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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STP105N3LL STMicroelectronics en.DM00071078.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10LN80K5 STMicroelectronics en.DM00176858.pdf STP10LN80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5 STMicroelectronics en.DM00134103.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 6A; Idm: 24A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60M2 STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.30 EUR
19+3.88 EUR
24+2.97 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N95K5 STP10N95K5 STMicroelectronics STP10N95K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
38+1.90 EUR
68+1.06 EUR
72+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics STP10NK60ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
48+1.50 EUR
82+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics stp10nk70zfp.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
Pulsed drain current: 34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
30+2.46 EUR
57+1.27 EUR
60+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
25+2.92 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
23+3.12 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
3750+1.40 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7 STMicroelectronics en.DM00072347.pdf STP110N10F7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299439.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M2 STMicroelectronics en.DM00116928.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40Z STP11NK40Z STMicroelectronics STP11NK40Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
35+2.09 EUR
47+1.54 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFP STP11NK40ZFP STMicroelectronics STP11NK40ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.68 EUR
38+1.92 EUR
80+0.90 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50Z STP11NK50Z STMicroelectronics STP11NK50Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
22+3.35 EUR
58+1.24 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFP STP11NK50ZFP STMicroelectronics STP11NK50Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
45+1.60 EUR
54+1.33 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60 STP11NM60 STMicroelectronics en.CD00005066.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.62 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics STP11NM60FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.90 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60ND STP11NM60ND STMicroelectronics STD11NM60ND.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics STP11NM80.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.23 EUR
26+2.82 EUR
27+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6 STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics STB120NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.71 EUR
15+5.00 EUR
35+2.06 EUR
37+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf STP12N120K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N50M2 STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.38Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
52+1.40 EUR
55+1.32 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics STP12N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30Z STMicroelectronics en.CD00003186.pdf STP12NK30Z THT N channel transistors
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.32 EUR
39+1.84 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics STP12NM50.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.49 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.20 EUR
35+2.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N6F7 STMicroelectronics STP130N6F7.pdf STP130N6F7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070267.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133031.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5 STP13N80K5 STMicroelectronics STB13N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N95K3 STMicroelectronics en.CD00233894.pdf STP13N95K3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60Z STP13NK60Z STMicroelectronics stp13nk60z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
24+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZFP STP13NK60ZFP STMicroelectronics STB13NK60ZT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.82 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NM60N STP13NM60N STMicroelectronics STB13NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.79 EUR
52+1.39 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NM60ND STMicroelectronics STx13NM60ND_DS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.93A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 109W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: FDmesh™ II
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP140N6F7 STMicroelectronics en.DM00175190.pdf STP140N6F7 THT N channel transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP140N8F7 STMicroelectronics en.DM00130467.pdf STP140N8F7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP140NF55 STMicroelectronics en.CD00047336.pdf STP140NF55 THT N channel transistors
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.46 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP140NF75 STMicroelectronics en.CD00003199.pdf STP140NF75 THT N channel transistors
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14N80K5 STMicroelectronics STP14N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NK50Z STP14NK50Z STMicroelectronics STW14NK50Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.80 EUR
34+2.10 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NK50ZFP STP14NK50ZFP STMicroelectronics stp14nk50z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
28+2.60 EUR
43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NK60ZFP STP14NK60ZFP STMicroelectronics STB14NK60ZT4.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.59 EUR
35+2.07 EUR
37+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NM50N STMicroelectronics en.CD00257735.pdf STP14NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
33+2.17 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP150N10F7 STP150N10F7 STMicroelectronics en.DM00082643.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 117nC
Pulsed drain current: 440A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
21+3.55 EUR
27+2.72 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP150N10F7AG STMicroelectronics stp150n10f7ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 127nC
Pulsed drain current: 440A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP150NF04 STMicroelectronics en.CD00203104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Pulsed drain current: 320A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15N60M2-EP STMicroelectronics STP15N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 378mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15N65M5 STMicroelectronics en.DM00049306.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 6.9A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15N80K5 STMicroelectronics stp15n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; Idm: 56A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 56A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15N95K5 STMicroelectronics en.DM00095839.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15NK50Z STP15NK50Z STMicroelectronics STP15NK50ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP105N3LL en.DM00071078.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10LN80K5 en.DM00176858.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP10LN80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5 en.DM00134103.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 6A; Idm: 24A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60M2 stp10n60m2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.30 EUR
19+3.88 EUR
24+2.97 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N95K5 STP10N95K5.pdf
STP10N95K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
38+1.90 EUR
68+1.06 EUR
72+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFP description STP10NK60ZFP.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
48+1.50 EUR
82+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFP stp10nk70zfp.pdf
STP10NK70ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
Pulsed drain current: 34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
30+2.46 EUR
57+1.27 EUR
60+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80Z STP10NK80ZFP.pdf
STP10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
25+2.92 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFP description STP10NK80ZFP.pdf
STP10NK80ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
23+3.12 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
3750+1.40 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60N std10nm60n.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7 en.DM00072347.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP110N10F7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N60DM2 en.DM00299439.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M2 en.DM00116928.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M5 en.DM00049307.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40Z description STP11NK40Z.pdf
STP11NK40Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
35+2.09 EUR
47+1.54 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFP STP11NK40ZFP.pdf
STP11NK40ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.68 EUR
38+1.92 EUR
80+0.90 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50Z STP11NK50Z.pdf
STP11NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
22+3.35 EUR
58+1.24 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFP STP11NK50Z.pdf
STP11NK50ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
45+1.60 EUR
54+1.33 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60 en.CD00005066.pdf
STP11NM60
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD STP11NM60FD.pdf
STP11NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.90 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60ND STD11NM60ND.pdf
STP11NM60ND
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.23 EUR
26+2.82 EUR
27+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6 en.CD00263682.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10 STB120NF10.pdf
STP120NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.71 EUR
15+5.00 EUR
35+2.06 EUR
37+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5 en.DM00036727.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP12N120K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N50M2 en.DM00121831.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.38Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
STP12N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
52+1.40 EUR
55+1.32 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5 STP12N65M5.pdf
STP12N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30Z en.CD00003186.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP12NK30Z THT N channel transistors
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
STP12NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.32 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description STP12NM50.pdf
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.49 EUR
40+1.80 EUR
42+1.72 EUR
300+1.66 EUR
750+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FP STP12NM50FP.pdf
STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.20 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N6F7 STP130N6F7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP130N6F7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2 en.DM00070267.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N65M2 en.DM00133031.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5 STB13N80K5.pdf
STP13N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N95K3 en.CD00233894.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP13N95K3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60Z stp13nk60z.pdf
STP13NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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9+7.95 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZFP STB13NK60ZT4.pdf
STP13NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
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26+2.82 EUR
43+1.67 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NM60N STB13NM60N.pdf
STP13NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
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Anzahl Preis
15+4.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NM60ND STx13NM60ND_DS.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.93A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 109W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: FDmesh™ II
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP140N6F7 en.DM00175190.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP140N6F7 THT N channel transistors
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Anzahl Preis
25+2.86 EUR
39+1.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP140N8F7 en.DM00130467.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP140N8F7 THT N channel transistors
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STP140NF55 en.CD00047336.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP140NF55 THT N channel transistors
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30+2.46 EUR
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52+1.39 EUR
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STP140NF75 en.CD00003199.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP140NF75 THT N channel transistors
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24+3.07 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14N80K5 STP14N80K5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NK50Z STW14NK50Z.pdf
STP14NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
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Anzahl Preis
26+2.80 EUR
34+2.10 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NK50ZFP description stp14nk50z.pdf
STP14NK50ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
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Anzahl Preis
22+3.39 EUR
28+2.60 EUR
43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NK60ZFP description STB14NK60ZT4.pdf
STP14NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
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Anzahl Preis
16+4.59 EUR
35+2.07 EUR
37+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NM50N en.CD00257735.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP14NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl Preis
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
33+2.17 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP150N10F7 en.DM00082643.pdf
STP150N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 117nC
Pulsed drain current: 440A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
21+3.55 EUR
27+2.72 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP150N10F7AG stp150n10f7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 127nC
Pulsed drain current: 440A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP150NF04 en.CD00203104.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Pulsed drain current: 320A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15N60M2-EP STP15N60M2-EP.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 378mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15N65M5 en.DM00049306.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 6.9A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15N80K5 stp15n80k5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; Idm: 56A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 56A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15N95K5 en.DM00095839.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP15NK50Z STP15NK50ZFP.pdf
STP15NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
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Anzahl Preis
19+3.93 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.74 EUR
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