Die Produkte vishay general semiconductor - diodes division

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ES3GHE3_A/H ES3GHE3_A/H es3f.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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ES3GHE3_A/I ES3GHE3_A/I es3f.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
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MURS320HE3_A/I MURS320HE3_A/I murs320.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2KBP04M-M4/51 2KBP04M-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBPM
Packaging: Tray
Supplier Device Package: KBPM
Diode Type: Single Phase
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 400V
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Part Status: Obsolete
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2KBP06M-M4/51 2KBP06M-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Packaging: Tray
Current - Average Rectified (Io): 2 A
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2KBP08M-M4/51 2KBP08M-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: KBPM
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Packaging: Tray
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
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2KBP10M-M4/51 2KBP10M-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Packaging: Tray
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: KBPM
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
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3N257-M4/51 3N257-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A
Current - Average Rectified (Io): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
Base Part Number: 3N257
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
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3N258-M4/51 3N258-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Base Part Number: 3N258
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Current - Average Rectified (Io): 2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A
Packaging: Tray
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Obsolete
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1N5627GP-E3/73 1N5627GP-E3/73 1N5624-27.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 800V
Reverse Recovery Time (trr): 3µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Box (TB)
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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1N5406GP-E3/54 1N5406GP-E3/54 1n4001gp.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
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1N5407GP-E3/54 1N5407GP-E3/54 1n4001gp.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
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1N5407GP-E3/73 1N5407GP-E3/73 1n4001gp.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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1N5625-TAP 1N5625-TAP 1n5624.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
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1N5417-TAP 1N5417-TAP 1n5417.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 1N5417
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
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BYT56A-TAP BYT56A-TAP byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 50V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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BYT56B-TAP BYT56B-TAP byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 100V 3A SOD64
Base Part Number: BYT56
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYT56A-TR BYT56A-TR byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 50V 3A SOD64
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Avalanche
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BYT56B-TR BYT56B-TR byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 100V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5417TR 1N5417TR 1n5417.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: 1N5417
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
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BYT56D-TAP BYT56D-TAP byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
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BYT56D-TR BYT56D-TR byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
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1N5418-TAP 1N5418-TAP 1n5417.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Base Part Number: 1N5418
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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BY228-13TAP BY228-13TAP by22813.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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BYM36C-TAP BYM36C-TAP bym36.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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BYT56G-TAP BYT56G-TAP byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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BYW72-TAP BYW72-TAP byw72.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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BY228-13TR BY228-13TR by22813.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Avalanche
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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BYT56G-TR BYT56G-TR byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BYW82-TR BYW82-TR byw82.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Base Part Number: BYW82
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 7.5µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYM36D-TAP BYM36D-TAP bym36.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 800V 2.9A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Avalanche
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Current - Average Rectified (Io): 2.9A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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BYT56J-TAP BYT56J-TAP byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
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BYT56J-TR BYT56J-TR byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
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BYW83-TR BYW83-TR byw82.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 7.5µs
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: BYW83
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BY228-15TAP BY228-15TAP by22813.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
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BY228TAP BY228TAP by228.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
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BYT56K-TAP BYT56K-TAP byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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BY228-15TR BY228-15TR by22813.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 5000 Stücke
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2500+ 1.36 EUR
BYT56K-TR BYT56K-TR byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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BYT56M-TAP BYT56M-TAP byt56a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Avalanche
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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BYT78-TAP BYT78-TAP byt77.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
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auf Bestellung 10000 Stücke
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2500+ 1.39 EUR
BYW172D-TAP BYW172D-TAP byw172d.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Base Part Number: BYW172
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYW76TAP BYW76TAP byw72.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
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BYW178-TR BYW178-TR byw178.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
Diode Type: Avalanche
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SL44HE3_A/I SL44HE3_A/I sl42.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 4A DO214AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 440 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BY228GP-E3/73 BY228GP-E3/73 by228gp.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.5KV 2.5A DO201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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BYV28-050-TAP BYV28-050-TAP byv2850.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 50V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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BYV28-050-TR BYV28-050-TR byv2850.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 50V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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BYV28-100-TAP BYV28-100-TAP byv2850.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 10000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BYV28-100-TR BYV28-100-TR byv2850.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 100V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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BZT55C8V2-GS08 BZT55C8V2-GS08 bzt55.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-80 Variant
Tolerance: ±5%
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1N5225B-TAP 1N5225B-TAP 1n5221.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 20000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+ 0.081 EUR
1N5226B-TAP 1N5226B-TAP 1n5221.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 17780 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+ 0.081 EUR
1N5227B-TAP 1N5227B-TAP 1n5221.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5228B-TAP 1N5228B-TAP 1n5221.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 10000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+ 0.081 EUR
1N5229B-TAP 1N5229B-TAP 1n5221.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 10000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+ 0.081 EUR
1N5230B-TAP 1N5230B-TAP 1n5221.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 20000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+ 0.077 EUR
1N5231C-TAP 1N5231C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±2%
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1N5234C-TAP 1N5234C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
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1N5235C-TAP 1N5235C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
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1N5236C-TAP 1N5236C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tape & Box (TB)
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1N5239C-TAP 1N5239C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
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1N5240C-TAP 1N5240C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 8 V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Operating Temperature: 175°C
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1N5242C-TAP 1N5242C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
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1N5247C-TAP 1N5247C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 17V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 13V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 17V
Part Status: Active
Base Part Number: 1N5247
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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1N5248C-TAP 1N5248C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
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1N5252C-TAP 1N5252C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Packaging: Tape & Box (TB)
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1N5254C-TAP 1N5254C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 27V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
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1N5255C-TAP 1N5255C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28V
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
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1N5258C-TAP 1N5258C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
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1N5260C-TAP 1N5260C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 33V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
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1N5261C-TAP 1N5261C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 36V
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47V
Part Status: Active
Base Part Number: 1N5261
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
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1N5267C-TAP 1N5267C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 1.7A 75V DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 56V
Impedance (Max) (Zzt): 270 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75V
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
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1N5227B-TR 1N5227B-TR 1n5221.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
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1N5231C-TR 1N5231C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5234C-TR 1N5234C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5235C-TR 1N5235C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
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1N5236C-TR 1N5236C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
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1N5239C-TR 1N5239C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5240C-TR 1N5240C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 8 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5242C-TR 1N5242C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Power - Max: 500mW
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5247C-TR 1N5247C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 17V 500MW DO35
Base Part Number: 1N5247
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 13V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 17V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5248C-TR 1N5248C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5252C-TR 1N5252C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
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1N5254C-TR 1N5254C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 27V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5255C-TR 1N5255C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
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1N5258C-TR 1N5258C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5260C-TR 1N5260C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 33V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5261C-TR 1N5261C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Base Part Number: 1N5261
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 36V
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5267C-TR 1N5267C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 1.7A 75V DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 270 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 56V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MMBZ5225B-E3-18 MMBZ5225B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3V 225MW SOT23-3
Base Part Number: MMBZ5225
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MMBZ5229B-E3-18 MMBZ5229B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 4.3V 225MW SOT23-3
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Base Part Number: MMBZ5229
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 1V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MMBZ5230B-E3-18 MMBZ5230B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 225mW
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 2V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Base Part Number: MMBZ5230
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MMBZ5231B-E3-18 MMBZ5231B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 225 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
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MMBZ5233B-E3-18 MMBZ5233B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 6V 225MW SOT23-3
Base Part Number: MMBZ5233
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 3.5V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MMBZ5234B-E3-18 MMBZ5234B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 4V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: MMBZ5234
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MMBZ5236B-E3-18 MMBZ5236B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 7.5V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 225 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
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MMBZ5242B-E3-18 MMBZ5242B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 225mW
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Base Part Number: MMBZ52
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MMBZ5245B-E3-18 MMBZ5245B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 15V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Power - Max: 225 mW
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
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MMBZ5257B-E3-18 MMBZ5257B-E3-18 mmbz5225.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 25V
Impedance (Max) (Zzt): 58 Ohms
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: MMBZ52
Supplier Device Package: SOT-23-3
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ES3GHE3_A/H es3f.pdf
ES3GHE3_A/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 1475 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
ES3GHE3_A/I es3f.pdf
ES3GHE3_A/I
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
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MURS320HE3_A/I murs320.pdf
MURS320HE3_A/I
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2KBP04M-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf
2KBP04M-M4/51
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBPM
Packaging: Tray
Supplier Device Package: KBPM
Diode Type: Single Phase
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 400V
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Part Status: Obsolete
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2KBP06M-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf
2KBP06M-M4/51
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Packaging: Tray
Current - Average Rectified (Io): 2 A
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2KBP08M-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf
2KBP08M-M4/51
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: KBPM
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Packaging: Tray
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
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2KBP10M-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf
2KBP10M-M4/51
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Packaging: Tray
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: KBPM
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
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3N257-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf
3N257-M4/51
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A
Current - Average Rectified (Io): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
Base Part Number: 3N257
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
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3N258-M4/51 2KBP005M-10M,3N253-259.pdf
3N258-M4/51
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Base Part Number: 3N258
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Current - Average Rectified (Io): 2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A
Packaging: Tray
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Obsolete
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1N5627GP-E3/73 1N5624-27.pdf
1N5627GP-E3/73
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 800V
Reverse Recovery Time (trr): 3µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Box (TB)
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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1N5406GP-E3/54 1n4001gp.pdf
1N5406GP-E3/54
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
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1N5407GP-E3/54 1n4001gp.pdf
1N5407GP-E3/54
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
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1N5407GP-E3/73 1n4001gp.pdf
1N5407GP-E3/73
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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1N5625-TAP 1n5624.pdf
1N5625-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
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1N5417-TAP 1n5417.pdf
1N5417-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 1N5417
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
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BYT56A-TAP byt56a.pdf
BYT56A-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 50V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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BYT56B-TAP byt56a.pdf
BYT56B-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 100V 3A SOD64
Base Part Number: BYT56
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYT56A-TR byt56a.pdf
BYT56A-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 50V 3A SOD64
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Avalanche
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BYT56B-TR byt56a.pdf
BYT56B-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 100V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5417TR 1n5417.pdf
1N5417TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: 1N5417
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BYT56D-TAP byt56a.pdf
BYT56D-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BYT56D-TR byt56a.pdf
BYT56D-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
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1N5418-TAP 1n5417.pdf
1N5418-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Base Part Number: 1N5418
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BY228-13TAP by22813.pdf
BY228-13TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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BYM36C-TAP bym36.pdf
BYM36C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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BYT56G-TAP byt56a.pdf
BYT56G-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
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BYW72-TAP byw72.pdf
BYW72-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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auf Bestellung 1144 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BY228-13TR by22813.pdf
BY228-13TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Avalanche
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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BYT56G-TR byt56a.pdf
BYT56G-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BYW82-TR byw82.pdf
BYW82-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Base Part Number: BYW82
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 7.5µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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auf Bestellung 9125 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BYM36D-TAP bym36.pdf
BYM36D-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2.9A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Avalanche
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Current - Average Rectified (Io): 2.9A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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BYT56J-TAP byt56a.pdf
BYT56J-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
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BYT56J-TR byt56a.pdf
BYT56J-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
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BYW83-TR byw82.pdf
BYW83-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 7.5µs
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: BYW83
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BY228-15TAP by22813.pdf
BY228-15TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
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BY228TAP техническая информация by228.pdf
BY228TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
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auf Bestellung 861 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BYT56K-TAP byt56a.pdf
BYT56K-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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BY228-15TR by22813.pdf
BY228-15TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 5455 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2500+ 1.36 EUR
BYT56K-TR byt56a.pdf
BYT56K-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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BYT56M-TAP byt56a.pdf
BYT56M-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Avalanche
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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auf Bestellung 597 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BYT78-TAP byt77.pdf
BYT78-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
auf Bestellung 10000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 2849 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2500+ 1.39 EUR
BYW172D-TAP byw172d.pdf
BYW172D-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Base Part Number: BYW172
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 100ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Avalanche
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BYW76TAP byw72.pdf
BYW76TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Avalanche
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 2174 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BYW178-TR byw178.pdf
BYW178-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
Diode Type: Avalanche
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 477 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
SL44HE3_A/I sl42.pdf
SL44HE3_A/I
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 4A DO214AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 440 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BY228GP-E3/73 by228gp.pdf
BY228GP-E3/73
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.5KV 2.5A DO201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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BYV28-050-TAP byv2850.pdf
BYV28-050-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 50V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BYV28-050-TR byv2850.pdf
BYV28-050-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 50V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BYV28-100-TAP byv2850.pdf
BYV28-100-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-64
auf Bestellung 10000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 11226 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BYV28-100-TR byv2850.pdf
BYV28-100-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Diode Type: Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 100V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BZT55C8V2-GS08 bzt55.pdf
BZT55C8V2-GS08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-80 Variant
Tolerance: ±5%
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auf Bestellung 24768 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5225B-TAP 1n5221.pdf
1N5225B-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
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1N5226B-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms
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1N5227B-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
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1N5228B-TAP 1n5221.pdf
1N5228B-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
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1N5229B-TAP 1n5221.pdf
1N5229B-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
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1N5230B-TAP 1n5221.pdf
1N5230B-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
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1N5231C-TAP
1N5231C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±2%
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1N5234C-TAP
1N5234C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
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1N5235C-TAP
1N5235C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
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1N5236C-TAP
1N5236C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tape & Box (TB)
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1N5239C-TAP
1N5239C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
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1N5240C-TAP
1N5240C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 8 V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Operating Temperature: 175°C
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1N5242C-TAP
1N5242C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
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1N5247C-TAP
1N5247C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 17V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 13V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 17V
Part Status: Active
Base Part Number: 1N5247
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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1N5248C-TAP
1N5248C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
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1N5252C-TAP
1N5252C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Packaging: Tape & Box (TB)
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1N5254C-TAP
1N5254C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
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1N5255C-TAP
1N5255C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28V
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
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1N5258C-TAP
1N5258C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
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1N5260C-TAP
1N5260C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 33V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Box (TB)
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
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1N5261C-TAP
1N5261C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tape & Box (TB)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 36V
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47V
Part Status: Active
Base Part Number: 1N5261
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
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1N5267C-TAP
1N5267C-TAP
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 1.7A 75V DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 56V
Impedance (Max) (Zzt): 270 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75V
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
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1N5227B-TR 1n5221.pdf
1N5227B-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
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1N5231C-TR
1N5231C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
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1N5234C-TR
1N5234C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
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1N5235C-TR
1N5235C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
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1N5236C-TR
1N5236C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
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1N5239C-TR
1N5239C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5240C-TR
1N5240C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 8 V
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1N5242C-TR
1N5242C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Power - Max: 500mW
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1N5247C-TR
1N5247C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 17V 500MW DO35
Base Part Number: 1N5247
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 13V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 17V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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1N5248C-TR
1N5248C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5252C-TR
1N5252C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5254C-TR
1N5254C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
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1N5255C-TR
1N5255C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
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1N5258C-TR
1N5258C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5260C-TR
1N5260C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 33V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5261C-TR
1N5261C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Base Part Number: 1N5261
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 36V
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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1N5267C-TR
1N5267C-TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 1.7A 75V DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 270 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 56V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
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MMBZ5225B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5225B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3V 225MW SOT23-3
Base Part Number: MMBZ5225
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MMBZ5229B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5229B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 225MW SOT23-3
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Base Part Number: MMBZ5229
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 1V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MMBZ5230B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5230B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 225mW
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 2V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Base Part Number: MMBZ5230
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MMBZ5231B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5231B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 225 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
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MMBZ5233B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5233B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6V 225MW SOT23-3
Base Part Number: MMBZ5233
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 3.5V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MMBZ5234B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5234B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 4V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: MMBZ5234
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MMBZ5236B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5236B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 7.5V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 225 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
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MMBZ5242B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5242B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 225mW
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Base Part Number: MMBZ52
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MMBZ5245B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5245B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Power - Max: 225 mW
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
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MMBZ5257B-E3-18 mmbz5225.pdf
MMBZ5257B-E3-18
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 25V
Impedance (Max) (Zzt): 58 Ohms
Power - Max: 225mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: MMBZ52
Supplier Device Package: SOT-23-3
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