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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SK34E3/TR13 SK34E3/TR13 Microsemi Corporation SK32-24,36,38,310B.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UFT14140 UFT14140 Microsemi Corporation Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UFT14140A UFT14140A Microsemi Corporation 00003052.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UFT14140D UFT14140D Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813 Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UFT20140 UFT20140 Microsemi Corporation UFT200_201_202.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UFT20140A Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813 Description: DIODE MODULE 400V 100A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UFT20140D Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813 Description: DIODE MODULE 400V 100A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2731-200P Microsemi Corporation Description: RF TRANS 3.1GHZ MODULE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT94N65B2C3G APT94N65B2C3G Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13940 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5811/TR 1N5811/TR Microsemi Corporation 123509-lds-0168-datasheet Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5811TR 1N5811TR Microsemi Corporation 123509-lds-0168-datasheet Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT20N60BC3G APT20N60BC3G Microsemi Corporation APT20N60xC3G.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT20N60SC3G APT20N60SC3G Microsemi Corporation APT20N60xC3G.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD130-08 MSD130-08 Microsemi Corporation 10534-msd130-rev1-datasheet Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 130A M3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD130-12 MSD130-12 Microsemi Corporation 10534-msd130-rev1-datasheet Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD130-16 MSD130-16 Microsemi Corporation 10534-msd130-rev1-datasheet Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD130-18 Microsemi Corporation 10534-msd130-rev1-datasheet Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.8KV 130A
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.8 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1309-01H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1330-05C Microsemi Corporation Description: TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1330-05H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1330-06H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1332-05C Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1332-05H Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1372-01H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1372-03H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1372-06H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6116US Microsemi Corporation 127892-lds-0277-1-datasheet Description: TVS DIODE 20.6VWM 39.27V SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.73A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.6V
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.42V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 39.27V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APTML102UM09R004T3AG Microsemi Corporation doc_details Description: MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APTML10UM09R004T1AG Microsemi Corporation doc_details Description: MOSFET N-CH 100V 154A SP1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBG4740C/TR13 Microsemi Corporation 11031-sd19a-datasheet Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBG
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBG4740CE3/TR13 Microsemi Corporation 11031-sd19a-datasheet Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBG
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ4740C/TR13 SMBJ4740C/TR13 Microsemi Corporation 11031-sd19a-datasheet Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBJ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ4740Ce3/TR13 SMBJ4740Ce3/TR13 Microsemi Corporation 11031-sd19a-datasheet Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBJ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VRF2933FL VRF2933FL Microsemi Corporation Description: MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2
Packaging: Tube
Package / Case: M177
Frequency: 30MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 300W
Gain: 22dB
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: M177
Part Status: Active
Voltage - Rated: 170 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 250 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE200CAE3/TR13 P6KE200CAE3/TR13 Microsemi Corporation rf01007_rb.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: Axial
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4755A G 1N4755A G Microsemi Corporation 10912-sa5-35-datasheet Description: DIODE ZENER 43V 1W DO204AL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 32.7 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APTML1002U60R020T3AG Microsemi Corporation doc_details Description: MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK110E3/TR13 Microsemi Corporation SK12%20thru%20SK110.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N332RB Microsemi Corporation 77269-lds-0077-datasheet Description: DIODE ZENER 51V 50W DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT8888CPR1 Microsemi Corporation 127044-mt8888c-datasheet-sep2005 Description: IC TELECOM INTERFACE 28PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: DTMF Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 7mA
Supplier Device Package: 28-PLCC
Number of Circuits: 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT8889CPR Microsemi Corporation 127045-mt8889-datashet-july08-datasheet Description: IC TELECOM INTERFACE 28PLCC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZL49031DCF1 Microsemi Corporation 127105-zl4901xx-datasheet-feb2007 Description: IC TELECOM INTERFACE 18SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: DTMF Receiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 3mA
Supplier Device Package: 18-SOIC
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Core429-AN Core429-AN Microsemi Corporation Description: IP MODULE CORE429
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Core429-AR Core429-AR Microsemi Corporation Description: IP MODULE CORE429
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5230BDO35 1N5230BDO35 Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 2 V
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TL431CDM TL431CDM Microsemi Corporation TL431%28A%2CB%29.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ 2% 8SOIC
Tolerance: ±2%
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperature Coefficient: 30ppm/°C Typical
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 1 mA
Current - Output: 100 mA
Voltage - Output (Max): 36 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZL50075GAC2 Microsemi Corporation 127189-zl50075-datasheet-jan2006 Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZL50117GAG Microsemi Corporation 127191-zl50115-120-datasheet-oct09 Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZL50119GAG Microsemi Corporation 127191-zl50115-120-datasheet-oct09 Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N3477 1N3477 Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 2.2V 250MW DO7
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.2 V
Supplier Device Package: DO-7
Power - Max: 250 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N3477A 1N3477A Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 2.2V 250MW DO7
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.2 V
Supplier Device Package: DO-7
Power - Max: 250 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5221BDO35 1N5221BDO35 Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5229A (DO-35) 1N5229A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5229A (DO-35) 1N5229A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
auf Bestellung 11969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.08 EUR
10+2.62 EUR
25+2.24 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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1N5232A (DO-35)TR 1N5232A (DO-35)TR Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
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1N5232A (DO-35)TR 1N5232A (DO-35)TR Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
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1N5233BDO35 1N5233BDO35 Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 6V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
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1N5234BDO35 1N5234BDO35 Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
Produkt ist nicht verfügbar
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1N5235BDO35 1N5235BDO35 Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5236BDO35 1N5236BDO35 Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SK34E3/TR13 SK32-24,36,38,310B.pdf
SK34E3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
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UFT14140
UFT14140
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
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UFT14140A 00003052.pdf
UFT14140A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
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UFT14140D index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813
UFT14140D
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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UFT20140 UFT200_201_202.pdf
UFT20140
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UFT20140A index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UFT20140D index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 100A
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2731-200P
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS 3.1GHZ MODULE
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APT94N65B2C3G
APT94N65B2C3G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13940 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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1N5811/TR 123509-lds-0168-datasheet
1N5811/TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5811TR 123509-lds-0168-datasheet
1N5811TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
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APT20N60BC3G APT20N60xC3G.pdf
APT20N60BC3G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
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APT20N60SC3G APT20N60xC3G.pdf
APT20N60SC3G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
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MSD130-08 10534-msd130-rev1-datasheet
MSD130-08
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 130A M3
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MSD130-12 10534-msd130-rev1-datasheet
MSD130-12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
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MSD130-16 10534-msd130-rev1-datasheet
MSD130-16
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD130-18 10534-msd130-rev1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.8KV 130A
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.8 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1800 V
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SD1309-01H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
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SD1330-05C
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANSISTOR
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SD1330-05H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1330-06H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1332-05C
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1332-05H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1372-01H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1372-03H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD1372-06H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
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JAN1N6116US 127892-lds-0277-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 20.6VWM 39.27V SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.73A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.6V
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.42V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 39.27V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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APTML102UM09R004T3AG doc_details
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
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APTML10UM09R004T1AG doc_details
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 154A SP1
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SMBG4740C/TR13 11031-sd19a-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBG
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBG4740CE3/TR13 11031-sd19a-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ4740C/TR13 11031-sd19a-datasheet
SMBJ4740C/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBJ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ4740Ce3/TR13 11031-sd19a-datasheet
SMBJ4740Ce3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBJ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VRF2933FL
VRF2933FL
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2
Packaging: Tube
Package / Case: M177
Frequency: 30MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 300W
Gain: 22dB
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: M177
Part Status: Active
Voltage - Rated: 170 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 250 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE200CAE3/TR13 rf01007_rb.pdf
P6KE200CAE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: Axial
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4755A G 10912-sa5-35-datasheet
1N4755A G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 1W DO204AL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 32.7 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APTML1002U60R020T3AG doc_details
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK110E3/TR13 SK12%20thru%20SK110.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N332RB 77269-lds-0077-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 50W DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT8888CPR1 127044-mt8888c-datasheet-sep2005
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 28PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: DTMF Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 7mA
Supplier Device Package: 28-PLCC
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT8889CPR 127045-mt8889-datashet-july08-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 28PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZL49031DCF1 127105-zl4901xx-datasheet-feb2007
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 18SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: DTMF Receiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 3mA
Supplier Device Package: 18-SOIC
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Core429-AN
Core429-AN
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IP MODULE CORE429
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Core429-AR
Core429-AR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IP MODULE CORE429
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5230BDO35 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5230BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 2 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL431CDM TL431%28A%2CB%29.pdf
TL431CDM
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC VREF SHUNT ADJ 2% 8SOIC
Tolerance: ±2%
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperature Coefficient: 30ppm/°C Typical
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 1 mA
Current - Output: 100 mA
Voltage - Output (Max): 36 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZL50075GAC2 127189-zl50075-datasheet-jan2006
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZL50117GAG 127191-zl50115-120-datasheet-oct09
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZL50119GAG 127191-zl50115-120-datasheet-oct09
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N3477
1N3477
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 2.2V 250MW DO7
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.2 V
Supplier Device Package: DO-7
Power - Max: 250 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N3477A
1N3477A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 2.2V 250MW DO7
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.2 V
Supplier Device Package: DO-7
Power - Max: 250 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5221BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5221BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5229A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5229A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5229A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5229A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
auf Bestellung 11969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.08 EUR
10+2.62 EUR
25+2.24 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5232A (DO-35)TR 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5232A (DO-35)TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5232A (DO-35)TR 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5232A (DO-35)TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
auf Bestellung 4246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.47 EUR
10+2.88 EUR
25+2.46 EUR
100+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5233BDO35 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5233BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 6V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5234BDO35 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5234BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5235BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5235BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5236BDO35 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5236BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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