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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STP18NM80 STP18NM80 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972B037B98DE28&compId=STx18NM80-DTE.pdf?ci_sign=54aaa639e8fce16920306a42d49ac38a25aa9018 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.14 EUR
20+3.69 EUR
21+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20 STP19NF20 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DF3DB004A745&compId=STB19NF20.pdf?ci_sign=4c18bb9b395d1f32d3f234a4baa51d6f20ae8937 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM50N STP19NM50N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972DBF40AB3E28&compId=STx19NM50N-DTE.pdf?ci_sign=23b5beaa6cd6193f5d8c7fc011d52b518f0a3be0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
27+2.72 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N3LL STP200N3LL STMicroelectronics en.DM00255610.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
38+1.89 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200NF03 STMicroelectronics en.CD00003018.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ III
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Pulsed drain current: 480A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N65M5 STP20N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3820B94624745&compId=STP20N65M5.pdf?ci_sign=29098b3fd06eec3746c43ac86bc72929d5b26a0f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.72 EUR
27+2.75 EUR
28+2.6 EUR
100+2.55 EUR
500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N90K5 STP20N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB0D758B4501B80C7&compId=STP20N90K5.pdf?ci_sign=7e907c50ec139a62894f270bc874a9b32695b71d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N95K5 STP20N95K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2CD60D2&compId=stp20n95k5.pdf?ci_sign=e5cc5be16d010f4a494b3b7d8419e4299e7e3a09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.64 EUR
12+6.06 EUR
13+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NF20 STP20NF20 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA36CADC097E469&compId=STD20NF20.pdf?ci_sign=6d4e5c380137345f511f87c7b6f33b2ca79db1a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NK50Z STP20NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F700D2&compId=stp20nk50z.pdf?ci_sign=c4635a53a7f8c9ab0c647c7453f60e557b7dc92b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F840D2&compId=stp20nm50.pdf?ci_sign=b8247658660cf8adc3561d891a608654311b0a3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50FD STP20NM50FD STMicroelectronics stb20nm50fd.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.98 EUR
250+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E14D0C462469&compId=STP20NM60FD.pdf?ci_sign=26288b7d87c88e408429f124f02fc74fe241d05e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.62 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FP STP20NM60FP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFD7BCCE0D2&compId=stp20nm60fp.pdf?ci_sign=f88b0e34aef8d4f4a0eb58cfa595f6dccb18db70 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf STP21N65M5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5 STMicroelectronics en.CD00255284.pdf STP21N90K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.77 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP220N6F7 STMicroelectronics en.DM00122330.pdf STP220N6F7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP22N60M6 STMicroelectronics stp22n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP22NM60N STP22NM60N STMicroelectronics en.CD00237949.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP23N80K5 STMicroelectronics en.DM00235958.pdf STP23N80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP23NM50N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFFBBFC40D2&compId=stp23nm50n.pdf?ci_sign=ef68823f48040791a15caee3ea640a371cc752c4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP240N10F7 STP240N10F7 STMicroelectronics en.DM00070204.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.91 EUR
18+4.08 EUR
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24DP05BTR STMicroelectronics en.CD00197065.pdf STP24DP05BTR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60DM2 STMicroelectronics en.DM00099972.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 11A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M2 STP24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M6 STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E4203DBBA469&compId=STP24NF10.pdf?ci_sign=465d3df3fe8f94d64e472467287c4b4e053fccc5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
49+1.46 EUR
64+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NM60N STP24NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2D420D2&compId=stp24nm60n.pdf?ci_sign=0502895dfa007625b426782c886800fb9fdda1c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
38+1.93 EUR
40+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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STP25N60M2-EP STMicroelectronics STP25N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 188mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N80K5 STMicroelectronics en.DM00060492.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6 STP26N60DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E680D2&compId=stp26n60dm6.pdf?ci_sign=004592bc5001354e6f45b2cda245f4702da1c5b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60M2 STMicroelectronics en.DM00218389.pdf STP26N60M2 THT N channel transistors
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STP26N65DM2 STMicroelectronics stp26n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E7C0D2&compId=stp26nm60n.pdf?ci_sign=238f6e71cdc6f3f6f40e86cbbec022f3424b967d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Technology: MDmesh™ ||
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7 STP270N8F7 STMicroelectronics en.DM00071594.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 315W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 193nC
Technology: STripFET™ F7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 720A
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.39 EUR
19+3.95 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STP28NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
12+5.96 EUR
17+4.2 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM60ND STMicroelectronics ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf STP28NM60ND THT N channel transistors
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STP2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf STP2N105K5 THT N channel transistors
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STP2N80K5 STMicroelectronics en.DM00090142.pdf STP2N80K5 THT N channel transistors
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STP2N95K5 STMicroelectronics en.DM00096154.pdf STP2N95K5 THT N channel transistors
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STP2NK100Z STMicroelectronics en.CD00159991.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; Idm: 7.4A; 70W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Power dissipation: 70W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 7.4A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 8.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2NK90Z STMicroelectronics en.CD00043981.pdf STP2NK90Z THT N channel transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.65 EUR
70+1.02 EUR
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30N65M5 STP30N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0840E37A0D2&compId=stp30n65m5.pdf?ci_sign=3110d7d321a90a1d5343eee4c21e6cfeef7a383b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 710V; 13A; Idm: 88A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E7D26E722469&compId=STP30NF10.pdf?ci_sign=0766ec6cf5bbf5ef3979a4368e637abc164a8162 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.12 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB13B4F9084A745&compId=STP30NF20.pdf?ci_sign=958bfa1d7a321f3ce9d7d6c6645941c37adf88b6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
39+1.87 EUR
50+1.44 EUR
53+1.36 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB103F3B2D74745&compId=STP310N10F7.pdf?ci_sign=61f0d1b3d42db4eed02b177a0b9b60da2069e2a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.45 EUR
11+6.69 EUR
14+5.13 EUR
15+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP315N10F7 STMicroelectronics en.DM00096835.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5 STP31N65M5 STMicroelectronics en.DM00049148.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32NM50N STMicroelectronics en.DM00060101.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM6 STP33N60DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0C664E9E0D2&compId=stp33n60dm6.pdf?ci_sign=40bc52ba51d8204123420531b0df3c8b34e6032d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2 STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M6 STMicroelectronics stp33n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 190W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf STP33N65M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5 STMicroelectronics en.DM00049181.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17.7A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60N STP34NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AF802AE71E28&compId=STW34NM60N-DTE.pdf?ci_sign=040baad4022de1b6f2dc25d386c2623852f2c429 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.45 EUR
17+4.33 EUR
18+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972B037B98DE28&compId=STx18NM80-DTE.pdf?ci_sign=54aaa639e8fce16920306a42d49ac38a25aa9018
STP18NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.14 EUR
20+3.69 EUR
21+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DF3DB004A745&compId=STB19NF20.pdf?ci_sign=4c18bb9b395d1f32d3f234a4baa51d6f20ae8937
STP19NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972DBF40AB3E28&compId=STx19NM50N-DTE.pdf?ci_sign=23b5beaa6cd6193f5d8c7fc011d52b518f0a3be0
STP19NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
27+2.72 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N3LL en.DM00255610.pdf
STP200N3LL
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
38+1.89 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200NF03 en.CD00003018.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ III
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Pulsed drain current: 480A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3820B94624745&compId=STP20N65M5.pdf?ci_sign=29098b3fd06eec3746c43ac86bc72929d5b26a0f
STP20N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.72 EUR
27+2.75 EUR
28+2.6 EUR
100+2.55 EUR
500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB0D758B4501B80C7&compId=STP20N90K5.pdf?ci_sign=7e907c50ec139a62894f270bc874a9b32695b71d
STP20N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N95K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2CD60D2&compId=stp20n95k5.pdf?ci_sign=e5cc5be16d010f4a494b3b7d8419e4299e7e3a09
STP20N95K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.64 EUR
12+6.06 EUR
13+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NF20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA36CADC097E469&compId=STD20NF20.pdf?ci_sign=6d4e5c380137345f511f87c7b6f33b2ca79db1a3
STP20NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NK50Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F700D2&compId=stp20nk50z.pdf?ci_sign=c4635a53a7f8c9ab0c647c7453f60e557b7dc92b
STP20NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.07 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B045C1F840D2&compId=stp20nm50.pdf?ci_sign=b8247658660cf8adc3561d891a608654311b0a3b
STP20NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50FD stb20nm50fd.pdf
STP20NM50FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
250+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60 en.CD00002505.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E14D0C462469&compId=STP20NM60FD.pdf?ci_sign=26288b7d87c88e408429f124f02fc74fe241d05e
STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.62 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FP description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFD7BCCE0D2&compId=stp20nm60fp.pdf?ci_sign=f88b0e34aef8d4f4a0eb58cfa595f6dccb18db70
STP20NM60FP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N65M5 stp21n65m5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP21N65M5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5 en.CD00255284.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP21N90K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.77 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP220N6F7 en.DM00122330.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP220N6F7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP22N60M6 stp22n60m6.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP22NM60N en.CD00237949.pdf
STP22NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP23N80K5 en.DM00235958.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP23N80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP23NM50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFFBBFC40D2&compId=stp23nm50n.pdf?ci_sign=ef68823f48040791a15caee3ea640a371cc752c4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP240N10F7 en.DM00070204.pdf
STP240N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.91 EUR
18+4.08 EUR
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24DP05BTR en.CD00197065.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP24DP05BTR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60DM2 en.DM00099972.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 11A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STP24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24N60M6 stp24n60m6.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NF10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E4203DBBA469&compId=STP24NF10.pdf?ci_sign=465d3df3fe8f94d64e472467287c4b4e053fccc5
STP24NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
49+1.46 EUR
64+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2D420D2&compId=stp24nm60n.pdf?ci_sign=0502895dfa007625b426782c886800fb9fdda1c0
STP24NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.8 EUR
38+1.93 EUR
40+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N60M2-EP STP25N60M2-EP.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 188mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N80K5 en.DM00060492.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E680D2&compId=stp26n60dm6.pdf?ci_sign=004592bc5001354e6f45b2cda245f4702da1c5b7
STP26N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60M2 en.DM00218389.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP26N60M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N65DM2 stp26n65dm2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E7C0D2&compId=stp26nm60n.pdf?ci_sign=238f6e71cdc6f3f6f40e86cbbec022f3424b967d
STP26NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Technology: MDmesh™ ||
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7 en.DM00071594.pdf
STP270N8F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 315W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 193nC
Technology: STripFET™ F7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 720A
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4
STP28N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.39 EUR
19+3.95 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N65M2 en.DM00150353.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N en.CD00271786.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP28NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.09 EUR
12+5.96 EUR
17+4.2 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM60ND ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP28NM60ND THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N105K5 en.DM00115979.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2N105K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N80K5 en.DM00090142.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2N80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N95K5 en.DM00096154.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2N95K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2NK100Z en.CD00159991.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; Idm: 7.4A; 70W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Power dissipation: 70W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 7.4A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 8.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2NK90Z en.CD00043981.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2NK90Z THT N channel transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
70+1.02 EUR
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0840E37A0D2&compId=stp30n65m5.pdf?ci_sign=3110d7d321a90a1d5343eee4c21e6cfeef7a383b
STP30N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 710V; 13A; Idm: 88A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E7D26E722469&compId=STP30NF10.pdf?ci_sign=0766ec6cf5bbf5ef3979a4368e637abc164a8162
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.12 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB13B4F9084A745&compId=STP30NF20.pdf?ci_sign=958bfa1d7a321f3ce9d7d6c6645941c37adf88b6
STP30NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
39+1.87 EUR
50+1.44 EUR
53+1.36 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB103F3B2D74745&compId=STP310N10F7.pdf?ci_sign=61f0d1b3d42db4eed02b177a0b9b60da2069e2a1
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.45 EUR
11+6.69 EUR
14+5.13 EUR
15+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP315N10F7 en.DM00096835.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5 en.DM00049148.pdf
STP31N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32NM50N en.DM00060101.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0C664E9E0D2&compId=stp33n60dm6.pdf?ci_sign=40bc52ba51d8204123420531b0df3c8b34e6032d
STP33N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2 en.DM00078147.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M6 stp33n60m6.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 190W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N65M2 en.DM00151754.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP33N65M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5 en.DM00049181.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17.7A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AF802AE71E28&compId=STW34NM60N-DTE.pdf?ci_sign=040baad4022de1b6f2dc25d386c2623852f2c429
STP34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.45 EUR
17+4.33 EUR
18+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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