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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ohne MwSt
IRF710 IRF710
Produktcode: 23685 		IR HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 2
Rds(on), Ohm: 03.06.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
1+0.57 EUR
10+ 0.53 EUR
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112 		IR irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 370 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.3 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.25 EUR
IRF7104PBF IRF7104PBF
Produktcode: 23932 		IR irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 2.3
Rds(on),Om: 0.25
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 89 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF7105 IRF7105
Produktcode: 32592 		IR irf7105-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 25
Idd,A: 3.5 (2.3)
Rds(on), Ohm: 0.1(0.25)
Ciss, pF/Qg, nC: 04.09.330
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar: 162 Stück
15 Stück - stock Köln
147 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.42 EUR
10+ 0.29 EUR
IRF7105PBF IRF7105PBF
Produktcode: 113418 		IR irf7105pbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 55 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF710 Siliconix HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF710 IRF710 onsemi HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 740
IRF710 IRF710 Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 740
IRF710 IRF710 Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 740
IRF710 ONSEMI MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7101 International Rectifier description 2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF7103QTRPBF International Rectifier/Infineon IRF7103QPbF.pdf description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.1 EUR
10+ 0.94 EUR
100+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR UMW Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 15080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR UMW Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR IR Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.26 EUR
10+ 2 EUR
100+ 1.81 EUR
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.83 EUR
225+ 0.32 EUR
237+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 87
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 198349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3006+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3006
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.58 EUR
111+ 1.32 EUR
160+ 0.88 EUR
200+ 0.85 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.47 EUR
4000+ 0.44 EUR
8000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 96
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 198349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
14+ 1.35 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf_1-3224003.pdf MOSFETs Y
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.52 EUR
10+ 1.35 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.65 EUR
2000+ 0.62 EUR
4000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.48 EUR
8000+ 0.46 EUR
12000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7104 IR Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.17 EUR
10+ 1.92 EUR
100+ 1.74 EUR
IRF7104PBF International Rectifier/Infineon irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 2519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+0.73 EUR
10+ 0.63 EUR
100+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRF7104TR UMW Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
auf Bestellung 4148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.57 EUR
4000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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274+ 0.51 EUR
500+ 0.47 EUR
2000+ 0.45 EUR
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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276+ 0.53 EUR
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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242+0.63 EUR
244+ 0.6 EUR
246+ 0.57 EUR
249+ 0.54 EUR
251+ 0.52 EUR
500+ 0.49 EUR
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IRF7105TR UMW Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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4000+0.43 EUR
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IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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10+1.78 EUR
16+ 1.12 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.51 EUR
2000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
auf Bestellung 9815 Stücke:
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3+1.28 EUR
10+ 1.01 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.49 EUR
4000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7105TRPBF Infineon irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
auf Bestellung 3886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.88 EUR
10+ 2.52 EUR
100+ 2.34 EUR
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.4 EUR
173+ 0.84 EUR
311+ 0.45 EUR
460+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 108
IRF710B IRF710B Fairchild Semiconductor FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 29593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1665+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1665
IRF710B ONSEMI FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF710B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY IRF710PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
98+ 0.73 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 81
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY IRF710PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
98+ 0.73 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 81
IRF710PBF IRF710PBF Vishay Siliconix 91041.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 6440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
50+ 0.95 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRF710PBF IRF710PBF Vishay Semiconductors 91041.pdf MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+ 0.9 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY VISH-S-A0013276556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 197
IRF710
Produktcode: 23685		 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
IRF710
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 2
Rds(on), Ohm: 03.06.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.57 EUR
10+ 0.53 EUR
IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112		 description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 370 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.3 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.25 EUR
IRF7104PBF
Produktcode: 23932		 description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
IRF7104PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 2.3
Rds(on),Om: 0.25
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 89 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF7105
Produktcode: 32592		 description irf7105-datasheet.pdf
IRF7105
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 25
Idd,A: 3.5 (2.3)
Rds(on), Ohm: 0.1(0.25)
Ciss, pF/Qg, nC: 04.09.330
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar: 162 Stück
15 Stück - stock Köln
147 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.42 EUR
10+ 0.29 EUR
IRF7105PBF
Produktcode: 113418		 description irf7105pbf-datasheet.pdf
IRF7105PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 55 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 740
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 19500 Stücke:
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IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Hersteller: Harris Corporation
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 740
IRF710 description MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4400 Stücke:
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IRF7101 description
Hersteller: International Rectifier
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF7103QTRPBF description IRF7103QPbF.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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6+1.1 EUR
10+ 0.94 EUR
100+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRF7103TR
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
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50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 15080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7103TR
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.26 EUR
10+ 2 EUR
100+ 1.81 EUR
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2079 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
87+0.83 EUR
225+ 0.32 EUR
237+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 87
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 198349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3006 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3006+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3006
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
96+1.58 EUR
111+ 1.32 EUR
160+ 0.88 EUR
200+ 0.85 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.47 EUR
4000+ 0.44 EUR
8000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 96
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 198349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+2.15 EUR
14+ 1.35 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf_1-3224003.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Y
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.52 EUR
10+ 1.35 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.65 EUR
2000+ 0.62 EUR
4000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.48 EUR
8000+ 0.46 EUR
12000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7104
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.17 EUR
10+ 1.92 EUR
100+ 1.74 EUR
IRF7104PBF description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 2519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+0.73 EUR
10+ 0.63 EUR
100+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRF7104TR
Hersteller: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7104TRPBF description Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf
IRF7104TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
auf Bestellung 4148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.42 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.57 EUR
4000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF7104TRPBF description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
IRF7104TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 3323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+2.11 EUR
14+ 1.34 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.63 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
276+0.55 EUR
309+ 0.47 EUR
500+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 276
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
230+0.66 EUR
259+ 0.56 EUR
274+ 0.51 EUR
500+ 0.47 EUR
2000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 230
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
246+0.61 EUR
249+ 0.59 EUR
251+ 0.56 EUR
500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 246
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
256+0.59 EUR
276+ 0.53 EUR
309+ 0.45 EUR
500+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 256
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
242+0.63 EUR
244+ 0.6 EUR
246+ 0.57 EUR
249+ 0.54 EUR
251+ 0.52 EUR
500+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 242
IRF7105TR
Hersteller: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
IRF7105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
IRF7105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+1.78 EUR
16+ 1.12 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.51 EUR
2000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF7105TRPBF description Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf
IRF7105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
auf Bestellung 9815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.28 EUR
10+ 1.01 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.49 EUR
4000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
auf Bestellung 3886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.88 EUR
10+ 2.52 EUR
100+ 2.34 EUR
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
108+1.4 EUR
173+ 0.84 EUR
311+ 0.45 EUR
460+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 108
IRF710B FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710B
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 29593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1665+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1665
IRF710B FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF710B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF710PBF IRF710PBF.pdf
IRF710PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
81+0.89 EUR
98+ 0.73 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 81
IRF710PBF IRF710PBF.pdf
IRF710PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
81+0.89 EUR
98+ 0.73 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 81
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 6440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.18 EUR
50+ 0.95 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.08 EUR
10+ 0.9 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF710PBF VISH-S-A0013276556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF710PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
197+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 197
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