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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STP16DPPS05XTTR STMicroelectronics en.CD00237334.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 3÷40mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Case: TSSOP24EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 3...5.5V
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: LED driver
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 30MHz
Output voltage: 1.3...20V
Output current: 3...40mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 16
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16DPS05MTR STMicroelectronics en.CD00253310.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Case: SO24
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 3...5.5V
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: LED driver
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 30MHz
Output voltage: 1.3...20V
Output current: 5...100mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 16
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16DPS05XTTR STMicroelectronics en.CD00253310.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Case: TSSOP24EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 3...5.5V
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: LED driver
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 30MHz
Output voltage: 1.3...20V
Output current: 5...100mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 16
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148525.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Technology: MDmesh™ M2
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 6.9A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NF06 STP16NF06 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3D62FC776C469&compId=STP16NF06.pdf?ci_sign=fe4897a3b1bd447db7d0ec6032a7b7394a316ba1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.76 EUR
75+0.96 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17N80K5 STP17N80K5 STMicroelectronics en.DM00173138.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
18+4.10 EUR
19+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NF25 STMicroelectronics stp17nf25.pdf STP17NF25 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFP STMicroelectronics en.CD00003118.pdf STP17NK40ZFP THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.11 EUR
27+2.65 EUR
2000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5 STMicroelectronics stp18n55m5.pdf STP18N55M5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60DM2 STMicroelectronics STP18N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2 STP18N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2CC20D2&compId=stp18n60m2.pdf?ci_sign=126c0ae5c6efa5127a34a15f2d71ac7c69c63c68 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.85 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
100+1.59 EUR
250+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M6 STMicroelectronics stp18n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.8nC
Pulsed drain current: 38A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 8A; Idm: 48A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4D50A5360D2&compId=stw18n65m5.pdf?ci_sign=7329d71739dea5daedc971a5e26bc946658b33e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60N STMicroelectronics en.CD00238184.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80 STP18NM80 STMicroelectronics STx18NM80-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.14 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20 STP19NF20 STMicroelectronics STB19NF20.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM50N STMicroelectronics en.CD00264734.pdf STP19NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N3LL STP200N3LL STMicroelectronics en.DM00255610.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
38+1.89 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200NF03 STMicroelectronics en.CD00003018.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ III
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Pulsed drain current: 480A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N65M5 STP20N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3820B94624745&compId=STP20N65M5.pdf?ci_sign=29098b3fd06eec3746c43ac86bc72929d5b26a0f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
100+2.55 EUR
500+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N90K5 STP20N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB0D758B4501B80C7&compId=STP20N90K5.pdf?ci_sign=7e907c50ec139a62894f270bc874a9b32695b71d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N95K5 STP20N95K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2CD60D2&compId=stp20n95k5.pdf?ci_sign=e5cc5be16d010f4a494b3b7d8419e4299e7e3a09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.64 EUR
12+6.05 EUR
13+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NF20 STP20NF20 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA36CADC097E469&compId=STD20NF20.pdf?ci_sign=6d4e5c380137345f511f87c7b6f33b2ca79db1a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
43+1.69 EUR
45+1.60 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NK50Z STP20NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F700D2&compId=stp20nk50z.pdf?ci_sign=c4635a53a7f8c9ab0c647c7453f60e557b7dc92b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F840D2&compId=stp20nm50.pdf?ci_sign=b8247658660cf8adc3561d891a608654311b0a3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.70 EUR
22+3.35 EUR
28+2.57 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50FD STP20NM50FD STMicroelectronics stb20nm50fd.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.92 EUR
21+3.52 EUR
26+2.80 EUR
28+2.65 EUR
250+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E14D0C462469&compId=STP20NM60FD.pdf?ci_sign=26288b7d87c88e408429f124f02fc74fe241d05e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
28+2.57 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FP STP20NM60FP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFD7BCCE0D2&compId=stp20nm60fp.pdf?ci_sign=f88b0e34aef8d4f4a0eb58cfa595f6dccb18db70 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
23+3.13 EUR
25+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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STP21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf STP21N65M5 THT N channel transistors
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STP21N90K5 STMicroelectronics en.CD00255284.pdf STP21N90K5 THT N channel transistors
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12+6.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP220N6F7 STMicroelectronics en.DM00122330.pdf STP220N6F7 THT N channel transistors
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STP22N60M6 STMicroelectronics stp22n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP22NM60N STP22NM60N STMicroelectronics en.CD00237949.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 64A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
33+2.19 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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STP23N80K5 STMicroelectronics en.DM00235958.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP23NM50N STMicroelectronics stp23nm50n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STP240N10F7 STP240N10F7 STMicroelectronics en.DM00070204.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.91 EUR
18+4.08 EUR
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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STP24DP05BTR STMicroelectronics en.CD00197065.pdf STP24DP05BTR LED drivers
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STP24N60DM2 STMicroelectronics en.DM00099972.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 11A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M2 STP24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STP24N60M6 STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E4203DBBA469&compId=STP24NF10.pdf?ci_sign=465d3df3fe8f94d64e472467287c4b4e053fccc5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.10 EUR
52+1.37 EUR
64+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NM60N STP24NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2D420D2&compId=stp24nm60n.pdf?ci_sign=0502895dfa007625b426782c886800fb9fdda1c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 68A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.80 EUR
38+1.93 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N60M2-EP STMicroelectronics STP25N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N80K5 STMicroelectronics en.DM00060492.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6 STP26N60DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E680D2&compId=stp26n60dm6.pdf?ci_sign=004592bc5001354e6f45b2cda245f4702da1c5b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60M2 STMicroelectronics en.DM00218389.pdf STP26N60M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N65DM2 STMicroelectronics stp26n65dm2.pdf STP26N65DM2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E7C0D2&compId=stp26nm60n.pdf?ci_sign=238f6e71cdc6f3f6f40e86cbbec022f3424b967d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.02 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7 STMicroelectronics en.DM00071594.pdf STP270N8F7 THT N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.65 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.39 EUR
19+3.95 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STP28NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
12+5.96 EUR
17+4.20 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM60ND STMicroelectronics ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf STP28NM60ND THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf STP2N105K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N80K5 STMicroelectronics en.DM00090142.pdf STP2N80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16DPPS05XTTR en.CD00237334.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 3÷40mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Case: TSSOP24EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 3...5.5V
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: LED driver
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 30MHz
Output voltage: 1.3...20V
Output current: 3...40mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 16
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16DPS05MTR en.CD00253310.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Case: SO24
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 3...5.5V
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: LED driver
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 30MHz
Output voltage: 1.3...20V
Output current: 5...100mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 16
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16DPS05XTTR en.CD00253310.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Case: TSSOP24EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 3...5.5V
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: LED driver
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 30MHz
Output voltage: 1.3...20V
Output current: 5...100mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 16
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N60M2 en.DM00148525.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Technology: MDmesh™ M2
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M2 en.DM00140964.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 6.9A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STP16N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e
STP16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NF06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3D62FC776C469&compId=STP16NF06.pdf?ci_sign=fe4897a3b1bd447db7d0ec6032a7b7394a316ba1
STP16NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
75+0.96 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17N80K5 en.DM00173138.pdf
STP17N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
18+4.10 EUR
19+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NF25 stp17nf25.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP17NF25 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFP en.CD00003118.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP17NK40ZFP THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.11 EUR
27+2.65 EUR
2000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5 stp18n55m5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP18N55M5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60DM2 STP18N60DM2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2CC20D2&compId=stp18n60m2.pdf?ci_sign=126c0ae5c6efa5127a34a15f2d71ac7c69c63c68
STP18N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
100+1.59 EUR
250+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M6 stp18n60m6.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.8nC
Pulsed drain current: 38A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2 en.DM00132456.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 8A; Idm: 48A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4D50A5360D2&compId=stw18n65m5.pdf?ci_sign=7329d71739dea5daedc971a5e26bc946658b33e3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60N en.CD00238184.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80 STx18NM80-DTE.pdf
STP18NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.14 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20 description STB19NF20.pdf
STP19NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM50N en.CD00264734.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP19NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N3LL en.DM00255610.pdf
STP200N3LL
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
38+1.89 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200NF03 en.CD00003018.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ III
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Pulsed drain current: 480A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3820B94624745&compId=STP20N65M5.pdf?ci_sign=29098b3fd06eec3746c43ac86bc72929d5b26a0f
STP20N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
100+2.55 EUR
500+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB0D758B4501B80C7&compId=STP20N90K5.pdf?ci_sign=7e907c50ec139a62894f270bc874a9b32695b71d
STP20N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N95K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2CD60D2&compId=stp20n95k5.pdf?ci_sign=e5cc5be16d010f4a494b3b7d8419e4299e7e3a09
STP20N95K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.64 EUR
12+6.05 EUR
13+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NF20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA36CADC097E469&compId=STD20NF20.pdf?ci_sign=6d4e5c380137345f511f87c7b6f33b2ca79db1a3
STP20NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
43+1.69 EUR
45+1.60 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NK50Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F700D2&compId=stp20nk50z.pdf?ci_sign=c4635a53a7f8c9ab0c647c7453f60e557b7dc92b
STP20NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.07 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F840D2&compId=stp20nm50.pdf?ci_sign=b8247658660cf8adc3561d891a608654311b0a3b
STP20NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.70 EUR
22+3.35 EUR
28+2.57 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50FD stb20nm50fd.pdf
STP20NM50FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.92 EUR
21+3.52 EUR
26+2.80 EUR
28+2.65 EUR
250+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60 en.CD00002505.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E14D0C462469&compId=STP20NM60FD.pdf?ci_sign=26288b7d87c88e408429f124f02fc74fe241d05e
STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FP description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFD7BCCE0D2&compId=stp20nm60fp.pdf?ci_sign=f88b0e34aef8d4f4a0eb58cfa595f6dccb18db70
STP20NM60FP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
23+3.13 EUR
25+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N65M5 stp21n65m5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP21N65M5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5 en.CD00255284.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP21N90K5 THT N channel transistors
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STP220N6F7 en.DM00122330.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP220N6F7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP22N60M6 stp22n60m6.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP22NM60N en.CD00237949.pdf
STP22NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 64A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP23N80K5 en.DM00235958.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP23NM50N stp23nm50n.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP240N10F7 en.DM00070204.pdf
STP240N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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18+4.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24DP05BTR en.CD00197065.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP24DP05BTR LED drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60DM2 en.DM00099972.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 11A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STP24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+7.15 EUR
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M6 stp24n60m6.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NF10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E4203DBBA469&compId=STP24NF10.pdf?ci_sign=465d3df3fe8f94d64e472467287c4b4e053fccc5
STP24NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.10 EUR
52+1.37 EUR
64+1.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2D420D2&compId=stp24nm60n.pdf?ci_sign=0502895dfa007625b426782c886800fb9fdda1c0
STP24NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 68A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.80 EUR
38+1.93 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N60M2-EP STP25N60M2-EP.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N80K5 en.DM00060492.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E680D2&compId=stp26n60dm6.pdf?ci_sign=004592bc5001354e6f45b2cda245f4702da1c5b7
STP26N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60M2 en.DM00218389.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP26N60M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N65DM2 stp26n65dm2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP26N65DM2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E7C0D2&compId=stp26nm60n.pdf?ci_sign=238f6e71cdc6f3f6f40e86cbbec022f3424b967d
STP26NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.02 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7 en.DM00071594.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP270N8F7 THT N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.65 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4
STP28N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.39 EUR
19+3.95 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N65M2 en.DM00150353.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N en.CD00271786.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP28NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.09 EUR
12+5.96 EUR
17+4.20 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM60ND ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP28NM60ND THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N105K5 en.DM00115979.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2N105K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N80K5 en.DM00090142.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2N80K5 THT N channel transistors
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