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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
SIR826ADP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQD50034E_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2093 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIJ462ADP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 7200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
P11H1F0GHFW10502KA	VISHAY	Description: VISHAY - P11H1F0GHFW10502KA - Drehpotentiometer, Hohes Drehmoment, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 1 W, ± 10%, P11H Series tariffCode: 85334090 Produkthöhe: 13.6mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: - Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en) Widerstandstechnologie: Cermet hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Panelmontage Nennleistung: 1W Einstellungsart: Drehschalter isCanonical: Y Bahnwiderstand: 5kohm Widerstandsverlauf: Linear usEccn: EAR99 Anzahl der Einbaustellen: 1 Wellendurchmesser: 6.35mm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C Produktlänge: 35.6mm euEccn: NLR Potentiometer: Modular Länge der Welle: 9.65mm Produktpalette: P11H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Potentiometeranschlüsse: Leiterplattenstift Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 12.8mm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI3129DV-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 5511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIZ260DT-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 13613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJA86EP-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 11913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR826ADP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIJH800E-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 299A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 2754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SISS30DN-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8250 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8250µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 4493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SISS30ADN-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 4295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIS126DN-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SISS32LDN-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 36429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIJ478DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 7366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIJH800E-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 299A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 2754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJB80EP-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ480E-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 3000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 2116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQSA80ENW-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 5617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJB80EP-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQSA80ENW-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 5617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJA86EP-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 11913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ480E-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 3000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 2116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIS128LDN-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 39W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1019 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQD50P08-28_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026)	auf Bestellung 14500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIJ478DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 7366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ184ER-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ184ER-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ186ER-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 329A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 5556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ186ER-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 329A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 5556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQS181ELNW-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIJH5800E-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 1350 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 302A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQSA82CENW-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 5650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQ1470AEH-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 6909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQ1421EDH-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.29 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 25911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SISS76LDN-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 11190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQ1470AEH-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 6909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIA483ADJ-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 4385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIA400EDJ-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIA918EDJ-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQA401EJ-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 6855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIA431DJ-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 4852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIA429DJT-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIA449DJ-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIA449DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SMC3K70CAHM3_A/H	VISHAY	Description: VISHAY - SMC3K70CAHM3_A/H - TVS-Diode, TRANSZORB SMC3K Series, Bidirektional, 70 V, 113 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 77.8V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 86V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 70V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB SMC3K Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 113V SVHC: Lead (27-Jun-2024)	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SMC3K70CAHM3_A/H	VISHAY	Description: VISHAY - SMC3K70CAHM3_A/H - TVS-Diode, TRANSZORB SMC3K Series, Bidirektional, 70 V, 113 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 77.8V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 86V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 70V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB SMC3K Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 113V SVHC: Lead (27-Jun-2024)	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHB120N60E-T5-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHB120N60E-T5-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026)	auf Bestellung 1527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI4116DY-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GLI 900-150 B	VISHAY	Description: VISHAY - GLI 900-150 B - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PP, Becher, 150 µF, 900 V tariffCode: 85322500 Produkthöhe: 68mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher rohsCompliant: YES Anschlussabstand: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: - Kondensatormontage: Panelmontage Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Produktlänge: - euEccn: NLR Dielektrikum: Metallisiertes PP Spannung (AC): - Kapazität: 150µF Spannung (DC): 900V Produktpalette: GLI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Stiftbolzen Betriebstemperatur, max.: 85°C Feuchtigkeitsklasse: - Produktbreite: - SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MRS25000C1659FCT00	VISHAY	Description: VISHAY - MRS25000C1659FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 16.5 ohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 V tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 600mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 16.5ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 50ppm/C Produktlänge: 6.5mm euEccn: NLR Produktpalette: MRS25 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 350V Produktdurchmesser: 2.5mm Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MMB02070C8200FB200	VISHAY	Description: VISHAY - MMB02070C8200FB200 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 820 ohm, MMB Series, 300 V, Metallschichtwiderstand, 1 W tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: MELF 0207 Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstand: 820ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 50ppm/C euEccn: NLR Produktpalette: MMB Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 300V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MMB02070C8200FB200	VISHAY	Description: VISHAY - MMB02070C8200FB200 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 820 ohm, MMB Series, 300 V, Metallschichtwiderstand, 1 W tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: MELF 0207 Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstand: 820ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 50ppm/C euEccn: NLR Produktpalette: MMB Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 300V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MMB0207MC8203FB200	VISHAY	Description: VISHAY - MMB0207MC8203FB200 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 820 kohm, MMB HV Series, 1 kV, Dünnschichtwiderstand, 1 W tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: MELF 0207 Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 1W Widerstand: 820kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/K euEccn: NLR Produktpalette: MMB HV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 155°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW06036K20FKEAC	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW06036K20FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 6.2 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332900 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 100mW Widerstandstyp: Universell isCanonical: N Widerstand: 6.2kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW-C e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)	auf Bestellung 49868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW06037M15FKEA	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW06037M15FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.15 Mohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Universell isCanonical: N Widerstand: 7.15Mohm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm	auf Bestellung 14040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW06037K15FKEA	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW06037K15FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 100mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 7.15kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW06037K15FKEA.	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW06037K15FKEA. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 100mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 7.15kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 10650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW0603442RFKEA	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW0603442RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 442 ohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Universell isCanonical: Y Widerstand: 442ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 7983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW0603442RFKEA	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW0603442RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 442 ohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Universell isCanonical: Y Widerstand: 442ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 7983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW0603442RFKEA.	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW0603442RFKEA. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 442 ohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 100mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 442ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TCUT1350X01	VISHAY	Description: VISHAY - TCUT1350X01 - LICHTSCHRANKE, TRANSMISSIV, 3MM tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Messabstand / Gabelweite: 3mm IP-Schutzart: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Durchlassstrom If: 25mA Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: SMD Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.2V Messmethode: Transmissiv Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Öffnungsweite: 0.3mm Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Versorgungsspannung, max.: - Sender/Empfänger-Abstand: 3mm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR826ADP-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2777 Stücke:

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