Die Produkte vishay general semiconductor - diodes division

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VS-10ETF12S-M3 VS-10ETF12S-M3 vs-10etf10s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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VS-10TQ045SHM3 VS-10TQ045SHM3 vs-10tq035shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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VS-10ETF10S-M3 VS-10ETF10S-M3 vs-10etf10s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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VS-10ETF02S-M3 VS-10ETF02S-M3 vs-10etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Base Part Number: 10ETF02
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
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VS-10ETF04S-M3 VS-10ETF04S-M3 vs-10etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Base Part Number: 10ETF04
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-MBRB1635TRL-M3 VS-MBRB1635TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Base Part Number: MBRB1635
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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VS-MBRB1635TRR-M3 VS-MBRB1635TRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
Base Part Number: MBRB1635
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tube
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VS-10ETS08STRR-M3 VS-10ETS08STRR-M3 vs-10ets08s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
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VS-10ETS12STRR-M3 VS-10ETS12STRR-M3 vs-10ets08s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-ETL1506SHM3 VS-ETL1506SHM3 vs-etl1506shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 15A
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VS-ETL1506-1HM3 VS-ETL1506-1HM3 vs-etl1506shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262AA
Current - Average Rectified (Io): 15A
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-262-3
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VS-10TQ035SHM3 VS-10TQ035SHM3 vs-10tq035shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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VS-20TQ040STRL-M3 VS-20TQ040STRL-M3 vs-20tq035s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Packaging: Tube
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VS-20TQ040STRR-M3 VS-20TQ040STRR-M3 vs-20tq035s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 20A TO263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 40 V
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VS-STPS20L15GL-M3 VS-STPS20L15GL-M3 vs-stps20l15g-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO263AB
Base Part Number: STPS20
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 2000pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10mA @ 15V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410mV @ 19A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-20TQ045STRL-M3 VS-20TQ045STRL-M3 vs-20tq035s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
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VS-19TQ015STRL-M3 VS-19TQ015STRL-M3 vs-19tq015s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 15V 19A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10.5 mA @ 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 19 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 19A
Capacitance @ Vr, F: 2000pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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MBRB1645HE3_A/I MBRB1645HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: MBRB1645
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
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VS-20TQ045STRR-M3 VS-20TQ045STRR-M3 vs-20tq035s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETS12STRL-M3 VS-10ETS12STRL-M3 vs-10ets08s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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VS-MBRB1645TRL-M3 VS-MBRB1645TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
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VS-MBRB1645TRR-M3 VS-MBRB1645TRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
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VS-10ETS08STRL-M3 VS-10ETS08STRL-M3 vs-10ets08s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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auf Bestellung 800 Stücke
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VS-8TQ080STRLHM3 VS-8TQ080STRLHM3 vs-8tqshm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
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VS-10TQ045STRRHM3 VS-10TQ045STRRHM3 vs-10tq035shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
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VS-8TQ100STRLHM3 VS-8TQ100STRLHM3 vs-8tqshm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10TQ035STRLHM3 VS-10TQ035STRLHM3 vs-10tq035shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
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VS-10TQ035STRRHM3 VS-10TQ035STRRHM3 vs-10tq035shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-8TQ100STRRHM3 VS-8TQ100STRRHM3 vs-8tqshm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10TQ045STRLHM3 VS-10TQ045STRLHM3 vs-10tq035shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
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VS-10ETF02STRL-M3 VS-10ETF02STRL-M3 vs-10etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Base Part Number: 10ETF02
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-8TQ080STRRHM3 VS-8TQ080STRRHM3 vs-8tqshm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF12STRL-M3 VS-10ETF12STRL-M3 vs-10etf10s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF02STRR-M3 VS-10ETF02STRR-M3 vs-10etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Part Number: 10ETF02
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-10ETF04STRL-M3 VS-10ETF04STRL-M3 vs-10etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 10ETF04
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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VS-10ETF04STRR-M3 VS-10ETF04STRR-M3 vs-10etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 10ETF04
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 480V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
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VS-10ETF06STRR-M3 VS-10ETF06STRR-M3 vs-10etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF10STRL-M3 VS-10ETF10STRL-M3 vs-10etf10s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF10STRR-M3 VS-10ETF10STRR-M3 vs-10etf10s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF12STRR-M3 VS-10ETF12STRR-M3 vs-10etf10s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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VS-ETL1506STRLHM3 VS-ETL1506STRLHM3 vs-etl1506shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 15A
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
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VS-ETL1506STRRHM3 VS-ETL1506STRRHM3 vs-etl1506shm3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 15A
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF06STRL-M3 VS-10ETF06STRL-M3 vs-10etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-25ETS12S-M3 VS-25ETS12S-M3 vs-25ets12s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Base Part Number: 25ETS12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-20ETS08STRL-M3 VS-20ETS08STRL-M3 vs-20ets08s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
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VS-20ETS12STRL-M3 VS-20ETS12STRL-M3 vs-20ets08s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
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VS-20ETS12STRR-M3 VS-20ETS12STRR-M3 vs-20ets08s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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VS-20ETS08STRR-M3 VS-20ETS08STRR-M3 vs-20ets08s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
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VS-25ETS12STRL-M3 VS-25ETS12STRL-M3 vs-25ets12s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Base Part Number: 25ETS12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-25ETS12STRR-M3 VS-25ETS12STRR-M3 vs-25ets12s.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 25ETS12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
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VS-20ETF04S-M3 VS-20ETF04S-M3 vs-20etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO263AB
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
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VS-20ETF02S-M3 VS-20ETF02S-M3 vs-20etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
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VS-60APH03-N-S1 VS-60APH03-N-S1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 300V
Reverse Recovery Time (trr): 42ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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VS-20ETF08S-M3 VS-20ETF08S-M3 vs-20etf08s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
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VS-20ETF06S-M3 VS-20ETF06S-M3 vs-20etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
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VS-20ETF10S-M3 VS-20ETF10S-M3 vs-20etf08s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1000V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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VS-20ETF12S-M3 VS-20ETF12S-M3 vs-20etf08s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: 20ETF12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
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VS-30EPH06P-S1 VS-30EPH06P-S1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Average Rectified (Io): 30A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AC
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1.5SMC33CAHM3_A/H 15smc.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO214AB
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32.8A
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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VS-20ETF04STRL-M3 VS-20ETF04STRL-M3 vs-20etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO263AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Base Part Number: 20ETF04
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
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VS-20ETF06STRL-M3 VS-20ETF06STRL-M3 vs-20etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Base Part Number: 20ETF06
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
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VS-20ETF10STRL-M3 VS-20ETF10STRL-M3 vs-20etf08s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-MBRB1045TRL-M3 VS-MBRB1045TRL-M3 vs-mbrb1035-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
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VS-20ETF02STRR-M3 VS-20ETF02STRR-M3 vs-20etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
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VS-20ETF04STRR-M3 VS-20ETF04STRR-M3 vs-20etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO263AB
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
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VS-20ETF02STRL-M3 VS-20ETF02STRL-M3 vs-20etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-20ETF06STRR-M3 VS-20ETF06STRR-M3 vs-20etf02s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Base Part Number: 20ETF06
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
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VS-20ETF08STRL-M3 VS-20ETF08STRL-M3 vs-20etf08s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
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VS-20ETF08STRR-M3 VS-20ETF08STRR-M3 vs-20etf08s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Base Part Number: 20ETF08
Part Status: Active
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 800V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
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VS-20ETF12STRR-M3 VS-20ETF12STRR-M3 vs-20etf08s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-20ETF12STRL-M3 VS-20ETF12STRL-M3 vs-20etf08s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
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VS-20ETF10STRR-M3 VS-20ETF10STRR-M3 vs-20etf08s-m3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
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VS-60EPU06P-S1 VS-60EPU06P-S1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC
Supplier Device Package: TO-247AC
Current - Average Rectified (Io): 60A
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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VS-EPH3006L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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VS-60APU04HN3 VS-60APU04HN3 vs-60epu04hn3-vs-60apu04hn3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 60 A
Package / Case: TO-247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Current - Average Rectified (Io): 60A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
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VS-60EPU04HN3 VS-60EPU04HN3 vs-60epu04hn3-vs-60apu04hn3.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 85ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 60A
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Part Status: Last Time Buy
Packaging: Tube
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VS-EBU15006-F4 vs-ebu15006-f4.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GP 600V 150A POWERTAB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.63 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerTab®
Current - Average Rectified (Io): 150A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: PowerTab®
Packaging: Tube
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VS-85HFR40M8 vs-85hfr40m8.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Packaging: Tube
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 85A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 267A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 400V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Base Part Number: 85HFR40
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PLZ18A-G3/H PLZ18A-G3/H plzseries.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Base Part Number: PLZ18
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200nA @ 13V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±3%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200nA @ 13V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±3%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: PLZ18
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
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PLZ24B-G3/H PLZ24B-G3/H plzseries.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 23.19V 500MW DO219AC
Base Part Number: PLZ24
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200nA @ 19V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±3%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 23.19V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 23.19V 500MW DO219AC
Base Part Number: PLZ24
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200nA @ 19V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±3%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 23.19V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-VSKEU300/12PBF vs-vskeu30012pbf.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GP 1.2KV 375A INTAPAK
Package / Case: INT-A-PAK (2)
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 233ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.23V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 375A
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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SM6T36AHM3/I SM6T36AHM3/I sm6t.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE DO-214AA SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Type: Zener
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Applications: Automotive
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
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SM6T36AHE3_A/H SM6T36AHE3_A/H sm6t.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AA
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Type: Zener
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Applications: Automotive
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Base Part Number: SM6T36
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BZX55F36-TAP BZX55x%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
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BZX55F36-TR BZX55x%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
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BZX55F3V3-TAP BZX55x%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
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BZX55F3V6-TAP BZX55x%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Operating Temperature: 175°C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
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BZX55F3V6-TR BZX55x%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BZX55F6V2-TAP BZX55x%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BZX55F6V2-TR BZX55x%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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ZMY27-GS08 ZMY27-GS08 zmy3v9.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 27V 1W DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Operating Temperature: 175°C
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
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24+ 1.09 EUR
30+ 0.89 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.45 EUR
SMF22A-E3-08 SMF22A-E3-08 smf5v0atosmf58a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMF
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance @ Frequency: 271pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
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auf Bestellung 21000 Stücke
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21+ 1.25 EUR
28+ 0.94 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.31 EUR
SMAJ45A-E3/61 SMAJ45A-E3/61 smaj50a.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
Voltage - Breakdown (Min): 50V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 45V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 72.7V
Packaging: Cut Tape (CT)
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auf Bestellung 4062 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+ 1.14 EUR
30+ 0.87 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.37 EUR
V1PM15HM3/H V1PM15HM3/H v1pm15.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A MICROSMP
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.21V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SMBJ12D-M3/H SMBJ12D-M3/H smbj5cdthrusmbj120cd.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE 12VWM 19.6VC DO214AA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.6V
Voltage - Breakdown (Min): 13.5V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE 12VWM 19.6VC DO214AA
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.6V
Voltage - Breakdown (Min): 13.5V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
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auf Bestellung 29 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+ 1.35 EUR
26+ 1.01 EUR
SMBJ15D-M3/H SMBJ15D-M3/H smbj5cdthrusmbj120cd.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: TVS DIODE 15VWM 24VC DO214AA
Voltage - Breakdown (Min): 17V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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VS-10ETF12S-M3 vs-10etf10s-m3.pdf
VS-10ETF12S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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VS-10TQ045SHM3 vs-10tq035shm3.pdf
VS-10TQ045SHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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VS-10ETF10S-M3 vs-10etf10s-m3.pdf
VS-10ETF10S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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VS-10ETF02S-M3 vs-10etf02s-m3.pdf
VS-10ETF02S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Base Part Number: 10ETF02
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
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VS-10ETF04S-M3 vs-10etf02s-m3.pdf
VS-10ETF04S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Base Part Number: 10ETF04
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-MBRB1635TRL-M3
VS-MBRB1635TRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Base Part Number: MBRB1635
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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VS-MBRB1635TRR-M3
VS-MBRB1635TRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
Base Part Number: MBRB1635
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tube
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VS-10ETS08STRR-M3 vs-10ets08s.pdf
VS-10ETS08STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
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VS-10ETS12STRR-M3 vs-10ets08s.pdf
VS-10ETS12STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-ETL1506SHM3 vs-etl1506shm3.pdf
VS-ETL1506SHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 15A
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VS-ETL1506-1HM3 vs-etl1506shm3.pdf
VS-ETL1506-1HM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262AA
Current - Average Rectified (Io): 15A
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-262-3
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VS-10TQ035SHM3 vs-10tq035shm3.pdf
VS-10TQ035SHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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VS-20TQ040STRL-M3 vs-20tq035s-m3.pdf
VS-20TQ040STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Packaging: Tube
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VS-20TQ040STRR-M3 vs-20tq035s-m3.pdf
VS-20TQ040STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 20A TO263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 40 V
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VS-STPS20L15GL-M3 vs-stps20l15g-m3.pdf
VS-STPS20L15GL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO263AB
Base Part Number: STPS20
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 2000pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10mA @ 15V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410mV @ 19A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-20TQ045STRL-M3 vs-20tq035s-m3.pdf
VS-20TQ045STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
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VS-19TQ015STRL-M3 vs-19tq015s-m3.pdf
VS-19TQ015STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 19A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10.5 mA @ 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 19 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 19A
Capacitance @ Vr, F: 2000pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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MBRB1645HE3_A/I
MBRB1645HE3_A/I
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: MBRB1645
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
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VS-20TQ045STRR-M3 vs-20tq035s-m3.pdf
VS-20TQ045STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETS12STRL-M3 vs-10ets08s.pdf
VS-10ETS12STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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VS-MBRB1645TRL-M3
VS-MBRB1645TRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
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VS-MBRB1645TRR-M3
VS-MBRB1645TRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
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VS-10ETS08STRL-M3 vs-10ets08s.pdf
VS-10ETS08STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
auf Bestellung 800 Stücke
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auf Bestellung 2250 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
VS-8TQ080STRLHM3 vs-8tqshm3.pdf
VS-8TQ080STRLHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
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VS-10TQ045STRRHM3 vs-10tq035shm3.pdf
VS-10TQ045STRRHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
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VS-8TQ100STRLHM3 vs-8tqshm3.pdf
VS-8TQ100STRLHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10TQ035STRLHM3 vs-10tq035shm3.pdf
VS-10TQ035STRLHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
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VS-10TQ035STRRHM3 vs-10tq035shm3.pdf
VS-10TQ035STRRHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-8TQ100STRRHM3 vs-8tqshm3.pdf
VS-8TQ100STRRHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10TQ045STRLHM3 vs-10tq035shm3.pdf
VS-10TQ045STRLHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK
Capacitance @ Vr, F: 900pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
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VS-10ETF02STRL-M3 vs-10etf02s-m3.pdf
VS-10ETF02STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Base Part Number: 10ETF02
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-8TQ080STRRHM3 vs-8tqshm3.pdf
VS-8TQ080STRRHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF12STRL-M3 vs-10etf10s-m3.pdf
VS-10ETF12STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-10ETF02STRR-M3 vs-10etf02s-m3.pdf
VS-10ETF02STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Part Number: 10ETF02
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-10ETF04STRL-M3 vs-10etf02s-m3.pdf
VS-10ETF04STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 10ETF04
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-10ETF04STRR-M3 vs-10etf02s-m3.pdf
VS-10ETF04STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 10ETF04
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 480V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
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VS-10ETF06STRR-M3 vs-10etf02s-m3.pdf
VS-10ETF06STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF10STRL-M3 vs-10etf10s-m3.pdf
VS-10ETF10STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF10STRR-M3 vs-10etf10s-m3.pdf
VS-10ETF10STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF12STRR-M3 vs-10etf10s-m3.pdf
VS-10ETF12STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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VS-ETL1506STRLHM3 vs-etl1506shm3.pdf
VS-ETL1506STRLHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 15A
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
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VS-ETL1506STRRHM3 vs-etl1506shm3.pdf
VS-ETL1506STRRHM3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 15A
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-10ETF06STRL-M3 vs-10etf02s-m3.pdf
VS-10ETF06STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-25ETS12S-M3 vs-25ets12s.pdf
VS-25ETS12S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Base Part Number: 25ETS12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-20ETS08STRL-M3 vs-20ets08s.pdf
VS-20ETS08STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
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VS-20ETS12STRL-M3 vs-20ets08s.pdf
VS-20ETS12STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
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VS-20ETS12STRR-M3 vs-20ets08s.pdf
VS-20ETS12STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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VS-20ETS08STRR-M3 vs-20ets08s.pdf
VS-20ETS08STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
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VS-25ETS12STRL-M3 vs-25ets12s.pdf
VS-25ETS12STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Base Part Number: 25ETS12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-25ETS12STRR-M3 vs-25ets12s.pdf
VS-25ETS12STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 25ETS12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
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VS-20ETF04S-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF04S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO263AB
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
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VS-20ETF02S-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF02S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
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VS-60APH03-N-S1
VS-60APH03-N-S1
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 300V
Reverse Recovery Time (trr): 42ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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VS-20ETF08S-M3 vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF08S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
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VS-20ETF06S-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF06S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-20ETF10S-M3 vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF10S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1000V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-20ETF12S-M3 vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF12S-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: 20ETF12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-30EPH06P-S1
VS-30EPH06P-S1
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Average Rectified (Io): 30A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AC
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1.5SMC33CAHM3_A/H 15smc.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO214AB
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32.8A
Applications: Automotive, Telecom
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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VS-20ETF04STRL-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF04STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO263AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Base Part Number: 20ETF04
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-20ETF06STRL-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF06STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Base Part Number: 20ETF06
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-20ETF10STRL-M3 vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF10STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-MBRB1045TRL-M3 vs-mbrb1035-m3.pdf
VS-MBRB1045TRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
VS-20ETF02STRR-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF02STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
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VS-20ETF04STRR-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF04STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO263AB
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
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VS-20ETF02STRL-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF02STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-20ETF06STRR-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF06STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Base Part Number: 20ETF06
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
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VS-20ETF08STRL-M3 vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF08STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
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VS-20ETF08STRR-M3 vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF08STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Base Part Number: 20ETF08
Part Status: Active
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 800V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
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VS-20ETF12STRR-M3 vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF12STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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VS-20ETF12STRL-M3 vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF12STRL-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
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VS-20ETF10STRR-M3 vs-20etf08s-m3.pdf
VS-20ETF10STRR-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
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VS-60EPU06P-S1
VS-60EPU06P-S1
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC
Supplier Device Package: TO-247AC
Current - Average Rectified (Io): 60A
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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VS-EPH3006L-M3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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VS-60APU04HN3 vs-60epu04hn3-vs-60apu04hn3.pdf
VS-60APU04HN3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 60 A
Package / Case: TO-247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Current - Average Rectified (Io): 60A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
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VS-60EPU04HN3 vs-60epu04hn3-vs-60apu04hn3.pdf
VS-60EPU04HN3
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 85ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 60A
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Part Status: Last Time Buy
Packaging: Tube
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VS-EBU15006-F4 vs-ebu15006-f4.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 150A POWERTAB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.63 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerTab®
Current - Average Rectified (Io): 150A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: PowerTab®
Packaging: Tube
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VS-85HFR40M8 vs-85hfr40m8.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Packaging: Tube
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 85A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 267A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 400V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Base Part Number: 85HFR40
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PLZ18A-G3/H plzseries.pdf
PLZ18A-G3/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Base Part Number: PLZ18
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200nA @ 13V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±3%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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auf Bestellung 2971 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PLZ18A-G3/H plzseries.pdf
PLZ18A-G3/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200nA @ 13V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±3%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: PLZ18
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
auf Bestellung 2831 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 140 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PLZ24B-G3/H plzseries.pdf
PLZ24B-G3/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 23.19V 500MW DO219AC
Base Part Number: PLZ24
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200nA @ 19V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±3%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 23.19V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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auf Bestellung 4408 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PLZ24B-G3/H plzseries.pdf
PLZ24B-G3/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 23.19V 500MW DO219AC
Base Part Number: PLZ24
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200nA @ 19V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±3%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 23.19V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
auf Bestellung 4274 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 134 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
VS-VSKEU300/12PBF vs-vskeu30012pbf.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.2KV 375A INTAPAK
Package / Case: INT-A-PAK (2)
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 233ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.23V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 375A
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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SM6T36AHM3/I sm6t.pdf
SM6T36AHM3/I
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE DO-214AA SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Type: Zener
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Applications: Automotive
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
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SM6T36AHE3_A/H sm6t.pdf
SM6T36AHE3_A/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AA
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Type: Zener
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Applications: Automotive
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Base Part Number: SM6T36
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BZX55F36-TAP BZX55x%20Series.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
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BZX55F36-TR BZX55x%20Series.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
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BZX55F3V3-TAP BZX55x%20Series.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
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BZX55F3V6-TAP BZX55x%20Series.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Operating Temperature: 175°C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
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BZX55F3V6-TR BZX55x%20Series.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BZX55F6V2-TAP BZX55x%20Series.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BZX55F6V2-TR BZX55x%20Series.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
ZMY27-GS08 zmy3v9.pdf
ZMY27-GS08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 1W DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Operating Temperature: 175°C
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8347 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 9500 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
24+ 1.09 EUR
30+ 0.89 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.45 EUR
SMF22A-E3-08 smf5v0atosmf58a.pdf
SMF22A-E3-08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMF
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance @ Frequency: 271pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
auf Bestellung 21000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 41510 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
21+ 1.25 EUR
28+ 0.94 EUR
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SMAJ45A-E3/61 smaj50a.pdf
SMAJ45A-E3/61
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
Voltage - Breakdown (Min): 50V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 45V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 72.7V
Packaging: Cut Tape (CT)
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V1PM15HM3/H v1pm15.pdf
V1PM15HM3/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A MICROSMP
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.21V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SMBJ12D-M3/H smbj5cdthrusmbj120cd.pdf
SMBJ12D-M3/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 12VWM 19.6VC DO214AA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.6V
Voltage - Breakdown (Min): 13.5V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SMBJ12D-M3/H smbj5cdthrusmbj120cd.pdf
SMBJ12D-M3/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 12VWM 19.6VC DO214AA
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.6V
Voltage - Breakdown (Min): 13.5V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
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SMBJ15D-M3/H smbj5cdthrusmbj120cd.pdf
SMBJ15D-M3/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 24VC DO214AA
Voltage - Breakdown (Min): 17V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
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