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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
1N4448WS 1N4448WS YANGJIE TECHNOLOGY 1N4448WS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4448WS 1N4448WS YANGJIE TECHNOLOGY 1N4448WS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
750+0.096 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.024 EUR
9000+0.0096 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4448WSQ 1N4448WSQ Yangjie Technology 1N4448WSQ.pdf Description: Diodes - Rectifiers - Single SOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.032 EUR
15000+0.03 EUR
30000+0.028 EUR
60000+0.026 EUR
120000+0.023 EUR
300000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5400 1N5400 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5400 1N5400 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5400G 1N5400G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5401 1N5401 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5401G 1N5401G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5402 1N5402 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5402G 1N5402G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.04 EUR
91+0.79 EUR
248+0.29 EUR
302+0.24 EUR
388+0.18 EUR
486+0.15 EUR
544+0.13 EUR
1250+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5402G 1N5402G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
91+0.79 EUR
248+0.29 EUR
302+0.24 EUR
388+0.18 EUR
486+0.15 EUR
544+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5404 YANGJIE TECHNOLOGY 1n5400.pdf 1N5404-YAN THT universal diodes
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
834+0.086 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5407 1N5407 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
350+0.2 EUR
428+0.17 EUR
550+0.13 EUR
685+0.1 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5407 1N5407 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
350+0.2 EUR
428+0.17 EUR
550+0.13 EUR
685+0.1 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5407G 1N5407G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408 1N5408 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
353+0.2 EUR
432+0.17 EUR
556+0.13 EUR
695+0.1 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408 1N5408 YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
353+0.2 EUR
432+0.17 EUR
556+0.13 EUR
695+0.1 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408G 1N5408G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+0.86 EUR
112+0.64 EUR
302+0.24 EUR
368+0.19 EUR
477+0.15 EUR
589+0.12 EUR
667+0.11 EUR
1250+0.09 EUR
2500+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408G 1N5408G YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
112+0.64 EUR
302+0.24 EUR
368+0.19 EUR
477+0.15 EUR
589+0.12 EUR
667+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5819 1N5819 YANGJIE TECHNOLOGY 1N581x_ser.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
auf Bestellung 1436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
926+0.077 EUR
1436+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5819 1N5819 YANGJIE TECHNOLOGY 1N581x_ser.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
926+0.077 EUR
1436+0.05 EUR
5000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5822 1N5822 YANGJIE TECHNOLOGY 1N582x_SER.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5822 1N5822 YANGJIE TECHNOLOGY 1N582x_SER.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
86+0.83 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
1250+0.074 EUR
2500+0.068 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5822 Yangjie Technology en.CD00001626.pdf 1N5820 SERIES_I2105.pdf 1N5822.pdf 1n5820-d.pdf 1n5820.pdf 1N5820-1N5822%2C1N6864.pdf 1N5820-D.PDF Діод Шотткі вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 40; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SS355Q 1SS355Q Yangjie Technology 1SS355Q.pdf Description: SOD-323 80V 0.15A Diodes Recti
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.028 EUR
15000+0.026 EUR
30000+0.025 EUR
60000+0.023 EUR
120000+0.021 EUR
300000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002 2N7002 YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1875+0.038 EUR
2625+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1875
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002 2N7002 YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1875+0.038 EUR
2625+0.027 EUR
3000+0.024 EUR
12000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 1875
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A 2N7002A YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A 2N7002A YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
550+0.13 EUR
3000+0.024 EUR
15000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KC 2N7002KC Yangjie Technology 2N7002KC.pdf Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.028 EUR
15000+0.026 EUR
30000+0.025 EUR
60000+0.023 EUR
120000+0.021 EUR
300000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KCDW 2N7002KCDW Yangjie Technology 2N7002KCDW.pdf Description: SOT-363 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
15000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
60000+0.039 EUR
120000+0.035 EUR
300000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KCDWQ 2N7002KCDWQ Yangjie Technology 2N7002KCDWQ.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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2N7002KCE 2N7002KCE Yangjie Technology 2N7002KCE.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
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300000+0.025 EUR
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2N7002KCQ 2N7002KCQ Yangjie Technology 2N7002KCQ.pdf Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2N7002KCW 2N7002KCW Yangjie Technology 2N7002KCW.pdf Description: SOT-323 N 60V 0.3A Transistors
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Part Status: Active
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2N7002KCWQ 2N7002KCWQ Yangjie Technology 2N7002KCWQ.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2N7002KCX 2N7002KCX Yangjie Technology 2N7002KCX.pdf Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2N7002W 2N7002W YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5100 Stücke:
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1925+0.037 EUR
4525+0.016 EUR
5000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 1925
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2N7002W 2N7002W YANGJIE TECHNOLOGY 2N7002W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5100 Stücke:
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1925+0.037 EUR
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15000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 1925
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2SA1037-Q 2SA1037-Q YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SA1037-R 2SA1037-R YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1037-S 2SA1037-S YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 270...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1037-Q 2SA1037-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
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30000+0.023 EUR
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120000+0.019 EUR
300000+0.018 EUR
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2SA1037-Q 2SA1037-Q YANGJIE TECHNOLOGY 2SA1037.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2SA1037-S 2SA1037-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
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2SA1576A-Q 2SA1576A-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.033 EUR
15000+0.032 EUR
30000+0.03 EUR
60000+0.026 EUR
120000+0.025 EUR
300000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2SA1576A-R 2SA1576A-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.03 EUR
15000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
60000+0.025 EUR
120000+0.023 EUR
300000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1576A-S 2SA1576A-S Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.03 EUR
15000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
60000+0.025 EUR
120000+0.023 EUR
300000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA812-M5 2SA812-M5 Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.023 EUR
15000+0.021 EUR
30000+0.019 EUR
60000+0.018 EUR
120000+0.016 EUR
300000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2SA812-M6 2SA812-M6 Yangjie Technology Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A -60V Trans
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.023 EUR
15000+0.021 EUR
30000+0.019 EUR
60000+0.018 EUR
120000+0.016 EUR
300000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA812-M6 YANGJIE TECHNOLOGY 2SA812-M6-YAN PNP SMD transistors
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1859+0.038 EUR
5155+0.014 EUR
5400+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 1859
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1188-Q 2SB1188-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.07 EUR
5000+0.067 EUR
10000+0.063 EUR
20000+0.058 EUR
40000+0.053 EUR
100000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1188-R 2SB1188-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.063 EUR
5000+0.06 EUR
10000+0.056 EUR
20000+0.053 EUR
40000+0.048 EUR
100000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197-Q 2SB1197-Q Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.058 EUR
15000+0.054 EUR
30000+0.051 EUR
60000+0.048 EUR
120000+0.043 EUR
300000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-R 2SB1198-R Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.079 EUR
15000+0.076 EUR
30000+0.07 EUR
60000+0.067 EUR
120000+0.06 EUR
300000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-R YANGJIE TECHNOLOGY 2SB1198-R-YAN PNP SMD transistors
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
595+0.12 EUR
2810+0.026 EUR
15000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 595
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-RQ 2SB1198-RQ Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.095 EUR
15000+0.09 EUR
30000+0.084 EUR
60000+0.079 EUR
120000+0.072 EUR
300000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC1623-L6 Yangjie Technology Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 60V Transis
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.023 EUR
15000+0.021 EUR
30000+0.019 EUR
60000+0.018 EUR
120000+0.016 EUR
300000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2383P-O 2SC2383P-O Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
20000+0.12 EUR
40000+0.11 EUR
100000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2383P-Y 2SC2383P-Y Yangjie Technology Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
20000+0.12 EUR
40000+0.11 EUR
100000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4448WS 1N4448WS.pdf
1N4448WS
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4448WS 1N4448WS.pdf
1N4448WS
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
750+0.096 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.024 EUR
9000+0.0096 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4448WSQ 1N4448WSQ.pdf
1N4448WSQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Diodes - Rectifiers - Single SOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.032 EUR
15000+0.03 EUR
30000+0.028 EUR
60000+0.026 EUR
120000+0.023 EUR
300000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5400 1N5400_SER.pdf
1N5400
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5400 1N5400_SER.pdf
1N5400
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5400G 1N5400G_SER.pdf
1N5400G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5401 1N5400_SER.pdf
1N5401
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5401G 1N5400G_SER.pdf
1N5401G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5402 1N5400_SER.pdf
1N5402
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5402G 1N5400G_SER.pdf
1N5402G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
91+0.79 EUR
248+0.29 EUR
302+0.24 EUR
388+0.18 EUR
486+0.15 EUR
544+0.13 EUR
1250+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5402G 1N5400G_SER.pdf
1N5402G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
91+0.79 EUR
248+0.29 EUR
302+0.24 EUR
388+0.18 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5404 1n5400.pdf
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
1N5404-YAN THT universal diodes
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
834+0.086 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5407 1N5400_SER.pdf
1N5407
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
350+0.2 EUR
428+0.17 EUR
550+0.13 EUR
685+0.1 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5407 1N5400_SER.pdf
1N5407
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
350+0.2 EUR
428+0.17 EUR
550+0.13 EUR
685+0.1 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5407G 1N5400G_SER.pdf
1N5407G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408 1N5400_SER.pdf
1N5408
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
353+0.2 EUR
432+0.17 EUR
556+0.13 EUR
695+0.1 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408 1N5400_SER.pdf
1N5408
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
353+0.2 EUR
432+0.17 EUR
556+0.13 EUR
695+0.1 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408G 1N5400G_SER.pdf
1N5408G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
112+0.64 EUR
302+0.24 EUR
368+0.19 EUR
477+0.15 EUR
589+0.12 EUR
667+0.11 EUR
1250+0.09 EUR
2500+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408G 1N5400G_SER.pdf
1N5408G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
112+0.64 EUR
302+0.24 EUR
368+0.19 EUR
477+0.15 EUR
589+0.12 EUR
667+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5819 1N581x_ser.pdf
1N5819
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
auf Bestellung 1436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
926+0.077 EUR
1436+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5819 1N581x_ser.pdf
1N5819
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V; tape
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
926+0.077 EUR
1436+0.05 EUR
5000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5822 1N582x_SER.pdf
1N5822
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
86+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5822 1N582x_SER.pdf
1N5822
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO27; Ufmax: 0.525V; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO27
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
86+0.83 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
1250+0.074 EUR
2500+0.068 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5822 en.CD00001626.pdf 1N5820 SERIES_I2105.pdf 1N5822.pdf 1n5820-d.pdf 1n5820.pdf 1N5820-1N5822%2C1N6864.pdf 1N5820-D.PDF
Hersteller: Yangjie Technology
Діод Шотткі вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 40; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SS355Q 1SS355Q.pdf
1SS355Q
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOD-323 80V 0.15A Diodes Recti
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.028 EUR
15000+0.026 EUR
30000+0.025 EUR
60000+0.023 EUR
120000+0.021 EUR
300000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002 2N7002.pdf
2N7002
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1875+0.038 EUR
2625+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1875
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002 2N7002.pdf
2N7002
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1875+0.038 EUR
2625+0.027 EUR
3000+0.024 EUR
12000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 1875
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A 2N7002A.pdf
2N7002A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002A 2N7002A.pdf
2N7002A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
550+0.13 EUR
3000+0.024 EUR
15000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KC 2N7002KC.pdf
2N7002KC
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.028 EUR
15000+0.026 EUR
30000+0.025 EUR
60000+0.023 EUR
120000+0.021 EUR
300000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KCDW 2N7002KCDW.pdf
2N7002KCDW
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-363 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.048 EUR
15000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
60000+0.039 EUR
120000+0.035 EUR
300000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KCDWQ 2N7002KCDWQ.pdf
2N7002KCDWQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.074 EUR
15000+0.07 EUR
30000+0.067 EUR
60000+0.062 EUR
120000+0.056 EUR
300000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KCE 2N7002KCE.pdf
2N7002KCE
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
30000+0.03 EUR
60000+0.028 EUR
120000+0.026 EUR
300000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KCQ 2N7002KCQ.pdf
2N7002KCQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 0.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.058 EUR
15000+0.055 EUR
30000+0.051 EUR
60000+0.048 EUR
120000+0.044 EUR
300000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KCW 2N7002KCW.pdf
2N7002KCW
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-323 N 60V 0.3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.033 EUR
15000+0.032 EUR
30000+0.03 EUR
60000+0.028 EUR
120000+0.025 EUR
300000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KCWQ 2N7002KCWQ.pdf
2N7002KCWQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.065 EUR
15000+0.062 EUR
30000+0.058 EUR
60000+0.055 EUR
120000+0.048 EUR
300000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KCX 2N7002KCX.pdf
2N7002KCX
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.055 EUR
15000+0.051 EUR
30000+0.048 EUR
60000+0.046 EUR
120000+0.04 EUR
300000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002W 2N7002W.pdf
2N7002W
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1925+0.037 EUR
4525+0.016 EUR
5000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 1925
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002W 2N7002W.pdf
2N7002W
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1925+0.037 EUR
4525+0.016 EUR
5000+0.014 EUR
15000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 1925
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1037-Q 2SA1037.pdf
2SA1037-Q
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1175+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 1175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1037-R 2SA1037.pdf
2SA1037-R
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1037-S 2SA1037.pdf
2SA1037-S
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 270...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1037-Q
2SA1037-Q
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.026 EUR
15000+0.024 EUR
30000+0.023 EUR
60000+0.021 EUR
120000+0.019 EUR
300000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1037-Q 2SA1037.pdf
2SA1037-Q
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1175+0.061 EUR
3000+0.024 EUR
15000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 1175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1037-S
2SA1037-S
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.024 EUR
15000+0.023 EUR
30000+0.021 EUR
60000+0.019 EUR
120000+0.018 EUR
300000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1576A-Q
2SA1576A-Q
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.033 EUR
15000+0.032 EUR
30000+0.03 EUR
60000+0.026 EUR
120000+0.025 EUR
300000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1576A-R
2SA1576A-R
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.03 EUR
15000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
60000+0.025 EUR
120000+0.023 EUR
300000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1576A-S
2SA1576A-S
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.03 EUR
15000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
60000+0.025 EUR
120000+0.023 EUR
300000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA812-M5
2SA812-M5
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.023 EUR
15000+0.021 EUR
30000+0.019 EUR
60000+0.018 EUR
120000+0.016 EUR
300000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA812-M6
2SA812-M6
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A -60V Trans
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.023 EUR
15000+0.021 EUR
30000+0.019 EUR
60000+0.018 EUR
120000+0.016 EUR
300000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA812-M6
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
2SA812-M6-YAN PNP SMD transistors
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1859+0.038 EUR
5155+0.014 EUR
5400+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 1859
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1188-Q
2SB1188-Q
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.07 EUR
5000+0.067 EUR
10000+0.063 EUR
20000+0.058 EUR
40000+0.053 EUR
100000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1188-R
2SB1188-R
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.063 EUR
5000+0.06 EUR
10000+0.056 EUR
20000+0.053 EUR
40000+0.048 EUR
100000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1197-Q
2SB1197-Q
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.058 EUR
15000+0.054 EUR
30000+0.051 EUR
60000+0.048 EUR
120000+0.043 EUR
300000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-R
2SB1198-R
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.079 EUR
15000+0.076 EUR
30000+0.07 EUR
60000+0.067 EUR
120000+0.06 EUR
300000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-R
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
2SB1198-R-YAN PNP SMD transistors
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
595+0.12 EUR
2810+0.026 EUR
15000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 595
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1198-RQ
2SB1198-RQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.095 EUR
15000+0.09 EUR
30000+0.084 EUR
60000+0.079 EUR
120000+0.072 EUR
300000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC1623-L6
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 60V Transis
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.023 EUR
15000+0.021 EUR
30000+0.019 EUR
60000+0.018 EUR
120000+0.016 EUR
300000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2383P-O
2SC2383P-O
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
20000+0.12 EUR
40000+0.11 EUR
100000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2SC2383P-Y
2SC2383P-Y
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
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