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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STP25N80K5 STMicroelectronics en.DM00060492.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6 STP26N60DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E680D2&compId=stp26n60dm6.pdf?ci_sign=004592bc5001354e6f45b2cda245f4702da1c5b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60M2 STMicroelectronics en.DM00218389.pdf STP26N60M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N65DM2 STMicroelectronics stp26n65dm2.pdf STP26N65DM2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E7C0D2&compId=stp26nm60n.pdf?ci_sign=238f6e71cdc6f3f6f40e86cbbec022f3424b967d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.02 EUR
31+2.37 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7 STMicroelectronics en.DM00071594.pdf STP270N8F7 THT N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.65 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.39 EUR
19+3.95 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STP28NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
12+5.96 EUR
17+4.20 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM60ND STMicroelectronics ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf STP28NM60ND THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf STP2N105K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N80K5 STMicroelectronics en.DM00090142.pdf STP2N80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N95K5 STMicroelectronics en.DM00096154.pdf STP2N95K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2NK100Z STMicroelectronics en.CD00159991.pdf STP2NK100Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2NK90Z STMicroelectronics en.CD00043981.pdf STP2NK90Z THT N channel transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.65 EUR
70+1.02 EUR
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30N65M5 STMicroelectronics en.CD00223067.pdf STP30N65M5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E7D26E722469&compId=STP30NF10.pdf?ci_sign=0766ec6cf5bbf5ef3979a4368e637abc164a8162 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.12 EUR
52+1.40 EUR
56+1.29 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics STP30NF20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.45 EUR
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB103F3B2D74745&compId=STP310N10F7.pdf?ci_sign=61f0d1b3d42db4eed02b177a0b9b60da2069e2a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 315W
Polarisation: unipolar
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.45 EUR
11+6.69 EUR
14+5.13 EUR
15+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP315N10F7 STMicroelectronics en.DM00096835.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5 STP31N65M5 STMicroelectronics en.DM00049148.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32NM50N STMicroelectronics en.DM00060101.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM6 STP33N60DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0C664E9E0D2&compId=stp33n60dm6.pdf?ci_sign=40bc52ba51d8204123420531b0df3c8b34e6032d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2 STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M6 STMicroelectronics stp33n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 190W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf STP33N65M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5 STMicroelectronics en.DM00049181.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17.7A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60N STP34NM60N STMicroelectronics STW34NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.45 EUR
17+4.35 EUR
18+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60ND STMicroelectronics STx34NM60ND_DS.pdf STP34NM60ND THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60DM2 STP35N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB35172D1048745&compId=STP35N60DM2.pdf?ci_sign=9ee4ef0eaff4431d18364f0bcf57ec6eeb3ee310 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60M2-EP STMicroelectronics stp35n60m2-ep.pdf STP35N60M2-EP THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N65DM2 STMicroelectronics stp35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36N60M6 STMicroelectronics STP36N60M6%2C_STW36N60M6_Web.pdf STP36N60M6 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06L STP36NF06L STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3EC6D211AC469&compId=STP36NF06L.pdf?ci_sign=96dbc6ff25e0a631a2c89db34285318909f2b1b7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 21A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
57+1.26 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3LN80K5 STMicroelectronics en.DM00175102.pdf STP3LN80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150 STP3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB0CEF9EB1F8745&compId=STP3N150.pdf?ci_sign=4b6e46b298994f0dccd5fe12e8993c8059a20d35 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N80K5 STMicroelectronics en.DM00090304.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.6A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK50Z STP3NK50Z STMicroelectronics stp3nk50z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 9.2A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Pulsed drain current: 9.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60Z STP3NK60Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB343F8ECA20745&compId=STP3NK60Z.pdf?ci_sign=ebde044f4671b48fbc0f3e5f287e03f2b061859e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
85+0.85 EUR
133+0.54 EUR
141+0.51 EUR
2500+0.50 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB343F8ECA20745&compId=STP3NK60Z.pdf?ci_sign=ebde044f4671b48fbc0f3e5f287e03f2b061859e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 179 Stücke:
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53+1.37 EUR
88+0.81 EUR
113+0.64 EUR
119+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3928E2924A469&compId=STF3NK80Z.pdf?ci_sign=be42449d528134052275d3e390860d88d46a192c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
70+1.03 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90Z STP3NK90Z STMicroelectronics STP3NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3EF32FD4B2469&compId=STP3NK90Z.pdf?ci_sign=2df2ab218626e895b1cee55ad81253dd0078bb17 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
On-state resistance: 4.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 392 Stücke:
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58+1.24 EUR
61+1.19 EUR
66+1.09 EUR
104+0.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N65M2 STMicroelectronics en.DM00159990.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF03L STMicroelectronics en.CD00001916.pdf STP40NF03L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10 STP40NF10 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3F2D9F5BB0469&compId=STP40NF10.pdf?ci_sign=25266affd9b260dcaf7f30d70b1f7bcc250132f8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
50+1.46 EUR
85+0.84 EUR
90+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10L STP40NF10L STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB11F6BC7CF6745&compId=STP40NF10L.pdf?ci_sign=fbe078ba6a2b7530d17bc1c319c8a925b497074c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Gate-source voltage: ±17V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.17 EUR
33+2.17 EUR
85+0.84 EUR
90+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF20 STP40NF20 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B79772AF26FB1E28&compId=STx40NF20-DTE.pdf?ci_sign=cb38e43588a08d8c3a99878f3c254d9f3a6aa85f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.65 EUR
18+4.19 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N60M2-EP STMicroelectronics STx42N60M2-EP.pdf STP42N60M2-EP THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5 STP42N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3E9B488F8FC80D6&compId=stx42n65m5.pdf?ci_sign=84767e3fefc59260ae90d1bf7b5fbb703bf73865 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.62 EUR
7+10.71 EUR
250+10.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP43N60DM2 STMicroelectronics STP43N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10F7 STMicroelectronics en.DM00081278.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N40DM2AG STMicroelectronics en.DM00213649.pdf STP45N40DM2AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM2AG STP45N60DM2AG STMicroelectronics en.DM00211656.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM6 STP45N60DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B05B1A39A0D2&compId=stp45n60dm6.pdf?ci_sign=293345f05ff58c54529039e206c64f22a3c285d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.59 EUR
13+5.59 EUR
100+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.37 EUR
10+7.51 EUR
11+7.11 EUR
50+7.08 EUR
100+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45NF06 STP45NF06 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB37ADE9D5BE745&compId=STP45NF06.pdf?ci_sign=1e7cff360f851d397bb72e63de74f26aa17350d0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
27+2.65 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N80K5 en.DM00060492.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E680D2&compId=stp26n60dm6.pdf?ci_sign=004592bc5001354e6f45b2cda245f4702da1c5b7
STP26N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60M2 en.DM00218389.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP26N60M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N65DM2 stp26n65dm2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP26N65DM2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0B735E7C0D2&compId=stp26nm60n.pdf?ci_sign=238f6e71cdc6f3f6f40e86cbbec022f3424b967d
STP26NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.02 EUR
31+2.37 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7 en.DM00071594.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP270N8F7 THT N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.65 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4
STP28N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.39 EUR
19+3.95 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N65M2 en.DM00150353.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N en.CD00271786.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP28NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.09 EUR
12+5.96 EUR
17+4.20 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM60ND ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP28NM60ND THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N105K5 en.DM00115979.pdf
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STP2N105K5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N80K5 en.DM00090142.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2N80K5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2N95K5 en.DM00096154.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2N95K5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2NK100Z en.CD00159991.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2NK100Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2NK90Z en.CD00043981.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP2NK90Z THT N channel transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
70+1.02 EUR
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30N65M5 en.CD00223067.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP30N65M5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3E7D26E722469&compId=STP30NF10.pdf?ci_sign=0766ec6cf5bbf5ef3979a4368e637abc164a8162
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.12 EUR
52+1.40 EUR
56+1.29 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20 STP30NF20.pdf
STP30NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.45 EUR
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB103F3B2D74745&compId=STP310N10F7.pdf?ci_sign=61f0d1b3d42db4eed02b177a0b9b60da2069e2a1
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 315W
Polarisation: unipolar
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.45 EUR
11+6.69 EUR
14+5.13 EUR
15+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP315N10F7 en.DM00096835.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5 en.DM00049148.pdf
STP31N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32NM50N en.DM00060101.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0C664E9E0D2&compId=stp33n60dm6.pdf?ci_sign=40bc52ba51d8204123420531b0df3c8b34e6032d
STP33N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2 en.DM00078147.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M6 stp33n60m6.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 190W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N65M2 en.DM00151754.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP33N65M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5 en.DM00049181.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17.7A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60N STW34NM60N-DTE.pdf
STP34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.45 EUR
17+4.35 EUR
18+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60ND STx34NM60ND_DS.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP34NM60ND THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB35172D1048745&compId=STP35N60DM2.pdf?ci_sign=9ee4ef0eaff4431d18364f0bcf57ec6eeb3ee310
STP35N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60M2-EP stp35n60m2-ep.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP35N60M2-EP THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N65DM2 stp35n65dm2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36N60M6 STP36N60M6%2C_STW36N60M6_Web.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP36N60M6 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06L description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3EC6D211AC469&compId=STP36NF06L.pdf?ci_sign=96dbc6ff25e0a631a2c89db34285318909f2b1b7
STP36NF06L
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 21A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
57+1.26 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP38N65M5 en.DM00049157.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3LN80K5 en.DM00175102.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP3LN80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB0CEF9EB1F8745&compId=STP3N150.pdf?ci_sign=4b6e46b298994f0dccd5fe12e8993c8059a20d35
STP3N150
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.76 EUR
16+4.62 EUR
17+4.38 EUR
50+4.35 EUR
100+4.20 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N80K5 en.DM00090304.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.6A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK50Z stp3nk50z.pdf
STP3NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 9.2A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Pulsed drain current: 9.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB343F8ECA20745&compId=STP3NK60Z.pdf?ci_sign=ebde044f4671b48fbc0f3e5f287e03f2b061859e
STP3NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
85+0.85 EUR
133+0.54 EUR
141+0.51 EUR
2500+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB343F8ECA20745&compId=STP3NK60Z.pdf?ci_sign=ebde044f4671b48fbc0f3e5f287e03f2b061859e
STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
88+0.81 EUR
113+0.64 EUR
119+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3928E2924A469&compId=STF3NK80Z.pdf?ci_sign=be42449d528134052275d3e390860d88d46a192c
STP3NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
70+1.03 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90Z STP3NK90Z.pdf
STP3NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3EF32FD4B2469&compId=STP3NK90Z.pdf?ci_sign=2df2ab218626e895b1cee55ad81253dd0078bb17
STP3NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
On-state resistance: 4.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
61+1.19 EUR
66+1.09 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N65M2 en.DM00159990.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF03L en.CD00001916.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP40NF03L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3F2D9F5BB0469&compId=STP40NF10.pdf?ci_sign=25266affd9b260dcaf7f30d70b1f7bcc250132f8
STP40NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
50+1.46 EUR
85+0.84 EUR
90+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB11F6BC7CF6745&compId=STP40NF10L.pdf?ci_sign=fbe078ba6a2b7530d17bc1c319c8a925b497074c
STP40NF10L
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Gate-source voltage: ±17V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
33+2.17 EUR
85+0.84 EUR
90+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B79772AF26FB1E28&compId=STx40NF20-DTE.pdf?ci_sign=cb38e43588a08d8c3a99878f3c254d9f3a6aa85f
STP40NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
18+4.19 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N60M2-EP STx42N60M2-EP.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP42N60M2-EP THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3E9B488F8FC80D6&compId=stx42n65m5.pdf?ci_sign=84767e3fefc59260ae90d1bf7b5fbb703bf73865
STP42N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.62 EUR
7+10.71 EUR
250+10.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP43N60DM2 STP43N60DM2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10F7 en.DM00081278.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N40DM2AG en.DM00213649.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STP45N40DM2AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM2AG en.DM00211656.pdf
STP45N60DM2AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B05B1A39A0D2&compId=stp45n60dm6.pdf?ci_sign=293345f05ff58c54529039e206c64f22a3c285d1
STP45N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.59 EUR
13+5.59 EUR
100+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STP45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.37 EUR
10+7.51 EUR
11+7.11 EUR
50+7.08 EUR
100+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45NF06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB37ADE9D5BE745&compId=STP45NF06.pdf?ci_sign=1e7cff360f851d397bb72e63de74f26aa17350d0
STP45NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
27+2.65 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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