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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
auf Bestellung 11732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
250+1.3 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
126+1.84 EUR
162+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP100R12N3T7BPSA1 FP100R12N3T7BPSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - FP100R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+310.22 EUR
5+252.05 EUR
10+192.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP100R12N2T7B11BPSA1 FP100R12N2T7B11BPSA1 INFINEON Infineon-FP100R12N2T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180a8df007a1d22 Description: INFINEON - FP100R12N2T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+252.99 EUR
5+224.72 EUR
10+197.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL032J60TFI010 S29JL032J60TFI010 INFINEON 2309621.pdf Description: INFINEON - S29JL032J60TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32 Mbit, 4M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 60ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.29 EUR
22+10.65 EUR
25+9.69 EUR
50+9.53 EUR
100+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL032J70TFI010 S29JL032J70TFI010 INFINEON Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Description: INFINEON - S29JL032J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 4M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 4M x 8 Bit
Speichergröße: 32Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.27 EUR
24+9.75 EUR
25+8.72 EUR
50+8.33 EUR
100+8.14 EUR
250+8.01 EUR
500+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL032J70BHI310 S29JL032J70BHI310 INFINEON CYPR-S-A0012977044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29JL032J70BHI310 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit, parallel, 70ns, FBGA-48
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 32Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.2 EUR
29+8.06 EUR
30+7.22 EUR
50+7.12 EUR
100+6.77 EUR
250+6.72 EUR
500+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL032P0XMFA013 S25FL032P0XMFA013 INFINEON CYPR-S-A0003069045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL032P0XMFA013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 32 Mbit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 104MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF INFINEON 695950.pdf Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 8212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
85+2.74 EUR
100+2.36 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
103+2.26 EUR
151+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON 3154647.pdf Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 8009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.84 EUR
57+4.08 EUR
100+2.57 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.84 EUR
5000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.3 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
103+2.26 EUR
151+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N10S4L06ATMA1 IPD90N10S4L06ATMA1 INFINEON INFNS28019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 INFINEON INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
115+1.88 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON 3154647.pdf Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N10S4-06-DataSheet-v01_10-EN.pdf Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
67+3.47 EUR
100+2.52 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 INFINEON INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE030N06NM5SCATMA1 IQE030N06NM5SCATMA1 INFINEON 3795149.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 5664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.47 EUR
46+5.13 EUR
100+3.37 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE030N06NM5SCATMA1 IQE030N06NM5SCATMA1 INFINEON 3795149.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
48+4.89 EUR
100+3.17 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSX33M5U16E6327XTSA1 BGSX33M5U16E6327XTSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.18 EUR
91+2.57 EUR
96+2.25 EUR
105+2.05 EUR
250+1.94 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSX33M5U16E6327XTSA1 BGSX33M5U16E6327XTSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
105+2.05 EUR
250+1.94 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7533BXTSA1 2EDN7533BXTSA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
181+1.29 EUR
229+0.94 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
267+0.87 EUR
342+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
267+0.87 EUR
342+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7533BXTSA1 2EDN7533BXTSA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
181+1.29 EUR
229+0.94 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265861.pdf Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.7 EUR
18+13.44 EUR
23+9.62 EUR
50+8.84 EUR
100+7.09 EUR
250+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ143N13NM6ATMA1 ISZ143N13NM6ATMA1 INFINEON 4334672.pdf Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.05 EUR
51+4.62 EUR
250+3.53 EUR
1000+2.81 EUR
3000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1158+0.21 EUR
1301+0.18 EUR
1835+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
2464+0.087 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1158+0.21 EUR
1301+0.18 EUR
1835+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
2464+0.087 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 10333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.52 EUR
47+5.01 EUR
100+3.58 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 10333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6ED003L06F2XUMA1 6ED003L06F2XUMA1 INFINEON 2334680.pdf Description: INFINEON - 6ED003L06F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, DSO-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
49+4.81 EUR
50+4.33 EUR
51+4.24 EUR
100+4.15 EUR
250+4.07 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1704E6327HTSA1 BAT1704E6327HTSA1 INFINEON INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.38 EUR
1003+0.23 EUR
1075+0.2 EUR
1198+0.18 EUR
1288+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI20R02HXUMA1 ISSI20R02HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.59 EUR
44+5.32 EUR
48+4.5 EUR
50+4.28 EUR
100+4.05 EUR
250+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R11HXUMA1 ISSI30R11HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
59+3.95 EUR
64+3.37 EUR
100+3.34 EUR
250+3.32 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R12HXUMA1 ISSI30R12HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R12HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
63+3.4 EUR
100+3.38 EUR
250+3.34 EUR
500+3.32 EUR
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R11HXUMA1 ISSI30R11HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
250+3.32 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI20R02HXUMA1 ISSI20R02HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.05 EUR
250+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S27KL0642DPBHI020 S27KL0642DPBHI020 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 36ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 166MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11 EUR
25+9.5 EUR
26+8.52 EUR
50+8.27 EUR
100+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
80+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 16731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
119+1.96 EUR
198+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON 610314.pdf Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
164+1.42 EUR
252+0.86 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON INFN-S-A0002952951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON INFN-S-A0002952951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.38 EUR
32+7.28 EUR
35+6.16 EUR
50+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB535E7904HTSA1 BB535E7904HTSA1 INFINEON 1849685.html Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.24 EUR
287+0.81 EUR
484+0.44 EUR
654+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGPWRBOM16TOBO1 KITLGPWRBOM16TOBO1 INFINEON 4386889.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.67 EUR
21+11.11 EUR
100+7.5 EUR
500+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384416.pdf Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.59 EUR
15+16.1 EUR
18+12.08 EUR
50+11.11 EUR
100+8.44 EUR
250+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.59 EUR
14+16.92 EUR
17+12.7 EUR
50+11.7 EUR
100+8.87 EUR
250+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+21.91 EUR
50+21.25 EUR
100+18.16 EUR
250+17.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.67 EUR
21+11.11 EUR
100+7.5 EUR
500+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+28.54 EUR
11+22.51 EUR
13+17.08 EUR
50+15.7 EUR
100+12.66 EUR
250+12.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.59 EUR
14+16.92 EUR
17+12.7 EUR
50+11.7 EUR
100+8.87 EUR
250+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384417.pdf Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.47 EUR
19+12.78 EUR
23+9.48 EUR
50+8.73 EUR
100+6.37 EUR
250+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.14 EUR
9+28.66 EUR
10+21.91 EUR
50+21.25 EUR
100+18.16 EUR
250+17.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5301TRPBF INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5301TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
auf Bestellung 11732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.39 EUR
250+1.3 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.84 EUR
126+1.84 EUR
162+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP100R12N3T7BPSA1 3758284.pdf
FP100R12N3T7BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+310.22 EUR
5+252.05 EUR
10+192.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP100R12N2T7B11BPSA1 Infineon-FP100R12N2T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180a8df007a1d22
FP100R12N2T7B11BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N2T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+252.99 EUR
5+224.72 EUR
10+197.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL032J60TFI010 2309621.pdf
S29JL032J60TFI010
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J60TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32 Mbit, 4M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 60ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.29 EUR
22+10.65 EUR
25+9.69 EUR
50+9.53 EUR
100+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL032J70TFI010 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
S29JL032J70TFI010
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 4M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 4M x 8 Bit
Speichergröße: 32Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.27 EUR
24+9.75 EUR
25+8.72 EUR
50+8.33 EUR
100+8.14 EUR
250+8.01 EUR
500+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL032J70BHI310 CYPR-S-A0012977044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29JL032J70BHI310
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J70BHI310 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit, parallel, 70ns, FBGA-48
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 32Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.2 EUR
29+8.06 EUR
30+7.22 EUR
50+7.12 EUR
100+6.77 EUR
250+6.72 EUR
500+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL032P0XMFA013 CYPR-S-A0003069045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL032P0XMFA013
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL032P0XMFA013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 32 Mbit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 104MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZLPBF 695950.pdf
IRF540ZLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 8212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+4 EUR
85+2.74 EUR
100+2.36 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD036N04LGATMA1 INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD036N04LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.27 EUR
103+2.26 EUR
151+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC90N10S5N062ATMA1 3154647.pdf
IAUC90N10S5N062ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 8009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.84 EUR
57+4.08 EUR
100+2.57 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.84 EUR
5000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS3GATMA1 INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.3 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD036N04LGATMA1 INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD036N04LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
103+2.26 EUR
151+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N10S4L06ATMA1 INFNS28019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N10S4L06ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.49 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S405ATMA2 INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD90N06S405ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.88 EUR
115+1.88 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC90N10S5N062ATMA1 3154647.pdf
IAUC90N10S5N062ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N10S406ATMA1 Infineon-IPD90N10S4-06-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IPD90N10S406ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.75 EUR
67+3.47 EUR
100+2.52 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L06ATMA2 INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L06ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE030N06NM5SCATMA1 3795149.pdf
IQE030N06NM5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 5664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.47 EUR
46+5.13 EUR
100+3.37 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE030N06NM5SCATMA1 3795149.pdf
IQE030N06NM5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+8.04 EUR
48+4.89 EUR
100+3.17 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSX33M5U16E6327XTSA1 3758284.pdf
BGSX33M5U16E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
91+2.57 EUR
96+2.25 EUR
105+2.05 EUR
250+1.94 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSX33M5U16E6327XTSA1 3758284.pdf
BGSX33M5U16E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.25 EUR
105+2.05 EUR
250+1.94 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7533BXTSA1 3685641.pdf
2EDN7533BXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.92 EUR
181+1.29 EUR
229+0.94 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7534FXTMA1 3685641.pdf
2EDN7534FXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+1.34 EUR
267+0.87 EUR
342+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7534FXTMA1 3685641.pdf
2EDN7534FXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+1.34 EUR
267+0.87 EUR
342+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7533BXTSA1 3685641.pdf
2EDN7533BXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.92 EUR
181+1.29 EUR
229+0.94 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1 4265861.pdf
IMTA65R040M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.7 EUR
18+13.44 EUR
23+9.62 EUR
50+8.84 EUR
100+7.09 EUR
250+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ143N13NM6ATMA1 4334672.pdf
ISZ143N13NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.05 EUR
51+4.62 EUR
250+3.53 EUR
1000+2.81 EUR
3000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBD914E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1158+0.21 EUR
1301+0.18 EUR
1835+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
2464+0.087 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBD914E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1158+0.21 EUR
1301+0.18 EUR
1835+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
2464+0.087 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 10333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.52 EUR
47+5.01 EUR
100+3.58 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 10333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.58 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6ED003L06F2XUMA1 2334680.pdf
6ED003L06F2XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED003L06F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, DSO-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.27 EUR
49+4.81 EUR
50+4.33 EUR
51+4.24 EUR
100+4.15 EUR
250+4.07 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1704E6327HTSA1 INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1704E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
650+0.38 EUR
1003+0.23 EUR
1075+0.2 EUR
1198+0.18 EUR
1288+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI20R02HXUMA1 4127748.pdf
ISSI20R02HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.59 EUR
44+5.32 EUR
48+4.5 EUR
50+4.28 EUR
100+4.05 EUR
250+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R11HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R11HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.55 EUR
59+3.95 EUR
64+3.37 EUR
100+3.34 EUR
250+3.32 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R12HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R12HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.93 EUR
63+3.4 EUR
100+3.38 EUR
250+3.34 EUR
500+3.32 EUR
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R11HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R11HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.34 EUR
250+3.32 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI20R02HXUMA1 4127748.pdf
ISSI20R02HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.05 EUR
250+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S27KL0642DPBHI020 INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KL0642DPBHI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 36ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 166MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11 EUR
25+9.5 EUR
26+8.52 EUR
50+8.27 EUR
100+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.18 EUR
80+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7469TRPBF INFN-S-A0004664152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7469TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 16731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.7 EUR
119+1.96 EUR
198+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7351TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9317TRPBF 610314.pdf
IRF9317TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBF INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9335TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.46 EUR
164+1.42 EUR
252+0.86 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 INFN-S-A0002952951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS612N1E3128ABUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 INFN-S-A0002952951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS612N1E3128ABUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.38 EUR
32+7.28 EUR
35+6.16 EUR
50+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB535E7904HTSA1 1849685.html
BB535E7904HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
203+1.24 EUR
287+0.81 EUR
484+0.44 EUR
654+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGPWRBOM16TOBO1 4386889.pdf
KITLGPWRBOM16TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 4384412.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.67 EUR
21+11.11 EUR
100+7.5 EUR
500+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 4384416.pdf
IMT40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+20.59 EUR
15+16.1 EUR
18+12.08 EUR
50+11.11 EUR
100+8.44 EUR
250+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.59 EUR
14+16.92 EUR
17+12.7 EUR
50+11.7 EUR
100+8.87 EUR
250+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+21.91 EUR
50+21.25 EUR
100+18.16 EUR
250+17.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMBG40R036M2HXTMA1 4384412.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.67 EUR
21+11.11 EUR
100+7.5 EUR
500+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 4384410.pdf
IMBG40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+28.54 EUR
11+22.51 EUR
13+17.08 EUR
50+15.7 EUR
100+12.66 EUR
250+12.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.59 EUR
14+16.92 EUR
17+12.7 EUR
50+11.7 EUR
100+8.87 EUR
250+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 4384417.pdf
IMT40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.47 EUR
19+12.78 EUR
23+9.48 EUR
50+8.73 EUR
100+6.37 EUR
250+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+36.14 EUR
9+28.66 EUR
10+21.91 EUR
50+21.25 EUR
100+18.16 EUR
250+17.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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