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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRLU024NPBF(Transistor) Produktcode: 73061 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 55 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 480/15 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
erwartet:
200 Stück
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IRLU2905PBF Produktcode: 184659 |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: I-Pak Uds,V: 60 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 670/11 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 100 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU8726PBF Produktcode: 33747 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: I-Pak Uds,V: 30 Idd,A: 86 Rds(on), Ohm: 0.0056 Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
verfügbar: 15 Stück
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IRLU014PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLU014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU014 |
auf Bestellung 3336 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU014PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2772 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU024N | International Rectifier |
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065Ω IRLU024N TIRLU024n Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl |
auf Bestellung 1263 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 9275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU024 |
auf Bestellung 5604 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2565 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU110PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 964 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU110 |
auf Bestellung 2432 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7151 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU120N | International Rectifier |
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv |
auf Bestellung 29357 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm |
auf Bestellung 12114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8473 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU3110Z | International Rectifier |
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 6975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl |
auf Bestellung 2612 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 6975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 6975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3914 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU3114Z | International Rectifier |
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU3410 | International Rectifier |
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 21105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF(Transistor) Produktcode: 73061 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
erwartet:
200 Stück
IRLU2905PBF Produktcode: 184659 |
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/11
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/11
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRLU8726PBF Produktcode: 33747 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.7 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
IRLU014PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRLU014PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
185+ | 0.85 EUR |
200+ | 0.75 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
1000+ | 0.63 EUR |
IRLU014PBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU014
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU014
auf Bestellung 3336 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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24+ | 2.18 EUR |
28+ | 1.88 EUR |
100+ | 1.58 EUR |
500+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1.24 EUR |
3000+ | 1.21 EUR |
6000+ | 1.14 EUR |
IRLU014PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
193+ | 0.81 EUR |
201+ | 0.75 EUR |
213+ | 0.68 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
1000+ | 0.61 EUR |
IRLU014PBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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9+ | 2.99 EUR |
75+ | 2.39 EUR |
150+ | 1.89 EUR |
525+ | 1.61 EUR |
1050+ | 1.31 EUR |
2025+ | 1.23 EUR |
IRLU024N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065Ω IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065Ω IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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75+ | 1.11 EUR |
IRLU024NPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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85+ | 0.84 EUR |
127+ | 0.57 EUR |
144+ | 0.5 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
IRLU024NPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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85+ | 0.84 EUR |
127+ | 0.57 EUR |
144+ | 0.5 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
IRLU024NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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228+ | 0.69 EUR |
256+ | 0.59 EUR |
500+ | 0.48 EUR |
1000+ | 0.4 EUR |
IRLU024NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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27+ | 1.96 EUR |
42+ | 1.24 EUR |
100+ | 1.05 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
1000+ | 0.81 EUR |
IRLU024NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLU024NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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174+ | 0.9 EUR |
230+ | 0.66 EUR |
256+ | 0.57 EUR |
500+ | 0.47 EUR |
1000+ | 0.38 EUR |
IRLU024NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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198+ | 0.79 EUR |
250+ | 0.73 EUR |
500+ | 0.68 EUR |
1000+ | 0.63 EUR |
2500+ | 0.59 EUR |
IRLU024NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLU024NPBF |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLU024NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 9275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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219+ | 0.71 EUR |
235+ | 0.64 EUR |
236+ | 0.62 EUR |
500+ | 0.5 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
3000+ | 0.41 EUR |
6000+ | 0.37 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
300+ | 0.47 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
300+ | 0.47 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
93+ | 1.69 EUR |
113+ | 1.34 EUR |
125+ | 1.16 EUR |
250+ | 1.09 EUR |
500+ | 0.99 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
152+ | 1.03 EUR |
241+ | 0.63 EUR |
246+ | 0.59 EUR |
252+ | 0.55 EUR |
255+ | 0.53 EUR |
500+ | 0.5 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
241+ | 0.65 EUR |
253+ | 0.6 EUR |
260+ | 0.56 EUR |
261+ | 0.54 EUR |
500+ | 0.5 EUR |
1000+ | 0.47 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
225+ | 0.91 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU024
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU024
auf Bestellung 5604 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.77 EUR |
20+ | 2.63 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
250+ | 2.18 EUR |
500+ | 1.98 EUR |
1000+ | 1.76 EUR |
3000+ | 1.73 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLU024PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
92+ | 1.7 EUR |
101+ | 1.49 EUR |
113+ | 1.29 EUR |
250+ | 1.23 EUR |
500+ | 1.07 EUR |
1000+ | 0.95 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
136+ | 1.15 EUR |
IRLU024PBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 3.93 EUR |
75+ | 3.16 EUR |
150+ | 2.6 EUR |
525+ | 2.2 EUR |
1050+ | 1.87 EUR |
2025+ | 1.77 EUR |
IRLU110PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
59+ | 1.23 EUR |
120+ | 0.6 EUR |
133+ | 0.54 EUR |
174+ | 0.41 EUR |
184+ | 0.39 EUR |
IRLU110PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
59+ | 1.23 EUR |
120+ | 0.6 EUR |
133+ | 0.54 EUR |
174+ | 0.41 EUR |
184+ | 0.39 EUR |
IRLU110PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
129+ | 1.22 EUR |
162+ | 0.93 EUR |
181+ | 0.8 EUR |
500+ | 0.71 EUR |
1000+ | 0.6 EUR |
IRLU110PBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU110
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU110
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
16+ | 3.46 EUR |
23+ | 2.28 EUR |
100+ | 1.89 EUR |
500+ | 1.68 EUR |
1000+ | 1.43 EUR |
3000+ | 1.36 EUR |
9000+ | 1.35 EUR |
IRLU110PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
162+ | 0.97 EUR |
181+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.62 EUR |
IRLU110PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLU110PBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 7151 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 3.43 EUR |
75+ | 2.76 EUR |
150+ | 2.19 EUR |
525+ | 1.86 EUR |
1050+ | 1.51 EUR |
2025+ | 1.42 EUR |
5025+ | 1.36 EUR |
IRLU120N |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 1.6 EUR |
IRLU120NPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
40+ | 1.8 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
125+ | 0.58 EUR |
IRLU120NPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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40+ | 1.8 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
125+ | 0.58 EUR |
IRLU120NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
129+ | 1.21 EUR |
152+ | 0.99 EUR |
177+ | 0.82 EUR |
200+ | 0.75 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
1000+ | 0.6 EUR |
IRLU120NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
auf Bestellung 29357 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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36+ | 1.47 EUR |
43+ | 1.24 EUR |
100+ | 1.04 EUR |
500+ | 0.95 EUR |
1000+ | 0.83 EUR |
IRLU120NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
223+ | 0.7 EUR |
251+ | 0.6 EUR |
285+ | 0.51 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
1000+ | 0.4 EUR |
2500+ | 0.37 EUR |
IRLU120NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
251+ | 0.62 EUR |
284+ | 0.53 EUR |
500+ | 0.48 EUR |
1000+ | 0.42 EUR |
2500+ | 0.39 EUR |
IRLU120NPBF |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 12114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLU120NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLU120NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 8473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 2.11 EUR |
75+ | 1.69 EUR |
150+ | 1.34 EUR |
525+ | 1.14 EUR |
1050+ | 0.93 EUR |
2025+ | 0.87 EUR |
5025+ | 0.83 EUR |
IRLU3110Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 4.53 EUR |
IRLU3110ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
31+ | 2.36 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
40+ | 1.83 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
IRLU3110ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
77+ | 2.05 EUR |
82+ | 1.85 EUR |
100+ | 1.5 EUR |
200+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.31 EUR |
1000+ | 1.13 EUR |
2000+ | 1.02 EUR |
IRLU3110ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
57+ | 2.74 EUR |
71+ | 2.15 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
250+ | 1.48 EUR |
500+ | 1.29 EUR |
1000+ | 1 EUR |
3000+ | 0.91 EUR |
6000+ | 0.89 EUR |
IRLU3110ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
auf Bestellung 2612 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 4.32 EUR |
15+ | 3.64 EUR |
100+ | 3.15 EUR |
250+ | 3.04 EUR |
500+ | 2.76 EUR |
1000+ | 2.23 EUR |
3000+ | 1.93 EUR |
IRLU3110ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
54+ | 2.95 EUR |
64+ | 2.38 EUR |
100+ | 1.82 EUR |
500+ | 1.48 EUR |
1000+ | 1.14 EUR |
3000+ | 1.05 EUR |
IRLU3110ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLU3110ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 3914 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 4.26 EUR |
75+ | 3.42 EUR |
150+ | 2.82 EUR |
525+ | 2.38 EUR |
1050+ | 2.02 EUR |
2025+ | 1.92 EUR |
IRLU3114Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 3.49 EUR |
IRLU3410 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 2.54 EUR |
IRLU3410PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
202+ | 0.78 EUR |
228+ | 0.66 EUR |
500+ | 0.59 EUR |
IRLU3410PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 21105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
176+ | 0.89 EUR |
209+ | 0.72 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
1000+ | 0.51 EUR |
3000+ | 0.46 EUR |
6000+ | 0.44 EUR |
9000+ | 0.41 EUR |
IRLU3410PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
180+ | 0.87 EUR |
202+ | 0.75 EUR |
231+ | 0.63 EUR |
500+ | 0.57 EUR |
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