+1.99 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Siliconix 91053.pdf description Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.16 EUR
50+2.23 EUR
100+2.2 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Semiconductors 91053.pdf description MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
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1+5.16 EUR
10+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 91053.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+3.01 EUR
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1000+2.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 Vishay Siliconix 91053.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.47 EUR
50+3 EUR
100+2.8 EUR
500+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1422 Stücke:
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44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
95+0.76 EUR
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IRF740PBF IRF740PBF Vishay Semiconductors 91054.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
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2+2.31 EUR
10+1.71 EUR
1000+1.64 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF Vishay Siliconix 91054.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.34 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
53+1.36 EUR
59+1.23 EUR
62+1.16 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91054.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.04 EUR
10+1.71 EUR
100+1.69 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.37 EUR
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 Vishay Siliconix 91054.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740S Siliconix sihf740s.pdf description Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF740STR IRF740STRL IRF740STRR IRF740S IRF740S VISHAY TIRF740s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740S2515 IRF740S2515 Harris Corporation Description: 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
312+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 312
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89EA8BA3102469&compId=IRF740SPBF.pdf?ci_sign=b402fade255c0903eec9d8c12f2c21148065852d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.19 EUR
40+1.82 EUR
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89EA8BA3102469&compId=IRF740SPBF.pdf?ci_sign=b402fade255c0903eec9d8c12f2c21148065852d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
40+1.82 EUR
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF IRF740SPBF Vishay Siliconix sihf740s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
50+2.29 EUR
100+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF IRF740SPBF Vishay Semiconductors sihf740s.pdf MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.31 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay Siliconix sihf740s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 8446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.51 EUR
10+3.31 EUR
100+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay Semiconductors sihf740s.pdf MOSFETs TO263 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+3.26 EUR
100+2.57 EUR
500+2.29 EUR
800+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay Siliconix sihf740s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740STRRPBF IRF740STRRPBF Vishay Semiconductors sihf740s.pdf MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+5.83 EUR
500+5 EUR
800+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7401TR UMWIRF7401TR UMW 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7403TR UMWIRF7403TR UMW b5c00af3a8083ede26538cf7934568ee.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.3 EUR
22+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7404TR UMWIRF7404TR UMW 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7406TR UMWIRF7406TR UMW ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
25+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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Транзистор IRF740SPBF IR Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2-Pak Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+5.44 EUR
100+4.92 EUR
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IRF7401TR IR 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf 0449+
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IRF7402 IOR 09+
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IRF740PBF
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF740PBF
Produktcode: 24032
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91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
Anzahl Preis
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IRF740SPBF
Produktcode: 154285
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sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TR 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRPBF irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TR 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406-HXY
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Hersteller: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
38+1.93 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
38+1.93 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.94 EUR
50+2.26 EUR
100+2.22 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.87 EUR
10+2.25 EUR
100+2.18 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740AP
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
35+2.04 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
35+2.04 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF-BE3 91051.pdf
IRF740APBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.26 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
35+2.07 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
35+2.07 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.68 EUR
50+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.15 EUR
27+2.72 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.15 EUR
27+2.72 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BPBF irf740b.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF740BPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LC 91053.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
36+1.99 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
36+1.99 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.16 EUR
50+2.23 EUR
100+2.2 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.16 EUR
10+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3 91053.pdf
IRF740LCPBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.46 EUR
10+3.01 EUR
100+2.82 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.27 EUR
2000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3 91053.pdf
IRF740LCPBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.47 EUR
50+3 EUR
100+2.8 EUR
500+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a
IRF740PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a
IRF740PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.31 EUR
10+1.71 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.34 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
53+1.36 EUR
59+1.23 EUR
62+1.16 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.04 EUR
10+1.71 EUR
100+1.69 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.37 EUR
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.04 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740S description sihf740s.pdf
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF740STR IRF740STRL IRF740STRR IRF740S IRF740S VISHAY TIRF740s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740S2515
IRF740S2515
Hersteller: Harris Corporation
Description: 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
312+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 312
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89EA8BA3102469&compId=IRF740SPBF.pdf?ci_sign=b402fade255c0903eec9d8c12f2c21148065852d
IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
40+1.82 EUR
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89EA8BA3102469&compId=IRF740SPBF.pdf?ci_sign=b402fade255c0903eec9d8c12f2c21148065852d
IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
40+1.82 EUR
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.04 EUR
50+2.29 EUR
100+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.99 EUR
10+2.31 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
IRF740STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 8446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.51 EUR
10+3.31 EUR
100+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
IRF740STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.44 EUR
10+3.26 EUR
100+2.57 EUR
500+2.29 EUR
800+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
IRF740STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740STRRPBF sihf740s.pdf
IRF740STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.84 EUR
10+5.83 EUR
500+5 EUR
800+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7401TR 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf
UMWIRF7401TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7403TR b5c00af3a8083ede26538cf7934568ee.pdf
UMWIRF7403TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.3 EUR
22+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7404TR 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf
UMWIRF7404TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
UMWIRF7406TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
25+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF740SPBF
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2-Pak Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.12 EUR
10+5.44 EUR
100+4.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TR 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf
Hersteller: IR
0449+
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7402
Hersteller: IOR
09+
auf Bestellung 2508 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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