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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
HS1B M2G HS1B M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6SMB160A M4G P6SMB160A M4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESH1GM RSG ESH1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESH1GM RSG ESH1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
42+0.43 EUR
100+0.29 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM60N380CP ROG TSM60N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM60N380CP ROG TSM60N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55B4V3 L0G BZV55B4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B2V4%20Series_F1804.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P4SMA22CA R3G P4SMA22CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P4SMA22CAHM2G P4SMA22CAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSFML RVG RSFML RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSFML RVG RSFML RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10KC R7G S10KC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10KC R7G S10KC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10JCHR7G S10JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_B1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10JCHR7G S10JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_B1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10MC R7G S10MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10MC R7G S10MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10JC R7G S10JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10JC R7G S10JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CA A0G SA30CA A0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CA B0G SA30CA B0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CAHR0G SA30CAHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CAHA0G SA30CAHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CAHB0G SA30CAHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZW06-31B R0G BZW06-31B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZW06-31B A0G BZW06-31B A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZW06-31 B0G BZW06-31 B0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZW06-31B B0G BZW06-31B B0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM6968SDCA RVG TSM6968SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM6968SDCA RVG TSM6968SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
16+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D V7G S3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D V7G S3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D V6G S3D V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D R7G S3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D R7G S3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3DHR7G S3DHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3DHM6G S3DHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_L1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3D R7G RS3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3D V6G RS3D V6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_J1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3D V7G RS3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3D V6G HS3D V6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3D R7G HS3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6SMB180CA R5G P6SMB180CA R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P4SMA8.2AHM2G P4SMA8.2AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF6.0A RVG SMF6.0A RVG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF6.0A RVG SMF6.0A RVG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
auf Bestellung 14850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ12AHR5G SMBJ12AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ5261B RHG MMSZ5261B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5221B%20series_F1804.pdf Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD123F
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHR3G RS1KLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE STD 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHM2G RS1KLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHMHG RS1KLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHMQG RS1KLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHMTG RS1KLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHRTG RS1KLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KL RFG RS1KL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHRFG RS1KLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHRUG RS1KLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHRVG RS1KLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK315B R5G SK315B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK32B%20SERIES_P2212.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK315B R5G SK315B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK32B%20SERIES_P2212.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1B M2G HS1A%20SERIES_K15.pdf
HS1B M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6SMB160A M4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB160A M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESH1GM RSG
ESH1GM RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESH1GM RSG
ESH1GM RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.63 EUR
42+0.43 EUR
100+0.29 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM60N380CP ROG TSM60N380_A14.pdf
TSM60N380CP ROG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM60N380CP ROG TSM60N380_A14.pdf
TSM60N380CP ROG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55B4V3 L0G BZV55B2V4%20Series_F1804.pdf
BZV55B4V3 L0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P4SMA22CA R3G P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf
P4SMA22CA R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P4SMA22CAHM2G P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf
P4SMA22CAHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSFML RVG RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFML RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSFML RVG RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFML RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10KC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10KC R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10KC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10KC R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10JCHR7G S10GC%20SERIES_B1708.pdf
S10JCHR7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10JCHR7G S10GC%20SERIES_B1708.pdf
S10JCHR7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10MC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10MC R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10MC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10MC R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10JC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10JC R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S10JC R7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10JC R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CA A0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CA A0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CA B0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CA B0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CAHR0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CAHR0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CAHA0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CAHA0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SA30CAHB0G SA%20SERIES_L2105.pdf
SA30CAHB0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZW06-31B R0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31B R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZW06-31B A0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31B A0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZW06-31 B0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31 B0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZW06-31B B0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-31B B0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM6968SDCA RVG
TSM6968SDCA RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM6968SDCA RVG
TSM6968SDCA RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.65 EUR
16+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D V7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D V7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D V7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D V7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D V6G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D V6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D R7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3D R7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3D R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3DHR7G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3DHR7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3DHM6G S3A%20SERIES_L1708.pdf
S3DHM6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3D R7G RS3A%20SERIES_L2102.pdf
RS3D R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3D V6G RS3A%20SERIES_J1708.pdf
RS3D V6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3D V7G RS3A%20SERIES_L2102.pdf
RS3D V7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3D V6G HS3A%20SERIES_J1903.pdf
HS3D V6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3D R7G HS3A%20SERIES_K2102.pdf
HS3D R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6SMB180CA R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB180CA R5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P4SMA8.2AHM2G P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf
P4SMA8.2AHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF6.0A RVG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF6.0A RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF6.0A RVG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF6.0A RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
auf Bestellung 14850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ12AHR5G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ12AHR5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ5261B RHG MMSZ5221B%20series_F1804.pdf
MMSZ5261B RHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD123F
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHR3G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHR3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHM2G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHMHG RS1AL%20SERIES_M15.pdf
RS1KLHMHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHMQG RS1AL%20SERIES_M15.pdf
RS1KLHMQG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHMTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHMTG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHRTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHRTG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KL RFG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KL RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHRFG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHRFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHRUG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1KLHRUG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1KLHRVG RS1AL%20SERIES_M15.pdf
RS1KLHRVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK315B R5G SK32B%20SERIES_P2212.pdf
SK315B R5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK315B R5G SK32B%20SERIES_P2212.pdf
SK315B R5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
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