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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies 22infineon-bsz070n08ls5-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4625696ed760156e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BXT270N02M BXT270N02M BRIDGELUX BXT270N02M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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BXT270N02M BXT270N02M BRIDGELUX BXT270N02M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
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Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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CEA270N00000030000 TE Connectivity product-CEA270N00000030000.datasheet.pdf Category: Unclassified
Description: CEA270N00000030000
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D970N06T D970N06T Infineon Technologies Infineon_D970N_DS_v03_01_en_de-3360112.pdf Rectifiers Rectifier Diode 970A 600V
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FR10870N0050J01 FR10870N0050J01 KYOCERA AVX AVX_FR_Style-3162303.pdf High Frequency/RF Resistors
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IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC70N04S5L_4R2_DS_v01_00_EN-1226982.pdf MOSFET MOSFET_(20V,40V)
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IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70N03S4L_04_DS_v02_01_EN-1731893.pdf MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
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IPI70N04S4-06 IPI70N04S4-06 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I70N04S4_06_DS_v01_00_en-1730685.pdf MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2
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IXFP270N06T3 IXFP270N06T3 IXYS IXxx270N06T3-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 47ns
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IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 IXYS IXTH(P)270N04T4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
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IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 IXYS IXTH(P)270N04T4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
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IXTP170N075T2 IXTP170N075T2 IXYS IXTA(P)170N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
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18+4.02 EUR
20+ 3.62 EUR
25+ 2.96 EUR
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IXTP170N075T2 IXTP170N075T2 IXYS IXTA(P)170N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
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Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
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Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
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IXTP170N075T2 IXTP170N075T2 IXYS media-3323071.pdf MOSFET 170 Amps 75V
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IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 IXYS IXTH(P)270N04T4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
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17+4.33 EUR
19+ 3.9 EUR
23+ 3.2 EUR
24+ 3.03 EUR
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IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 IXYS IXTH(P)270N04T4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
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Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
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17+4.33 EUR
19+ 3.9 EUR
23+ 3.2 EUR
24+ 3.03 EUR
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IXTP70N075T2 IXTP70N075T2 IXYS media-3321318.pdf MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
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100+ 4.34 EUR
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500+ 3.72 EUR
1000+ 3.48 EUR
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L-0805 47UH 30% 7.0MA // LQM21FN470N00L MURATA L-0805 47uH ±30% 7.0mA 1.2 Ohm 7.5MHz
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 22
MCTL270N04Y-TP MCTL270N04Y-TP Micro Commercial Components (MCC) MOSFET
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10+ 6.53 EUR
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R9-70N-01-220V-RED R9-70N-01-220V-RED SCI r9_70N.pdf Category: Neon Indicators
Description: Indicator: with neon lamp; flat; red; 230VAC; Cutout: 30.4x11.2mm
Type of indicator: with neon lamp
Kind of indicator: flat
Lamp colour: red
Operating voltage: 230V AC
Mounting hole diameter: 30.4x11.2mm
Leads: connectors 6,3x0,8mm
Terminals plating: silver plated
Body material: polyamide
Body colour: black
Operating temperature: -25...70°C
IP rating: IP20
Panel thickness: max. 3mm
Flammability rating: UL94V-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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57+ 1.26 EUR
90+ 0.8 EUR
95+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 51
RFP70N06 RFP70N06 ONSEMI RFP70N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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26+2.85 EUR
28+ 2.57 EUR
35+ 2.04 EUR
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RFP70N06 RFP70N06 ONSEMI RFP70N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Kind of package: tube
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Mindestbestellmenge: 26
RFP70N06 RFP70N06 ON Semiconductor rfp70n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1637 Stücke:
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RFP70N06 RFP70N06 onsemi / Fairchild RFP70N06_D-2319859.pdf MOSFET N-Ch Power MOSFET
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RSH070N05GZETB RSH070N05GZETB ROHM Semiconductor rsh070n05-e-1139135.pdf MOSFET N-Channel 45V 7A Power MOSFET
auf Bestellung 1237 Stücke:
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RSH070N05TB1 RSH070N05TB1 ROHM Semiconductor rsh070n05-e.pdf MOSFET Nch 45V 7A MOSFET
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Mindestbestellmenge: 18
RSS070N05HZGTB RSS070N05HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RSS070N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET MOSFET
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RXH070N03TB1 RXH070N03TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RXH070N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the
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TPS62870N0QWRXSRQ1 TPS62870N0QWRXSRQ1 Texas Instruments tps62870-q1.pdf Switching Voltage Regulators Automotive 2.7-V to 6-V input, 6-A, stackable, synchronous buck converter 16-VQFN-FCRLF -40 to 125
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TSM170N06CP ROG TSM170N06CP ROG Taiwan Semiconductor TSM170N06_B15.pdf MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
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AF70N03D ANACHIP 09+
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AP70N03
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AP70N03S AP 03+
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APM70N03GC-TR
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BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
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DFP70N06 09+
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DT170N06KOF EUPEC 05+
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DT170N08KOF EUPEC 05+
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F1S70N06
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FQA170N06 fqa170n06-d.pdf
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FQB70N08 fairchild to-263/d2-pak
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FQB70N08 FAIRCHILD 07+ SOT-263
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FQB70N08 FAIRCHILD SOT-263
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FQB70N08 FAIRCHILD TO-263
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FQB70N08 Fairchild
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FQB70N08TM Fairchild FAIRS18571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQB70N08%2C%20FQI70N08.pdf
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FQD70N03 FAIRCHILD 03+
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FQD70N03L FAIRCHILD 04+
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FQP70N08 FAIRS08209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP70N08.pdf
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FQPF70N08
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GFB70N03 GS 94+
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GFB70N03 GENERAL 2003
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GFP70N03 07+
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BSZ070N08LS5ATMA1 22infineon-bsz070n08ls5-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4625696ed760156e.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon_BSZ070N08LS5_DataSheet_v02_03_EN-3360909.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
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18+2.99 EUR
21+ 2.56 EUR
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250+ 2.14 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.67 EUR
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BXT270N02M BXT270N02M.pdf
BXT270N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 7223 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
152+0.47 EUR
298+ 0.24 EUR
426+ 0.17 EUR
596+ 0.12 EUR
1191+ 0.06 EUR
2050+ 0.035 EUR
2165+ 0.033 EUR
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BXT270N02M BXT270N02M.pdf
BXT270N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7223 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
152+0.47 EUR
298+ 0.24 EUR
426+ 0.17 EUR
596+ 0.12 EUR
1191+ 0.06 EUR
2050+ 0.035 EUR
2165+ 0.033 EUR
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CEA270N00000030000 product-CEA270N00000030000.datasheet.pdf
Hersteller: TE Connectivity
Category: Unclassified
Description: CEA270N00000030000
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2+57.31 EUR
9+ 49.54 EUR
36+ 47.55 EUR
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D970N06T Infineon_D970N_DS_v03_01_en_de-3360112.pdf
D970N06T
Hersteller: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 970A 600V
auf Bestellung 10 Stücke:
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1+189.57 EUR
10+ 179.79 EUR
18+ 165.93 EUR
54+ 154.05 EUR
FR10870N0050J01 AVX_FR_Style-3162303.pdf
FR10870N0050J01
Hersteller: KYOCERA AVX
High Frequency/RF Resistors
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2+33.57 EUR
10+ 30.52 EUR
25+ 27.46 EUR
50+ 23.66 EUR
100+ 21.74 EUR
250+ 20.59 EUR
500+ 19.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IAUC70N08S5N074ATMA1 Infineon_IAUC70N08S5N074_DS_v01_00_EN-1578743.pdf
IAUC70N08S5N074ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 370 Stücke:
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14+3.85 EUR
17+ 3.17 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.08 EUR
1000+ 1.59 EUR
5000+ 1.52 EUR
10000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IPB70N04S4-06 Infineon_IPP_B_I70N04S4_06_DS_v01_00_en-1730685.pdf
IPB70N04S4-06
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 975 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
11+4.91 EUR
13+ 4.08 EUR
100+ 3.25 EUR
250+ 2.99 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.34 EUR
2000+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon_IPC70N04S5_4R6_DS_v01_00_EN-1227164.pdf
IPC70N04S54R6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+2.54 EUR
27+ 1.94 EUR
100+ 1.6 EUR
500+ 1.38 EUR
1000+ 1.06 EUR
5000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IPC70N04S5L4R2ATMA1 5511694646377774infineon-ipc70n04s5l-4r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc101.pdf
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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IPC70N04S5L4R2ATMA1 Infineon_IPC70N04S5L_4R2_DS_v01_00_EN-1226982.pdf
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
auf Bestellung 10000 Stücke:
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20+2.63 EUR
27+ 1.95 EUR
100+ 1.61 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.17 EUR
5000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IPD70N03S4L-04 Infineon_IPD70N03S4L_04_DS_v02_01_EN-1731893.pdf
IPD70N03S4L-04
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Anzahl Preis ohne MwSt
17+3.17 EUR
20+ 2.6 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.73 EUR
1000+ 1.41 EUR
2500+ 1.33 EUR
5000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon_IPD70N03S4L_04_DS_v02_01_EN-1731893.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
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17+3.17 EUR
20+ 2.6 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.73 EUR
1000+ 1.41 EUR
2500+ 1.33 EUR
5000+ 1.26 EUR
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IPI70N04S4-06 Infineon_IPP_B_I70N04S4_06_DS_v01_00_en-1730685.pdf
IPI70N04S4-06
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2
auf Bestellung 887 Stücke:
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11+4.91 EUR
13+ 4.08 EUR
100+ 3.25 EUR
250+ 2.99 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.23 EUR
5000+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IXFP270N06T3 IXxx270N06T3-DTE.pdf
IXFP270N06T3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 47ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH270N04T4 IXTH(P)270N04T4.pdf
IXTH270N04T4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.91 EUR
14+ 5.31 EUR
17+ 4.23 EUR
18+ 4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IXTH270N04T4 IXTH(P)270N04T4.pdf
IXTH270N04T4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.91 EUR
14+ 5.31 EUR
17+ 4.23 EUR
18+ 4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IXTP170N075T2 IXTA(P)170N075T2.pdf
IXTP170N075T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+4.02 EUR
20+ 3.62 EUR
25+ 2.96 EUR
26+ 2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IXTP170N075T2 IXTA(P)170N075T2.pdf
IXTP170N075T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+4.02 EUR
20+ 3.62 EUR
25+ 2.96 EUR
26+ 2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IXTP170N075T2 media-3323071.pdf
IXTP170N075T2
Hersteller: IXYS
MOSFET 170 Amps 75V
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.46 EUR
10+ 7.93 EUR
50+ 7.46 EUR
100+ 6.55 EUR
250+ 6.21 EUR
500+ 5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXTP270N04T4 IXTH(P)270N04T4.pdf
IXTP270N04T4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+4.33 EUR
19+ 3.9 EUR
23+ 3.2 EUR
24+ 3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IXTP270N04T4 IXTH(P)270N04T4.pdf
IXTP270N04T4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+4.33 EUR
19+ 3.9 EUR
23+ 3.2 EUR
24+ 3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IXTP70N075T2 media-3321318.pdf
IXTP70N075T2
Hersteller: IXYS
MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+6.58 EUR
10+ 5.9 EUR
100+ 4.34 EUR
250+ 4.21 EUR
500+ 3.72 EUR
1000+ 3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8
L-0805 47UH 30% 7.0MA // LQM21FN470N00L
Hersteller: MURATA
L-0805 47uH ±30% 7.0mA 1.2 Ohm 7.5MHz
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 22
MCTL270N04Y-TP
MCTL270N04Y-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+7.77 EUR
10+ 6.53 EUR
25+ 6.16 EUR
100+ 5.3 EUR
250+ 5.02 EUR
500+ 4.68 EUR
1000+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R9-70N-01-220V-RED r9_70N.pdf
R9-70N-01-220V-RED
Hersteller: SCI
Category: Neon Indicators
Description: Indicator: with neon lamp; flat; red; 230VAC; Cutout: 30.4x11.2mm
Type of indicator: with neon lamp
Kind of indicator: flat
Lamp colour: red
Operating voltage: 230V AC
Mounting hole diameter: 30.4x11.2mm
Leads: connectors 6,3x0,8mm
Terminals plating: silver plated
Body material: polyamide
Body colour: black
Operating temperature: -25...70°C
IP rating: IP20
Panel thickness: max. 3mm
Flammability rating: UL94V-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
51+1.42 EUR
57+ 1.26 EUR
90+ 0.8 EUR
95+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 51
RFP70N06 RFP70N06.pdf
RFP70N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+2.85 EUR
28+ 2.57 EUR
35+ 2.04 EUR
38+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 26
RFP70N06 RFP70N06.pdf
RFP70N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+2.85 EUR
28+ 2.57 EUR
35+ 2.04 EUR
38+ 1.93 EUR
250+ 1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 26
RFP70N06 rfp70n06jp-d.pdf
RFP70N06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RFP70N06 RFP70N06_D-2319859.pdf
RFP70N06
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Ch Power MOSFET
auf Bestellung 5038 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+4.03 EUR
15+ 3.51 EUR
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RSH070N05GZETB
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET N-Channel 45V 7A Power MOSFET
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RSH070N05TB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 45V 7A MOSFET
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RSS070N05HZGTB
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET
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RXH070N03TB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the
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TPS62870N0QWRXSRQ1
Hersteller: Texas Instruments
Switching Voltage Regulators Automotive 2.7-V to 6-V input, 6-A, stackable, synchronous buck converter 16-VQFN-FCRLF -40 to 125
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TSM170N06CP ROG
Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
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Hersteller: Infineon
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DFP70N06
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F1S70N06
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FQB70N08
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
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GFB70N03
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GFB70N03
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2003
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