Produkte > MICROSEMI CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers MICROSEMI CORPORATION (11563) > Seite 123 nach 193
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5337CE3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms Supplier Device Package: T-18 Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
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1N5337E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms Supplier Device Package: T-18 Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
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1N5248C | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±2% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Obsolete Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V |
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1N5248A (DO-35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 13.3 V |
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1214-32L | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1 Packaging: Bulk Package / Case: 55AW-1 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 7.8dB ~ 8.9dB Power - Max: 125W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz Supplier Device Package: 55AW-1 Part Status: Obsolete |
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MRF559G | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X |
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MRF559 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X |
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MRF559GT | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ |
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MRF559T | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ |
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MRF8372 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
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MRF8372G | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
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MRF8372GR1 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
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MRF8372GR2 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
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MRF8372R1 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
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MRF8372R2 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
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UC2844AM | Microsemi Corporation |
Description: IC REG CTRLR PWM CM 8-DIP Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Transistor Driver Mounting Type: Through Hole Function: Step-Up, Step-Down Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: Positive, Isolation Capable Frequency - Switching: Up to 500kHz Topology: Boost, Buck, Flyback, Forward Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V Supplier Device Package: 8-DIP Synchronous Rectifier: No Control Features: Frequency Control Output Phases: 1 Duty Cycle (Max): 48% Clock Sync: No Part Status: Obsolete Number of Outputs: 1 |
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1N5261A(DO-35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 36 V |
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1N5261A (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35 |
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1N5261B (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35 |
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1N5260BDO35 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35 |
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1N5260BDO35E3 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35 |
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1N5260BDO35E3 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35 |
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1N5260A (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35 |
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1N5260B (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35 |
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APTM120A65FT1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 |
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APTM120A80FT1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 |
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APTM120DA15G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 |
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APTM120DA29TG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 |
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APTM120DA56T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 |
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APTM120DA68T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 |
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APTM120DDA57T3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 |
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APTM120DSK57T3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 |
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APTM120DU29TG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 |
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APTM120H57FT3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 |
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APTM120H57FTG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 |
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APTM120SK15G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 |
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APTM120SK29TG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 |
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APTM120SK56T1G | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 25 V |
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APTM120SK68T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 |
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APTM120TA57FPG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P |
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APTM120TDU57PG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P |
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APTM120U10DAG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 160A SP6 |
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APTM120UM95FAG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 |
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APTM120VDA57T3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 |
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ZLR96722H | Microsemi Corporation | Description: REFERENCE DESIGN ZLR96722H |
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1N5953AE3/TR13 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953AP/TR12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953APE3/TR12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953BE3/TR13 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953BP/TR12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953BPE3/TR12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953CE3/TR13 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953CP/TR12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953CPE3/TR12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953E3/TR13 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953P/TR12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953PE3/TR12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953AP/TR8 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953APE3/TR8 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5953BP/TR8 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL |
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1N5337CE3/TR8 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
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1N5337E3/TR8 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
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1N5248C |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
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1N5248A (DO-35) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 13.3 V
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 13.3 V
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1214-32L |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW-1
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.8dB ~ 8.9dB
Power - Max: 125W
Current - Collector (Ic) (Max): 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
Supplier Device Package: 55AW-1
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW-1
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.8dB ~ 8.9dB
Power - Max: 125W
Current - Collector (Ic) (Max): 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
Supplier Device Package: 55AW-1
Part Status: Obsolete
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MRF559G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X
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MRF559 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X
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MRF559GT |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ
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MRF559T |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ
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MRF8372 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
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MRF8372G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
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MRF8372GR1 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
MRF8372GR2 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
MRF8372R1 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
MRF8372R2 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
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UC2844AM |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC REG CTRLR PWM CM 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Through Hole
Function: Step-Up, Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: Up to 500kHz
Topology: Boost, Buck, Flyback, Forward
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Supplier Device Package: 8-DIP
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Frequency Control
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 48%
Clock Sync: No
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Description: IC REG CTRLR PWM CM 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Through Hole
Function: Step-Up, Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: Up to 500kHz
Topology: Boost, Buck, Flyback, Forward
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Supplier Device Package: 8-DIP
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Frequency Control
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 48%
Clock Sync: No
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
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1N5261A(DO-35) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 36 V
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 36 V
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1N5261A (DO-35) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
1N5261B (DO-35) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
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1N5260BDO35 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
1N5260BDO35E3 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
1N5260BDO35E3 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
1N5260A (DO-35) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
1N5260B (DO-35) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
APTM120A65FT1G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Produkt ist nicht verfügbar
APTM120A80FT1G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Produkt ist nicht verfügbar
APTM120DA15G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
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APTM120DA29TG |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
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APTM120DA56T1G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
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APTM120DA68T1G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
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APTM120DDA57T3G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
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APTM120DSK57T3G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
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APTM120DU29TG |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
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APTM120H57FT3G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
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APTM120H57FTG |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
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APTM120SK15G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
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APTM120SK29TG |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
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APTM120SK56T1G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 25 V
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APTM120SK68T1G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
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APTM120TA57FPG |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Produkt ist nicht verfügbar
APTM120TDU57PG |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Produkt ist nicht verfügbar
APTM120U10DAG |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
Description: MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
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APTM120UM95FAG |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
Description: MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
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APTM120VDA57T3G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
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ZLR96722H |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: REFERENCE DESIGN ZLR96722H
Description: REFERENCE DESIGN ZLR96722H
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1N5953AE3/TR13 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
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1N5953AP/TR12 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953APE3/TR12 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953BE3/TR13 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953BP/TR12 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
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1N5953BPE3/TR12 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
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1N5953CE3/TR13 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
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1N5953CP/TR12 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953CPE3/TR12 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953E3/TR13 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953P/TR12 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953PE3/TR12 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
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1N5953AP/TR8 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953APE3/TR8 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953BP/TR8 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
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