Produkte > MICROSEMI CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers MICROSEMI CORPORATION (11206) > Seite 118 nach 187
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| JAN2N6788U | Microsemi Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCCPackaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V |
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JAN2N6790 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V |
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| JAN2N6790U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V |
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JANTX2N6788 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 |
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| JANTX2N6788U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 |
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JANTX2N6790 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 |
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| JANTX2N6790U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 |
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| JANTXV2N6788 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO205AF |
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| JANTXV2N6788U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC |
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| JANTXV2N6790 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO205AF |
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| JANTXV2N6790U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC |
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| SD1057-01H | Microsemi Corporation |
Description: RF POWER TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Obsolete |
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| 2N5031 | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO-72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 12dB @ 400MHz Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Obsolete |
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| A2F060M3E-1CSG288 | Microsemi Corporation |
Description: IC SOC CORTEX-M3 100MHZ 288CSP Packaging: Tray Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA Speed: 100MHz RAM Size: 16KB Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TJ) Core Processor: ARM® Cortex®-M3 Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART Peripherals: DMA, POR, WDT Supplier Device Package: 288-CSP (11x11) Architecture: MCU, FPGA Flash Size: 128KB |
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| A2F060M3E-1CSG288I | Microsemi Corporation |
Description: IC SOC CORTEX-M3 100MHZ 288CSP Packaging: Tray Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA Speed: 100MHz RAM Size: 16KB Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ) Core Processor: ARM® Cortex®-M3 Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART Peripherals: DMA, POR, WDT Supplier Device Package: 288-CSP (11x11) Architecture: MCU, FPGA Flash Size: 128KB |
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| A2F060M3E-CSG288 | Microsemi Corporation |
Description: IC SOC CORTEX-M3 80MHZ 288CSP Packaging: Tray Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA Speed: 80MHz RAM Size: 16KB Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TJ) Core Processor: ARM® Cortex®-M3 Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART Peripherals: DMA, POR, WDT Supplier Device Package: 288-CSP (11x11) Architecture: MCU, FPGA Flash Size: 128KB |
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| A2F060M3E-CSG288I | Microsemi Corporation |
Description: IC SOC CORTEX-M3 80MHZ 288CSP Packaging: Tray Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA Speed: 80MHz RAM Size: 16KB Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ) Core Processor: ARM® Cortex®-M3 Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART Peripherals: DMA, POR, WDT Supplier Device Package: 288-CSP (11x11) Architecture: MCU, FPGA Flash Size: 128KB |
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1.5KE180CAE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC CASE-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 154V Supplier Device Package: CASE-1 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 171V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 246V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Obsolete |
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JAN1N6104US | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 6.2VWM 12.71VC SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 39.24A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V Supplier Device Package: B, SQ-MELF Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 7.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.71V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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SMAJ6486CE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.6V 1.5W DO214AC |
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SMAJ6486E3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.6V 1.5W DO214AC |
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SMAJ6487CE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.9V 1.5W DO214AC |
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SMAJ6487E3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.9V 1.5W DO214AC |
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SMAJ6488CE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO214AC |
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SMAJ6488E3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO214AC |
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SMAJ6489CE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms Supplier Device Package: DO-214AC (SMAJ) Power - Max: 1.5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V |
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SMAJ6489E3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms Supplier Device Package: DO-214AC (SMAJ) Power - Max: 1.5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V |
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SMAJ6490CE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO214AC |
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SMAJ6490E3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO214AC |
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SMAJ6491CE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO214AC |
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SMAJ6491E3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO214AC |
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1N4740 G | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 10V 1W DO204AL Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Part Status: Active Power - Max: 1 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V |
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MSG105 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V |
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| 150-709 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DEVICE MIXD LIGHTNING ARREST Packaging: Bag Mounting Type: In Line Applications: GPS Technology: Mixed Technology Number of Circuits: 1 |
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1N5264B (DO-35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 60V 500MW DO35 |
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1N5264A (DO-35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 60V 500MW DO35 |
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LXM1624-12-41 | Microsemi Corporation |
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V |
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LXM1624-12-42 | Microsemi Corporation |
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V |
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| LXM1624-12-43 | Microsemi Corporation |
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V |
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LXM1624-12-61 | Microsemi Corporation |
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V |
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LXM1624-12-62 | Microsemi Corporation |
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V |
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| LXM1624-12-63 | Microsemi Corporation |
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V |
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LXMG1624-12-42 | Microsemi Corporation |
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V |
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| LXMG1624-12-43 | Microsemi Corporation | Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V |
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LXMG1624-12-61 | Microsemi Corporation |
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V |
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| LXMG1624-12-63 | Microsemi Corporation | Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V |
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P6KE150AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO15 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 128V Supplier Device Package: T-18 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 143V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 207V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: Yes Part Status: Active |
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P6KE150CAE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 128V Supplier Device Package: Axial Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 143V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 207V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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MAP5KE10Ae3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL |
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MP5KE10Ae3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL |
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MXP5KE10A | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL |
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MP5KE10A | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL |
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MAP5KE10A | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL |
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MXP5KE10Ae3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL |
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1.5KE10AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 103A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.55V Supplier Device Package: CASE-1 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 9.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Obsolete |
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APT60M75JVFR | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP |
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APTGL180A1202G | Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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USBQ50403E3/TR7 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V Supplier Device Package: QFN-143 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
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USBQ50403E3/TR7 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V Supplier Device Package: QFN-143 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
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USBQ50403CE3/TR7 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V Supplier Device Package: QFN-143 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
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| JAN2N6788U |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N6790 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N6790U |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N6788 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/555
Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/555
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N6788U |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/555
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/555
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N6790 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/555
Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/555
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N6790U |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/555
Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/555
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N6788 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO205AF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N6788U |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N6790 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO205AF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N6790U |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC
Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SD1057-01H |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5031 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB @ 400MHz
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB @ 400MHz
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| A2F060M3E-1CSG288 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC SOC CORTEX-M3 100MHZ 288CSP
Packaging: Tray
Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA
Speed: 100MHz
RAM Size: 16KB
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TJ)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 288-CSP (11x11)
Architecture: MCU, FPGA
Flash Size: 128KB
Description: IC SOC CORTEX-M3 100MHZ 288CSP
Packaging: Tray
Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA
Speed: 100MHz
RAM Size: 16KB
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TJ)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 288-CSP (11x11)
Architecture: MCU, FPGA
Flash Size: 128KB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| A2F060M3E-1CSG288I |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC SOC CORTEX-M3 100MHZ 288CSP
Packaging: Tray
Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA
Speed: 100MHz
RAM Size: 16KB
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 288-CSP (11x11)
Architecture: MCU, FPGA
Flash Size: 128KB
Description: IC SOC CORTEX-M3 100MHZ 288CSP
Packaging: Tray
Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA
Speed: 100MHz
RAM Size: 16KB
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 288-CSP (11x11)
Architecture: MCU, FPGA
Flash Size: 128KB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| A2F060M3E-CSG288 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC SOC CORTEX-M3 80MHZ 288CSP
Packaging: Tray
Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA
Speed: 80MHz
RAM Size: 16KB
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TJ)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 288-CSP (11x11)
Architecture: MCU, FPGA
Flash Size: 128KB
Description: IC SOC CORTEX-M3 80MHZ 288CSP
Packaging: Tray
Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA
Speed: 80MHz
RAM Size: 16KB
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TJ)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 288-CSP (11x11)
Architecture: MCU, FPGA
Flash Size: 128KB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| A2F060M3E-CSG288I |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC SOC CORTEX-M3 80MHZ 288CSP
Packaging: Tray
Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA
Speed: 80MHz
RAM Size: 16KB
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 288-CSP (11x11)
Architecture: MCU, FPGA
Flash Size: 128KB
Description: IC SOC CORTEX-M3 80MHZ 288CSP
Packaging: Tray
Package / Case: 288-TFBGA, CSPBGA
Speed: 80MHz
RAM Size: 16KB
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Primary Attributes: ProASIC®3 FPGA, 60K Gates, 1536D-Flip-Flops
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 288-CSP (11x11)
Architecture: MCU, FPGA
Flash Size: 128KB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1.5KE180CAE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC CASE-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 154V
Supplier Device Package: CASE-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 171V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 246V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC CASE-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 154V
Supplier Device Package: CASE-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 171V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 246V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N6104US |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 6.2VWM 12.71VC SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 39.24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.71V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 6.2VWM 12.71VC SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 39.24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.71V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6486CE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 3.6V 1.5W DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6486E3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 3.6V 1.5W DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6487CE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 3.9V 1.5W DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6487E3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 3.9V 1.5W DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6488CE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6488E3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6489CE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMAJ)
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMAJ)
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V
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Stück im Wert von UAH
| SMAJ6489E3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMAJ)
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMAJ)
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6490CE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6490E3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO214AC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ6491CE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| SMAJ6491E3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| 1N4740 G |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 1W DO204AL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
Description: DIODE ZENER 10V 1W DO204AL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
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Stück im Wert von UAH
| MSG105 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
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Stück im Wert von UAH
| 150-709 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DEVICE MIXD LIGHTNING ARREST
Packaging: Bag
Mounting Type: In Line
Applications: GPS
Technology: Mixed Technology
Number of Circuits: 1
Description: TVS DEVICE MIXD LIGHTNING ARREST
Packaging: Bag
Mounting Type: In Line
Applications: GPS
Technology: Mixed Technology
Number of Circuits: 1
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5264B (DO-35) |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 60V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 60V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5264A (DO-35) |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 60V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 60V 500MW DO35
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXM1624-12-41 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXM1624-12-42 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXM1624-12-43 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXM1624-12-61 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXM1624-12-62 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXM1624-12-63 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXMG1624-12-42 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXMG1624-12-43 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 4W 12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXMG1624-12-61 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LXMG1624-12-63 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6KE150AE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 128V
Supplier Device Package: T-18
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 143V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 207V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 128V
Supplier Device Package: T-18
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 143V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 207V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6KE150CAE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 128V
Supplier Device Package: Axial
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 143V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 207V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 128V
Supplier Device Package: Axial
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 143V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 207V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MAP5KE10Ae3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MP5KE10Ae3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXP5KE10A |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MP5KE10A |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MAP5KE10A |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXP5KE10Ae3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1.5KE10AE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 103A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.55V
Supplier Device Package: CASE-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 103A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.55V
Supplier Device Package: CASE-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT60M75JVFR |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP
Description: MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APTGL180A1202G |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2
Description: IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 165.97 EUR |
| USBQ50403E3/TR7 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| USBQ50403E3/TR7 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| USBQ50403CE3/TR7 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH