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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STN6N60M2 STMicroelectronics stn6n60m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.5A; Idm: 8A; 6W; SOT223-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223-2
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790A STMicroelectronics en.CD00003281.pdf STN790A PNP SMD transistors
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.72 EUR
184+0.39 EUR
194+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003 STMicroelectronics en.CD00108029.pdf STN83003 NPN SMD transistors
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
160+0.44 EUR
188+0.39 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851 STMicroelectronics en.CD00003047.pdf STN851 NPN SMD transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
87+0.82 EUR
163+0.44 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN93003 STMicroelectronics en.CD00108575.pdf STN93003 PNP SMD transistors
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.98 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
7000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN9360 STMicroelectronics en.DM00055595.pdf STN9360 PNP SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN951 STN951 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFB2FF3440D2&compId=stn951.pdf?ci_sign=772e093d1cbfebfa383f3de2b1ed5d491457abf7 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 10...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
91+0.79 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP03D200 STP03D200 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC96841091D9DE20CE&compId=STP03D200.pdf?ci_sign=60e2f5614ec4093929c5d82d7396cb3674f72647 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 1.2kV; 0.1A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08CP05MTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFB2FF3580D2&compId=stp08cp05.pdf?ci_sign=d684c45801206c2dc40218a74d75997170206708 Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: SO16
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 8
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08CP05TTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFB2FF3580D2&compId=stp08cp05.pdf?ci_sign=d684c45801206c2dc40218a74d75997170206708 Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP16
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 8
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08CP05XTTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFB2FF3580D2&compId=stp08cp05.pdf?ci_sign=d684c45801206c2dc40218a74d75997170206708 Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP16EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP16EP
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 8
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08DP05MTR STP08DP05MTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EDF7B2BD317E27&compId=STP08DP05-DTE.pdf?ci_sign=d34fab72d8a9e7c21f3f7ef4db5955328dd34395 Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: SO16
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 8
Integrated circuit features: fault detection; shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08DP05TTR STMicroelectronics en.CD00156241.pdf STP08DP05TTR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08DP05XTTR STMicroelectronics en.CD00156241.pdf STP08DP05XTTR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP100N10F7 STP100N10F7 STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
22+3.26 EUR
24+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP100N6F7 STP100N6F7 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB36B8F25396745&compId=STP100N6F7.pdf?ci_sign=78d594301ed402aa7475912a8dcb42c10d1ce5d0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP100NF04 STP100NF04 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB2E9F46F2E2745&compId=STP100NF04.pdf?ci_sign=025740b15204da38eb3c7e8adb1b1f6c42e9abcf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.28 EUR
19+3.86 EUR
23+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP105N3LL STMicroelectronics en.DM00071078.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10LN80K5 STMicroelectronics en.DM00176858.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 5A; Idm: 32A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5 STMicroelectronics en.DM00134103.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 6A; Idm: 24A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60M2 STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N95K5 STP10N95K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE984E30D65665B18BF&compId=STP10N95K5.pdf?ci_sign=d029fced86ffb1cca9a3135f5224a2cb6be8e763 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A045A8CCC469&compId=STP10NK60Z.pdf?ci_sign=114052347b79cab4046e01d7c610f25f2185c74e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
38+1.9 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A5116F9D6469&compId=STP10NK60ZFP.pdf?ci_sign=91977968c7d965f8f5153eea628e4a924b0da29e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
41+1.74 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B001477860D2&compId=stp10nk70zfp.pdf?ci_sign=d0cd1b8f68773b82e1f2fe3c901f4b9ed5301d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
Pulsed drain current: 34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
30+2.46 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A8463CD1A469&compId=STP10NK80ZFP.pdf?ci_sign=d1903284b619277c3df7a3a247c3d8ed1bedddf6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
25+2.92 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A8463CD1A469&compId=STP10NK80ZFP.pdf?ci_sign=d1903284b619277c3df7a3a247c3d8ed1bedddf6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
23+3.12 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
3750+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7 STMicroelectronics en.DM00072347.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 415A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299439.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M2 STMicroelectronics en.DM00116928.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40Z STMicroelectronics en.CD00003028.pdf description STP11NK40Z THT N channel transistors
auf Bestellung 142 Stücke:
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26+2.8 EUR
75+0.96 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFP STMicroelectronics en.CD00003028.pdf STP11NK40ZFP THT N channel transistors
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23+3.19 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50Z STP11NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3B2F24AD40469&compId=STP11NK50Z.pdf?ci_sign=a39606ea282cff27b937ff513e6f9943991692b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
22+3.35 EUR
58+1.24 EUR
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5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFP STP11NK50ZFP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3B2F24AD40469&compId=STP11NK50Z.pdf?ci_sign=a39606ea282cff27b937ff513e6f9943991692b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
45+1.6 EUR
53+1.34 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60 STP11NM60 STMicroelectronics en.CD00005066.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Gate charge: 30nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.62 EUR
32+2.25 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3227FD4262745&compId=STP11NM60FD.pdf?ci_sign=4639c352df0d7ca7623d5f5c07f34f042c9b7a71 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.9 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60ND STP11NM60ND STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D74639E7842745&compId=STD11NM60ND.pdf?ci_sign=78ed7051a61ffc2d7e623eaf28a99a2074544100 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3C792EE5DE469&compId=STP11NM80.pdf?ci_sign=1eb358e64f53ab15ad1d007c1ded9ac683a5c3a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.23 EUR
26+2.82 EUR
27+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6 STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Technology: STripFET™ H6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6A203F1B0A745&compId=STB120NF10.pdf?ci_sign=e81a3aba7c92e1b4633c8a18fe744be2916d88af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
20+3.7 EUR
21+3.43 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 690mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44.2nC
Technology: MDmesh™ K5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N50M2 STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 15nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
48+1.49 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB4054AFF07C745&compId=STP12N65M5.pdf?ci_sign=5ac8068f9f48b4cd7b2ff69c2bb156232e45d4ae Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB2E35AAF10A745&compId=STP12NK30Z.pdf?ci_sign=a52c9c19e851e38061a8e9497b6d08d298984383 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.96 EUR
61+1.17 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B797247C63CF9E28&compId=STX12NK80Z-DTE.pdf?ci_sign=f16a05d7c5976a6e30eea02f465f3c9bb1d35a7f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.32 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.49 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
300+1.66 EUR
750+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CEF5EA65C469&compId=STP12NM50FP.pdf?ci_sign=2f00f1f2830ba1642cafb978941634b1105909cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N6F7 STMicroelectronics STP130N6F7.pdf STP130N6F7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070267.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133031.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5 STP13N80K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9859721F5C745&compId=STB13N80K5.pdf?ci_sign=aa2e5e5956a995899144b97e10528889a0a7d9a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N95K3 STMicroelectronics en.CD00233894.pdf STP13N95K3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60Z STP13NK60Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0014779A0D2&compId=stp13nk60z.pdf?ci_sign=23d0e16fb29e809c8b6b33176326312807cd8f2a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.75 EUR
29+2.49 EUR
38+1.93 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZFP STP13NK60ZFP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8D83BCBC7A745&compId=STB13NK60ZT4.pdf?ci_sign=b00b55297326f50e0f7ba8d3e1e593ecafd6850a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NM60N STP13NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E967A0127D4745&compId=STB13NM60N.pdf?ci_sign=3e6c6a7bbb193a382d6789223138eeff9153bd45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
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15+4.79 EUR
52+1.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NM60ND STMicroelectronics STx13NM60ND_DS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.93A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 109W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: FDmesh™ II
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN6N60M2 stn6n60m2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.5A; Idm: 8A; 6W; SOT223-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223-2
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN790A en.CD00003281.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STN790A PNP SMD transistors
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184+0.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN83003 en.CD00108029.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STN83003 NPN SMD transistors
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93+0.77 EUR
160+0.44 EUR
188+0.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN851 en.CD00003047.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STN851 NPN SMD transistors
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67+1.07 EUR
87+0.82 EUR
163+0.44 EUR
10000+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN93003 en.CD00108575.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STN93003 PNP SMD transistors
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74+0.98 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
7000+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN9360 en.DM00055595.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STN9360 PNP SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN951 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFB2FF3440D2&compId=stn951.pdf?ci_sign=772e093d1cbfebfa383f3de2b1ed5d491457abf7
STN951
Hersteller: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 10...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1897 Stücke:
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Anzahl Preis
57+1.27 EUR
91+0.79 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP03D200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC96841091D9DE20CE&compId=STP03D200.pdf?ci_sign=60e2f5614ec4093929c5d82d7396cb3674f72647
STP03D200
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 1.2kV; 0.1A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08CP05MTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFB2FF3580D2&compId=stp08cp05.pdf?ci_sign=d684c45801206c2dc40218a74d75997170206708
Hersteller: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: SO16
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 8
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08CP05TTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFB2FF3580D2&compId=stp08cp05.pdf?ci_sign=d684c45801206c2dc40218a74d75997170206708
Hersteller: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP16
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 8
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08CP05XTTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFB2FF3580D2&compId=stp08cp05.pdf?ci_sign=d684c45801206c2dc40218a74d75997170206708
Hersteller: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP16EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP16EP
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 8
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08DP05MTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EDF7B2BD317E27&compId=STP08DP05-DTE.pdf?ci_sign=d34fab72d8a9e7c21f3f7ef4db5955328dd34395
STP08DP05MTR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: SO16
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 8
Integrated circuit features: fault detection; shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08DP05TTR en.CD00156241.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP08DP05TTR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP08DP05XTTR en.CD00156241.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP08DP05XTTR LED drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP100N10F7 en.DM00066568.pdf
STP100N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
22+3.26 EUR
24+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP100N6F7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB36B8F25396745&compId=STP100N6F7.pdf?ci_sign=78d594301ed402aa7475912a8dcb42c10d1ce5d0
STP100N6F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP100NF04 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB2E9F46F2E2745&compId=STP100NF04.pdf?ci_sign=025740b15204da38eb3c7e8adb1b1f6c42e9abcf
STP100NF04
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.28 EUR
19+3.86 EUR
23+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP105N3LL en.DM00071078.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10LN80K5 en.DM00176858.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 5A; Idm: 32A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5 en.DM00134103.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 6A; Idm: 24A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60M2 stp10n60m2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N95K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE984E30D65665B18BF&compId=STP10N95K5.pdf?ci_sign=d029fced86ffb1cca9a3135f5224a2cb6be8e763
STP10N95K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A045A8CCC469&compId=STP10NK60Z.pdf?ci_sign=114052347b79cab4046e01d7c610f25f2185c74e
STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
38+1.9 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFP description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A5116F9D6469&compId=STP10NK60ZFP.pdf?ci_sign=91977968c7d965f8f5153eea628e4a924b0da29e
STP10NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
41+1.74 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B001477860D2&compId=stp10nk70zfp.pdf?ci_sign=d0cd1b8f68773b82e1f2fe3c901f4b9ed5301d8f
STP10NK70ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
Pulsed drain current: 34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
30+2.46 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A8463CD1A469&compId=STP10NK80ZFP.pdf?ci_sign=d1903284b619277c3df7a3a247c3d8ed1bedddf6
STP10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
25+2.92 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFP description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A8463CD1A469&compId=STP10NK80ZFP.pdf?ci_sign=d1903284b619277c3df7a3a247c3d8ed1bedddf6
STP10NK80ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
23+3.12 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
3750+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60N std10nm60n.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7 en.DM00072347.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 415A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N60DM2 en.DM00299439.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M2 en.DM00116928.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M5 en.DM00049307.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40Z description en.CD00003028.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP11NK40Z THT N channel transistors
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK40ZFP en.CD00003028.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP11NK40ZFP THT N channel transistors
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3B2F24AD40469&compId=STP11NK50Z.pdf?ci_sign=a39606ea282cff27b937ff513e6f9943991692b8
STP11NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
22+3.35 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NK50ZFP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3B2F24AD40469&compId=STP11NK50Z.pdf?ci_sign=a39606ea282cff27b937ff513e6f9943991692b8
STP11NK50ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
45+1.6 EUR
53+1.34 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60 en.CD00005066.pdf
STP11NM60
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Gate charge: 30nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
32+2.25 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3227FD4262745&compId=STP11NM60FD.pdf?ci_sign=4639c352df0d7ca7623d5f5c07f34f042c9b7a71
STP11NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.9 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60ND pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D74639E7842745&compId=STD11NM60ND.pdf?ci_sign=78ed7051a61ffc2d7e623eaf28a99a2074544100
STP11NM60ND
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3C792EE5DE469&compId=STP11NM80.pdf?ci_sign=1eb358e64f53ab15ad1d007c1ded9ac683a5c3a1
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.23 EUR
26+2.82 EUR
27+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6 en.CD00263682.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Technology: STripFET™ H6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6A203F1B0A745&compId=STB120NF10.pdf?ci_sign=e81a3aba7c92e1b4633c8a18fe744be2916d88af
STP120NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
20+3.7 EUR
21+3.43 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5 en.DM00036727.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 690mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44.2nC
Technology: MDmesh™ K5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N50M2 en.DM00121831.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 15nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
STP12N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
48+1.49 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB4054AFF07C745&compId=STP12N65M5.pdf?ci_sign=5ac8068f9f48b4cd7b2ff69c2bb156232e45d4ae
STP12N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB2E35AAF10A745&compId=STP12NK30Z.pdf?ci_sign=a52c9c19e851e38061a8e9497b6d08d298984383
STP12NK30Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
61+1.17 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK80Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B797247C63CF9E28&compId=STX12NK80Z-DTE.pdf?ci_sign=f16a05d7c5976a6e30eea02f465f3c9bb1d35a7f
STP12NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.32 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.49 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
300+1.66 EUR
750+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CEF5EA65C469&compId=STP12NM50FP.pdf?ci_sign=2f00f1f2830ba1642cafb978941634b1105909cc
STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N6F7 STP130N6F7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP130N6F7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2 en.DM00070267.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N65M2 en.DM00133031.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9859721F5C745&compId=STB13N80K5.pdf?ci_sign=aa2e5e5956a995899144b97e10528889a0a7d9a7
STP13N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N95K3 en.CD00233894.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP13N95K3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0014779A0D2&compId=stp13nk60z.pdf?ci_sign=23d0e16fb29e809c8b6b33176326312807cd8f2a
STP13NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.75 EUR
29+2.49 EUR
38+1.93 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZFP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8D83BCBC7A745&compId=STB13NK60ZT4.pdf?ci_sign=b00b55297326f50e0f7ba8d3e1e593ecafd6850a
STP13NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E967A0127D4745&compId=STB13NM60N.pdf?ci_sign=3e6c6a7bbb193a382d6789223138eeff9153bd45
STP13NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.79 EUR
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NM60ND STx13NM60ND_DS.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.93A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 109W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: FDmesh™ II
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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